JP2016058055A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- Ａｌ膜またはＡｌ合金膜からなる第１層、および、
Ａｌと；Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；を含むＡｌ合金であって、一部が窒化し、１４原子％以上５７原子％以下の窒素原子を含み、かつ波長４５０ｎｍ、波長５５０ｎｍ、および波長６５０ｎｍの消衰係数が０．１５以上を有する第２層の積層構造を有することを特徴とする電極。 - 前記積層構造において、第３層として透明導電膜をさらに有する請求項１に記載の電極。
- 前記第１層の少なくとも一方の面にＭｏ膜を有する請求項１または２に記載の電極。
- 前記第２層に記載のＡｌ合金は、Ａｌと；Ｍｎ、およびＣｕよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；を含む請求項１〜３のいずれかに記載の電極。
- 前記第３層は、ＩｎとＳｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜、またはＩｎとＺｎを少なくとも含む酸化物からなる透明導電膜である請求項２〜４のいずれかに記載の電極。
- 前記第１層の電気抵抗率は２０μΩ・ｃｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載の電極。
- 前記第１層のＡｌ合金膜は、Ａｌと；Ｎｄ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｌａ、Ｚｒ、およびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；を含む請求項１〜６のいずれかに記載の電極。
- リン硝酢酸系エッチング液を用いたウェットエッチング加工性に優れたものである請求項１〜７のいずれかに記載の電極。
- 前記第１層の膜厚が５０〜４００ｎｍである請求項１〜８のいずれかに記載の電極。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の電極を有する入力装置。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の電極を有するタッチパネルセンサー。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の電極を構成する第２層の成膜に用いられるスパッタリングターゲットであって、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含み、残部：Ａｌおよび不可避的不純物であるスパッタリングターゲット。
- 請求項１〜９のいずれかに記載の電極を製造する方法であって、
窒素ガスを含む反応性スパッタリング法によって前記第２層を成膜することを特徴とする電極の製造方法。
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