JP2015156432A - インダクタの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができるインダクタの製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性の第1の樹脂シートにCu箔を圧着する第1の工程と、前記Cu箔にエッチングを行うことにより導体を形成する第2の工程と、前記導体パターン上に非磁性の第2の樹脂シートを圧着する第3の工程と、前記第2の樹脂を貫通し前記導体パターンに通じるビア導体を形成するビア導体形成工程とを備える。さらに、第1〜第3の工程及びビア導体形成工程を含む製造方法により得られた積層体に対して、磁性粉入りの樹脂シート220a、220kを圧着及び熱硬化させることにより、コイル30の外側に磁性を有する樹脂が設けられた本体を形成する工程を備える。
【選択図】図18

Description

本発明は、インダクタの製造方法に関する。
従来のインダクタの製造法として、例えば、特許文献1に記載の積層インダクタの製造方法が知られている。この種の積層インダクタの製造方法(以下、従来の積層インダクタの製造方法と称す)では、積層体を構成するシート状のスラリーを積層・焼結する工程を含む。しかし、従来の積層インダクタの製造方法では、焼結の際に積層インダクタが高温に晒されるため、層間剥離やクラック等の構造欠陥が発生する虞があった。
特開2013−102127号公報
そこで、本発明の目的は、層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができるインダクタの製造方法を提供することである。
本発明の第1の形態に係るインダクタの製造方法は、
導体パターン及びビア導体により構成される螺旋状のコイルを内蔵したインダクタの製造方法であって、
非磁性の樹脂から成る第1の非磁性体層上に第1の導体層を圧着する第1の工程と、
圧着された前記第1の導体層にエッチングを行うことにより前記導体パターンを形成する第2の工程と、
前記導体パターン上に非磁性の樹脂から成る第2の非磁性体層を圧着する第3の工程と、
前記第1の非磁性体層又は前記第2の非磁性体層を貫通し、前記導体パターンに通じる前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記第1の工程から前記第3の工程及び前記ビア導体形成工程を含む製造方法によって得られた前記コイルを内蔵した積層体を、磁性粉入り樹脂シートで挟み込むように圧着し、さらに該磁性粉入り樹脂シートを熱硬化させることにより、前記コイルの外側に磁性を有する樹脂が設けられた本体を形成する工程と、
を備えること、
を特徴とする。
本発明の第2の形態に係るインダクタの製造方法は、
導体パターン及びビア導体により構成される螺旋状のコイルを内蔵したインダクタの製造方法であって、
非磁性の樹脂から成る第1の非磁性体層上に第1の導体層を圧着する第1の工程と、
圧着された前記第1の導体層にエッチングを行うことにより前記導体パターンを形成する第2の工程と、
前記導体パターン上に非磁性の樹脂から成る第2の非磁性体層を圧着する第3の工程と、
前記第2の非磁性体層上に第2の導体層を圧着する第4の工程と、
前記第2の導体層及び前記第2の非磁性体層を貫通し、前記導体パターンに通じるビアを形成する第5の工程と、
前記ビアにめっきを施し、前記ビア導体を形成する第6の工程と、
前記第6の工程の後に、前記第2の工程から前記第6の工程を繰り返すことによって得られた前記コイルを内蔵した積層体を、磁性粉入り樹脂シートで挟み込むように圧着し、さらに該磁性粉入り樹脂シートを熱硬化させることにより、前記コイルの外側に磁性を有する樹脂が設けられた本体を形成する工程と、
を備えること、
を特徴とする。
本発明に係るインダクタの製造方法では、インダクタの材料として、樹脂を用い、これを圧着し、硬化している。また、導体パターンの形成を導体層のエッチングにより行っている。さらに、磁性を有する部分を形成する際、磁性粉入り樹脂シートを用い、これを圧着し、硬化している。これにより、本発明の一の形態に係るインダクタの製造方法は、焼結等の高温の熱処理工程を含まない。従って、本発明の一の形態に係るインダクタの製造方法により製造されたインダクタでは、層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができる。
本発明に係るインダクタの製造方法によれば、層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができる。
一実施形態に係るインダクタの外観斜視図である。 一実施形態に係るインダクタの分解斜視図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中のインダクタの断面図である。 製造途中の変形例に係るインダクタの断面図である。 製造途中の変形例に係るインダクタの断面図である。 製造途中の変形例に係るインダクタの断面図である。 製造途中の変形例に係るインダクタの断面図である。
以下に、一実施形態に係るインダクタの製造方法及びこれにより製造されるインダクタについて説明する。
(インダクタの概略構成 図1参照)
以下に、一実施形態に係るインダクタの製造方法により製造されたインダクタの構成について、図面を参照しながら説明する。なお、インダクタ10の積層方向をz軸方向と定義し、z軸方向から平面視したときに、インダクタの長辺に沿った方向をx軸方向と定義し、短辺に沿った方向をy軸方向と定義する。また、z軸方向の正方向側に位置する面を上面と称し、z軸方向の負方向側に位置する面を下面と称す。なお、x軸、y軸及びz軸は互いに直交している。
インダクタ10は、本体20、コイル30及び外部電極40a,40bを備えている。また、インダクタ10の形状は、図1に示すように、直方体である。
(本体の構成 図2参照)
本体20は、磁性体(磁性粉入り樹脂等)や非磁性体(ガラスやアルミナ等及びその複合材料)から成る絶縁体を材料とする直方体状の部材である。また、本体20内には、後述するコイル導体32b、32d、32f、32h、32jが位置している。ここで、コイル導体32b、32d、32f、32h、32jが位置している層と、コイル導体32b、32d、32f、32h、32jが位置していない層とで本体20を、便宜的に層状に分割すると、本体20は、絶縁体層22a〜22kがz軸方向の正方向側からこの順に並ぶように構成されている。また、各絶縁体層22a〜22kは、z軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。
絶縁体層22aは、図2に示すように、本体20のz軸方向の正方向側の端部に位置する。また、絶縁体層22aは、磁性体から成る。
絶縁体層22bは、絶縁体層22aの下面に位置し、磁性体から成る。なお、絶縁体層22bには、後述するコイル導体32bが位置する。
絶縁体層22cは、絶縁体層22bの下面に位置する。また、絶縁体層22cは、磁性体から成る磁性体層24c、及び非磁性体から成る非磁性体層26cにより構成されている。非磁性体層26cは、絶縁体層22cの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。磁性体層24cは、z軸方向から平面視したときに、非磁性体層26cの周囲、及び非磁性体層26cのロの字の内側に設けられている。
絶縁体層22dは、絶縁体層22cの下面に位置し、磁性体から成る。なお、絶縁体層22dには、後述するコイル導体32dが位置する。
絶縁体層22eは、絶縁体層22dの下面に位置する。また、絶縁体層22eは、磁性体から成る磁性体層24e、及び非磁性体から成る非磁性体層26eにより構成されている。非磁性体層26eは、絶縁体層22eの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。磁性体層24eは、z軸方向から平面視したときに、非磁性体層26eの周囲、及び非磁性体層26eのロの字の内側に設けられている。
絶縁体層22fは、絶縁体層22eの下面に位置し、磁性体から成る。なお、絶縁体層22fには、後述するコイル導体32fが位置する。
絶縁体層22gは、絶縁体層22fの下面に位置する。また、絶縁体層22gは、磁性体から成る磁性体層24g、及び非磁性体から成る非磁性体層26gにより構成されている。非磁性体層26gは、絶縁体層22gの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。磁性体層24gは、z軸方向から平面視したときに、非磁性体層26gの周囲、及び非磁性体層26gのロの字の内側に設けられている。
絶縁体層22hは、絶縁体層22gの下面に位置し、磁性体から成る。なお、絶縁体層22hには、後述するコイル導体32hが位置する。
絶縁体層22iは、絶縁体層22hの下面に位置する。また、絶縁体層22iは、磁性体から成る磁性体層24i、及び非磁性体から成る非磁性体層26iにより構成されている。非磁性体層26iは、絶縁体層22iのx軸方向の正負両側の外縁及びy軸方向の負方向側の外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、z軸方向から平面視したときに、略コの字型の形状を成している。磁性体層24iは、絶縁体層22iにおいて、非磁性体層26iが設けられている部分以外の部分に設けられている。
絶縁体層22jは、絶縁体層22iの下面に位置し、磁性体から成る。なお、絶縁体層22jには、後述するコイル導体32jが位置する。
絶縁体層22kは、本体20のz軸方向の負方向側の端部に位置する。また、絶縁体層22kは、磁性体により構成されている。
(外部電極の構成 図1参照)
外部電極40aは、図1に示すように、本体20のx軸方向の正方向側の表面及びその周囲の面の一部を覆うように設けられている。また、外部電極40bは、本体20のx軸方向の負方向側の表面及びその周囲の面の一部を覆うように設けられている。なお、外部電極40a,40bの材料は、Au,Ag,Pd,Cu,Ni等の導電性材料である。
(コイルの構成 図2参照)
コイル30は、図2に示すように、本体20の内部に位置し、コイル導体32b,32d,32f,32h,32j及びビア導体34b,34d,34f,34hにより構成されている。また、コイル30は螺旋状を成しており、該螺旋の中心軸はz軸と平行である。つまり、コイル30は、z軸方向に進行しながら周回する螺旋状を成している。なお、コイル30の材料は、Au,Ag,Pd,Cu,Niおよびそれらの合金等の導電性材料である。
コイル導体32bは、絶縁体層22bの外縁と平行に設けられた線状の導体である。従って、コイル導体32bは、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。また、コイル導体32bの下面は非磁性体層26cと接している。そして、コイル導体32bの一端は、絶縁体層22bのx軸方向の正方向側の外縁から本体20の表面に露出し、外部電極40aと接続されている。さらに、コイル導体32bの他端は、絶縁体層22bのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角近傍で、絶縁体層22cをz軸方向に貫通するビア導体34bと接続されている。
コイル導体32dは、絶縁体層22dの外縁と平行に設けられた線状の導体である。従って、コイル導体32dは、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。また、コイル導体32dの上面は非磁性体層26cと接し、コイル導体32dの下面は非磁性体層26eと接している。そして、コイル導体32dの一端は、絶縁体層22dのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角C1の近傍でビア導体34bと接続されている。さらに、コイル導体32dの他端は、角C1の近傍、かつ、コイル導体32dの一端よりも絶縁体層22dの中心寄りに位置しており、絶縁体層22eをz軸方向に貫通するビア導体34dと接続されている。
コイル導体32fは,絶縁体層22fの外縁と平行に設けられた線状の導体である。従って、コイル導体32fは、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。また、コイル導体32fの上面は非磁性体層26eと接し、コイル導体32fの下面は非磁性体層26gと接している。そして、コイル導体32fの一端は、絶縁体層22fのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角C2の近傍でビア導体34dと接続されている.コイル導体32fの他端は、角C2の近傍であって、コイル導体32fの一端よりも絶縁体層22fの外縁寄りに位置しており、絶縁体層22gをz軸方向に貫通するビア導体34fと接続されている。
コイル導体32hは、絶縁体層22hの外縁と平行に設けられた線状の導体である。従って、コイル導体32hは、z軸方向から平面視したときに、略ロの字型の形状を成している。また、コイル導体32hの上面は非磁性体層26gと接し、コイル導体32hの下面は非磁性体層26iと接している。そして、コイル導体32hの一端は、絶縁体層22hのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角C3の近傍でビア導体34fと接続されている。さらに、コイル導体32hの他端は、角C3の近傍、かつ、コイル導体32hの一端よりも絶縁体層22hの中心寄りに位置しており、絶縁体層22iをz軸方向に貫通するビア導体34hと接続されている。
コイル導体32jは、絶縁体層22jのx軸方向の正負両側の外縁及びy軸方向の負方向側の外縁と平行に設けられた線状の導体である。従って、コイル導体32jは、z軸方向から平面視したときに、略コの字型の形状を成している。また、コイル導体32jの上面は非磁性体層26iと接し、コイル導体32jの下面は絶縁体層22kと接している。そして、コイル導体32jの一端は、絶縁体層22jのx軸方向の正方向側の外縁とy軸方向の正方向側の外縁とが成す角の近傍でビア導体34hと接続されている。さらに、コイル導体32jの他端は、絶縁体層22jのx軸方向の負方向側の外縁から本体20の表面に露出し、外部電極40bと接続されている。
(製造方法 図1、図3〜図20参照)
第1実施例であるインダクタの製造方法について説明する。なお、以下では、一つのインダクタを対象とする製造方法について説明するが、実際には、複数の本体がつながったマザー本体を作製し、マザー本体をカットした後に外部電極40a,40bを形成して、複数のインダクタ10を得る。
まず、フィラー入り熱硬化性樹脂シート(以下、樹脂シートと称す)260mを準備する。樹脂シート260mに含まれるフィラーは、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ等の絶縁系の微小粒子が挙げられる。また、樹脂の主剤は、エポキシ系の樹脂等が挙げられる。
次に、図3に示すように、樹脂シート260m上にCu箔320jを載せ、Cu箔320jと樹脂シート260mとを圧着する。このとき、樹脂シート260mとCu箔320jとの界面におけるガスの除去を行うために、真空多段プレス成型機用いることが好ましい。また、圧着の条件は、例えば、90〜180℃の温度下で、真空引きを1〜30分行い、さらに、0.5〜5MPaにて1〜60分加圧を行う。なお、ローラー又は高温プレス等の手段により圧着することも可能である。
圧着後、樹脂シート260mを硬化させるために熱処理を施す。該熱処理は、オーブン等の高温槽を用いて、例えば130〜200℃の温度下で10〜120分行う。
熱処理後、圧着したCu箔320jを所望の厚みに調節するために、電解Cuめっきを施す。具体的には、主成分が硫酸銅水溶液であるめっき浴を用いて、定電流モードでCu箔上に電解Cuめっきを施す。電解めっきを行うことで、インダクタの直流抵抗を所望の値にコントロールすることができる。また、めっきの密着性を確保するため、めっきの前処理として、酸性クリーナでCu箔320jが圧着された樹脂シート260mを浸漬処理し、Cu箔320j上の酸化被膜を除去することが望ましい。電解Cuめっき後に、水洗及び乾燥を行う。この後、めっき形成後の基板そりの抑制を目的として、オーブン等の高温槽を用いて、例えば150〜250℃の温度下で60〜180分の熱処理を行ってもよい。なお、本工程では、電解Cuめっきに代えて、蒸着、スパッタ等の手段を用いてもよい。
厚みの調節を終えたCu箔320j上にレジストパターンRP1を形成する。具体的には、図4に示すように、Cu箔320j上にフィルムレジストFR1をラミネートする。そして、フィルムマスクを通して、フィルムレジストFR1に露光することにより、露光されたフィルムレジストが硬化する。フィルムレジストFR1の硬化後に、炭酸ナトリウムを現像液として現像することで、硬化していないフィルムレジストFR1を除去する。これにより、Cu箔320j上に、図5に示すようなレジストパターンRP1が形成される。その後、現像液を取り除くために、水洗及び乾燥を行う。なお、レジストパターンRP1の形成工程では、事前に、レジストパターンRP1とCu箔320jとの密着性を向上させるために、バフ研磨機を用いてCu箔320jの表面を粗面化し、水洗及び乾燥を行うのが望ましい。バフ研磨機は、大面積を均一に短時間で処理するので、生産性が高く、低コストで対応できるため、他の手段より優れている。また、粗面化の際に、バフ研磨に代えてミリング、エッチング等の手段を用いてもよい。
レジストパターンRP1が形成されたCu箔320jに対して、ウェットエッチングによりエッチングを行い、図6に示すように、レジストパターンRP1に覆われていないCu箔320jを除去する。このとき、ウェットエッチングは、エッチングレートも速く、狭小深部への侵入性も良いので、生産性が高い上に、高アスペクト比の電極形状を得ることができるため、他の手段より優れている。ここで、ウェットエッチングに代えて、ドライエッチングやミリング等を用いてもよい。
次に、ウェットエッチングに用いた溶液の残渣を除去するために、水洗を行う。さらに、Cu箔320j上のレジストパターンRP1を剥離液により剥離する。その後、剥離液の残渣を水洗により除去し、乾燥させる。この工程により、図7に示すように、インダクタ10のコイル導体32jに対応する導体パターンが樹脂シート260m上に形成される。
導体パターンが形成された樹脂シート260m上に、図8に示すように、Cu箔320hが圧着された樹脂シート260iを載せ圧着する。圧着の条件は、上記と同様に、真空多段プレス成型機用いて、90〜180℃の温度下において、真空引きを1〜30分行い、さらに、0.5〜5MPaにて1〜60分加圧を行う。このとき、積層・圧着された樹脂シート全体の厚みを調整するために、圧着量を規制するスペーサ−を用いてもよい。圧着後、樹脂シート260iを硬化させるために熱処理を施す。該熱処理は、オーブン等の高温槽を用いて、例えば130〜200℃の温度下で10〜120分行う。なお、本工程において圧着された樹脂シート260iは、後に、インダクタ10の非磁性体層26iとなり、Cu箔320hはコイル導体32hとなる。また、本工程において、導体パターンが形成された樹脂シート260m上に樹脂シート260iを圧着し、該樹脂シート260i上にCu箔320hを圧着してもよい。
前工程において圧着されたCu箔320h及び樹脂シート260iに対し、ビアを形成する。ビア導体形成工程では、まず、図9に示すように、Cu箔320h上にレジストパターンRP2を形成する。レジストパターンRP2の形成は、Cu箔320h表面の粗面化、フィルムレジストのラミネート、フィルムマスクを介しての露光、及び現像の順で行う。
次に、レジストパターンRP2が形成されたCu箔320hに対して、ウェットエッチングによりエッチングを行い、エッチング後にレジストパターンRP2を除去する。これにより、図10に示すように、Cu箔320hにビアの一部が形成される。そして、エッチングによりCu箔320hが除去され、樹脂シート260iが露出した部分に対して、レーザを照射することによって、図11に示すようなCu箔320h及び樹脂シート260iを貫通するビアを形成する。このとき、レーザは銅箔部に照射されても反射するため、銅箔に余計な貫通孔が開かない。従って、レーザ照射では、他の手段より安定した形状のビアを形成する事ができる。ただし、ドリル、溶解及びブラスト等を用いてビアを形成することも可能である。なお、レジストパターン形成及びエッチングにおける具体的な条件は、Cu箔320jに対して行った場合と同様である。
さらに、ビア形成によって発生したスミアを除去するために、デスミア処理を行う。
形成したビアにめっきを施し、Cu箔320hと樹脂シート260iの下面に位置するコイル導体32jに対応する導体パターンとを接続するビア導体を形成する。ビアにめっきを施す工程では、まず、図12に示すように、形成したビアの側面にシード層50を形成する。このシード層50を基にして、電解Cuめっきを施すことで、図13に示すような、Cu箔320hとコイル導体32jに対応する導体パターンとを接続するビア導体を形成する。ここでめっきの材料としては、コイル導体の材料と同じCuであるこが望ましい。めっきはCu箔320h上にも形成されるため、Cu箔320hの厚みを所望の厚みに調節することができる。なお、本工程において形成されたビア導体は、ビア導体34hに対応する。
ビア導体形成後に、Cu箔320jと同様、Cu箔320hをフォトリソ技術(レジストパターン形成及びエッチング)によって導体パターンを形成する。この後、Cu箔が圧着された樹脂シートをさらに圧着し、ビア及びビア導体および導体パターンの形成を行うという上記の工程を繰り返し、最後に樹脂シート260nを圧着することによって、図14に示されるコイル30を含む非磁性体から成る積層体が完成する。なお、積層体完成後に、バフ研磨、エッチングやグラインダ等により、積層体上下面の樹脂を除去する。これにより、積層体におけるコイル30の上面及び下面の非磁性体層は、図15に示すように、はぎ取られる。
次に、積層体の内部に位置するコイル30の内周に対してサンドブラストを行い、図16に示すように、貫通孔H1を形成する。サンドブラストは、物理的なスパッタリングを利用するため発熱量が少ないので、他の手段より優れている。また、サンドブラストに用いる研磨材はAl23、SiO2等を用いることができる。さらに、ダイサー、レーザ及びブラスト等を用いて、図17に示すように、コイル30の外周側にある樹脂を除去する。これにより、本体20を構成する非磁性体層26c,26e,26g,26iが完成する。なお、貫通孔H1の形成は、レーザ、パンチング等を用いても可能である。
次に、コイル30と非磁性体層26c,26e,26g,26iのみとなった積層体を、図18に示すように、磁性粉入り樹脂シート220a,220kで挟み、圧着する。樹脂シートに含まれる磁性粉は、Fe−Si−Cr合金、Fe(カルボニル)等の金属磁性材料が挙げられる。また、樹脂の主剤は、エポキシ系の樹脂等が挙げられる。そして、これにより、コイル30の内側及び外側、並びに非磁性体層26c,26e,26g,26iの内側及び外側に、磁性粉を含む樹脂シートが入り込み、絶縁体層22a〜22kを含む熱処理前の本体20が形成される。その後、オーブン等の高温槽を用いて、例えば130〜200℃の温度下で10〜120分間熱処理することで、図19に示すような本体20が完成する。
最後に、本体20の表面に外部電極40a,40bを形成する。まず、Agを主成分とする導電性樹脂材料からなる電極ペーストを本体20の表面に塗布する。次に、塗布した電極ペーストを、例えば、80〜200℃の温度下で5〜120分間熱処理する。さらに、形成された外部電極40a,40bの下地電極の表面にNi/Snめっきを施すことにより、図20に示すような、外部電極40a,40bが形成される。以上の工程により、インダクタ10が完成する。なお、外部電極40a,40bは蒸着やスパッタ等の手段で形成してもよい。
(効果)
一実施形態に係るインダクタの製造方法(以下、本インダクタの製造方法と称す)では、層間剥離やクラック等の構造欠陥を抑制することができる。具体的には、本インダクタの製造方法では、インダクタ10における非磁性体層を形成する際、樹脂から成る樹脂シートを用い、これを圧着し、硬化している。また、導体パターンの形成をCu箔のエッチングにより行っている。さらに、磁性を有する部分を形成する際、金属磁性粉入り樹脂シートを用い、これを圧着し、硬化している。これにより、本インダクタの製造方法は、800〜900℃に達するような焼結などの高温の熱処理工程を含まない。従って、本インダクタの製造方法により製造されたインダクタ10では、従来の積層インダクタの製造方法に対し、層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができる。
また、インダクタ10では、磁性体層の材料として金属磁性材料が用いられている。このような材料が高温に晒されると、透磁率等の磁気特性に変化が生じる虞がある。しかし、本インダクタの製造方法は、焼結等の高温の熱処理工程を含まない。従って、本インダクタの製造方法により製造されたインダクタ10では、熱処理による磁気特性の変化が生じにくい。
さらに、本インダクタの製造方法では、非磁性体から成る積層体完成後に、コイルの内周側に貫通孔を設け、これに磁性粉入りの樹脂を充填している。これにより、本インダクタの製造方法では、コイル導体間に非磁性体が設けられ、かつ、コイルの内周に磁性体が設けられたインダクタの製造を可能としている。
(変形例)
インダクタ10の製造方法の変形例として、樹脂シート260mの両面からCu箔及び樹脂シートを圧着して積層体を形成する方法が挙げられる。
具体的には、まず、図21に示すように、樹脂シート260mの両面にCu箔320m,320nを圧着する。圧着後、樹脂シート260mの硬化処理等の後に、図22に示すように、Cu箔320m、320nを接続するビア導体34mを形成し、さらに、図23に示すように、Cu箔320m,320nそれぞれをエッチングして導体パターン32m、32nを形成する。次に、図24に示すように、Cu箔320p,320qが圧着された樹脂シート260p,260qを、導体パターン32m、32nが形成された樹脂シート260pの両面から圧着する。そして、Cu箔320pと導体パターン32mとを接続するビア導体、及びCu箔320qと導体パターン32nとを接続するビア導体を形成した後、導体パターンの形成、Cu箔が圧着された樹脂シートの圧着及びビア導体の形成を繰り返すことによって、コイル30と非磁性体層26c,26e,26g,26iを含む積層体を形成する。つまり、本変形例に係る製造方法では、インダクタ10におけるz軸方向の中央に位置する非磁性体層となる樹脂シート260mから、z軸方向の正負両側に向かって、導体パターン及び非磁性体層を形成していく。なお、エッチングや熱処理等の詳細な条件及び積層体の形成工程以外の内容は、第1実施例であるインダクタの製造方法に準ずる。
変形例に係るインダクタ10の製造方法では、上述の通り、樹脂シート260mの両面からCu箔及び樹脂シートを圧着して、コイル30及び非磁性体層26c,26e,26g,26iを形成している。従って、変形例に係るインダクタ10の製造方法では、樹脂シート260mの一方の面のみに対して、Cu箔及び樹脂シートを圧着してコイル30及び非磁性体層26c,26e,26g,26iを形成する場合と比較して、製造工程を簡略化でき、結果として、製造コストの低減が可能である。
(その他の実施形態)
本発明に係るインダクタの製造方法は、前記実施形態に係るインダクタの製造方法に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。例えば、エッチングの種類や貫通孔を設ける手段等は任意である。各工程で示した手段を組み合わせてもよい。
以上のように、本発明は、インダクタの製造方法に対して有用であり、磁性体と非磁性体と含むインダクタにおいて、層間剥離やクラック等の構造欠陥の発生を抑制することができる点において優れている。
10 インダクタ
20 本体
26c,26e,26g,26i 非磁性体層
30 コイル
32b,32d,32f,32h,32j コイル導体(導体パターン)
34b,34d,34f,34h ビア導体
320h,320j Cu箔(導体層)

Claims (3)

  1. 導体パターン及びビア導体により構成される螺旋状のコイルを内蔵したインダクタの製造方法であって、
    非磁性の樹脂から成る第1の非磁性体層上に第1の導体層を圧着する第1の工程と、
    圧着された前記第1の導体層にエッチングを行うことにより前記導体パターンを形成する第2の工程と、
    前記導体パターン上に非磁性の樹脂から成る第2の非磁性体層を圧着する第3の工程と、
    前記第1の非磁性体層又は前記第2の非磁性体層を貫通し、前記導体パターンに通じる前記ビア導体を形成するビア導体形成工程と、
    前記第1の工程から前記第3の工程及び前記ビア導体形成工程を含む製造方法によって得られた前記コイルを内蔵した積層体を、磁性粉入り樹脂シートで挟み込むように圧着し、さらに該磁性粉入り樹脂シートを熱硬化させることにより、前記コイルの外側に磁性を有する樹脂が設けられた本体を形成する工程と、
    を備えること、
    を特徴とするインダクタの製造方法。
  2. 導体パターン及びビア導体により構成される螺旋状のコイルを内蔵したインダクタの製造方法であって、
    非磁性の樹脂から成る第1の非磁性体層上に第1の導体層を圧着する第1の工程と、
    圧着された前記第1の導体層にエッチングを行うことにより前記導体パターンを形成する第2の工程と、
    前記導体パターン上に非磁性の樹脂から成る第2の非磁性体層を圧着する第3の工程と、
    前記第2の非磁性体層上に第2の導体層を圧着する第4の工程と、
    前記第2の導体層及び前記第2の非磁性体層を貫通し、前記導体パターンに通じるビアを形成する第5の工程と、
    前記ビアにめっきを施し、前記ビア導体を形成する第6の工程と、
    前記第6の工程の後に、前記第2の工程から前記第6の工程を繰り返すことによって得られた前記コイルを内蔵した積層体を、磁性粉入り樹脂シートで挟み込むように圧着し、さらに該磁性粉入り樹脂シートを熱硬化させることにより、前記コイルの外側に磁性を有する樹脂が設けられた本体を形成する工程と、
    を備えること、
    を特徴とするインダクタの製造方法。
  3. 前記第6の工程の後であって前記本体を形成する工程前に、前記第2の工程から前記第6の工程を繰り返すことによって得られた前記コイルを内蔵した積層体に対して、前記コイルの内側に位置する樹脂を削り取り貫通孔を形成する貫通孔形成工程を備えること、
    を特徴とする請求項2に記載のインダクタの製造方法。
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