JP2015145926A - レーザ露光装置 - Google Patents
レーザ露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015145926A JP2015145926A JP2014018045A JP2014018045A JP2015145926A JP 2015145926 A JP2015145926 A JP 2015145926A JP 2014018045 A JP2014018045 A JP 2014018045A JP 2014018045 A JP2014018045 A JP 2014018045A JP 2015145926 A JP2015145926 A JP 2015145926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- exposure
- excitation light
- pixel
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 102100029860 Suppressor of tumorigenicity 20 protein Human genes 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100035353 Cyclin-dependent kinase 2-associated protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 108090000237 interleukin-24 Proteins 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
また、大きい強度のパルスレーザ光を出射可能なレーザ装置を備え、樹脂製カードなどの露光対象物にパルスレーザ光を照射し、ドット状のマーキングパターンを形成するマーキング装置が知られている。大きい強度のパルスレーザ光を出射可能なパルスレーザ装置としては、パッシブ型Qスイッチレーザ装置が知られている。
その後、レーザON信号Saをローレベルとする。
画像データに基づいてパルスレーザ光を露光対象物の所定位置に1画素ずつ露光を行うレーザ露光装置であって、励起用発光部、反射光学系、該反射光学系内に配置されたレーザ媒質を備え、前記励起用発光部から出力された励起光を前記反射光学系内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置と、前記パルスレーザ光を前記画像データに応じた前記露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系と、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部と、露光する各画素毎に、前記励起用発光部から励起光を出力させ、前記検出部による、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、前記励起用発光部による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部と、を有することを特徴とする。
本発明の実施形態は図示の内容を含むが、これのみに限定されるものではない。なお、以後の各図の説明で、既に説明した部位と共通する部分は同一符号を付して重複説明を一部省略する。
レーザ媒質14は、反射光学系12,13の間に配置されている。本実施形態では、レーザ媒質14としてNd:YAG(Y、Al、Garnetの結晶(Ndを含む))などを採用する。
尚、Qスイッチ15と出射側ミラーである反射光学系13とを一体化した部材を、レーザ装置10の構成要素として用いてもよい。こうすることでレーザ装置10の部品数を低減し、簡単な構造とすることができる。
ガルバノミラー22は、例えば、X軸走査用ガルバノミラーやY軸走査用ガルバノミラーを有し、そのガルバノミラーはガルバノミラー駆動部23としての駆動モータ231,232などにより角度制御される。また、ガルバノミラー22の角度を検出するセンサ(不図示)などが設けられていてもよい。
入力部34は、各種操作スイッチやボタンなどの操作入力装置であり、ユーザの操作に応じた信号を制御部31に出力する。
インタフェース35(IF)は、ガルバノミラー駆動部23、搬送部27などに電気的に接続されている。制御部31は、インタフェース35を介してガルバノミラー駆動部23や搬送部27を駆動制御する。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では1回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。詳細には、制御部31は、レーザON信号Saを0などのローレベル(オフ)とすることで、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる。尚、パルスレーザ光Pを検出してからレーザON信号Saをオフとするまでの時間TPdは非常に僅かな時間であってもよいし、パルスレーザ光Pの立下りPdの場合であってもよい。
そして、時間T3において、LEDなどの励起用発光部11にハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射される。反射光学系12,13の間に配置されたレーザ媒質14の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Tb経過後、レーザ媒質14中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では1回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。
このように、レーザON信号Saをローレベル(OFF)からハイレベル(ON)としたとき、レーザ媒質14の複数の原子の励起状態により、パルスレーザ光Pが照射されるまでの時間が異なる場合であっても、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数検出したとき、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことができる。
図5(c)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザオン信号の一例を示す図であり、図5(d)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザ照射状態の一例を示す図である。
図5(c),図5(d)に示した例では、時間T1において、LEDなどの励起用発光部11にハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射される。反射光学系12,13の間に配置されたレーザ媒質14の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta1経過後、レーザ媒質14中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
そして、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射された状態で、所定時間Te経過後(レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta2経過後)、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では2回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。
このように、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では2回検出したとき、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことができる。
図7はレーザ露光装置1の動作の一例を示すフローチャートである。
図6、図7、および図1〜5などを参照しながら、レーザ露光装置1などの動作の一例を説明する。
図6(a)に示した例では、スタートボタンが操作されていない場合、制御部31は入力部34からハイレベルの信号を受信し、スタートボタンが操作された場合(押下された場合)、入力部34からローレベルの信号を受信するように構成されている。尚、スタートボタンが外部のコンピュータ50(PC)に設けられている場合、制御部31は、通信部32を介して、コンピュータ50からスタートボタンのオン/オフを示す信号に基づいて上記処理を行う。
ステップST21において、制御部31は、検出部40にて、パルスレーザ光を所定回数検出された場合、レーザON信号Saをオフ(ローレベル)とし、励起用発光部11を非発光状態とする。
レーザ露光装置1は、LEDなどの励起用発光部11、反射光学系(12,13)、反射光学系(12,13)内に配置されたレーザ媒質14を備え、励起用発光部11から出力された励起光を反射光学系(12,13)内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置10を有する。本実施形態では、レーザ装置10として、Qスイッチ15を備えたパッシブ型Qスイッチレーザ装置を採用する。
また、レーザ露光装置1は、パルスレーザ光を画像データに応じた露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系20と、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部40と、露光する各画素毎に、励起用発光部11から励起光を出力させ、検出部40による、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部31(コントロール部30)と、を有する。
すなわち、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことが可能なレーザ露光装置1を提供することができる。
また、本実施形態では、Qスイッチ15として、可飽和吸収体などのパッシブ型Qスイッチを採用し、出射側ミラーである反射光学系13と一体化した部材を用いているので、レーザ装置10の部品数を低減し、簡単な構造とすることができる。
また、上述の各図で示した実施形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。
また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。
Claims (3)
- 画像データに基づいてパルスレーザ光を露光対象物の所定位置に1画素ずつ露光を行うレーザ露光装置であって、
励起用発光部、反射光学系、該反射光学系内に配置されたレーザ媒質を備え、前記励起用発光部から出力された励起光を前記反射光学系内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を前記画像データに応じた前記露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系と、
前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部と、
露光する各画素毎に、前記励起用発光部から励起光を出力させ、前記検出部による、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合に、前記励起用発光部による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部と、を有することを特徴とする
レーザ露光装置。 - 前記検出部は、前記露光対象物からの反射光を検出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ露光装置。
- 前記検出部は、前記レーザ装置から出射され前記露光光学系のミラーにいたるまでのパルスレーザ光を検出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014018045A JP2015145926A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | レーザ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014018045A JP2015145926A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | レーザ露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015145926A true JP2015145926A (ja) | 2015-08-13 |
Family
ID=53890184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014018045A Pending JP2015145926A (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | レーザ露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015145926A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017060985A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 日本電産コパル株式会社 | レーザーマーカー装置 |
WO2020235222A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | ソニー株式会社 | 受動qスイッチレーザ装置、制御方法、及びレーザ加工装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225883A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Canon Inc | 光励起装置 |
JPH01106426A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH10249569A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JPH1147965A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-23 | Komatsu Ltd | レーザ加工装置 |
JPH11151584A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | レーザ加工方法及びその装置 |
JP2001028469A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-30 | Litton Syst Inc | 側面ポンピングを使用し、qスイッチで切り換えられるマイクロレーザおよびその製造方法 |
JP2005081358A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザパルスモニタリング方法ならびに装置 |
JP2005118815A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2006110583A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | パルスレーザ光による加工方法およびパルスレーザ光による加工装置 |
JP2007118011A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2009540582A (ja) * | 2006-06-13 | 2009-11-19 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー | モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ |
JP2013527601A (ja) * | 2010-04-02 | 2013-06-27 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 選択されたターゲットクラスに対して三角形状の調整レーザパルスを用いるレーザシステム及び方法 |
JP2013230478A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Disco Corp | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014018045A patent/JP2015145926A/ja active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61225883A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Canon Inc | 光励起装置 |
JPH01106426A (ja) * | 1987-10-19 | 1989-04-24 | Canon Inc | 露光装置 |
JPH10249569A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工装置 |
JPH1147965A (ja) * | 1997-05-28 | 1999-02-23 | Komatsu Ltd | レーザ加工装置 |
JPH11151584A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | レーザ加工方法及びその装置 |
JP2001028469A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-30 | Litton Syst Inc | 側面ポンピングを使用し、qスイッチで切り換えられるマイクロレーザおよびその製造方法 |
JP2005081358A (ja) * | 2003-09-05 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザパルスモニタリング方法ならびに装置 |
JP2005118815A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JP2006110583A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | パルスレーザ光による加工方法およびパルスレーザ光による加工装置 |
JP2007118011A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
JP2009540582A (ja) * | 2006-06-13 | 2009-11-19 | アー・ファウ・エル・リスト・ゲー・エム・ベー・ハー | モノリシック構造の共振器を備える固体レーザ |
JP2013527601A (ja) * | 2010-04-02 | 2013-06-27 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 選択されたターゲットクラスに対して三角形状の調整レーザパルスを用いるレーザシステム及び方法 |
JP2013230478A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Disco Corp | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017060985A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 日本電産コパル株式会社 | レーザーマーカー装置 |
WO2020235222A1 (ja) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | ソニー株式会社 | 受動qスイッチレーザ装置、制御方法、及びレーザ加工装置 |
CN113840680A (zh) * | 2019-05-21 | 2021-12-24 | 索尼集团公司 | 无源q开关激光装置、控制方法及激光处理装置 |
US11894652B2 (en) | 2019-05-21 | 2024-02-06 | Sony Group Corporation | Passive Q switching laser device, control method, and laser processing device |
JP7464049B2 (ja) | 2019-05-21 | 2024-04-09 | ソニーグループ株式会社 | 受動qスイッチレーザ装置、制御方法、及びレーザ加工装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6305270B2 (ja) | レーザ加工装置及びワーキングディスタンス測定方法 | |
JP4445217B2 (ja) | レーザマーキング装置 | |
JP2016032831A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2021104523A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2015145926A (ja) | レーザ露光装置 | |
JP6321485B2 (ja) | 読取機能付きレーザ印字装置及びワークに印字したキャラクタの読取方法 | |
JP4884897B2 (ja) | レーザ加工装置、その制御方法及びその制御プログラム | |
JP6604078B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2016032832A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2005347338A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2002290007A (ja) | 回路基板の製造方法及び製造装置 | |
JP2007098403A (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH11170074A (ja) | レーザ加工装置およびその制御方法 | |
JP3364171B2 (ja) | レーザマーカ | |
JP4921078B2 (ja) | マーキング検査方法及びマーキング検査システム | |
JP5464086B2 (ja) | 物品管理システム | |
JP2001300746A (ja) | レーザマーキング装置 | |
JP3259695B2 (ja) | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 | |
JP2006326644A (ja) | レーザマーキング装置、レーザマーキングシステム並びにガルバノミラーの制御方法 | |
JP2016068110A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2006068760A (ja) | レーザマーキング方法及びレーザマーキング装置 | |
JP2018020372A (ja) | レーザーマーキング装置 | |
JP2016036838A (ja) | レーザ印字装置及びその設定プログラム | |
JP2016055324A (ja) | レーザーマーキング装置 | |
JP5115132B2 (ja) | 光学的情報読取装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161021 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170801 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180710 |