JP2015145926A - レーザ露光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】光を増幅して大きい強度のパルスレーザ光を出力するレーザ装置を備えたレーザ露光装置であって、露光対象物の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行う。【解決手段】レーザ露光装置1は、励起用発光部11、反射光学系(12,13)、レーザ媒質14を備え、励起用発光部11から出力された励起光を反射光学系内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置10と、パルスレーザ光を画像データに応じた露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系20と、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部40と、露光する各画素毎に、励起用発光部11から励起光を出力させ、検出部40による、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部31と、を有する。【選択図】図4

Description

本発明は、レーザ露光装置に関するものである。
感光フィルムなどにレーザービームを照射してドット状のマーキングパターンを形成するマーキング装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
また、大きい強度のパルスレーザ光を出射可能なレーザ装置を備え、樹脂製カードなどの露光対象物にパルスレーザ光を照射し、ドット状のマーキングパターンを形成するマーキング装置が知られている。大きい強度のパルスレーザ光を出射可能なパルスレーザ装置としては、パッシブ型Qスイッチレーザ装置が知られている。
このパッシブ型Qスイッチレーザ装置は、共振器としての一対のミラーの間にレーザ媒質を備え、共振器内を小さいQ値とした状態(発振抑制状態)で励起光によりレーザ媒質中の多数の原子を励起状態(反転分布状態)とした後、共振器内を大きいQ値の状態にすることで、大きい強度のパルスレーザ光を一方のミラー側から出射する。Q値はレーザ媒質に蓄積されたエネルギーを、レーザ媒質から外部に失われるエネルギー(損失)で割った値である。
一般的なパッシブ型Qスイッチレーザ装置を有するレーザ露光装置(比較例)は、露光対象物へ画素毎にパルスレーザ光を照射して、各画素毎に所望の濃度となるようにレーザ露光を行う。図8は比較例のレーザ露光装置の動作を示すタイミングチャートである。詳細には、図8(a)はレーザON信号Saの一例を示す図、図8(b)はレーザ装置のレーザ照射状態の一例を示す図である。
時間T1において、励起用発光部としてのLEDにハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部としてのLEDからレーザ媒質に励起光が出射される。一対のミラー間に配置されたレーザ媒質の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta経過後、レーザ媒質中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側のミラーから所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系により露光対象物の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。最初のパルスレーザ光Pの出射後、時間Te経過後、次のパルスレーザ光Pが出射され、露光対象物上の同一画素にレーザ露光が行われる。
そして、レーザON信号Saをローレベルとして(時間T2)、露光対象物上の次の画素にレーザ露光を行うように露光光学系を設定する。
次に、時間T3において、励起用発光部としてのLEDにハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、所定時間Tb後、LEDからレーザ媒質に励起光が出射される。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Tb経過後、レーザ媒質中の多数の原子が励起状態となり、出射側のミラーから所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系により露光対象物の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。そして、時間Te経過後、次のパルスレーザ光Pが出射され、さらに、時間Te経過後、次のパルスレーザ光Pが出射され、一つの露光対象物上の同一画素にレーザ露光が行われる。
その後、レーザON信号Saをローレベルとする。
特開2004−42072号公報
上述したパッシブ型Qスイッチレーザ装置を有するレーザ露光装置では、レーザON信号Saをローレベル(OFF)からハイレベル(ON)とした場合に、パルスレーザ光Pが出射される時間Taと時間Tbの長さが異なる。これは、レーザON信号Saをローレベル(OFF)からハイレベル(ON)とした場合に、一対のミラー間に配置されたレーザ媒質の複数の原子の励起状態が異なるからである。このため、レーザON信号SaのONおよびOFFのパターンによって、パルスレーザ光Pが照射されるまでの時間が異なり、露光対象物上の同一画素に照射されるパルスレーザ光Pの数にばらつきが生じ、印画濃度(露光濃度)が所望の濃度(一定値)とならない場合があった。
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。光を増幅して大きい強度のパルスレーザ光を出力するレーザ装置を備えたレーザ露光装置であって、露光対象物の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことができるレーザ露光装置を提供すること、などを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明によるレーザ露光装置は、以下の構成を少なくとも具備するものである。
画像データに基づいてパルスレーザ光を露光対象物の所定位置に1画素ずつ露光を行うレーザ露光装置であって、励起用発光部、反射光学系、該反射光学系内に配置されたレーザ媒質を備え、前記励起用発光部から出力された励起光を前記反射光学系内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置と、前記パルスレーザ光を前記画像データに応じた前記露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系と、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部と、露光する各画素毎に、前記励起用発光部から励起光を出力させ、前記検出部による、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、前記励起用発光部による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、光を増幅して大きい強度のパルスレーザ光を出力するレーザ装置を備えたレーザ露光装置であって、露光対象物の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光することができるレーザ露光装置を提供することができる。
本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の一例を示す透過側面図。 本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の一例を示す透過正面図。 本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の一例を示す斜視図。 本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の一例を示す機能ブロック図。 レーザ露光装置のレーザON信号とレーザ照射状態の一例を示すタイミングチャート、(a)は1画素に1つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザオン信号の一例を示す図、(b)は1画素に1つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザ照射状態の一例を示す図、(c)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザオン信号の一例を示す図、(d)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザ照射状態の一例を示す図。 本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の動作の一例を示す図、(a)はプリントスタート信号の一例を示す図、(b)はデータリクエスト信号の一例を示す図、(c)は記憶部の動作の一例を示す図、(d)はガルバノ座標データの一例を示す図、(e)はレーザON信号の一例を示す図、(f)はレーザ照射状態の一例を示す図、(g)は検出部による検出状態の一例を示す図。 本発明の実施形態に係るレーザ露光装置の動作の一例を示すフローチャート。 比較例のレーザ露光装置の動作を示すタイミングチャート、(a)はレーザON信号の一例を示す図、(b)はレーザ装置のレーザ照射状態の一例を示す図。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
本発明の実施形態は図示の内容を含むが、これのみに限定されるものではない。なお、以後の各図の説明で、既に説明した部位と共通する部分は同一符号を付して重複説明を一部省略する。
図1は本発明の実施形態に係るレーザ露光装置1の一例を示す透過側面図である。図2はレーザ露光装置1の一例を示す透過正面図である。図3はレーザ露光装置1の一例を示す斜視図である。図4はレーザ露光装置1の一例を示す機能ブロック図である。
レーザ露光装置1は、画像データなどに基づいてパルスレーザ光を露光対象物7の所定位置に1画素ずつレーザ露光を行う。露光対象物7としては、カーボン含有の樹脂製カードなどの所定の部材を採用することができる。
レーザ露光装置1は、レーザ装置10と、露光光学系20と、コントロール部30と、検出部40と、などを有する。レーザ露光装置1は、筐体内にレーザ装置10、露光光学系20、コントロール部30、検出部40などが収容されている。筐部は底部1aとケース1bなどにより構成されている。図3においてケース1bは図示していない。尚、コントロール部30は、筐体外に設けられていてもよい。
レーザ装置10は、光を増幅して大きい強度のパルスレーザ光を出力する。本実施形態ではレーザ装置10としては、パッシブ型Qスイッチレーザ装置を採用する。具体的には、レーザ装置10としてNd:YAGレーザ装置などを採用してもよい。レーザ装置10は、励起用発光部11と、共振器としての反射光学系12,13と、レーザ媒質14と、Qスイッチ15と、などを有する。
反射光学系12,13は、一対の平行配置されたミラーなどで構成されている。本実施形態では、レーザ出射側のミラー(反射光学系13)から所定強度以上のパルスレーザ光のみ外部に出射するように構成されている。
レーザ媒質14は、反射光学系12,13の間に配置されている。本実施形態では、レーザ媒質14としてNd:YAG(Y、Al、Garnetの結晶(Ndを含む))などを採用する。
励起用発光部11は、LEDなどの発光装置で構成され、コントロール部30からのレーザON信号Saに応じて発光または非発光となる。発光時、励起用発光部11は、励起光をレーザ媒質14に照射し、レーザ媒質14を励起状態とするように構成されている。
Qスイッチ15は、共振器としての反射光学系12,13内のQ値を低い状態または高い状態に切り替える機能を有する。Q値はレーザ媒質14に蓄積されたエネルギーを、レーザ媒質14から外部に失われるエネルギー(損失)で割った値である。共振器内を小さいQ値とした状態(発振抑制状態)で励起光によりレーザ媒質14中の多数の原子を励起状態(反転分布状態)とした後、共振器内を大きいQ値の状態にすることで、大きい強度のパルスレーザ光を一方のミラー(反射光学系13)から出射する。
本実施形態では、Qスイッチ15として、可飽和吸収体(SA:Saturable Absorber)などのパッシブ型Qスイッチを採用する。可飽和吸収体は、所定値より小さい強度の光に対しては吸収体として機能し、所定値以上の大きい強度の光に対しては吸収能力が飽和し透明体として機能する。可飽和吸収体は半導体などの物質で構成されている。つまり、共振器内で、先ず所定値より小さい強度の光に対しては低いQ値の状態とし、この状態で励起用発光部11からの励起光により、レーザ媒質14中の多数の原子(詳細には原子中の電子)が励起されて反転分布状態となり、同じ波長の光がレーザ媒質14に照射されると、所定値より大きい強度の光を出力して、大きいQ値の状態となり、大きい強度のパルスレーザ光を一方のミラー(反射光学系13)から出射する。
尚、Qスイッチ15と出射側ミラーである反射光学系13とを一体化した部材を、レーザ装置10の構成要素として用いてもよい。こうすることでレーザ装置10の部品数を低減し、簡単な構造とすることができる。
露光光学系20は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を、画像データに基づいて、樹脂製カードなどの露光対象物7の所定位置に1画素ずつ照射させる。
露光光学系20は、コリメートレンズなどの光学系21と、ガルバノスキャナとして一つまたは複数のガルバノミラー22と、fθレンズ25と、などを有する。
ガルバノミラー22は、例えば、X軸走査用ガルバノミラーやY軸走査用ガルバノミラーを有し、そのガルバノミラーはガルバノミラー駆動部23としての駆動モータ231,232などにより角度制御される。また、ガルバノミラー22の角度を検出するセンサ(不図示)などが設けられていてもよい。
fθレンズ25は、ガルバノミラー22で反射されたパルスレーザ光を、露光対象物7上に集光させるように構成されている。例えば、fθレンズ25は、ガルバノミラー22などにより、所定角度ずつ走査されたパルスレーザ光を、露光対象物7の結像面上で所定のピッチで走査させるように構成されている。
尚、本実施形態では、露光対象物7上を走査する走査光学系としてガルバノミラー22とfθレンズ25を用いたが、この形態に限られるものではなく、例えば、ガルバノミラー22の代わりにポリゴンミラーなどを用いてもよい。
また、本実施形態では、レーザ露光装置1は、画像データに応じて各画素毎に露光対象物7上を走査しながらレーザ露光を行うが、走査時に、レーザ露光を行う必要のない画素をスキップし、レーザ露光を行う必要のある次の画素まで移動させるようにガルバノミラーを移動制御する。
レーザ露光装置1の筐体に、カードなどの露光対象物7を挿入する開口部1cが設けられている。露光対象物7は搬送部27により、fθレンズ25による集光範囲の所定位置に移動され、レーザ露光された後、所定の排出口などに搬送される。尚、レーザ露光装置1は、複数の露光対象物7を収容部に収容し、搬送部27により露光対象物7を一つずつ搬送するように構成されていてもよい。
搬送部27は、露光対象物7を露光範囲などに搬送するように構成されている。本実施形態では、搬送部27は、駆動モータ271、ローラ272、無端ベルト273、などを有する。駆動モータ271によりローラ272を回転駆動することにより、無端ベルト273上に載置された露光対象物7を移動させるように構成されている。搬送部27は、コントロール部30により制御される。尚、搬送部27は、この形態に限られるものではない。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を検出する。検出部40は検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。本実施形態では、検出部40は、パルスレーザ光が露光対象物7に照射され、その露光対象物7からの反射光を検出する。こうすることで、露光対象物7にパルスレーザ光が照射されて、レーザ露光されたことを容易に確認することができる。また、検出部40は、fθレンズ25と搬送部27上の露光対象物7との間に配置されている。検出部40の検出範囲は、露光対象物7の載置された範囲と略同じ、または、それよりも僅かに大きいエリアに設定されている。
尚、検出部40は、レーザ装置10から出射され、露光光学系20のガルバノミラーにいたるまでのパルスレーザ光を検出してもよい。こうすることで、露光対象物7の有無に関わらずレーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を検出することができる。
コントロール部30は、レーザ露光装置1の各構成要素を統括的に制御する。コントロール部30は、制御部31(CPU)と、通信部32と、表示部33と、入力部34と、インタフェース35(IF)と、記憶部36と、などを有する。コントロール部30の各構成要素はバスなどの通信線などでデータ通信可能に接続されている。
制御部31(CPU)は、コントロール部30およびレーザ露光装置1の各構成要素を統括的に制御する。制御部31は、記憶部36に記憶されているプログラム(PRG)を実行することにより、本発明に係る機能をレーザ露光装置1に実現する。制御部31の詳細な動作を後述する。
通信部32は、制御部31の制御により、有線式または無線式の通信路を介して外部のコンピュータ50(PC)などとデータ通信を行う。この外部のコンピュータ50は、ユーザの操作などにより画像データを作成することができる。
表示部33は、液晶パネル表示装置などの表示装置であり、制御部31の制御により、本発明に係る情報を表示する。
入力部34は、各種操作スイッチやボタンなどの操作入力装置であり、ユーザの操作に応じた信号を制御部31に出力する。
インタフェース35(IF)は、ガルバノミラー駆動部23、搬送部27などに電気的に接続されている。制御部31は、インタフェース35を介してガルバノミラー駆動部23や搬送部27を駆動制御する。
記憶部36は、RAMやROMなどの記憶装置であり、本実施形態では、印画データ記憶部37、ラインメモリなどを有する。
印画データ記憶部37は、画像データ、各種パラメータなどを記憶する。印画データ記憶部37は、例えば、外部のコンピュータ50などから送信された画像データを記憶してもよい。
ラインメモリは、動作時、制御部31の制御により、印画データ記憶部37から読み出された、画像データの一ライン分の画素の座標データや照射の有無を示すデータなどを記憶する。このラインメモリのデータはガルバノミラー駆動部23を駆動する際に参照される。本実施形態では、ラインメモリA38、ラインメモリB39が設けられており、画像データの一ライン分の画素の座標データなどが、いずれか一方のラインメモリA38、ラインメモリB39に交互に記憶され、必要に応じて読み出されるように構成されている。
制御部31は、露光する各画素毎に、励起用発光部11から励起光を出力させ、検出部40によるレーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。
図5はレーザ露光装置1のレーザON信号Saとレーザ照射状態の一例を示すタイミングチャートである。詳細には、図5(a)は1画素に1つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザオン信号の一例を示す図であり、図5(b)は1画素に1つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザ照射状態の一例を示す図である。
図5(a),図5(b)に示した例では、時間T1において、LEDなどの励起用発光部11にハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射される。反射光学系12,13の間に配置されたレーザ媒質14の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta経過後、レーザ媒質14中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では1回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。詳細には、制御部31は、レーザON信号Saを0などのローレベル(オフ)とすることで、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる。尚、パルスレーザ光Pを検出してからレーザON信号Saをオフとするまでの時間TPdは非常に僅かな時間であってもよいし、パルスレーザ光Pの立下りPdの場合であってもよい。
そして、所定時間T2、レーザON信号Saをローレベルとし、露光対象物上の次の画素にレーザ露光を行うように露光光学系20を設定する。
そして、時間T3において、LEDなどの励起用発光部11にハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射される。反射光学系12,13の間に配置されたレーザ媒質14の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Tb経過後、レーザ媒質14中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では1回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。
このように、レーザON信号Saをローレベル(OFF)からハイレベル(ON)としたとき、レーザ媒質14の複数の原子の励起状態により、パルスレーザ光Pが照射されるまでの時間が異なる場合であっても、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数検出したとき、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことができる。
次に、1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合について説明する。
図5(c)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザオン信号の一例を示す図であり、図5(d)は1画素に2つのパルスレーザ光を照射させる場合のレーザ照射状態の一例を示す図である。
図5(c),図5(d)に示した例では、時間T1において、LEDなどの励起用発光部11にハイレベルのレーザON信号Saを入力した場合、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射される。反射光学系12,13の間に配置されたレーザ媒質14の原子は励起状態となる。レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta1経過後、レーザ媒質14中の多数の原子が励起状態(反転分布状態)となり、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
そして、励起用発光部11からレーザ媒質14に励起光が出射された状態で、所定時間Te経過後(レーザON信号Saがハイレベルとなってから時間Ta2経過後)、出射側の反射光学系13(ミラー)から所定値以上の強度のパルスレーザ光Pが出射され、露光光学系20により露光対象物7の所定の画素位置にレーザ露光が行われる。
検出部40は、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光Pを検出し、その検出結果を示す信号をコントロール部30に出力する。制御部31は、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では2回、検出した場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う。
そして、所定時間T2、レーザON信号Saをローレベルとし、露光対象物上の次の画素にレーザ露光を行うように露光光学系20を設定する。その後、レーザ露光装置1の動作は、同様なので説明を省略する。
このように、検出部40によりパルスレーザ光Pを所定回数、この例では2回検出したとき、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことができる。
図6は本発明の実施形態に係るレーザ露光装置1の動作の一例を示す図である。詳細には、図6(a)はプリントスタート信号の一例を示す図である。図6(b)はデータリクエスト信号の一例を示す図、図6(c)は記憶部の動作の一例を示す図、図6(d)はガルバノ座標データの一例を示す図、図6(e)はレーザON信号Saの一例を示す図、図6(f)はレーザ照射状態の一例を示す図、図6(g)は検出部による検出状態の一例を示す図である。図6において、横軸に時間を示す。
図7はレーザ露光装置1の動作の一例を示すフローチャートである。
図6、図7、および図1〜5などを参照しながら、レーザ露光装置1などの動作の一例を説明する。
ステップST11において、制御部31は、スタートボタン(プリントスタートボタン)が操作されたか(押下されたか)否かを判別し、スタートボタンが操作されていない場合、ステップST11の処理を繰り返し、スタートボタンが操作されている場合にステップST12の処理に進む。
図6(a)に示した例では、スタートボタンが操作されていない場合、制御部31は入力部34からハイレベルの信号を受信し、スタートボタンが操作された場合(押下された場合)、入力部34からローレベルの信号を受信するように構成されている。尚、スタートボタンが外部のコンピュータ50(PC)に設けられている場合、制御部31は、通信部32を介して、コンピュータ50からスタートボタンのオン/オフを示す信号に基づいて上記処理を行う。
ステップST12において、制御部31は、画像データとパラメータなどを印画データ記憶部37に記憶する処理を行う。この画像データやパラメータなどは、外部のコンピュータ50(PC)から通信部32を介して受信してもよいし、予め印画データ記憶部37に記憶されていてもよい。
ステップST13において、制御部31は、データリクエスト信号をオン(ローレベル)とする。初期状態では、データリクエスト信号はオフ(ハイレベル)に設定されている。
ステップST14において、制御部31は、画像データなどに基づいて、1ライン分の画素の座標データ、各画素への照射の有無を示すデータなどのパラメータを、ラインメモリに記憶する。この場合、制御部31は、ラインメモリA38、ラインメモリB39のうち何れか一方に、1ライン分のデータやパラメータを記憶させる。前回使用していないラインメモリに記憶させることが好ましい。
ステップST15において、制御部31は、データリクエスト信号をオフ(ローレベル)とする。
ステップST16において、制御部31は、ラインメモリ内の1画素目の座標データに応じて、ガルバノミラー22をガルバノミラー駆動部23により駆動する。
ステップST17において、制御部31は、レーザON信号Saをオン(ハイレベル)とする。励起用発光部11が発光する。
ステップST18において、励起用発光部11からの励起光により、レーザ媒質14の多数の原子(電子)が励起状態(反転分布状態)とする。光が増幅され、所定強度以上となったときにパルスレーザ光が出射される。
ステップST19において、制御部31は、検出部40からの信号によりパルスレーザ光を所定回数検出されたか否かを判別し、パルスレーザ光を所定回数検出していない場合にステップST17の処理に進み、パルスレーザ光を所定回数検出した場合にステップST20の処理に進む。
ステップST20において、パルスレーザにより、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光が行われる。
ステップST21において、制御部31は、検出部40にて、パルスレーザ光を所定回数検出された場合、レーザON信号Saをオフ(ローレベル)とし、励起用発光部11を非発光状態とする。
ステップST22において、制御部31は、次のラインのデータの準備を行う。詳細には、本実施形態では、現在のラインを印画している間に、データリクエスト信号をオン状態(ローレベル)として、露光処理に使用していないラインメモリに、次のラインの座標データと照射有無データを記憶させる。こうすることで、次のラインの露光処理の開始時間を短縮することができる。
ステップST23において、制御部31は、1ライン分のレーザ露光処理を終了したか否かを判別し、終了していない場合、ステップST16の処理に進み、次の画素に関するレーザ露光処理を行い、1ライン分のレーザ露光処理が終了した場合にステップST24の処理に進む。
ステップST24において、制御部31は、ステップST16〜ステップST23と同様の処理により、次のラインに関するレーザ露光処理(印画処理)を行う。
ステップST25において、制御部31は、全てのラインのレーザ露光処理(印画処理)を終了したか否かを判別し、終了していない場合、ステップST24の処理に進み、終了している場合、レーザ露光処理を終了する処理を行う。
制御部31は、搬送部27を駆動して、レーザ露光された露光対象物7を所定の排出口へ搬送するとともに、次の露光対象物7を、露光範囲に搬送する処理を行う。
以上、説明したように、本発明の実施形態に係るレーザ露光装置1は、画像データに基づいてパルスレーザ光を露光対象物の所定位置に1画素ずつ露光を行う。
レーザ露光装置1は、LEDなどの励起用発光部11、反射光学系(12,13)、反射光学系(12,13)内に配置されたレーザ媒質14を備え、励起用発光部11から出力された励起光を反射光学系(12,13)内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置10を有する。本実施形態では、レーザ装置10として、Qスイッチ15を備えたパッシブ型Qスイッチレーザ装置を採用する。
また、レーザ露光装置1は、パルスレーザ光を画像データに応じた露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系20と、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部40と、露光する各画素毎に、励起用発光部11から励起光を出力させ、検出部40による、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部31(コントロール部30)と、を有する。
すなわち、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、レーザ媒質14をそれ以上励起させることがなく、パルスレーザ光が出射されない。このため、露光対象物7の所定位置に1画素ずつ所望の濃度でレーザ露光を行うことが可能なレーザ露光装置1を提供することができる。
また、本発明の実施形態に係るレーザ露光装置1のレーザ装置10として、Qスイッチ15を備えたパッシブ型Qスイッチレーザ装置を採用している。このため、共振器内を小さいQ値とした状態(発振抑制状態)で励起光によりレーザ媒質14中の多数の原子を励起状態(反転分布状態)とした後、共振器内を大きいQ値の状態にすることで、大きい強度のパルスレーザ光を一方のミラー(反射光学系13)から出射することができる。また、上述したように、制御部31が、レーザ装置10から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合、励起用発光部11による励起光の出力を停止させるので、パルスレーザ光の出射を所定回数に簡単に制御することができる。
また、本実施形態では、Qスイッチ15として、可飽和吸収体などのパッシブ型Qスイッチを採用し、出射側ミラーである反射光学系13と一体化した部材を用いているので、レーザ装置10の部品数を低減し、簡単な構造とすることができる。
また、本実施形態では、検出部40は、パルスレーザ光が露光対象物7に照射され、その露光対象物7からの反射光を検出する。こうすることで、露光対象物7にパルスレーザ光が照射されて、レーザ露光されたことを容易に確実に確認することができる。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。
また、上述の各図で示した実施形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。
また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。
1…レーザ露光装置、7…露光対象物、11…励起用発光部、12,13…ミラー(反射光学系)、14…レーザ媒質、20…露光光学系、25…fθレンズ、27…搬送部、30…コントロール部、31…制御部、36…記憶部、37…印画データ記憶部、40…検出部(センサ)。

Claims (3)

  1. 画像データに基づいてパルスレーザ光を露光対象物の所定位置に1画素ずつ露光を行うレーザ露光装置であって、
    励起用発光部、反射光学系、該反射光学系内に配置されたレーザ媒質を備え、前記励起用発光部から出力された励起光を前記反射光学系内で増幅したのち所定強度のパルスレーザ光を出射するレーザ装置と、
    前記パルスレーザ光を前記画像データに応じた前記露光対象物の所定位置に1画素ずつ照射させる露光光学系と、
    前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光を検出する検出部と、
    露光する各画素毎に、前記励起用発光部から励起光を出力させ、前記検出部による、前記レーザ装置から出射されたパルスレーザ光の検出回数が所定回数となった場合に、前記励起用発光部による励起光の出力を停止させる処理を行う制御部と、を有することを特徴とする
    レーザ露光装置。
  2. 前記検出部は、前記露光対象物からの反射光を検出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ露光装置。
  3. 前記検出部は、前記レーザ装置から出射され前記露光光学系のミラーにいたるまでのパルスレーザ光を検出することを特徴とする請求項1に記載のレーザ露光装置。
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