JP2015145038A5 - - Google Patents

Description

本発明の一態様は、第１の窒化シリコン膜上に第１及び第２の電極を有するＭＥＭＳ部を形成し、前記ＭＥＭＳ部を覆う犠牲層を前記第１の窒化シリコン膜上に形成し、前記犠牲層に、前記第１の電極上に位置する第１の接続孔及び前記第２の電極上に位置する第２の接続孔を形成し、前記犠牲層の周囲に位置する前記第１の窒化シリコン膜上に密着し、前記第１及び第２の接続孔内に形成され、前記犠牲層を覆うシリコン膜を形成し、前記シリコン膜に第１のリング状の孔を形成することによって前記第１の接続孔内の前記シリコン膜を分離するとともに、前記シリコン膜に第２のリング状の孔を形成することによって前記第２の接続孔内の前記シリコン膜を分離し、前記第１及び第２のリング状の孔を第２の窒化シリコン膜によって埋め込み、前記シリコン膜に第１の孔を形成し、前記第１の孔を通してウェットエッチング液を前記犠牲層に供給することによって前記犠牲層を除去することで、前記第１及び第２の窒化シリコン膜と前記シリコン膜によって覆われた空間にＭＥＭＳ部が位置することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法である。

本発明の一態様は、第１の窒化シリコン膜上に第１及び第２の電極を有するＭＥＭＳ部を形成し、前記ＭＥＭＳ部を覆う犠牲層を前記第１の窒化シリコン膜上に形成し、前記犠牲層に、前記第１の電極上に位置する第１の接続孔及び前記第２の電極上に位置する第２の接続孔を形成し、前記犠牲層の周囲に位置する前記第１の窒化シリコン膜上に密着し、前記第１及び第２の接続孔内に形成され、前記犠牲層を覆うシリコン膜を形成し、前記シリコン膜に、第１のリング状の孔を形成することによって前記第１の接続孔内の前記シリコン膜を分離するとともに、前記シリコン膜に第２のリング状の孔を形成することによって前記第２の接続孔内の前記シリコン膜を分離し、且つ第１の孔を形成し、前記第１の孔、前記第１及び第２のリング状の孔を第２の窒化シリコン膜によって埋め込み、前記第１の孔に埋め込まれた前記第２の窒化シリコン膜を除去し、前記第１の孔を通してウェットエッチング液を前記犠牲層に供給することによって前記犠牲層を除去することで、前記第１及び第２の窒化シリコン膜と前記シリコン膜によって覆われた空間にＭＥＭＳ部が位置することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法である。

Claims (11)

1. 第１の窒化シリコン膜とシリコン膜によって覆われた空間に、第１及び第２の電極を有するＭＥＭＳ部が配置されており、
   前記シリコン膜は第１及び第２のリング状の孔を有し、
   前記第１のリング状の孔の内側に位置する前記シリコン膜が前記第１の電極に電気的に接続されており、
   前記第２のリング状の孔の内側に位置する前記シリコン膜が前記第２の電極に電気的に接続されており、
   前記第１及び第２のリング状の孔それぞれが第２の窒化シリコン膜によって埋められていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
2. 請求項１において、
   前記ＭＥＭＳ部は前記第１の窒化シリコン膜上に配置され、
   前記シリコン膜は、前記ＭＥＭＳ部上方に配置され、且つ前記ＭＥＭＳ部の周囲に位置する前記第１の窒化シリコン膜に密着していることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
3. 請求項１において、
   前記第１の電極上に配置され、前記第１のリング状の孔の内側に位置する前記シリコン膜下に配置された第１の電極台と、
   前記第２の電極上に配置され、前記第２のリング状の孔の内側に位置する前記シリコン膜下に配置された第２の電極台と、
   前記第１の窒化シリコン膜上に密着されたシリコン台と、
   を有し、
   前記ＭＥＭＳ部は前記第１の窒化シリコン膜上に配置され、
   前記シリコン台は前記ＭＥＭＳ部の周囲に位置し、
   前記シリコン膜は、前記ＭＥＭＳ部上方に配置され、且つ前記シリコン台に密着していることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記シリコン膜は第１の孔を有し、
   前記第１の孔が金属膜によって埋められており、
   前記金属膜、前記シリコン膜、前記第１及び第２の窒化シリコン膜によって気密構造が形成されていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
5. 請求項４において、
   前記シリコン膜上に形成された第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜に形成され、前記第１の孔上に位置する第２の孔と、
   前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
   を有し、
   前記第１及び第２の孔が前記金属膜によって埋められていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
6. 請求項４または５において、
   前記第１の孔が前記ＭＥＭＳ部の可動電極の直上には配置されていないことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記ＭＥＭＳ部は半導体基板上に配置されており、
   前記半導体基板には集積回路が形成されていることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
8. 第１の窒化シリコン膜上に第１及び第２の電極を有するＭＥＭＳ部を形成し、
   前記ＭＥＭＳ部を覆う犠牲層を前記第１の窒化シリコン膜上に形成し、
   前記犠牲層に、前記第１の電極上に位置する第１の接続孔及び前記第２の電極上に位置する第２の接続孔を形成し、
   前記犠牲層の周囲に位置する前記第１の窒化シリコン膜上に密着し、前記第１及び第２の接続孔内に形成され、前記犠牲層を覆うシリコン膜を形成し、
   前記シリコン膜に第１のリング状の孔を形成することによって前記第１の接続孔内の前記シリコン膜を分離するとともに、前記シリコン膜に第２のリング状の孔を形成することによって前記第２の接続孔内の前記シリコン膜を分離し、
   前記第１及び第２のリング状の孔を第２の窒化シリコン膜によって埋め込み、
   前記シリコン膜に第１の孔を形成し、
   前記第１の孔を通してウェットエッチング液を前記犠牲層に供給することによって前記犠牲層を除去することで、前記第１及び第２の窒化シリコン膜と前記シリコン膜によって覆われた空間にＭＥＭＳ部が位置することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
9. 第１の窒化シリコン膜上に第１及び第２の電極を有するＭＥＭＳ部を形成し、
   前記ＭＥＭＳ部を覆う犠牲層を前記第１の窒化シリコン膜上に形成し、
   前記犠牲層に、前記第１の電極上に位置する第１の接続孔及び前記第２の電極上に位置する第２の接続孔を形成し、
   前記犠牲層の周囲に位置する前記第１の窒化シリコン膜上に密着し、前記第１及び第２の接続孔内に形成され、前記犠牲層を覆うシリコン膜を形成し、
   前記シリコン膜に、第１のリング状の孔を形成することによって前記第１の接続孔内の前記シリコン膜を分離するとともに、前記シリコン膜に第２のリング状の孔を形成することによって前記第２の接続孔内の前記シリコン膜を分離し、且つ第１の孔を形成し、
   前記第１の孔、前記第１及び第２のリング状の孔を第２の窒化シリコン膜によって埋め込み、
   前記第１の孔に埋め込まれた前記第２の窒化シリコン膜を除去し、
   前記第１の孔を通してウェットエッチング液を前記犠牲層に供給することによって前記犠牲層を除去することで、前記第１及び第２の窒化シリコン膜と前記シリコン膜によって覆われた空間にＭＥＭＳ部が位置することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
10. 請求項８または９において、
    前記ＭＥＭＳ部は可動電極を有し、
    前記ＭＥＭＳ部を形成する際に、前記第１の窒化シリコン膜上に、第１及び第２の電極と前記第１及び第２の電極を囲む第１のシリコン台を形成した後に、前記第１の電極上に第１の電極台を形成するとともに前記第２の電極上に前記可動電極及び第２の電極台を形成するとともに前記第１のシリコン台上に第２のシリコン台を形成し、
    前記ＭＥＭＳ部を覆う犠牲層を形成する際に、前記第１及び第２の電極台と前記第１及び第２のシリコン台を覆う前記犠牲層を前記第１の窒化シリコン膜上に形成し、
    前記犠牲層に前記第１及び第２の接続孔を形成する際に、前記犠牲層に、前記第１の電極台上に位置する前記第１の接続孔、前記第２の電極台上に位置する前記第２の接続孔及び前記第２のシリコン台上に位置する溝を形成し、
    前記シリコン膜を形成する際に、前記溝内に前記シリコン膜を形成し、
    前記犠牲層を除去することで、前記空間にＭＥＭＳ部、第１及び第２の電極台、第１及び第２のシリコン台が位置することを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。
11. 請求項８乃至１０のいずれか一項において、
    前記犠牲層を除去した後に、前記第１の孔に金属膜をスパッタリングにより埋め込むことで前記空間が封止されることを特徴とするＭＥＭＳ素子の製造方法。