JP2015139364A - 過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ - Google Patents
過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015139364A JP2015139364A JP2015007845A JP2015007845A JP2015139364A JP 2015139364 A JP2015139364 A JP 2015139364A JP 2015007845 A JP2015007845 A JP 2015007845A JP 2015007845 A JP2015007845 A JP 2015007845A JP 2015139364 A JP2015139364 A JP 2015139364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zener diode
- current
- power supply
- circuit
- connection end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
- H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/02—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess current
- H02H9/025—Current limitation using field effect transistors
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
【課題】過電圧の出現に関連する過剰エネルギの消散と、回路の端子を横切る電圧のクリッピングとを改善する過電圧に対して回路を保護できる装置を提供する。【解決手段】過電圧に対して回路14を保護する保護装置17は、非線形抵抗18とツェナダイオード22とを有する。非線形抵抗は回路の電力供給源16の端子に接続されるよう設計される。非線形抵抗及びツェナダイオードのそれぞれは第1の接続端部18a、22a及び第2の接続端部18b、22bを有する。ツェナダイオードの第1の接続端部22aは非線形抵抗の第1の接続端部18aに接続される。保護装置は非線形抵抗の第2の接続端部18bとツェナダイオードの第2の接続端部22bとの間に接続され、通過する電流の強度を制限できる電流リミッタコンポーネント20をさらに有する。【選択図】図1
Description
本発明は、過電圧に対して回路を保護する装置、すなわち、回路の端子を横切って印加される電圧をクリップするよう設計された装置と、当該装置を有する電力供給メンバと、に関する。
電気回路の分野における1つの問題は、過電圧に対する電気回路の保護により、電気回路および当該電気回路を構成するコンポーネントの適切な動作を確保することである。実際、電気回路の2つの端子間に印加される過電圧によって、回路が破壊されることがある。一般に、過電圧は、電気回路の端子を横切って印加されることがある静電放電により発生する。
過電圧に対する保護の分野において、非線形抵抗またはツェナダイオードなどのコンポーネントを使用することは、周知である。ツェナダイオードは、より詳細には、パワーツェナダイオードに対応し、その定格電力は、例えば、10Wより大きい。
非線形抵抗は、例えば、過電圧に対して保護される回路と並列に接続される場合、過電圧に起因するエネルギを消散することができると同時に、回路の端子を横切る電圧を制限することができる。しかしながら、非線形抵抗によって提供される、電圧クリッピングとも呼ばれる電圧制限は制限される。
パワーツェナダイオードは、非常に良好に電圧をクリップすることができ、したがって、過電圧に対して保護される回路の端子を横切る電圧を制限することができる。しかしながら、パワーツェナダイオードが過電圧に起因する過剰エネルギを消散する容量は非常に制限される。このため、過電圧が出現したとき、パワーツェナダイオードの破壊を導くことがある。
図3において、グラフは、曲線100上に非線形抵抗の電流−電圧特性と、曲線102上にパワーツェナダイオードの電流−電圧特性と、を示す。曲線100、102は、非線形抵抗の制限された電圧クリップ容量を例示しており、パワーツェナダイオードは、非線形抵抗より良好な電圧クリップ容量を有することを示す。実際、負電流に対して、非線形抵抗およびパワーツェナダイオードの伝導領域104では、曲線102の傾きは、曲線100の傾きより大きい。
また、非線形抵抗と並行に接続されたパワーツェナダイオードを有する装置を使用することは周知である。この場合、パワーツェナダイオードは、過電圧に対して保護される電気回路の端子を横切って接続される。しかしながら、この装置において、非線形抵抗の端子を横切る電圧が過電圧に起因して著しく増大したとき、パワーツェナダイオードの端子を横切る電圧もかなり増大し、このため、パワーツェナダイオードの破壊を導く。さらに、このタイプの装置では、パワーツェナダイオードに関して選ばれた第1の定格電圧値は、非線形抵抗に関して選ばれた第2の定格電圧値に依存する。
したがって、本発明の目的は、過電圧の出現に関連する過剰エネルギの消散と、回路の端子を横切る電圧のクリッピングと、を改善できる、過電圧に対して回路を保護する装置を提案することである。
この目的のため、本発明は、過電圧に対して回路を保護する装置であって、非線形抵抗と、ツェナダイオードと、を有し、ツェナダイオードおよび非線形抵抗のそれぞれは、第1の接続端部および第2の接続端部を有し、ツェナダイオードの第1の接続端部は、非線形抵抗の第1の接続端部に接続される、装置に関する。本発明によれば、この装置は、通過する電流の強度を制限することができる電流リミッタコンポーネントをさらに有し、電流リミッタコンポーネントは、非線形抵抗の第2の接続端部とツェナダイオードの第2の接続端部との間に接続される。
本発明によれば、過電圧が出現したとき、電流リミッタコンポーネントから来る電流の強度は限定されるので、これにより、ツェナダイオードを通過する電流の強度を、例えば、それを超えるとダイオードが破壊される可能性のある強度値より低く、限定することができる。これにより、過電圧が出現したとき、電流ピークが出現し、電流リミッタコンポーネントでは、電流の一部が通過する一方、非線形抵抗を通過する電流の他の部分をブロックする。このため、非線形抵抗は、過電圧に関連する余剰エネルギを消散できる。さらに、ツェナダイオードは、非常に高い電圧クリップ能力を有するので、この能力により、過電圧に対して回路を十分保護することができる。したがって、提案された装置によって、ツェナダイオードの破壊を回避すると同時に、過電圧に対して回路をより良好に保護することができる。
本発明の他の有利な態様によれば、この保護装置は、単独または任意の技術的に許容できる組み合わせで、以下の特徴の1つまたは複数をさらに有する。
ツェナダイオードは、回路の端子に接続される。
電流リミッタコンポーネントは、接合型電界効果トランジスタまたは金属酸化膜半導体型トランジスタを含む電界効果トランジスタを有する。
電界効果トランジスタは、シリコンまたは炭化シリコンに対応する、ワイドバンドギャップを有する材料から作成された半導体基板を有する。
電界効果トランジスタは、炭化シリコンから作成された基板を有する縦型接合型電界効果トランジスタである。
ツェナダイオードは、トランシルダイオードである。
非線形抵抗はバリスタである。
非線形抵抗の定格電圧は、電力供給源によって提供される電圧より大きく、好ましくは、電力供給源によって提供される電圧より少なくとも1.5倍大きい。
電流リミッタコンポーネントは、当該電流リミッタコンポーネントを通過する電流の強度を、閾値以下の値に制限することができ、ツェナダイオードを、強度が閾値以上である電流が通過することができる。
また、本発明は、電力供給源と、過電圧に対して回路を保護する装置と、を有する電力供給メンバに関する。本発明によれば、装置は、定義された装置であり、非線形抵抗は、電力供給源の端子に接続される。
単に制限されない一例として与えられ図面を参照しながら行われる以下の説明を鑑みることによって、本発明はより良く理解され、本発明の他の利点は明らかになるであろう。
図1において、電気システム10は、電力供給12と、過電圧に対して保護される電気回路14と、を有する。
電力供給回路12は、電力供給源16と、保護装置17と、を有する。
電力供給源16は、電圧供給源である。電力供給源16は、回路14の端子を横切って回路を破損せずに印加することができる電圧V1を供給するのに適合する。電圧V1は、一般に、24V(Volts)と1500Vとの間、好ましくは24Vと1000Vとの間である。
保護装置17は、非線形抵抗18と、電流リミッタコンポーネント20と、ツェナダイオード22と、を有する。ツェナダイオード22は、一般に、定格電力が、例えば10Wより大きいパワーツェナダイオードに対応する。
非線形抵抗18は、電力供給源16の端子に、すなわち、電力供給源16と平行に接続される。非線形抵抗18は、バリスタであることが好ましい。
非線形抵抗18は、第1の接続端部18aと、第2の接続端部18bと、を有する。
非線形抵抗18aの定格電圧Vnは、電力供給源16によって供給される電圧V1より大きい。定格電圧Vnは、1mAに等しい電流が通過するときの非線形抵抗の端子を横切る電圧に対応する。定格電圧Vnは、電力供給源16によって供給される電圧V1より少なくとも1.5倍大きいことが好ましい。これにより、電圧V1が100Vに等しい場合、定格電圧Vnは、例えば150Vに等しい。
電流リミッタコンポーネント20は、第1の接続端部20aおよび第2の接続端部20bを有する。リミッタコンポーネント20の第1の端部20aは、非線形抵抗18の第2の端部18bに接続される。
電流リミッタコンポーネント20は、それを通過する電流の強度を制限することができ、これにより第2の接続端部20bで送出される電流の強度を制限することができる。
電流リミッタコンポーネント20は、それを通過する電流の強度を閾値S1以下の値に制限できる。より詳細には、強度が閾値S1より大きい電流が電流リミッタコンポーネント20の入力に到達したとき、コンポーネント20は、それを通過する電流の強度を閾値S1に制限できる。閾値S1は、一般に、第2の端部20bを通過する電流の強度が回路14に関する最大許容強度Imax以下になるよう選ばれる。最大強度Imaxは、動作のダメージまたは変更を伴わずに回路14を通過できる電流の最大強度に対応する。閾値S1は、例えば5Aと200Aとの間である。
電流リミッタコンポーネント20は、接合型電界効果トランジスタ(Junction Field Effect Transistor;JFET)または金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor;MOSFET)などの電界効果トランジスタ(図示省略)を有する。
トランジスタは、例えばシリコンまたは炭化シリコン(silicon carbide)に対応する、ワイドバンドギャップを有する材料から作成された半導体基板を有する。
電界効果トランジスタは、接合ゲート電界効果トランジスタとも呼ばれる接合型電界効果トランジスタ(JFET)であることが好ましい。
また、電界効果トランジスタは、基板がシリカ炭化物(silica carbide)である縦型接合型電界効果トランジスタ(Vertical Junction Field Effect Transistor;VJFET)であることが好ましい。
電流リミッタコンポーネント20は、仏国特許出願公開第2975542号に記載されるようなものである。このため、トランジスタは、ドレイン電極、ソース電極およびゲート電極を有する。
代替として、電流リミッタコンポーネント20は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT)などのバイポーラトランジスタ、または、通過する電流を制限すなわちクリップすることができる他の任意のタイプのコンポーネントを有する。ツェナダイオード22は、第1の接続端部22aおよび第2の接続端部22bを有する。ツェナダイオード22は、回路14の端子を横切って、すなわち、回路14と平行に接続される。
第1の端部22aは、第1の端部18aに接続される。ツェナダイオードの第2の端部22bは、電流リミッタコンポーネント20の第2の端部20bに接続される。
このため、電流リミッタコンポーネント20は、非線形抵抗18の第2の端部18bとツェナダイオード22の第2の端部22bとの間に接続される。より詳細には、ソース電極は、非線形抵抗18の第2の端部18bに接続され、ドレイン電極は、ツェナダイオード22の第2の端部22bに接続され、ゲート電極は、閾値S1を予め定められた値に設定可能な制御メンバ(図示省略)に接続される。
ツェナダイオード22は、トランシルダイオード(Transil diode)であることが好ましい。
ツェナダイオード22は、強度が上記閾値S1以上である第1の電流I1によって通過されうる。第1の電流I1および閾値S1の値は、保護される回路14とそれを通過する定格電流および電圧とに固有である。
代替として、ツェナダイオード22は、一般に、強度が閾値S1と回路14を通過可能な定格電流Inの強度との間の差より大きい第1の電流I1によって通過されてもよい。定格電流Inは、回路14の最適な動作に必要な電流に対応する。
回路14および供給源16の正常動作中、すなわち、過電圧が全く出現しないとき、リミッタコンポーネント20はそれを通過する電流を制限せず、非線形抵抗18およびツェナダイオード22を通過する電流は非常に低く無効とみなすことができるので、供給源16は、電圧V1をそのまま回路14に供給する。
図2において、曲線50は、過電圧が出現したとき電力供給源16で測定された第2の電流I2を時間の関数として示し、曲線52は、過電圧が出現したとき電流リミッタコンポーネント20の第2の端部20bで測定された第3の電流I3を時間の関数として示す。
曲線50は、過電圧が出現したとき、電力供給源16の電流がかなり増大することを示す。曲線52は、過電圧が出現したとき、第2の端部20bで測定された電流が閾値S1に到達することを示す。これにより、ツェナダイオード22の第2の端部22bおよび回路14に到達する電流は、閾値S1に制限される。この結果、ツェナダイオード22および回路14を通過する電流は、これらの動作に悪影響を及ぼさない。
実際、閾値S1は、ツェナダイオード22を通過可能な第1の電流I1の強度以下になるよう選ばれる。さらに、閾値S1は、一般に、回路14を通過可能な定格電流Inの強度より大きくなるよう選ばれる。このため、電流リミッタコンポーネント20は、過電圧に対応する電流ピークが出現したときのみ、それを通過する電流を制限する。
過電圧が起きたとき、リミッタコンポーネント20を通過する電流は、閾値S1に制限される。電流リミッタコンポーネント20によってブロックされ、それを通過しない残りの電流Irに対応する電流は、非線形抵抗18を通過する。残りの電流Irは、曲線50の振幅(amplitude)が曲線52より大きい場合、曲線50の振幅と閾値S1との差に対応する。非線形抵抗18によって、残りの電流Irに対応するエネルギを消散、すなわち、過電圧に関連するエネルギを消散することができる。
さらに、ツェナダイオード22によって、回路14の端子を横切る電圧のクリッピングを最適化することができる。
このため、装置17によって、回路14の端子を横切る電圧の最適なクリッピングと、過電圧に関連するエネルギの非線形抵抗18による消散と、の両方が可能になる。
さらに、非線形抵抗18は、エネルギ消散機能を有し、電圧クリッピング機能を有しない。このため、非線形抵抗18の定格電圧Vnの値は、電力供給源16によって供給される電圧V1より高くてもよい。より詳細には、前に説明したように、定格電圧Vnは、電圧V1より少なくとも1.5倍高い。これは、供給源16の端子を横切る電圧が、電圧V1よりわずかに高く、例えば1.2倍高くなるのではなく、過電圧が閾値S1より大きい電流を生成したときのみ重大な電流が非線形抵抗18を通過することを意味する。このため、非線形抵抗18の耐用年数は最適化される。
Claims (10)
- 過電圧に対して回路を保護する装置であって、
非線形抵抗と、
ツェナダイオードと、
通過する電流の強度を制限することができる電流リミッタコンポーネントと、を有し、
前記非線形抵抗は、前記回路の電力供給源の端子に接続されるよう設計され、
前記ツェナダイオードおよび前記非線形抵抗のそれぞれは、第1の接続端部および第2の接続端部を有し、
前記ツェナダイオードの前記第1の接続端部は、前記非線形抵抗の前記第1の接続端部に接続され、
前記電流リミッタコンポーネントは、前記非線形抵抗の前記第2の接続端部と前記ツェナダイオードの前記第2の接続端部との間に接続される、ことを特徴とする装置。 - 前記ツェナダイオードは、前記回路の端子に接続される、請求項1に記載の装置。
- 前記電流リミッタコンポーネントは、接合型電界効果トランジスタまたは金属酸化膜半導体型トランジスタを含む電界効果トランジスタを有する、請求項1または2に記載の装置。
- 前記電界効果トランジスタは、シリコンまたは炭化シリコンに対応する、ワイドバンドギャップを有する材料から作成された半導体基板を有する、請求項3に記載の装置。
- 前記電界効果トランジスタは、炭化シリコンから作成された基板を有する縦型接合型電界効果トランジスタである、請求項3または4に記載の装置。
- 前記ツェナダイオードは、トランシルダイオードである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記非線形抵抗はバリスタである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記非線形抵抗の定格電圧は、前記電力供給源によって提供される電圧より大きい、請求項1〜7のいずれか一項に記載の装置。
- 前記電流リミッタコンポーネントは、当該電流リミッタコンポーネントを通過する電流の強度を、閾値以下の値に制限することができ、
前記ツェナダイオードを、強度が前記閾値以上である電流が通過することができる、請求項1〜8のいずれか一項に記載の装置。 - 電力供給源と、
過電圧に対して回路を保護する装置と、を有する電力供給メンバであって、
前記装置は、請求項1〜9のいずれか一項に記載された装置であり、
前記非線形抵抗は、前記電力供給源の端子に接続される、ことを特徴とする電力供給メンバ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1450455 | 2014-01-21 | ||
FR1450455A FR3016751B1 (fr) | 2014-01-21 | 2014-01-21 | Dispositif de protection d'un circuit contre des surtensions et organe d'alimentation electrique comprenant un tel dispositif |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015139364A true JP2015139364A (ja) | 2015-07-30 |
Family
ID=50780643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015007845A Pending JP2015139364A (ja) | 2014-01-21 | 2015-01-19 | 過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150207314A1 (ja) |
EP (1) | EP2911257A1 (ja) |
JP (1) | JP2015139364A (ja) |
KR (1) | KR20150087150A (ja) |
CN (1) | CN104795808A (ja) |
FR (1) | FR3016751B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10205313B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-02-12 | Symptote Technologies, LLC | Two-transistor devices for protecting circuits from sustained overcurrent |
JP6651186B2 (ja) | 2015-09-21 | 2020-02-19 | シンプトート テクノロジーズ エルエルシー | 回路を保護するための単一トランジスタデバイスおよびそのための自己触媒電圧変換 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57141637U (ja) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | ||
JPS57143848U (ja) * | 1981-03-06 | 1982-09-09 | ||
JPS58127823U (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-30 | 富士電機株式会社 | サ−ジ吸収回路 |
JPH03242942A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH07239722A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-09-12 | Sgs Thomson Microelectron Sa | アバランシダイオードによって形成される過電圧保護回路 |
JPH08213619A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-08-20 | Siliconix Inc | 過大な入力電圧に対する負荷の保護回路を含む装置及び過大な入力電圧に対する負荷の保護方法 |
JPH0936359A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素縦型fet |
JP2001327069A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Nec Saitama Ltd | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 |
JP2009201349A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Schneider Toshiba Inverter Europe Sas | 過電流および過電圧の保護装置を含む可変速駆動装置 |
US20090290276A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Schneider Electric Industries Sas | Overvoltage protection device for an electrical circuit |
JP2012238693A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Renesas Electronics Corp | 保護回路 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4024457A (en) * | 1975-11-04 | 1977-05-17 | Riddle Grant C | Hard-firing zero-crossing trigger control circuit |
DK339586D0 (da) * | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Silver Gruppen Prod As | Elektronisk ballast |
US5396085A (en) * | 1993-12-28 | 1995-03-07 | North Carolina State University | Silicon carbide switching device with rectifying-gate |
US5940259A (en) * | 1997-07-03 | 1999-08-17 | Pacific Scientific Company | Voltage surge protector for electronic circuits with semiconductor components |
US6016352A (en) * | 1997-11-20 | 2000-01-18 | Intel Corporation | Low distortion audio muting circuit |
US6841812B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-01-11 | United Silicon Carbide, Inc. | Double-gated vertical junction field effect power transistor |
US7561396B2 (en) * | 2004-03-09 | 2009-07-14 | Samsung Measuring Instruments Co., LTD | Apparatus for monitoring open state of the secondary terminals of a current transformer |
FR2925241B1 (fr) * | 2007-12-17 | 2010-01-08 | Schneider Electric Ind Sas | Generateur de tension alternative dote d'un dispositif de limitation de courant |
FR2975542B1 (fr) | 2011-05-20 | 2013-07-05 | Mersen France Sb Sas | Systeme d'alimentation electrique en courant et tension continus protege par un limiteur en courant et son procede de protection |
-
2014
- 2014-01-21 FR FR1450455A patent/FR3016751B1/fr active Active
-
2015
- 2015-01-08 US US14/592,186 patent/US20150207314A1/en not_active Abandoned
- 2015-01-19 JP JP2015007845A patent/JP2015139364A/ja active Pending
- 2015-01-20 EP EP15151815.6A patent/EP2911257A1/fr not_active Withdrawn
- 2015-01-21 CN CN201510031027.1A patent/CN104795808A/zh active Pending
- 2015-01-21 KR KR1020150010107A patent/KR20150087150A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57141637U (ja) * | 1981-02-27 | 1982-09-04 | ||
JPS57143848U (ja) * | 1981-03-06 | 1982-09-09 | ||
JPS58127823U (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-30 | 富士電機株式会社 | サ−ジ吸収回路 |
JPH03242942A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH07239722A (ja) * | 1993-07-19 | 1995-09-12 | Sgs Thomson Microelectron Sa | アバランシダイオードによって形成される過電圧保護回路 |
JPH08213619A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-08-20 | Siliconix Inc | 過大な入力電圧に対する負荷の保護回路を含む装置及び過大な入力電圧に対する負荷の保護方法 |
JPH0936359A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素縦型fet |
JP2001327069A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Nec Saitama Ltd | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 |
JP2009201349A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Schneider Toshiba Inverter Europe Sas | 過電流および過電圧の保護装置を含む可変速駆動装置 |
US20090290276A1 (en) * | 2008-05-20 | 2009-11-26 | Schneider Electric Industries Sas | Overvoltage protection device for an electrical circuit |
JP2012238693A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Renesas Electronics Corp | 保護回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR3016751A1 (fr) | 2015-07-24 |
FR3016751B1 (fr) | 2017-10-06 |
US20150207314A1 (en) | 2015-07-23 |
EP2911257A1 (fr) | 2015-08-26 |
CN104795808A (zh) | 2015-07-22 |
KR20150087150A (ko) | 2015-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2413502B1 (en) | Systems, methods, and apparatus for limiting voltage across a switch | |
US9504121B2 (en) | System and method for providing surge protection for an AC direct step driver lighting system | |
JP6934949B2 (ja) | 低電圧dc電圧ネットワークに接続可能な負荷用の電子回路遮断器 | |
US8164874B2 (en) | Overvoltage protection device for an electrical circuit | |
TWI622240B (zh) | 固態故障電流限制裝置、用於限制故障電流的方法和系統 | |
US7616418B2 (en) | Mitigation of current collapse in transient blocking units | |
TW201301706A (zh) | 高壓裝置及高壓電晶體的過電壓保護方法 | |
CN111630744B (zh) | 消弧装置和多级消弧设备 | |
CN101604921B (zh) | 电容性电源系统 | |
KR102441339B1 (ko) | 전자 장치 및 그 제어 방법 | |
KR20200125415A (ko) | 서지 보호 회로 및 해당 회로를 사용한 전자 장치 | |
JP4893819B2 (ja) | 双方向スイッチ | |
US11177652B2 (en) | Circuit assembly for protecting a unit to be operated from a supply network against surges | |
JP2015139364A (ja) | 過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ | |
JP2020505901A5 (ja) | ||
JP2018011096A (ja) | 半導体装置のゲート駆動回路 | |
JP6299869B2 (ja) | 絶縁ゲート型パワー半導体素子のゲート駆動回路 | |
KR102007680B1 (ko) | 복수개의 직렬 연결 방식 트랜지스터 스위치의 과전압 방지 회로 | |
JP2015211602A (ja) | サージプロテクタ | |
JP2019047416A (ja) | 負荷制御装置 | |
KR101184949B1 (ko) | 직류 전원용 낙뢰서지 보호 장치 | |
JP2016174457A (ja) | 負荷保護回路 | |
US9247596B2 (en) | Driving circuit for driving light-emitting circuit, and light-emitting device having the same | |
JP2018182929A (ja) | 保護装置 | |
TH166228B (th) | วงจรคุ้มกันเมื่อแรงดันไฟฟ้าเกิน และอุปกรณ์แปลงผันกำลัง ที่ได้รับการติดตั้งไว้ด้วยวงจรนั้น |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190618 |