JP2001327069A - サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 - Google Patents
サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置Info
- Publication number
- JP2001327069A JP2001327069A JP2000145926A JP2000145926A JP2001327069A JP 2001327069 A JP2001327069 A JP 2001327069A JP 2000145926 A JP2000145926 A JP 2000145926A JP 2000145926 A JP2000145926 A JP 2000145926A JP 2001327069 A JP2001327069 A JP 2001327069A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surge
- voltage
- communication line
- absorbing circuit
- surge absorbing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Monitoring And Testing Of Transmission In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑とすることなく簡単な構成で送信回路の
サージによる破壊を確実に防止することができるように
する。 【解決手段】 通信線路と接地（図中Ｆ．Ｇ．にて示
す。）との間にガスアレスタ１と、シリコンサージ防護
素子４，５とを接続すると共に、ダイオード６ａ，６ｂ
を接地から通信線路に向かって順方向となるように接続
する。このことにより、誘導雷サージに対してガスアレ
スタ１によりその電圧を±数十〜数百ボルト程度に抑
え、その制限されたサージをシリコンサージ防護素子
４，５によりさらに、±７ボルト程度に抑え、±７Ｖに
抑えられたサージをさらにダイオード６ａ，６ｂの順方
向電圧でクランプし、負極側のサージを抑える。
サージによる破壊を確実に防止することができるように
する。 【解決手段】 通信線路と接地（図中Ｆ．Ｇ．にて示
す。）との間にガスアレスタ１と、シリコンサージ防護
素子４，５とを接続すると共に、ダイオード６ａ，６ｂ
を接地から通信線路に向かって順方向となるように接続
する。このことにより、誘導雷サージに対してガスアレ
スタ１によりその電圧を±数十〜数百ボルト程度に抑
え、その制限されたサージをシリコンサージ防護素子
４，５によりさらに、±７ボルト程度に抑え、±７Ｖに
抑えられたサージをさらにダイオード６ａ，６ｂの順方
向電圧でクランプし、負極側のサージを抑える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信線路を介して
データの送受信を行う機器に用いて好適なサージ保護装
置及びサージ保護方法に関し、また、そのサージ保護装
置を備えた伝送装置に関する。
データの送受信を行う機器に用いて好適なサージ保護装
置及びサージ保護方法に関し、また、そのサージ保護装
置を備えた伝送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、通信線路を介して進入する雷サー
ジ等の高電圧から通信線路に接続された通信機器を防護
するためのサージ保護装置が知られている。図３は、一
例としての従来のサージ保護装置の構成を示す。図３に
おいて１０７で示されるのが差動型の送信回路である。
この送信装置が平衡型の通信線路の一端（Ｈ１，Ｈ２）
に接続されており、通信線路と接地との間に第一のサー
ジ吸収回路としてのガスアレスタ１０１と、第二のサー
ジ吸収回路としてのシリコンサージ防護素子１０４，１
０５とからなるサージ防護装置が設けられている。な
お、平衡型の通信線路上に挿入されている抵抗１０２，
１０３は、シリコンサージ防護素子１０４，１０５の焼
結を防止するものである。また、平衡型の通信線路の他
端（Ｌ１、Ｌ２）に差動型の受信回路が接続される。
ジ等の高電圧から通信線路に接続された通信機器を防護
するためのサージ保護装置が知られている。図３は、一
例としての従来のサージ保護装置の構成を示す。図３に
おいて１０７で示されるのが差動型の送信回路である。
この送信装置が平衡型の通信線路の一端（Ｈ１，Ｈ２）
に接続されており、通信線路と接地との間に第一のサー
ジ吸収回路としてのガスアレスタ１０１と、第二のサー
ジ吸収回路としてのシリコンサージ防護素子１０４，１
０５とからなるサージ防護装置が設けられている。な
お、平衡型の通信線路上に挿入されている抵抗１０２，
１０３は、シリコンサージ防護素子１０４，１０５の焼
結を防止するものである。また、平衡型の通信線路の他
端（Ｌ１、Ｌ２）に差動型の受信回路が接続される。
【０００３】通信線路においては、波形の歪みが大きな
問題となるものであり、サージ吸収素子としてはキャパ
シタンスの小さいアレスタが最適であるが、立ち上がり
が鋭いサージの場合、アレスタは放電開始電圧が高くな
る傾向がある。このため、サージ放電容量は小さいが、
クランプ電圧の低いシリコンサージダイオードを組み合
わせて使用することで、低制限電圧で、キャパシタンス
の小さいサージ保護装置を実現している。
問題となるものであり、サージ吸収素子としてはキャパ
シタンスの小さいアレスタが最適であるが、立ち上がり
が鋭いサージの場合、アレスタは放電開始電圧が高くな
る傾向がある。このため、サージ放電容量は小さいが、
クランプ電圧の低いシリコンサージダイオードを組み合
わせて使用することで、低制限電圧で、キャパシタンス
の小さいサージ保護装置を実現している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術においては、正極のサージと負極のサージに対して、
絶対値が同じ制限電圧を与えているため、負極側の制限
電圧が送信回路の出力端子の最大絶対定格を越えてしま
い、送信回路が破壊される問題点があった。
術においては、正極のサージと負極のサージに対して、
絶対値が同じ制限電圧を与えているため、負極側の制限
電圧が送信回路の出力端子の最大絶対定格を越えてしま
い、送信回路が破壊される問題点があった。
【０００５】本発明は、斯かる問題点を鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、複雑とすること
なく簡単な構成で送信回路のサージによる破壊を確実に
防止することができるサージ保護装置及びサージ保護方
法を提供する点にあり、また、そのサージ保護装置を備
えた伝送装置を提供することにある。
ものであり、その目的とするところは、複雑とすること
なく簡単な構成で送信回路のサージによる破壊を確実に
防止することができるサージ保護装置及びサージ保護方
法を提供する点にあり、また、そのサージ保護装置を備
えた伝送装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決すべく、以下に掲げる構成とした。請求項１記載の発
明の要旨は、通信線路におけるサージ保護装置であっ
て、前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上
で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサ
ージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入され、前
記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共
に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−Ｖ２以下で導通する
第２のサージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入
され、前記電圧−Ｖ２より高い電圧−Ｖ３以下で導通す
る第３のサージ吸収回路とを有することを特徴とするサ
ージ保護装置に存する。請求項２記載の発明の要旨は、
前記第１のサージ吸収回路の前記通信線路との接続点
と、前記第２のサージ吸収回路の前記通信線路との接続
点との間の前記通信線路上に前記第２のサージ吸収回路
の放電電流を制限するための抵抗を有することを特徴と
する請求項１記載のサージ保護装置に存する。請求項３
記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収回路の前記
通信線路との接続点と、前記第３のサージ吸収回路の前
記通信線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第
３のサージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を
有することを特徴とする請求項１または２記載のサージ
保護装置に存する。請求項４記載の発明の要旨は、前記
第１のサージ吸収回路がアレスタであることを特徴とす
る請求項１〜３記載のサージ保護装置に存する。請求項
５記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収回路がシ
リコンサージ防護素子であることを特徴とする請求項１
〜４記載のサージ保護装置に存する。請求項６記載の発
明の要旨は、前記第３のサージ吸収回路が接地から前記
通信線路に向かって順方向となるように接続された低電
圧形ダイオードであることを特徴とする請求項１〜５記
載のサージ保護装置に存する。請求項７記載の発明の要
旨は、前記低電圧形ダイオードがショットキバリアダイ
オードであることを特徴とする請求項６記載のサージ保
護装置に存する。請求項８記載の発明の要旨は、通信線
路を介してデータ信号を伝送する伝送装置であって、前
記通信線路に接続され、データ信号を送信する送信回路
と、前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上
で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサ
ージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入され、前
記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共
に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−Ｖ２以下で導通する
第２のサージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入
され、前記電圧−Ｖ２より高い電圧−Ｖ３以下で導通す
る第３のサージ吸収回路と、前記通信線路に接続され、
前記送信回路からのデータ信号を受信する受信回路とを
有することを特徴とする伝送装置に存する。請求項９記
載の発明の要旨は、前記第１のサージ吸収回路の前記通
信線路との接続点と、前記第２のサージ吸収回路の前記
通信線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第２
のサージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有
することを特徴とする請求項８記載の伝送装置に存す
る。請求項１０記載の発明の要旨は、前記第２のサージ
吸収回路の前記通信線路との接続点と、前記第３のサー
ジ吸収回路の前記通信線路との接続点との間の前記通信
線路上に前記第３のサージ吸収回路の放電電流を制限す
るための抵抗を有することを特徴とする請求項８または
９記載の伝送装置に存する。請求項１１記載の発明の要
旨は、前記第１のサージ吸収回路がアレスタであること
を特徴とする請求項８〜１０記載の伝送装置に存する。
請求項１２記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収
回路がシリコンサージ防護素子であることを特徴とする
請求項８〜１１記載の伝送装置に存する。請求項１３記
載の発明の要旨は、前記第３のサージ吸収回路が接地か
ら前記通信線路に向かって順方向となるように接続され
た低電圧形ダイオードであることを特徴とする請求項８
〜１２記載の伝送装置に存する。請求項１４記載の発明
の要旨は、前記低電圧形ダイオードがショットキバリア
ダイオードであることを特徴とする請求項１３記載の伝
送装置に存する。請求項１５記載の発明の要旨は、前記
通信線路が平衡型であり、前記送信回路及び前記受信回
路が差動構成とされていることを特徴とする請求項８〜
１４記載の伝送装置に存する。請求項１６記載の発明の
要旨は、通信線路におけるサージ保護方法であって、電
圧＋Ｖ１以上で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通
する第１の工程と、前記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２
以上で導通すると共に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−
Ｖ２以下で導通する第２の工程と、前記電圧−Ｖ２より
高い電圧−Ｖ３以下で導通する第３の工程とを有するこ
とを特徴とするサージ保護方法に存する。
決すべく、以下に掲げる構成とした。請求項１記載の発
明の要旨は、通信線路におけるサージ保護装置であっ
て、前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上
で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサ
ージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入され、前
記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共
に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−Ｖ２以下で導通する
第２のサージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入
され、前記電圧−Ｖ２より高い電圧−Ｖ３以下で導通す
る第３のサージ吸収回路とを有することを特徴とするサ
ージ保護装置に存する。請求項２記載の発明の要旨は、
前記第１のサージ吸収回路の前記通信線路との接続点
と、前記第２のサージ吸収回路の前記通信線路との接続
点との間の前記通信線路上に前記第２のサージ吸収回路
の放電電流を制限するための抵抗を有することを特徴と
する請求項１記載のサージ保護装置に存する。請求項３
記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収回路の前記
通信線路との接続点と、前記第３のサージ吸収回路の前
記通信線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第
３のサージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を
有することを特徴とする請求項１または２記載のサージ
保護装置に存する。請求項４記載の発明の要旨は、前記
第１のサージ吸収回路がアレスタであることを特徴とす
る請求項１〜３記載のサージ保護装置に存する。請求項
５記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収回路がシ
リコンサージ防護素子であることを特徴とする請求項１
〜４記載のサージ保護装置に存する。請求項６記載の発
明の要旨は、前記第３のサージ吸収回路が接地から前記
通信線路に向かって順方向となるように接続された低電
圧形ダイオードであることを特徴とする請求項１〜５記
載のサージ保護装置に存する。請求項７記載の発明の要
旨は、前記低電圧形ダイオードがショットキバリアダイ
オードであることを特徴とする請求項６記載のサージ保
護装置に存する。請求項８記載の発明の要旨は、通信線
路を介してデータ信号を伝送する伝送装置であって、前
記通信線路に接続され、データ信号を送信する送信回路
と、前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上
で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサ
ージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入され、前
記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共
に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−Ｖ２以下で導通する
第２のサージ吸収回路と、前記通信線路と接地間に挿入
され、前記電圧−Ｖ２より高い電圧−Ｖ３以下で導通す
る第３のサージ吸収回路と、前記通信線路に接続され、
前記送信回路からのデータ信号を受信する受信回路とを
有することを特徴とする伝送装置に存する。請求項９記
載の発明の要旨は、前記第１のサージ吸収回路の前記通
信線路との接続点と、前記第２のサージ吸収回路の前記
通信線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第２
のサージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有
することを特徴とする請求項８記載の伝送装置に存す
る。請求項１０記載の発明の要旨は、前記第２のサージ
吸収回路の前記通信線路との接続点と、前記第３のサー
ジ吸収回路の前記通信線路との接続点との間の前記通信
線路上に前記第３のサージ吸収回路の放電電流を制限す
るための抵抗を有することを特徴とする請求項８または
９記載の伝送装置に存する。請求項１１記載の発明の要
旨は、前記第１のサージ吸収回路がアレスタであること
を特徴とする請求項８〜１０記載の伝送装置に存する。
請求項１２記載の発明の要旨は、前記第２のサージ吸収
回路がシリコンサージ防護素子であることを特徴とする
請求項８〜１１記載の伝送装置に存する。請求項１３記
載の発明の要旨は、前記第３のサージ吸収回路が接地か
ら前記通信線路に向かって順方向となるように接続され
た低電圧形ダイオードであることを特徴とする請求項８
〜１２記載の伝送装置に存する。請求項１４記載の発明
の要旨は、前記低電圧形ダイオードがショットキバリア
ダイオードであることを特徴とする請求項１３記載の伝
送装置に存する。請求項１５記載の発明の要旨は、前記
通信線路が平衡型であり、前記送信回路及び前記受信回
路が差動構成とされていることを特徴とする請求項８〜
１４記載の伝送装置に存する。請求項１６記載の発明の
要旨は、通信線路におけるサージ保護方法であって、電
圧＋Ｖ１以上で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通
する第１の工程と、前記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２
以上で導通すると共に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−
Ｖ２以下で導通する第２の工程と、前記電圧−Ｖ２より
高い電圧−Ｖ３以下で導通する第３の工程とを有するこ
とを特徴とするサージ保護方法に存する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【０００８】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態の全体構成を示す回路図である。図１に
おいて７で示されるのが被保護デバイスとしての差動型
ラインドライバである。差動型ラインドライバ７の出力
端子が平衡型の通信線路の一端（Ｈ１，Ｈ２）に接続さ
れている。なお、差動型ラインドライバ７の出力端子
は、−０．５Ｖ〜＋７Ｖ程度の耐電圧しかないものとす
る。また、図示されていないが平衡型の通信線路の他端
（Ｌ１，Ｌ２）には、さらに回線を介して差動型ライン
レシーバが接続されている。
１の実施の形態の全体構成を示す回路図である。図１に
おいて７で示されるのが被保護デバイスとしての差動型
ラインドライバである。差動型ラインドライバ７の出力
端子が平衡型の通信線路の一端（Ｈ１，Ｈ２）に接続さ
れている。なお、差動型ラインドライバ７の出力端子
は、−０．５Ｖ〜＋７Ｖ程度の耐電圧しかないものとす
る。また、図示されていないが平衡型の通信線路の他端
（Ｌ１，Ｌ２）には、さらに回線を介して差動型ライン
レシーバが接続されている。
【０００９】図１に示すように平衡型の通信線路と接地
（図中Ｆ．Ｇ．にて示す。）との間にガスアレスタ１に
よる第一のサージ吸収回路と、シリコンサージ防護素子
４，５による第二のサージ吸収回路と、ダイオード６
ａ，６ｂによる第三のサージ吸収回路とが設けられてい
る。
（図中Ｆ．Ｇ．にて示す。）との間にガスアレスタ１に
よる第一のサージ吸収回路と、シリコンサージ防護素子
４，５による第二のサージ吸収回路と、ダイオード６
ａ，６ｂによる第三のサージ吸収回路とが設けられてい
る。
【００１０】具体的には、第一のサージ吸収回路として
例えば、放電開始電圧Ｖ１が±数十〜数百Ｖ程度の３端
子のガスアレスタ１が用いられる。このガスアレスタ１
の共通端子が接地され、両端の端子がそれぞれ通信線路
に接続される。また、第二のサージ吸収回路として例え
ば、２個の単方向性のシリコンサージ吸収素子の互いの
アノードとカソードを接続して双方向性を持たせたシリ
コンサージ防護素子４，５が用いられる。なお、シリコ
ンサージ防護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２は、±７Ｖ
とされている。シリコンサージ防護素子４の一方の端子
が一方の通信線路に接続され、他方の端子が接地され
る。同様にシリコンサージ防護素子５の他方の端子が他
方の通信線路に接続され、他方の端子が接地される。
また、第三のサージ吸収回路として例えば、順方向電圧
が０．５Ｖ未満の低電圧形のダイオード６ａ，６ｂが用
いられる。低電圧形のダイオード６ａのカソードが一方
の通信線路に接続され、アノードが接地される。同様に
低電圧型のダイオード６ｂのカソードが他方の通信線路
に接続され、アノードが接地される。 つまり、接地か
ら通信線路に向かって順方向となるように接続される。
なお、さらに具体的には低電圧形のダイオード６ａ，６
ｂとして順方向電圧が０．５Ｖ未満のショットキバリア
ダイオードが用いられる。
例えば、放電開始電圧Ｖ１が±数十〜数百Ｖ程度の３端
子のガスアレスタ１が用いられる。このガスアレスタ１
の共通端子が接地され、両端の端子がそれぞれ通信線路
に接続される。また、第二のサージ吸収回路として例え
ば、２個の単方向性のシリコンサージ吸収素子の互いの
アノードとカソードを接続して双方向性を持たせたシリ
コンサージ防護素子４，５が用いられる。なお、シリコ
ンサージ防護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２は、±７Ｖ
とされている。シリコンサージ防護素子４の一方の端子
が一方の通信線路に接続され、他方の端子が接地され
る。同様にシリコンサージ防護素子５の他方の端子が他
方の通信線路に接続され、他方の端子が接地される。
また、第三のサージ吸収回路として例えば、順方向電圧
が０．５Ｖ未満の低電圧形のダイオード６ａ，６ｂが用
いられる。低電圧形のダイオード６ａのカソードが一方
の通信線路に接続され、アノードが接地される。同様に
低電圧型のダイオード６ｂのカソードが他方の通信線路
に接続され、アノードが接地される。 つまり、接地か
ら通信線路に向かって順方向となるように接続される。
なお、さらに具体的には低電圧形のダイオード６ａ，６
ｂとして順方向電圧が０．５Ｖ未満のショットキバリア
ダイオードが用いられる。
【００１１】上述した構成によって、通信線路に要求さ
れる低キャパシタンスのサージ防護装置が実現すること
ができる。また、一般的にアレスタより、シリコンサー
ジ防護素子の方がサージに対する反応速度が速く、サー
ジが進入した際、アレスタより先にシリコンサージ防護
素子にサージ電流が流れてシリコンサージ防護素子が焼
結する可能性がある。このため、通信線路とガスアレス
タ１との接続点と、通信線路とシリコンサージ防護素子
４，５との接続点の間の通信線路上には、電流制限用の
抵抗２，３が挿入されている。 抵抗２，３の抵抗値
は、ガスアレスタ１の放電開始電圧Ｖ１においてシリコ
ンサージ防護素子４，５に絶対最大定格の電流値以上の
電流が流れないように設定される。
れる低キャパシタンスのサージ防護装置が実現すること
ができる。また、一般的にアレスタより、シリコンサー
ジ防護素子の方がサージに対する反応速度が速く、サー
ジが進入した際、アレスタより先にシリコンサージ防護
素子にサージ電流が流れてシリコンサージ防護素子が焼
結する可能性がある。このため、通信線路とガスアレス
タ１との接続点と、通信線路とシリコンサージ防護素子
４，５との接続点の間の通信線路上には、電流制限用の
抵抗２，３が挿入されている。 抵抗２，３の抵抗値
は、ガスアレスタ１の放電開始電圧Ｖ１においてシリコ
ンサージ防護素子４，５に絶対最大定格の電流値以上の
電流が流れないように設定される。
【００１２】このように構成される第一の実施の形態の
動作について説明する。図１における回線側の通信線路
の他端（Ｌ１、Ｌ２）より、誘導雷サージが流入した
際、第一のサージ吸収回路によりその電圧が±数十〜数
百ボルト程度に抑えられる。具体的には、サージ電圧が
ガスアレスタ１の放電開始電圧を越えたとき、ガスアレ
スタ１が導通し、ガスアレスタ１を介してＬ１およびＬ
２から進入したサージ電流が接地に放電される。
動作について説明する。図１における回線側の通信線路
の他端（Ｌ１、Ｌ２）より、誘導雷サージが流入した
際、第一のサージ吸収回路によりその電圧が±数十〜数
百ボルト程度に抑えられる。具体的には、サージ電圧が
ガスアレスタ１の放電開始電圧を越えたとき、ガスアレ
スタ１が導通し、ガスアレスタ１を介してＬ１およびＬ
２から進入したサージ電流が接地に放電される。
【００１３】次に、第一のサージ吸収回路により、±数
十〜数百ボルト程度に抑えられたサージはさらに第二の
サージ吸収回路によりさらに、±７ボルト程度に抑えら
れる。具体的には、ガスアレスタ１の放電開始電圧Ｖ１
未満のサージがシリコンサージ防護素子４，５に印加さ
れ、シリコンサージ防護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２
を越えたとき、シリコンサージ防護素子４，５が導通
し、シリコンサージ防護素子４，５を介してサージ電流
が接地に放電される。
十〜数百ボルト程度に抑えられたサージはさらに第二の
サージ吸収回路によりさらに、±７ボルト程度に抑えら
れる。具体的には、ガスアレスタ１の放電開始電圧Ｖ１
未満のサージがシリコンサージ防護素子４，５に印加さ
れ、シリコンサージ防護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２
を越えたとき、シリコンサージ防護素子４，５が導通
し、シリコンサージ防護素子４，５を介してサージ電流
が接地に放電される。
【００１４】第二のサージ吸収回路により、±７Ｖに抑
えられたサージはさらに第三のサージ吸収回路で負極側
のサージが抑えられる。具体的には、シリコンサージ防
護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２未満のサージがダイオ
ード６ａ，６ｂに印加されたとき、ダイオード６ａ，６
ｂが導通し、負極側のサージ電圧はダイオード６ａ，６
ｂの順方向電圧降下分（−０．５Ｖ程度）に抑えられ
る。以上の動作により、Ｌ１、Ｌ２より進入した誘導雷
サージは、−０．５Ｖ〜＋７Ｖ程度に抑えられ、被保護
デバイスとして差動型ラインドライバ７の出力端子に到
達する。
えられたサージはさらに第三のサージ吸収回路で負極側
のサージが抑えられる。具体的には、シリコンサージ防
護素子４，５のクランプ電圧Ｖ２未満のサージがダイオ
ード６ａ，６ｂに印加されたとき、ダイオード６ａ，６
ｂが導通し、負極側のサージ電圧はダイオード６ａ，６
ｂの順方向電圧降下分（−０．５Ｖ程度）に抑えられ
る。以上の動作により、Ｌ１、Ｌ２より進入した誘導雷
サージは、−０．５Ｖ〜＋７Ｖ程度に抑えられ、被保護
デバイスとして差動型ラインドライバ７の出力端子に到
達する。
【００１５】以上説明したように第１の実施の形態によ
れば、以下に掲げる効果を奏する。その効果は、簡素な
構成で通信線路に進入したサージ成分において正極側、
負極側ともに送信回路の絶対最大定格以内に抑えること
ができ、送信回路の破壊を確実に防ぐことができること
にある。
れば、以下に掲げる効果を奏する。その効果は、簡素な
構成で通信線路に進入したサージ成分において正極側、
負極側ともに送信回路の絶対最大定格以内に抑えること
ができ、送信回路の破壊を確実に防ぐことができること
にある。
【００１６】（第２の実施の形態）図２は、本発明の第
２の実施の形態の全体構成を示す回路図である。なお、
前述した第１の実施の形態と同一の部分に関しては、同
一の参照符合を付してその部分の説明を省略する。
２の実施の形態の全体構成を示す回路図である。なお、
前述した第１の実施の形態と同一の部分に関しては、同
一の参照符合を付してその部分の説明を省略する。
【００１７】図２に示すように第２の実施の形態におい
ては、さらに、シリコンサージ防護素子４，５とダイオ
ード６ａ，６ｂと間に、抵抗８、９が挿入されている。
具体的には、通信線路とシリコンサージ防護素子４との
接続点と、通信線路とダイオード６ａとの接続点の間の
通信線路上には、電流制限用の抵抗８が挿入されてお
り、また、通信線路とシリコンサージ防護素子５との接
続点と、通信線路とダイオード６ｂとの接続点の間の通
信線路上には、電流制限用の抵抗９が挿入されている。
抵抗８，９の抵抗値は、シリコンサージ防護素子４，
５のクランプ電圧Ｖ２においてダイオード６ａ，６ｂに
絶対最大定格の電流値以上の電流が流れないように設定
される。従って、抵抗８、９を挿入することにより、負
極のサージが進入した際に、サージ電流を確実にシリコ
ンサージ防護素子４，５側に流すことができるため、サ
ージ保護装置全体の信頼性をより高めることができる。
ては、さらに、シリコンサージ防護素子４，５とダイオ
ード６ａ，６ｂと間に、抵抗８、９が挿入されている。
具体的には、通信線路とシリコンサージ防護素子４との
接続点と、通信線路とダイオード６ａとの接続点の間の
通信線路上には、電流制限用の抵抗８が挿入されてお
り、また、通信線路とシリコンサージ防護素子５との接
続点と、通信線路とダイオード６ｂとの接続点の間の通
信線路上には、電流制限用の抵抗９が挿入されている。
抵抗８，９の抵抗値は、シリコンサージ防護素子４，
５のクランプ電圧Ｖ２においてダイオード６ａ，６ｂに
絶対最大定格の電流値以上の電流が流れないように設定
される。従って、抵抗８、９を挿入することにより、負
極のサージが進入した際に、サージ電流を確実にシリコ
ンサージ防護素子４，５側に流すことができるため、サ
ージ保護装置全体の信頼性をより高めることができる。
【００１８】尚、上述した第１及び第２の実施の形態の
説明においては、平衡型の通信線路に本発明を適用した
場合について説明したが、本発明は、不平衡型の通信線
路に対しても容易に適用することができる。
説明においては、平衡型の通信線路に本発明を適用した
場合について説明したが、本発明は、不平衡型の通信線
路に対しても容易に適用することができる。
【００１９】なお、本発明が上記各実施の形態に限定さ
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態が適宜変更され得ることは明らかである。また、上記
構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定さ
れず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に
することができる。また、各図において、同一構成要素
には同一符合を付している。
れず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形
態が適宜変更され得ることは明らかである。また、上記
構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定さ
れず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等に
することができる。また、各図において、同一構成要素
には同一符合を付している。
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成されているの
で、以下に掲げる効果を奏する。その効果は、簡素な構
成で通信線路に進入したサージ成分において正極側、負
極側ともに送信回路の絶対最大定格以内に抑えることが
でき、送信回路の破壊を確実に防ぐことができることに
ある。
で、以下に掲げる効果を奏する。その効果は、簡素な構
成で通信線路に進入したサージ成分において正極側、負
極側ともに送信回路の絶対最大定格以内に抑えることが
でき、送信回路の破壊を確実に防ぐことができることに
ある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の全体構成を示す回
路図である。
路図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の全体構成を示す回
路図である。
路図である。
【図３】従来のサージ保護装置の説明に用いる回路図で
ある。
ある。
１・・・ガスアレスタ ２，３・・・電流制限用の抵抗 ４，５・・・シリコンサージ防護素子 ６ａ，６ｂ・・・ダイオード ７・・・差動型ラインドライバ ８，９・・・抵抗
Claims (16)
- 【請求項１】 通信線路におけるサージ保護装置であっ
て、 前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上で導
通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサージ
吸収回路と、 前記通信線路と接地間に挿入され、前記電圧＋Ｖ１より
低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共に、前記電圧−Ｖ１
より高い電圧−Ｖ２以下で導通する第２のサージ吸収回
路と、 前記通信線路と接地間に挿入され、前記電圧−Ｖ２より
高い電圧−Ｖ３以下で導通する第３のサージ吸収回路と
を有することを特徴とするサージ保護装置。 - 【請求項２】 前記第１のサージ吸収回路の前記通信線
路との接続点と、前記第２のサージ吸収回路の前記通信
線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第２のサ
ージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有する
ことを特徴とする請求項１記載のサージ保護装置。 - 【請求項３】 前記第２のサージ吸収回路の前記通信線
路との接続点と、前記第３のサージ吸収回路の前記通信
線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第３のサ
ージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載のサージ保護装
置。 - 【請求項４】 前記第１のサージ吸収回路がアレスタで
あることを特徴とする請求項１〜３記載のサージ保護装
置。 - 【請求項５】 前記第２のサージ吸収回路がシリコンサ
ージ防護素子であることを特徴とする請求項１〜４記載
のサージ保護装置。 - 【請求項６】 前記第３のサージ吸収回路が接地から前
記通信線路に向かって順方向となるように接続された低
電圧形ダイオードであることを特徴とする請求項１〜５
記載のサージ保護装置。 - 【請求項７】 前記低電圧形ダイオードがショットキバ
リアダイオードであることを特徴とする請求項６記載の
サージ保護装置。 - 【請求項８】 通信線路を介してデータ信号を伝送する
伝送装置であって、 前記通信線路に接続され、データ信号を送信する送信回
路と、 前記通信線路と接地間に挿入され、電圧＋Ｖ１以上で導
通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導通する第１のサージ
吸収回路と、 前記通信線路と接地間に挿入され、前記電圧＋Ｖ１より
低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共に、前記電圧−Ｖ１
より高い電圧−Ｖ２以下で導通する第２のサージ吸収回
路と、 前記通信線路と接地間に挿入され、前記電圧−Ｖ２より
高い電圧−Ｖ３以下で導通する第３のサージ吸収回路
と、 前記通信線路に接続され、前記送信回路からのデータ信
号を受信する受信回路とを有することを特徴とする伝送
装置。 - 【請求項９】 前記第１のサージ吸収回路の前記通信線
路との接続点と、前記第２のサージ吸収回路の前記通信
線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第２のサ
ージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有する
ことを特徴とする請求項８記載の伝送装置。 - 【請求項１０】 前記第２のサージ吸収回路の前記通信
線路との接続点と、前記第３のサージ吸収回路の前記通
信線路との接続点との間の前記通信線路上に前記第３の
サージ吸収回路の放電電流を制限するための抵抗を有す
ることを特徴とする請求項８または９記載の伝送装置。 - 【請求項１１】 前記第１のサージ吸収回路がアレスタ
であることを特徴とする請求項８〜１０記載の伝送装
置。 - 【請求項１２】 前記第２のサージ吸収回路がシリコン
サージ防護素子であることを特徴とする請求項８〜１１
記載の伝送装置。 - 【請求項１３】 前記第３のサージ吸収回路が接地から
前記通信線路に向かって順方向となるように接続された
低電圧形ダイオードであることを特徴とする請求項８〜
１２記載の伝送装置。 - 【請求項１４】 前記低電圧形ダイオードがショットキ
バリアダイオードであることを特徴とする請求項１３記
載の伝送装置。 - 【請求項１５】 前記通信線路が平衡型であり、前記送
信回路及び前記受信回路が差動構成とされていることを
特徴とする請求項８〜１４記載の伝送装置。 - 【請求項１６】 通信線路におけるサージ保護方法であ
って、 電圧＋Ｖ１以上で導通すると共に、電圧−Ｖ１以下で導
通する第１の工程と、 前記電圧＋Ｖ１より低い電圧＋Ｖ２以上で導通すると共
に、前記電圧−Ｖ１より高い電圧−Ｖ２以下で導通する
第２の工程と、 前記電圧−Ｖ２より高い電圧−Ｖ３以下で導通する第３
の工程とを有することを特徴とするサージ保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145926A JP2001327069A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000145926A JP2001327069A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001327069A true JP2001327069A (ja) | 2001-11-22 |
Family
ID=18652362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000145926A Pending JP2001327069A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001327069A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010542A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Kanji Otsuka | 静電気放電保護回路および終端抵抗回路 |
| JP2009252844A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Denso Corp | 半導体装置 |
| WO2013141429A1 (ko) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 주식회사 그라운드 | 직류 전원용 낙뢰서지 보호 장치 |
| JP2015139364A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | メルセン フランス エスベー ソシエテ パ アクシオンス シンプリフィエ | 過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ |
| US9167077B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-10-20 | Fujitsu Limited | Surge protection circuit and communication apparatus |
| CN108512206A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-07 | 深圳远征技术有限公司 | 一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置 |
| US10193336B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection circuit, differential transmission line, common mode filter circuit, ESD protection device, and composite device |
| US10804258B2 (en) | 2017-08-10 | 2020-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and signal transmission line |
-
2000
- 2000-05-18 JP JP2000145926A patent/JP2001327069A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008010542A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Kanji Otsuka | 静電気放電保護回路および終端抵抗回路 |
| JP2009252844A (ja) * | 2008-04-02 | 2009-10-29 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP4536788B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2010-09-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| WO2013141429A1 (ko) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | 주식회사 그라운드 | 직류 전원용 낙뢰서지 보호 장치 |
| US9167077B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-10-20 | Fujitsu Limited | Surge protection circuit and communication apparatus |
| JP2015139364A (ja) * | 2014-01-21 | 2015-07-30 | メルセン フランス エスベー ソシエテ パ アクシオンス シンプリフィエ | 過電圧に対して回路を保護する保護装置および当該装置を有する電力供給メンバ |
| US10193336B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection circuit, differential transmission line, common mode filter circuit, ESD protection device, and composite device |
| US10804258B2 (en) | 2017-08-10 | 2020-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ESD protection device and signal transmission line |
| CN108512206A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-07 | 深圳远征技术有限公司 | 一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置 |
| CN108512206B (zh) * | 2018-04-13 | 2024-05-10 | 深圳远征技术有限公司 | 一种用于接地电阻测试仪的浪涌保护电路及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2092808C (en) | Arrangement for protecting telecommunictions equipment from voltage transients | |
| EP0338107A1 (en) | Overvoltage protection circuit used with a pair of telephone lines or similar data communication channels | |
| US4941063A (en) | Telephone lines overvoltage protection apparatus | |
| JP2001327069A (ja) | サージ保護装置及びサージ保護方法、伝送装置 | |
| US6954347B1 (en) | Overvoltage and overcurrent protection system | |
| GB1574078A (en) | Voltage-limiting circuit | |
| WO2007066425A1 (ja) | 過電圧防護器、過電圧防護方法 | |
| US6377434B1 (en) | Individual secondary protection device | |
| JPH10126959A (ja) | 通信用保護回路装置 | |
| EP0393333B1 (en) | Telephone lines overvoltage protection circuit | |
| US10916939B2 (en) | Low leakage transient overvoltage protection circuit using a series connected metal oxide varistor (MOV) and silicon controlled rectifier (SCR) | |
| JP2002354662A (ja) | 雷防護回路 | |
| JPH0984258A (ja) | 通信用保護回路 | |
| CN220342037U (zh) | 一种抗雷击浪涌电路 | |
| JP3473819B2 (ja) | 雷防護アダプタ | |
| CN215498263U (zh) | 一种具有多重电涌保护的电路 | |
| CN219086800U (zh) | 一种浪涌保护电路及开关电源 | |
| CN209795383U (zh) | 车载多功能方向盘ad采集电路及车载多功能方向盘电路 | |
| JP3253003B2 (ja) | 雷防護アダプタ | |
| CN218472769U (zh) | 一种浪涌电压保护电路 | |
| JPH05122841A (ja) | 保安器 | |
| WO2023283875A1 (en) | Surge protection circuit | |
| JPH0336207Y2 (ja) | ||
| JPS60144115A (ja) | 共通線を用いた多回線保安回路 | |
| JPH0412764Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040202 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040601 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |