JP2015133424A5 - - Google Patents
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- 基板上に下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上にAuを含む上部電極を形成する工程と、
前記上部電極の上面及び下面の少なくとも一方に、前記上部電極よりも融点が高い高融点金属層を形成する工程と、
前記下部電極、前記誘電体膜、前記上部電極、及び前記高融点金属層を覆う絶縁膜を250℃以上の熱処理を有する工程により形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングし前記上部電極又は前記高融点金属層を露出する開口を形成する工程と、
前記上部電極又は前記高融点金属層の表面上の前記開口内から前記絶縁膜上に延在して高融点金属からなる配線下地層を形成する工程と、
前記配線下地層上に配線層を形成する工程と、を有する電子部品の製造方法。 - 前記高融点金属層は前記上部電極の上面及び下面の少なくとも一方の全面に形成される、請求項1に記載の電子部品の製造方法。
- 前記高融点金属層は前記上部電極の上面から側面を覆って形成される、請求項1又は2に記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004537A JP2015133424A (ja) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | 電子部品の製造方法 |
US14/595,996 US20150200243A1 (en) | 2014-01-14 | 2015-01-13 | Method for fabricating electronic device |
US15/599,743 US20170256605A1 (en) | 2014-01-14 | 2017-05-19 | Method for fabricating electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014004537A JP2015133424A (ja) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015133424A JP2015133424A (ja) | 2015-07-23 |
JP2015133424A5 true JP2015133424A5 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=53522031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014004537A Pending JP2015133424A (ja) | 2014-01-14 | 2014-01-14 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20150200243A1 (ja) |
JP (1) | JP2015133424A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10008559B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etching process control in forming MIM capacitor |
JP6717520B2 (ja) | 2016-07-05 | 2020-07-01 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | コンデンサの製造方法 |
JP6880451B2 (ja) * | 2017-08-07 | 2021-06-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | キャパシタ構造の作製方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521435A (ja) * | 1990-11-29 | 1993-01-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH05102330A (ja) * | 1991-06-25 | 1993-04-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05308104A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5479316A (en) * | 1993-08-24 | 1995-12-26 | Analog Devices, Inc. | Integrated circuit metal-oxide-metal capacitor and method of making same |
JP3324946B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2002-09-17 | シャープ株式会社 | Mimキャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 |
DE19728474A1 (de) * | 1997-07-03 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Elektrodenanordnung |
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-
2014
- 2014-01-14 JP JP2014004537A patent/JP2015133424A/ja active Pending
-
2015
- 2015-01-13 US US14/595,996 patent/US20150200243A1/en not_active Abandoned
-
2017
- 2017-05-19 US US15/599,743 patent/US20170256605A1/en not_active Abandoned
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