JP2015133379A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
電力損失の小さい貫通ビアを備えた配線基板を提供する。
【解決手段】
実施形態の配線基板は、貫通ビアと、貫通ビアの周囲に配置された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の周囲に配置され第1の絶縁膜の比誘電率より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜の周囲に配置され第2の絶縁膜の比誘電率より高い比誘電率を有する第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜の周囲に配置されたフィラー含有樹脂と、を備える。
【選択図】図1
Description
本実施形態の配線基板は、貫通ビアと、貫通ビアの周囲に配置された第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の周囲に配置され第1の絶縁膜の比誘電率より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜の周囲に配置され第2の絶縁膜の比誘電率より高い比誘電率を有する第3の絶縁膜と、第3の絶縁膜の周囲に配置されたフィラー含有樹脂と、を備える。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線がストリップラインを備える。ここで、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線がマイクロストリップラインを備える。ここで、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線がコプレーナーラインを備える。ここで、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線が同軸ラインを備える。ここで、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜および第3の絶縁膜から選択される少なくとも一つがキャパシタを備える。ここで第1の実施形態と重複する部分については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜および第3の絶縁膜から選択される少なくとも一つがレジスタを備える。ここで第1の実施形態と重複する部分については、記載を省略する。
本実施形態の配線基板は、電極配線をさらに備える第1の実施形態の配線基板であり、電極配線、第1の絶縁膜、第2の絶縁膜および第3の絶縁膜から選択される少なくとも一つがインダクタを備える。ここで第1の実施形態と重複する部分については、記載を省略する。
本実施形態の半導体装置は、第1ないし第8の実施形態の配線基板と、半導体チップと、を備えるチップスケールパッケージと、パッケージ基板と、チップスケールパッケージとパッケージ基板との間に配置されたはんだボールと、を備える。ここで、第1ないし第8の実施形態と重複する部分については、記載を省略する。
図1に示す配線基板100を製造した。貫通ビア10と電極配線30と電極配線32はCu、第1の絶縁膜12と第2の絶縁膜14と第3の絶縁膜16とはSOGを用いて形成した。フィラー22にはシリカ、樹脂24にはエポキシ樹脂を用いた。基板の膜厚は400μmであった。
実施例1の配線基板100と同様の方法で、配線基板100を製造した。図32は、本比較例の配線基板100の模式断面図である。図33は、本比較例の配線基板100のA−A’線における模式断面図である。本配線基板100においては、貫通ビア10の周囲に直接フィラー含有樹脂20が接している。基板の膜厚は400μmであった。
実施例1の配線基板100と同様の方法で、配線基板100を製造した。図34は、本比較例の配線基板100の模式断面図である。図35は、本比較例の配線基板のA−A’線における模式断面図である。本配線基板100においては、貫通ビア10の周囲に第1の絶縁膜12が配置され、その周囲にフィラー含有樹脂20が配置されている。基板の膜厚は400μmであった。
実施例1の配線基板100と同様の方法で、配線基板100を製造した。図36は、本比較例の配線基板100の模式断面図である。図37は、本比較例の配線基板のA−A’線における模式断面図である。本配線基板100においては、貫通ビア10の周囲に第1の絶縁膜12が配置され、その周囲に第2の絶縁膜14が配置され、その周囲にフィラー含有樹脂20が配置されている。基板の膜厚は400μmであった。
12 第1の絶縁膜
14 第2の絶縁膜
16 第3の絶縁膜
20 フィラー含有樹脂
30 電極配線
32 電極配線
34 電極配線
36 電極配線
50 キャパシタ
52 抵抗
54 インダクタ
60 ストリップライン
62 マイクロストリップライン
64 コプレーナーライン
65 同軸ライン
100 配線基板
200 配線基板
250 チップスケールパッケージ
300 半導体装置
Claims (10)
- 貫通ビアと、
前記貫通ビアの周囲に配置された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の周囲に配置され前記第1の絶縁膜の比誘電率より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の周囲に配置され前記第2の絶縁膜の比誘電率より高い比誘電率を有する第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜の周囲に配置されたフィラー含有樹脂と、
を備えることを特徴とする配線基板。 - 前記第1の絶縁膜の比誘電率および前記第3の絶縁膜の比誘電率は2.4以上9以下であることを特徴とする請求項1記載の配線基板。
- 前記第2の絶縁膜の膜厚は、前記第1の絶縁膜の膜厚と前記第3の絶縁膜の膜厚との和の2.7%以上20%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の配線基板。
- 前記第1の絶縁膜の内側の面から前記第2の絶縁膜の膜厚の中心までの距離と前記第1の絶縁膜の内側の面から前記第3の絶縁膜の外側の面までの距離の2分の1との差と、前記第1の絶縁膜の内側の面から前記第3の絶縁膜の外側の面までの距離との比は、0.2以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の配線基板。
- 前記第1の絶縁膜の膜厚と前記第3の絶縁膜の膜厚との和は、前記第1の絶縁膜の膜厚と前記第2の絶縁膜の膜厚と前記第3の絶縁膜の膜厚との和の89%以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の配線基板。
- 前記貫通ビアはAu、Ag、Cu、Ni、W、Snおよび導電性有機物質からなる第1の群から選択される少なくとも一種類の導電体を備えることを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項記載の配線基板。
- 電極配線をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の配線基板。
- 前記電極配線がストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナーラインおよび同軸ラインからなる第2の群から選択される少なくとも一種類の伝送路を備えることを特徴とする請求項7記載の配線基板。
- 前記電極配線、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜および前記第3の絶縁膜から選択される少なくとも一つがキャパシタ、レジスタ、インダクタからなる第3の群から選択される少なくとも一種類の電気部品を構成することを特徴とする請求項7記載の配線基板。
- 貫通ビアを形成し、
前記貫通ビアの周囲に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜の周囲に前記第1の絶縁膜の比誘電率より低い比誘電率を有する第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜の周囲に前記第2の絶縁膜の比誘電率より高い比誘電率を有する第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜の周囲にフィラー含有樹脂を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
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