JP2015133367A - 電子装置の製造方法及び電子装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】対向させて接続した電子部品間に効率的に樹脂を供給する。【解決手段】対向する電子部品１０と電子部品２０が接続部３０で接続され、一方の電子部品２０の接続部３０配置面と反対側の背面２０ｂの縁部２０ｃにダム４０Ａが配置された構造体１ａを準備する。その構造体１ａの、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に、電子部品２０のダム４０Ａ側の側面２０ｅからアンダーフィル樹脂６０を供給する。ダム４０Ａを設け、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置し、毛細管現象で隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度を増大させる。【選択図】図５

Description

本発明は、電子装置の製造方法及び電子装置に関する。
半導体素子と回路基板や、半導体素子同士を、バンプを用いて接続し、接続後の隙間に樹脂（アンダーフィル材、アンダーフィル樹脂、封止樹脂等も称される）を供給する技術が知られている。樹脂を充填する方法として、隙間の外部の所定領域に滴下等で樹脂を配置し、その配置された樹脂が毛細管現象によって隙間に進入していく現象を利用する方法が知られている。
特開２００７−１７３３６１号公報 特開２０１０−７３９４９号公報 特開平１１−３４５８３４号公報
上記のように、接続後の電子部品間の隙間に毛細管現象を利用して樹脂を供給する際には、隙間に所定量の樹脂を供給するのに一定の時間を要し、それが製造効率低下の一因となる場合があった。
本発明の一観点によれば、第１電子部品と、前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、前記第１電子部品の、前記接続部群の配置面と反対側の第１表面の縁部に配置されたダムとを含む構造体を準備する工程と、前記構造体の、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に、前記第１電子部品の、前記ダムが配置された前記縁部の側面側から樹脂を供給する工程とを含む電子装置の製造方法が提供される。
また、本発明の一観点によれば、上記のような方法を用いて製造される電子装置が提供される。
開示の技術によれば、接続部が介在する電子部品間に効率的に樹脂を供給することが可能になり、電子装置の製造の効率化を図ることが可能になる。
第１の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。 第１の実施の形態に係る構造体の準備工程の一例を示す図である。 第１の実施の形態に係る構造体の準備工程の別例を示す図である。 第１の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図（その１）である。 第１の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図（その２）である。 第１の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図（その３）である。 第１の実施の形態に係る電子装置の第３製造工程の説明図である。 第２の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。 第２の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図である。 第２の実施の形態に係る構造体の別例を示す図である。 第３の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。 第３の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図である。 第４の実施の形態に係る構造体の例を示す図である。 第５の実施の形態に係る構造体の例を示す図である。 第６の実施の形態に係る構造体の一例を示す図である。 第７の実施の形態に係る構造体の一例を示す図である。 半導体素子の一例を示す図である。 半導体パッケージの一例を示す図である。 回路基板の一例を示す図である。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１〜図７は第１の実施の形態に係る電子装置の製造方法の説明図である。以下、第１の実施の形態に係る電子装置の各製造工程について順に説明する。
図１は第１の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。図１は樹脂供給前の構造体の一例を示す図であって、図１（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面模式図、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＬ２−Ｌ２断面模式図である。
まず、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すような構造体（電子装置）１ａを準備する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示す構造体１ａは、電子部品１０及び電子部品２０、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられた接続部３０、並びに、電子部品２０上に設けられたダム４０Ａを有する。
電子部品１０は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、その表面１０ａに設けられた複数の電極１１を有する。尚、図１（Ａ）では、電極１１の図示を省略している。
電子部品２０は、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すように、電子部品１０に対向して設けられる。電子部品２０は、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、電子部品１０の表面１０ａと対向する表面２０ａの、電子部品１０の電極１１と対応する位置に設けられた、複数の電極２１を有する。尚、図１（Ａ）では、電極２１の図示を省略している。
電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、例えば、半導体素子（半導体チップ）、半導体素子を備える半導体パッケージ、又は回路基板が用いられる。
接続部３０は、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられ、それらの対応する電極１１と電極２１をそれぞれ接続する。接続部３０には、例えば、半田バンプが用いられる。半田バンプの材料には、例えば、スズ（Ｓｎ）のほか、スズに銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等を添加したものが用いられる。
ダム４０Ａは、電子部品２０の、接続部３０の配設面と反対側（電子部品１０と反対側）の表面（背面）２０ｂに設けられる。ダム４０Ａは、電子部品２０の背面２０ｂの縁部２０ｃに設けられる。ここでは一例として、電子部品２０の一辺２０ｄに沿って、背面２０ｂの縁部２０ｃに設けられた、１つのダム４０Ａを図示している。
ダム４０Ａは、後述（図４）のようにして流動性のアンダーフィル（ＵＦ）樹脂（アンダーフィル樹脂６０）を供給する際の、その供給部位を基に、電子部品２０の背面２０ｂの所定縁部に設けられる。この例では、接続部３０を用いて電子部品１０と接続された電子部品２０の、その一辺２０ｄ側から、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０にアンダーフィル樹脂を供給する。この場合、ダム４０Ａは、その電子部品２０の一辺２０ｄに沿った、電子部品２０の背面２０ｂの縁部２０ｃに設けられる。このようにダム４０Ａが設けられることで、構造体１ａの、アンダーフィル樹脂が供給される部位の縁（ダム４０Ａ及び電子部品２０の側面）の厚みが厚くなる。
ダム４０Ａには、例えば、接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に供給されるアンダーフィル樹脂が浸透、反応しない材料が用いられる。ダム４０Ａには、接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に供給されたアンダーフィル樹脂がその後硬化される際の温度に対して耐熱性を有する材料が用いられる。例えば、ダム４０Ａには、シリコン（Ｓｉ）、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の非金属材料、銅やアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（ＰＩ）等の有機材料が用いられる。
ダム４０Ａは、図１（Ｂ）及び図１（Ｃ）に示すように、接着材５０を用いて、電子部品２０の背面２０ｂに接着される。尚、図１（Ａ）では、接着材５０の図示を省略している。接着材５０には、例えば、接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に供給されるアンダーフィル樹脂が浸透、反応しない材料、そのアンダーフィル樹脂が硬化される際の温度に対して耐熱性を有する材料が用いられる。
ダム４０Ａは、後述のようにしてアンダーフィル樹脂を供給し、硬化した後、電子部品２０の背面２０ｂに残すか（図６）、或いは電子部品２０の背面２０ｂから除去する（図７）。ダム４０Ａを電子部品２０の背面２０ｂから除去する場合には、例えば、接着材５０にアセトン等の有機溶剤に溶解するものを用い、このような有機溶剤を用いて接着材５０を溶解してダム４０Ａを除去する。ダム４０Ａを電子部品２０の背面２０ｂに残す場合には、接着材５０に必ずしもこのような有機溶剤に対する溶解性を示す材料を用いることを要しない。
接続部３０で接続された電子部品１０と電子部品２０の隙間７０にアンダーフィル樹脂を供給する前に、まず上記のような構成を有する構造体１ａが準備される。
ここで、図２は第１の実施の形態に係る構造体の準備工程の一例を示す図である。図２（Ａ）は電子部品準備工程の一例を示す要部断面模式図、図２（Ｂ）は電子部品接続工程の一例を示す要部断面模式図、図２（Ｃ）はダム配設工程の一例の要部断面模式図である。
上記図１に示したような構造体１ａを準備するにあたり、まず、図２（Ａ）に示すような電子部品１０、及び半田バンプ等の接続部３０が設けられた電子部品２０を準備する。接続部３０は、電子部品２０の電極２１上に設けられる。このように電極２１上に接続部３０が設けられた電子部品２０を、その電極２１及び接続部３０の配設面側（表面２０ａ側）を、電子部品１０の電極１１の配設面側（表面１０ａ側）に対向させて、設ける。
次いで、図２（Ｂ）に示すように、電子部品２０の電極２１上に設けられた接続部３０と、電子部品１０の電極１１とを接続する。例えば、接続部３０に半田バンプを用いている場合であれば、その半田バンプが溶融する温度で加熱を行い、溶融した半田バンプを電子部品１０の電極１１と接続する。その後、冷却を行い、半田バンプを凝固する。これにより、図２（Ｂ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０が、互いの電極１１と電極２１を接続部３０によって接続された状態が得られる。
このようにして電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続した後、図２（Ｃ）に示すように、その電子部品２０の背面２０ｂ上の、所定の縁部２０ｃに、接着材５０を用いてダム４０Ａを接着する。図２（Ｃ）には、予め接着材５０を設けたダム４０Ａを、電子部品２０の縁部２０ｃに接着する場合を例示するが、予め接着材５０を電子部品２０の縁部２０ｃに設け、その接着材５０にダム４０Ａを接着するようにしてもよい。
この図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すような方法によって、上記図１に示したような構成を有する構造体１ａを得ることができる。
また、図３は第１の実施の形態に係る構造体の準備工程の別例を示す図である。図３（Ａ）はダム配設工程の一例の要部断面模式図、図３（Ｂ）は電子部品準備工程の一例を示す要部断面模式図、図３（Ｃ）は電子部品接続工程の一例を示す要部断面模式図である。
上記図１に示したような構造体１ａを準備するにあたっては、この図３の例に示すような方法を用いることもできる。
この例では、まず、図３（Ａ）に示すように、表面２０ａの電極２１上に、半田バンプ等の接続部３０が設けられた電子部品２０を準備し、更に、その背面２０ｂ上の、所定の縁部２０ｃに、接着材５０を用いてダム４０Ａを接着する。図３（Ａ）には、予め接着材５０を設けたダム４０Ａを、電子部品２０の縁部２０ｃに接着する場合を例示するが、予め接着材５０を電子部品２０の縁部２０ｃに設け、その接着材５０にダム４０Ａを接着するようにしてもよい。
このように電極２１上に接続部３０、背面２０ｂ上にダム４０Ａが設けられた電子部品２０を、図３（Ｂ）に示すように、その電極２１及び接続部３０の配設面側（表面２０ａ側）を、電子部品１０の電極１１の配設面側（表面１０ａ側）に対向させて、設ける。
そして、図３（Ｃ）に示すように、電子部品２０の電極２１上に設けられた接続部３０と、電子部品１０の電極１１とを接続する。例えば、接続部３０に半田バンプを用いている場合、加熱により溶融した半田バンプを電子部品１０の電極１１と接続し、その後、冷却によりその半田バンプを凝固する。これにより、図３（Ｃ）に示すような、電子部品１０と、ダム４０Ａが設けられた電子部品２０が、互いの電極１１と電極２１を接続部３０によって接続された状態が得られる。
この図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すような方法によっても、上記図１に示したような構成を有する構造体１ａを得ることができる。
上記図１（Ａ）〜図１（Ｃ）に示すような構造体１ａを準備した後、準備した構造体１ａの電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に、次の図４及び図５に示すようにして、アンダーフィル樹脂６０を供給する。
図４〜図６は第１の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図である。図４はアンダーフィル樹脂配置工程の一例を示す図であって、図４（Ａ）はアンダーフィル樹脂配置工程の一例の要部平面模式図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面模式図である。図５はアンダーフィル樹脂供給工程の一例を示す図であって、図５（Ａ）はアンダーフィル樹脂供給工程の一例の要部平面模式図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＬ４−Ｌ４断面模式図である。図６はアンダーフィル樹脂供給後の状態の一例を示す図であって、図６（Ａ）は要部平面模式図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＬ５−Ｌ５断面模式図である。
準備した構造体１ａに、例えば、図４〜図６に示すように、アンダーフィル樹脂６０を供給する。アンダーフィル樹脂６０には、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。アンダーフィル樹脂６０には、このような樹脂材料に、更にシリカ、アルミナ等の絶縁性フィラーが含有されてもよい。
アンダーフィル樹脂６０の供給の際は、まず、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、ディスペンサ等の供給装置８０を用い、ダム４０Ａの側面（外面）４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、流動性のアンダーフィル樹脂６０を配置（滴下）する。ダム４０Ａを設けていることで、電子部品２０の側面２０ｅだけでなく、ダム４０Ａの側面４１から電子部品２０の側面２０ｅに、アンダーフィル樹脂６０を配置することができる。ダム４０Ａを設けない場合に比べて、電子部品２０の側面２０ｅ側に、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができる。
このアンダーフィル樹脂６０の配置は、例えば、一定量のアンダーフィル樹脂６０を吐出する供給装置８０を、ダム４０Ａの延在方向に沿って連続的に移動させることで、行うことができる。或いは、アンダーフィル樹脂６０の配置は、ダム４０Ａの延在方向に沿って移動する供給装置８０から、複数回に分けて一定量のアンダーフィル樹脂６０を吐出させることで、行うことができる。アンダーフィル樹脂６０の配置量（滴下量）は、供給装置８０の吐出圧を調整することで、調整することができる。
供給装置８０からダム４０Ａの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに配置されるアンダーフィル樹脂６０には、フィレット部６１ａが形成される。形成されるフィレット部６１ａには、表面張力が発生する。このような表面張力が発生するフィレット部６１ａを起点として、毛細管現象により、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に、アンダーフィル樹脂６０が進入していく。
これにより、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０が供給（充填）された状態が得られる。アンダーフィル樹脂６０の供給後には、例えば、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、電子部品２０のダム４０Ａ側の側面２０ｅとは異なる側面にもフィレット部が形成され、電子部品２０の周囲にフィレット６１が形成される。
尚、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０にアンダーフィル樹脂６０が進入する際には、このような毛細管現象のほか、供給装置８０から吐出されるアンダーフィル樹脂６０の圧力も寄与し得る。
上記図４〜図６に示したようなアンダーフィル樹脂６０の配置及び供給工程において、電子部品２０の背面２０ｂには、その縁部２０ｃにダム４０Ａが設けられている。そのため、ダム４０Ａが設けられていない場合に比べて、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すようにしてアンダーフィル樹脂６０が配置される縁の厚みが、電子部品２０の側面２０ｅの厚みに更にダム４０Ａの側面４１の厚みが加わって、より厚くなっている。
このように、ダム４０Ａが設けられ、アンダーフィル樹脂６０が配置される縁の厚みが厚くなっていることで、ダム４０Ａを設けない場合よりも多量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができる。それにより、形成されるフィレット部６１ａの量が増大し、フィレット部６１ａに発生する表面張力が増大する。その結果、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）並びに図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すようにして毛細管現象により電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度が増大する。
電子部品２０に設けられるダム４０Ａにより、ダム４０Ａが設けられていないものに比べて、より速い速度で、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０が供給されるようになる。
アンダーフィル樹脂６０の配置及び供給工程においては、アンダーフィル樹脂６０の流動性を高めるため、アンダーフィル樹脂６０の硬化温度よりも低い温度、例えば、５０℃〜１００℃といった温度の条件で、加熱を行ってもよい。加熱は、例えば、構造体１ａを載置するステージの温度を調整することで、行うことができる。
上記のようにして電子部品１０と電子部品２０の間に供給されたアンダーフィル樹脂６０は、その後、そのアンダーフィル樹脂６０に用いられている材料に応じた硬化温度、例えば１００℃〜２５０℃といった温度条件の加熱により硬化される。
図７は第１の実施の形態に係る電子装置の第３製造工程の説明図である。図７はダム除去工程の一例を示す図であって、図７（Ａ）はダム除去工程の一例の要部平面模式図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＬ６−Ｌ６断面模式図である。
上記のようにして電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０を供給し、硬化した後、例えば、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、ダム４０Ａを電子部品２０の背面２０ｂから除去する。このようにダム４０Ａを除去する場合、接着材５０には、前述のように、アセトン等の有機溶剤に溶解するものが用いられる。アンダーフィル樹脂６０の硬化後、そのような有機溶剤で接着材５０を溶解することで、電子部品２０の背面２０ｂからダム４０Ａを除去する。この場合、ダム４０Ａの除去後には、電子部品２０の側面２０ｅに、側面２０ｅから更に背面２０ｂの上方に向かって突出する、フィレット部６１ａが残る。
以上の工程により、アンダーフィル樹脂６０によって、接続部３０が覆われ、且つ、電子部品１０と電子部品２０が接着された、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すような電子装置１Ａが得られる。
ここでは、ダム４０Ａを電子部品２０の背面２０ｂから除去するようにしたが、ダム４０Ａを除去せず、ダム４０Ａを電子部品２０の背面２０ｂ上に残した形態の、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すような電子装置１Ａを得ることもできる。
以上のように、この第１の実施の形態に係る電子装置１Ａの製造方法では、接続部３０を用いて電子部品１０と電子部品２０を接続し、その一方の電子部品２０の、接続部３０の配設面と反対側の背面２０ｂ上の縁部２０ｃに、ダム４０Ａを設ける。これにより、ダム４０Ａ側に配置されるアンダーフィル樹脂６０のフィレット部６１ａの量を増大させ、フィレット部６１ａの表面張力を増大させて、電子部品１０と電子部品２０の間に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増大を図る。
ダム４０Ａを設けない場合、アンダーフィル樹脂のフィレット部の量を増大させて充填速度を増大させるために、電子部品２０の縁に配置するアンダーフィル樹脂を多くすると、アンダーフィル樹脂が電子部品２０の背面２０ｂに這い上がる現象が生じ得る。このようなアンダーフィル樹脂の這い上がりが生じると、隙間７０へのアンダーフィル樹脂の供給量が不足し、電子部品１０と電子部品２０の間の領域にボイドが発生したり、電子部品２０の周囲のフィレット量が減少したりする場合がある。その場合、電子部品１０と電子部品２０の間の十分な接続強度が得られなくなることが起こり得る。このような這い上がりが抑えられるようなアンダーフィル樹脂の量では、配置時点のフィレット部の量が少なく、十分な充填速度が得られない場合がある。這い上がりが抑えられるような量のアンダーフィル樹脂を複数回に分けて配置しても、十分な充填速度が得られなかったり、効率的な製造が行えなかったりする場合がある。
また、半導体素子は、デバイス性能の向上のために大規模な回路を備えることで、その平面サイズが大きくなる場合がある。このような平面サイズの大きな半導体素子では、その端部の接続部（回路基板等の他の電子部品との接続部）に、より大きな応力が発生する傾向があり、端部の接続部で破断等の不具合が生じ易い。端部の接続部の応力を緩和するための方法の１つに、半導体素子を、例えば半導体基板のバックグラインド等で、薄型化する方法がある。しかし、このような平面サイズが大きく、薄い半導体素子を、ダム４０Ａを設けない電子部品２０に用いた場合には、厚みが薄いことで、その縁に十分な量のアンダーフィル樹脂を配置できず、フィレット部の量が少なくなり、十分な充填速度が得られない恐れがある。更に、その平面サイズが大きいことで、アンダーフィル樹脂の充填時間が長くなり、アンダーフィル樹脂が供給途中で硬化し始める等、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０をアンダーフィル樹脂で十分に充填できなくなる恐れがある。
これに対し、上記のようなダム４０Ａを電子部品２０上に設ける手法によれば、アンダーフィル樹脂６０を配置する縁の厚みが、電子部品２０の側面２０ｅの厚みに更にダム４０Ａの側面４１の厚みが加わり、より厚くなる。従って、ダム４０Ａを設けていない電子部品２０単体の時に比べて、縁に配置するアンダーフィル樹脂６０の量を多くし、電子部品２０の背面２０ｂへの這い上がりを抑えて、フィレット部６１ａの量を増大させることができる。そして、このようにフィレット部６１ａの量を増大させることで、フィレット部６１ａの表面張力を増大させ、毛細管現象により隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増大を図ることができる。
次に、第２の実施の形態について説明する。
図８は第２の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。図８は樹脂供給前の構造体の一例を示す図であって、図８（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図８（Ｂ）は図１（Ａ）のＬ７−Ｌ７断面模式図である。
まず、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すような構造体（電子装置）１ｂを準備する。構造体１ｂは、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられる接続部３０の密度が、中央領域で高く、その中央領域を挟む外側領域で低くなっている。電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、このような配置の接続部３０に対応して、図８（Ｂ）に示すように電極１１及び電極２１が設けられている。尚、図８（Ａ）では、電極１１及び電極２１の図示を省略している。
例えば、電子部品１０と電子部品２０を接続する接続部３０のうち、より大きな応力が発生する傾向のある端部の接続部３０で破断等の不具合が生じ易い場合には、そのような端部の接続部３０のサイズ、ピッチを大きくする構造が採用される場合がある。構造体１ｂは、例えばこのような構造を採用したものの一例である。
このような構造体１ｂに含まれる電子部品２０の、接続部３０の配設面と反対側の背面２０ｂにおける、一辺２０ｄに沿った縁部２０ｃに、ダム４０Ｂが設けられる。ダム４０Ｂは、その底面（背面２０ｂ側の面）からの高さがＨ１のダム部４０Ｂａと、底面からの高さがＨ１よりも低いＨ２のダム部４０Ｂｂとを有する。高さＨ１のダム部４０Ｂａは、接続部３０の密度の高い中央領域に対応して設けられ、より低い高さＨ２のダム部４０Ｂｂは、接続部３０の密度の低い外側領域に対応して設けられる。
このような点で、第２の実施の形態に係る構造体１ｂは、上記第１の実施の形態に係る構造体１ａと相違する。
ダム４０Ｂには、上記ダム４０Ａと同様の材料が用いられる。ダム４０Ｂは、上記ダム４０Ａと同様に、接着材５０を用いて電子部品２０の背面２０ｂにおける所定の縁部２０ｃに接着される。
また、構造体１ｂは、例えば、上記図２で述べたのと同様に、電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続した後、電子部品２０上に接着材５０でダム４０Ｂを接着することで、得ることができる。或いは、構造体１ｂは、上記図３で述べたのと同様に、予めダム４０Ｂを設けた電子部品２０を準備し、これを電子部品１０と接続部３０で接続することで、得ることもできる。
上記図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すような構造体１ｂを準備した後、準備した構造体１ｂの電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に、次の図９に示すようにして、アンダーフィル樹脂６０を供給する。
図９は第２の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図である。図９（Ａ）はアンダーフィル樹脂配置工程の一例の要部平面模式図、図９（Ｂ）はアンダーフィル樹脂供給工程の一例の要部平面模式図、図９（Ｃ）はアンダーフィル樹脂供給後の状態の一例の要部平面模式図である。
準備した構造体１ｂに、例えば、図９に示すように、アンダーフィル樹脂６０を供給する。その際は、まず、図９（Ａ）に示すように、ディスペンサ等の供給装置８０を用いて、ダム４０Ｂの側面（外面）４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、流動性のアンダーフィル樹脂６０を配置（滴下）する。
このアンダーフィル樹脂６０の配置は、ダム４０Ｂの、高さの異なるダム部４０Ｂａとダム部４０Ｂｂの領域で、その配置量（滴下量）を調整する。接続部３０が比較的高密度の領域に対応して設けられた、高さＨ１のダム部４０Ｂａの領域には、接続部３０が比較的低密度の領域に対応して設けられた、より低い高さＨ２のダム部４０Ｂｂの領域よりも、多量のアンダーフィル樹脂６０を配置する。
このようなアンダーフィル樹脂６０の配置量の調整は、供給装置８０の吐出圧を調整することで、行うことができる。このほか、アンダーフィル樹脂６０の配置量の調整は、吐出圧一定の供給装置８０の移動速度を調整することで、行うことができる。例えば、吐出圧一定の供給装置８０の移動速度でアンダーフィル樹脂６０の配置量を調整する場合には、高さＨ１のダム部４０Ｂａの領域で供給装置８０の移動速度を遅くし、より低い高さＨ２のダム部４０Ｂｂの領域で供給装置８０の移動速度を速くする。図９（Ａ）には、このような供給装置８０の移動速度の大きさを、太矢印の長さの違いで表している（太矢印が長いほど移動速度が速い）。
供給装置８０からダム４０Ｂの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに配置されたアンダーフィル樹脂６０には、フィレット部６１ｂが形成される。この例では、フィレット部６１ｂの量が、ダム部４０Ｂｂの領域よりも、ダム部４０Ｂａの領域で多くなる。このようなフィレット部６１ｂを起点として、毛細管現象により、図９（Ｂ）に示すように、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０（図８（Ｂ））に、アンダーフィル樹脂６０が進入していく。これにより、図９（Ｃ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０が供給（充填）された状態が得られる。
このようなアンダーフィル樹脂６０の配置及び供給工程において、電子部品２０の背面２０ｂには、その縁部２０ｃにダム４０Ｂが設けられている。そのため、ダム４０Ｂが設けられていない場合に比べて、図９（Ａ）に示すようにしてアンダーフィル樹脂６０が配置される縁の厚みが、電子部品２０の側面２０ｅの厚みに更にダム４０Ｂの側面４１の厚みが加わって、より厚くなっている。これにより、ダム４０Ｂを設けない場合よりも多量のアンダーフィル樹脂６０を配置し、フィレット部６１ｂの量を増大させ、その表面張力を増大させることができる。その結果、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示すようにして毛細管現象により電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度を増大させることができる。
更に、ダム４０Ｂに、接続部３０の密度に対応して、高さの異なるダム部４０Ｂａ及びダム部４０Ｂｂを設け、接続部３０がより高密度の領域に対応して設けられた、より高いダム部４０Ｂａの領域に、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置する。これにより、接続部３０がより高密度の領域に対応して、より多量のフィレット部６１ｂが形成される。その結果、接続部３０がより高密度の領域に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増加分が、接続部３０がより低密度の領域に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増加分よりも大きくなる。
高さの異なるダム部４０Ｂａ及びダム部４０Ｂｂを有するダム４０Ｂを用いることで、接続部３０に疎密が存在する場合でも、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の平均化を図ることができる。
即ち、ダム４０Ｂを設けず、接続部３０に疎密が存在する構造体１ｂの、その電子部品２０の一辺２０ｄの縁に、一定量のアンダーフィル樹脂６０を配置すると、接続部３０がより低密度の領域に、より速くアンダーフィル樹脂６０が進入していく傾向がある。このような場合、接続部３０の疎密によって隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度が異なってくるため、速度の異なるアンダーフィル樹脂６０同士がぶつかり合い、ボイドが発生してしまうことがある。
これに対し、上記のようなダム４０Ｂを電子部品２０上に設ける手法によれば、接続部３０に疎密が存在する場合でも、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の平均化を図り、ボイドの発生を抑えることができる。
上記のようにして電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０を供給した後、アンダーフィル樹脂６０を硬化する。アンダーフィル樹脂６０の硬化後、例えば、アセトン等の有機溶剤を用いて接着材５０を溶解し、ダム４０Ｂを電子部品２０の背面２０ｂから除去する。これにより、アンダーフィル樹脂６０によって、接続部３０が覆われ、且つ、電子部品１０と電子部品２０が接着された、電子装置が得られる。
また、ダム４０Ｂは除去せず、ダム４０Ｂを電子部品２０の背面２０ｂ上に残した形態の電子装置（図９（Ｃ））を得ることもできる。
上記のようなダム４０Ｂは、次の図１０に示すような接続部３０の配置を有する構造体１ｂａに採用することもできる。
図１０は第２の実施の形態に係る構造体の別例を示す図である。図１０（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＬ８−Ｌ８断面模式図である。
この構造体１ｂａは、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられる接続部３０の密度が、中央領域で高く、その中央領域を囲む外側領域で低くなっている点で、上記図８に示した構造体１ｂと相違する。
このような構造体１ｂａの場合にも、それに含まれる電子部品２０の、接続部３０の配設面と反対側の背面２０ｂにおける、一辺２０ｄに沿った縁部２０ｃに、ダム４０Ｂが設けられる。接続部３０の密度の低い外側領域に囲まれた、接続部３０の密度の高い中央領域に対応して、高さＨ１のダム部４０Ｂａが設けられ、このダム部４０Ｂａを挟むように、より低い高さＨ２のダム部４０Ｂｂが設けられる。
構造体１ｂａの電子部品１０と電子部品２０の隙間７０にアンダーフィル樹脂６０を供給する際も、上記同様、より高いダム部４０Ｂａの領域に、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置し、より多量のフィレット部６１ｂを形成する。それにより、接続部３０の密度の低い外側領域を主に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度と、そのような外側領域と接続部３０の密度の高い中央領域とが含まれる領域を主に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度との平均化が図られる。その結果、アンダーフィル樹脂６０同士がぶつかり合うことによるボイドの発生を抑えることができる。
ここでは電子部品２０の背面２０ｂからの高さが２種類のダム部４０Ｂａ及びダム部４０Ｂｂを例示したが、高さの種類は２種類に限定されるものではない。例えば、接続部３０の疎密の分布に基づいて、高さが３種類以上のダム部を含むダム４０Ｂを設けることもできる。
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１１は第３の実施の形態に係る電子装置の第１製造工程の説明図である。図１１は樹脂供給前の構造体の一例を示す図であって、図１１（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）のＬ９−Ｌ９断面模式図である。
まず、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すような構造体（電子装置）１ｃが準備される。構造体１ｃは、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられる接続部３０の密度が、中央領域で低く、その中央領域を挟む外側領域で高くなっている。接続部３０は、この構造体１ｃのような配置とされる場合もあり、この点が上記第２の実施の形態に係る構造体１ｂとの一相違点となっている。電子部品１０及び電子部品２０にはそれぞれ、このような配置の接続部３０に対応して、図１１（Ｂ）に示すように電極１１及び電極２１が設けられている。尚、図１１（Ａ）では、電極１１及び電極２１の図示を省略している。
このような構造体１ｃに含まれる電子部品２０の、接続部３０の配設面と反対側の背面２０ｂにおける、一辺２０ｄに沿った縁部２０ｃに、ダム４０Ｃが設けられている。ダム４０Ｃは、その底面（背面２０ｂ側の面）からの高さがＨ３のダム部４０Ｃａと、底面からの高さがＨ３よりも高いＨ４のダム部４０Ｃｂとを有する。高さＨ３のダム部４０Ｃａは、接続部３０の密度の低い中央領域に対応して設けられ、より高い高さＨ２のダム部４０Ｃｂは、接続部３０の密度の高い外側領域に対応して設けられている。
このような点で、第３の実施の形態に係る構造体１ｃは、上記第２の実施の形態に係る構造体１ｂと相違する。
ダム４０Ｃには、上記ダム４０Ａ或いはダム４０Ｂと同様の材料が用いられる。ダム４０Ｃは、上記ダム４０Ａ或いはダム４０Ｂと同様に、接着材５０を用いて電子部品２０の背面２０ｂにおける所定の縁部２０ｃに接着される。
また、構造体１ｃは、例えば、上記図２で述べたのと同様に、電子部品１０と電子部品２０を接続部３０で接続した後、電子部品２０上に接着材５０でダム４０Ｃを接着することで、得ることができる。或いは、構造体１ｃは、上記図３で述べたのと同様に、予めダム４０Ｃを設けた電子部品２０を準備し、これを電子部品１０と接続部３０で接続することで、得ることもできる。
上記図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すような構造体１ｃを準備した後、準備した構造体１ｃの電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に、次の図１２に示すようにして、アンダーフィル樹脂６０を供給する。
図１２は第３の実施の形態に係る電子装置の第２製造工程の説明図である。図１２（Ａ）はアンダーフィル樹脂配置工程の一例の要部平面模式図、図１２（Ｂ）はアンダーフィル樹脂供給工程の一例の要部平面模式図、図１２（Ｃ）はアンダーフィル樹脂供給後の状態の一例の要部平面模式図である。
準備した構造体１ｃに、まず、図１２（Ａ）に示すように、ディスペンサ等の供給装置８０を用いて、ダム４０Ｃの側面（外面）４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、流動性のアンダーフィル樹脂６０を配置（滴下）する。この例では、接続部３０が比較的高密度の領域に対応して設けられた、高さＨ４のダム部４０Ｃｂの領域に、接続部３０が比較的低密度の領域に対応して設けられた、より低い高さＨ３のダム部４０Ｃａの領域よりも、多量のアンダーフィル樹脂６０を配置する。このようなアンダーフィル樹脂６０の配置量の調整は、例えば、吐出圧一定の供給装置８０の移動速度を、高さＨ４のダム部４０Ｃｂの領域で遅くし、より低い高さＨ３のダム部４０Ｃａの領域で速くすることで行う。図１２（Ａ）には、このような供給装置８０の移動速度の大きさを、太矢印の長さの違いで表している（太矢印が長いほど移動速度が速い）。
供給装置８０からダム４０Ｃの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに配置されたアンダーフィル樹脂６０には、フィレット部６１ｃが形成される。この例では、フィレット部６１ｃの量が、ダム部４０Ｃａの領域よりも、ダム部４０Ｃｂの領域で多くなる。このようなフィレット部６１ｃを起点として、毛細管現象により、図１２（Ｂ）に示すように、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０（図１１（Ｂ））に、アンダーフィル樹脂６０が進入していく。これにより、図１２（Ｃ）に示すような、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０が供給（充填）された状態が得られる。
このようなアンダーフィル樹脂６０の配置及び供給工程において、電子部品２０にはダム４０Ｃが設けられていることで、ダム４０Ｃが設けられていない場合に比べて、図１２（Ａ）に示すようにしてアンダーフィル樹脂６０が配置される縁の厚みが厚くなっている。これにより、ダム４０Ｃを設けない場合よりも多量のアンダーフィル樹脂６０を配置し、フィレット部６１ｃの量を増大させ、その表面張力を増大させることができる。その結果、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）に示すようにして毛細管現象により電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度を増大させることができる。
更に、接続部３０がより高密度の領域に対応して設けられた、より高いダム部４０Ｃｂの領域に、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置し、より多量のフィレット部６１ｃを形成する。これにより、接続部３０に疎密が存在する電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の平均化を図り、ボイドの発生を抑えることができる。
上記のようにして電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０を供給した後、アンダーフィル樹脂６０を硬化する。アンダーフィル樹脂６０の硬化後、例えば、アセトン等の有機溶剤を用いて接着材５０を溶解し、ダム４０Ｃを電子部品２０の背面２０ｂから除去する。これにより、アンダーフィル樹脂６０によって、接続部３０が覆われ、且つ、電子部品１０と電子部品２０が接着された、電子装置が得られる。また、ダム４０Ｃを除去せず、ダム４０Ｃを電子部品２０の背面２０ｂ上に残した形態の電子装置（図１２（Ｃ））を得ることもできる。
上記のようなダム４０Ｃは、電子部品１０と電子部品２０の間に設けられる接続部３０の密度が、中央領域で低く、その中央領域を囲む外側領域で高くなっているような構造体に採用することもできる。このような構造体についても、上記同様の手法により、供給装置８０を用いてダム４０Ｃの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅにアンダーフィル樹脂６０を配置し、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂６０を供給する。これにより、接続部３０に疎密が存在する電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の平均化を図り、ボイドの発生を抑えることができる。
ここでは電子部品２０の背面２０ｂからの高さが２種類のダム部４０Ｃａ及びダム部４０Ｃｂを例示したが、高さの種類は２種類に限定されるものではない。例えば、接続部３０の疎密の分布に基づいて、高さが３種類以上のダム部を含むダム４０Ｃを設けることもできる。
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１３は第４の実施の形態に係る構造体の例を示す図である。図１３（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図１３（Ｂ）は構造体の別例の要部平面模式図である。
図１３（Ａ）に示す構造体１ｄａは、半田バンプ等の接続部（図示せず）で接続された電子部品１０及び電子部品２０と、電子部品２０の背面２０ｂに設けられたダム４０Ｄとを有する。構造体１ｄａのダム４０Ｄは、電子部品２０の背面２０ｂにおける、一辺２０ｄに沿った縁部２０ｃのうち、一部に設けられる。また、図１３（Ｂ）に示す構造体１ｄｂは、電子部品２０の背面２０ｂにおける、一辺２０ｄに沿った縁部２０ｃの複数箇所に設けられた、複数のダム４０Ｄを有する。ダム４０Ｄは、上記ダム４０Ａ等と同様の材料が用いられて、上記ダム４０Ａ等と同様に所定の接着材を用いて電子部品２０の背面２０ｂに接着される。
このようなダム４０Ｄを設けた構造体１ｄａ或いは構造体１ｄｂの、ダム４０Ｄの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、ディスペンサ等の供給装置を用いてアンダーフィル樹脂（図示せず）を配置する。このように電子部品２０の背面２０ｂの縁部２０ｃに部分的にダム４０Ｄを設けた場合でも、ダム４０Ｄを設けない場合に比べて、電子部品２０の縁に配置するアンダーフィル樹脂の量を増大させ、形成されるフィレット部の量を増大させることができる。それにより、フィレット部の表面張力を増大させ、電子部品１０と電子部品２０の隙間に進入していくアンダーフィル樹脂の速度の増大を図ることができる。
また、構造体１ｄａ或いは構造体１ｄｂの、電子部品１０と電子部品２０の接続部に疎密が存在する場合には、接続部がより高密度で配置されている領域に対応して、ダム４０Ｄを電子部品２０の背面２０ｂの縁部２０ｃに部分的に設けてもよい。このようにダム４０Ｄを設けた構造体１ｄａ或いは構造体１ｄｂの、ダム４０Ｄの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、ディスペンサ等の供給装置を用いてアンダーフィル樹脂を配置する。その際は、ダム４０Ｄの側面４１とダム４０Ｄが設けられた領域の電子部品２０の側面２０ｅとに形成されるフィレット部の量が、ダム４０Ｄが設けられていない領域の電子部品２０の側面２０ｅに形成されるフィレット部の量よりも多くなるようにする。このようにすることで、上記第２及び第３の実施の形態で述べたのと同様に、接続部に疎密が存在する電子部品１０と電子部品２０の隙間に進入していくアンダーフィル樹脂の速度の平均化を図り、ボイドの発生を抑えることができる。
電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂を供給した後は、アンダーフィル樹脂を硬化し、ダム４０Ｄを電子部品２０の背面２０ｂから除去して、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂が充填された電子装置を得る。また、ダム４０Ｄを除去せず、ダム４０Ｄを電子部品２０の背面２０ｂ上に残した形態の電子装置を得ることもできる。
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１４は第５の実施の形態に係る構造体の例を示す図である。図１４（Ａ）は構造体の一例の要部平面模式図、図１４（Ｂ）は構造体の別例の要部平面模式図である。
図１４（Ａ）に示す構造体１ｅａは、半田バンプ等の接続部（図示せず）で接続された電子部品１０及び電子部品２０と、電子部品２０の背面２０ｂに設けられたダム４０Ｅａとを有する。構造体１ｅａのダム４０Ｅａは、電子部品２０の背面２０ｂにおける、隣接する二辺２０ｄに沿った縁部２０ｃに、平面Ｌ字形状で設けられる。ダム４０Ｅａは、上記ダム４０Ａ等と同様の材料が用いられて、上記ダム４０Ａ等と同様に所定の接着材を用いて電子部品２０の背面２０ｂに接着される。
このようなダム４０Ｅａを設けた構造体１ｅａの、ダム４０Ｅａの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、ディスペンサ等の供給装置を用いてアンダーフィル樹脂（図示せず）を配置する。その際は、例えば、アンダーフィル樹脂の供給装置を、電子部品２０の隣接する二辺２０ｄ（それらのコーナー部を含む）に沿って連続的に移動させ、その移動の間、吐出圧一定でアンダーフィル樹脂を配置する。或いは、供給装置を、電子部品２０の隣接する二辺２０ｄのそれぞれに沿って２段階で移動させ、各辺２０ｄの移動の間、吐出圧一定でアンダーフィル樹脂を配置する（即ち、２回に分けてアンダーフィル樹脂を配置する）。例えば、隣接する二辺２０ｄのコーナー部に配置されるアンダーフィル樹脂の量を抑えたい場合、このような２段階でアンダーフィル樹脂を配置する方法を採用することができる。
平面Ｌ字形状のダム４０Ｅａを設け、そのダム４０Ｅａに沿ってアンダーフィル樹脂を配置することで、電子部品１０と電子部品２０の間に効率的にアンダーフィル樹脂を進入させることができる。このような平面Ｌ字形状のダム４０Ｅａを設けた場合にも、それを設けない場合に比べて、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができる。これにより、アンダーフィル樹脂の配置後に形成されるフィレット部の量を増大させ、電子部品１０と電子部品２０の間に進入していくアンダーフィル樹脂の速度の増大を図ることができる。
また、図１４（Ｂ）に示す構造体１ｅｂは、電子部品２０の背面２０ｂにおける、隣接する二辺２０ｄのそれぞれに沿った縁部２０ｃに設けられた、複数のダム４０Ｅｂを有する。ダム４０Ｅｂは、上記ダム４０Ａ等と同様の材料が用いられて、上記ダム４０Ａ等と同様に所定の接着材を用いて電子部品２０の背面２０ｂに接着される。このようなダム４０Ｅｂを設けた構造体１ｅｂの場合にも、アンダーフィル樹脂の配置及びその後の進入について、上記図１４（Ａ）に示した構造体１ｅａと同様の効果を得ることができる。
電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂を供給した後は、アンダーフィル樹脂を硬化し、ダム４０Ｅａ或いはダム４０Ｅｂを電子部品２０の背面２０ｂから除去して、電子部品１０と電子部品２０の間にアンダーフィル樹脂が充填された電子装置を得る。また、ダム４０Ｅａ或いはダム４０Ｅｂを除去せず、ダム４０Ｅａ或いはダム４０Ｅｂを電子部品２０の背面２０ｂ上に残した形態の電子装置を得ることもできる。
ダム４０Ｅａ或いはダム４０Ｅｂには、上記第２及び第３の実施の形態で述べた例に従い、電子部品１０と電子部品２０の接続部の疎密に基づいて、電子部品２０の背面２０ｂからの高さが異なる複数の部位（ダム部）を設けてもよい。
次に、第６の実施の形態について説明する。
図１５は第６の実施の形態に係る構造体の一例を示す図である。図１５は構造体の一例の要部断面模式図である。
図１５に示す構造体１ｆは、半田バンプ等の接続部３０で接続された電子部品１０及び電子部品２０と、電子部品２０の背面２０ｂに設けられたダム４０Ｆとを有する。ダム４０Ｆは、図１５に示すように、電子部品２０の外側に面する側面（外面）４１が、電子部品２０の背面２０ｂに対して外側に傾斜し、庇状に張り出した形状を有する。ダム４０Ｆは、上記ダム４０Ａ等と同様の材料が用いられて、上記ダム４０Ａ等と同様に所定の接着材５０を用いて電子部品２０の背面２０ｂに接着される。
このようなダム４０Ｆを設けた構造体１ｆの、ダム４０Ｆの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、ディスペンサ等の供給装置を用いてアンダーフィル樹脂６０を配置する。尚、図１５には、このようにアンダーフィル樹脂６０を配置した状態の一例を図示している。ダム４０Ｆを設けることで、設けない場合に比べて、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができる。これにより、形成されるフィレット部６１ｆの量を増大させ、その表面張力を増大させて、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増大を図ることができる。
更に、この構造体１ｆでは、ダム４０Ｆの側面４１が傾斜していることで、配置されたアンダーフィル樹脂６０の、電子部品２０の背面２０ｂへの這い上がりを効果的に抑えることができる。これにより、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に十分な量のアンダーフィル樹脂が進入し、アンダーフィル樹脂６０の不足によるボイドの発生、電子部品２０周囲のフィレット量の減少、電子部品１０と電子部品２０の接続強度の低下等が抑制される。
ダム４０Ｆの側面４１の傾斜角度θは、電子部品２０の側面２０ｅ側に一定量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができ、配置したアンダーフィル樹脂６０の電子部品２０の背面２０ｂへの這い上がりを抑制することができるものであれば、特に限定されない。例えば、ダム４０Ｆの側面４１の傾斜角度θは、４５°といった角度に設定することができる。
この第６の実施の形態で述べたダム４０Ｆのように、側面４１を傾斜させる手法は、上記第１〜第５の実施の形態で述べたダム４０Ａ、ダム４０Ｂ、ダム４０Ｃ、ダム４０Ｄ、ダム４０Ｅａ及びダム４０Ｅｂにも、同様に適用可能である。それにより、電子部品２０の側面２０ｅ側に配置されるアンダーフィル樹脂の、背面２０ｂへの這い上がりを、効果的に抑制することが可能になる。
次に、第７の実施の形態について説明する。
図１６は第７の実施の形態に係る構造体の一例を示す図である。図１６は構造体の一例の要部断面模式図である。
図１６に示す構造体１ｇは、半田バンプ等の接続部３０で接続された電子部品１０及び電子部品２０と、電子部品２０の背面２０ｂに設けられたダム４０Ｇとを有する。ダム４０Ｇは、図１６に示すように、電子部品２０の外側に面する側面（外面）４１に、電子部品１０と電子部品２０の対向方向と交差する方向（紙面奥行方法）に延在された、少なくとも１本の溝４１ａを有する。ダム４０Ｇは、上記ダム４０Ａ等と同様の材料が用いられて、上記ダム４０Ａ等と同様に所定の接着材５０を用いて電子部品２０の背面２０ｂに接着される。
このようなダム４０Ｇを設けた構造体１ｇの、ダム４０Ｇの側面４１及び電子部品２０の側面２０ｅに、ディスペンサ等の供給装置を用いてアンダーフィル樹脂６０を配置する。尚、図１６には、このようにアンダーフィル樹脂６０を配置した状態の一例を図示している。ダム４０Ｇを設けることで、設けない場合に比べて、より多量のアンダーフィル樹脂６０を配置することができる。これにより、形成されるフィレット部６１ｇの量を増大させ、その表面張力を増大させて、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に進入していくアンダーフィル樹脂６０の速度の増大を図ることができる。
更に、この構造体１ｇでは、ダム４０Ｇの側面４１に溝４１ａが設けられていることで、配置されたアンダーフィル樹脂６０の、電子部品２０の背面２０ｂへの這い上がりを効果的に抑えることができる。これにより、電子部品１０と電子部品２０の隙間７０に十分な量のアンダーフィル樹脂が進入し、アンダーフィル樹脂６０の不足によるボイドの発生、電子部品２０周囲のフィレット量の減少、電子部品１０と電子部品２０の接続強度の低下等が抑制される。
この第７の実施の形態で述べたダム４０Ｇのように、側面４１に溝４１ａを設ける手法は、上記第１〜第６の実施の形態で述べたダム４０Ａ、ダム４０Ｂ、ダム４０Ｃ、ダム４０Ｄ、ダム４０Ｅａ、ダム４０Ｅｂ及びダム４０Ｆにも、同様に適用可能である。それにより、電子部品２０の側面２０ｅ側に配置されるアンダーフィル樹脂の、背面２０ｂへの這い上がりを、効果的に抑制することが可能になる。
以上、第１〜第７の実施の形態について説明した。
以上の説明では、電子部品１０と電子部品２０の接続部（接続部３０）として半田バンプを例示したが、接続部の形態は、このような半田バンプに限定されるものではない。例えば、一方の電子部品１０の電極１１上に半田を設け、他方の電子部品２０の電極２１上にスタッドバンプ、或いはポスト（ピラー等とも称される）を設けて、それらを接続した形態の接続部としてもよい。或いは、電子部品１０の電極１１上、及び電子部品２０の電極２１上に共に、ポストを設け、それらを半田で接続した形態の接続部としてもよい。
また、以上の説明では、熱硬化型のアンダーフィル樹脂を例示したが、紫外線硬化型のアンダーフィル樹脂を用いてもよい。紫外線硬化型のアンダーフィル樹脂を用いる場合は、アンダーフィル樹脂の硬化時に、加熱に替えて、紫外線を照射する。或いはまた、紫外線照射と加熱によって硬化する樹脂を、アンダーフィル樹脂に用いることもできる。
また、以上の説明では、対向接続する電子部品のうちの、一方の電子部品の背面における一部の縁部に、ダム（４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅａ，４０Ｅｂ，４０Ｆ，４０Ｇ等）を設けるようにした。このほか、ダムは、それを設ける電子部品の背面における縁部の全周に渡って設けることも可能である。このようなダムを設けた場合には、その電子部品のいずれの側面側からも、アンダーフィル樹脂を効率的に供給することが可能になる。更に、アンダーフィル樹脂の供給量を調整することで、その供給後に、電子部品の全周の側面に、ダムに接するようなフィレット部を形成し、電子部品間の接続強度の増大を図ることも可能になる。
また、以上説明した電子部品１０及び電子部品２０には、各種電子部品が用いられる。例えば、電子部品１０及び電子部品２０には、前述のように、半導体素子、半導体パッケージ、回路基板等を用いることができる。
図１７は半導体素子の一例を示す図である。図１７は半導体素子の一例の要部断面模式図である。
図１７に示す半導体素子１００は、トランジスタ等の素子が設けられた半導体基板１１０と、半導体基板１１０上に設けられた配線層１２０とを有する。
半導体基板１１０には、シリコン、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）等の基板が用いられる。このような半導体基板１１０に、トランジスタ、容量、抵抗等の素子が設けられる。図１７には素子の一例として、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタ１３０を図示している。
ＭＯＳトランジスタ１３０は、半導体基板１１０に設けられた素子分離領域１１０ａにより画定された素子領域に設けられる。ＭＯＳトランジスタ１３０は、半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１３１を介して形成されたゲート電極１３２と、ゲート電極１３２の両側の半導体基板１１０内に形成されたソース領域１３３及びドレイン領域１３４とを有する。ゲート電極１３２の側壁には、絶縁膜のスペーサ１３５が設けられる。
このようなＭＯＳトランジスタ１３０等が設けられた半導体基板１１０上に、配線層１２０が設けられる。配線層１２０は、半導体基板１１０に設けられたＭＯＳトランジスタ１３０等に電気的に接続された導体部１２１（配線及びビア）と、導体部１２１を覆う絶縁部１２２とを有する。図１７には一例として、ＭＯＳトランジスタ１３０のソース領域１３３及びドレイン領域１３４に電気的に接続された導体部１２１を図示している。導体部１２１には、銅、アルミニウム等の各種導体材料が用いられる。絶縁部１２２には、酸化シリコン等の無機絶縁材料や、樹脂等の有機絶縁材料が用いられる。配線層１２０には、内部の導体部１２１に電気的に接続された、外部接続用の電極１２３（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
図１８は半導体パッケージの一例を示す図である。図１８は半導体パッケージの一例の要部断面模式図である。
図１８に示す半導体パッケージ２００は、パッケージ基板（回路基板）３００と、パッケージ基板３００上に搭載された半導体素子４００と、半導体素子４００を封止する封止層５００とを有する。
パッケージ基板３００には、例えば、プリント基板が用いられる。パッケージ基板３００は、導体部３１０（配線及びビア）と、導体部３１０を覆う絶縁部３２０とを有する。導体部３１０には、銅、アルミニウム等の各種導体材料が用いられる。絶縁部３２０には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料をガラス繊維や炭素繊維に含浸した複合樹脂材料等が用いられる。
このようなパッケージ基板３００上に、半導体素子４００が、それに設けられた半田バンプ等の接続部４１０で電気的に接続（フリップチップボンディング）される。パッケージ基板３００と半導体素子４００の間には、アンダーフィル樹脂５１０が充填される。パッケージ基板３００上の半導体素子４００は、封止層５００で封止される。封止層５００には、エポキシ樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料に絶縁性フィラーを含有させた材料等が用いられる。パッケージ基板３００の、半導体素子４００搭載面と反対側の表面には、内部の導体部３１０に電気的に接続された、外部接続用の電極３１１（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
尚、このような構成を有する半導体パッケージ２００において、パッケージ基板３００と半導体素子４００の間のアンダーフィル樹脂５１０を、上記第１〜第７の実施の形態で述べたような手法を用いて設けることが可能である。
また、半導体素子４００は、パッケージ基板３００にワイヤボンディングで電気的に接続されてもよい。更にまた、パッケージ基板３００上には、複数の半導体素子４００が搭載されてもよく、半導体素子４００のほか、チップコンデンサ等の他の電子部品が搭載されてもよい。
図１９は回路基板の一例を示す図である。図１９は回路基板の一例の要部断面模式図である。
図１９には、回路基板６００として、複数の配線層を含む多層プリント基板を例示している。回路基板６００は、上記図１８に示したパッケージ基板３００と同様、銅、アルミニウム等の導体部６１０（配線及びビア）と、導体部６１０を覆う樹脂材料等の絶縁部６２０とを有する。回路基板６００には、内部の導体部６１０に電気的に接続された、外部接続用の電極６１１（上記の電極１１又は電極２１に相当）が設けられる。
上記第１〜第７の実施の形態で述べたような電子部品１０、電子部品２０には、例えば図１７〜図１９に例示したような半導体素子１００、半導体パッケージ２００、回路基板６００を、用いることが可能である。
尚、電子部品１０と電子部品２０の組合せとしては、例えば、半導体素子と回路基板の組合せ、半導体パッケージと回路基板の組合せ、半導体素子と半導体パッケージの組合せがある。このほか、電子部品１０と電子部品２０の組合せとしては、半導体素子同士の組合せ、半導体パッケージ同士の組合せ、回路基板同士の組合せがある。
上記第１〜第７の実施の形態で述べたような手法によれば、接続部で接続された電子部品間に効率的にアンダーフィル樹脂を供給することが可能になる。アンダーフィル樹脂で接続部が覆われ、且つ、アンダーフィル樹脂で電子部品同士が接着された、接続信頼性に優れる各種電子装置を、効率的に製造することが可能になる。
以下に実施例について述べる。
〔実施例１〕
平面サイズが３０ｍｍ×５０ｍｍで厚みが１００μｍの半導体素子と、平面サイズが６０ｍｍ×７２ｍｍの回路基板を準備した。半導体素子及び回路基板は、互いの対応する位置に、ピッチが１５０μｍで径が７５μｍの電極を備える。電極は、銅層上にニッケル層を形成した構造を有する。このような半導体素子と回路基板を対向させ、互いの電極を、Ｓｎ−Ａｇ半田（Ａｇ：１．５ｗｔ％）を用いて接続し、構造体を得た。
得られた構造体の、半導体素子上（回路基板との接続部と反対側の背面）の縁部に、半導体素子の隣接する二辺に沿った平面Ｌ字形状のダムを設けた。ダムの高さ（半導体素子側の底面からの高さ）は６００μｍ、幅は１００μｍとした。ダムの外面は、半導体素子の外側に向かって傾斜した傾斜面とした。ダムの外面の傾斜角度は４５°とした。ダムは、接着材を用いて半導体素子の背面に接着した。
構造体にダムを設けた後、ディスペンサを用い、平面Ｌ字形状のダムに沿ってその外面及び半導体素子の側面に、アンダーフィル樹脂を配置した。アンダーフィル樹脂の配置は、構造体を載置するステージの温度を９０℃とし、ディスペンサの吐出圧を３００ｋＰａ、移動速度を４ｍｍ／秒、回路基板とのギャップを５００μｍとした条件で行った。配置されたアンダーフィル樹脂は、半導体素子と回路基板の隙間に進入していき、約１分で半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂が供給（充填）された。
半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂を供給した後、１５０℃で２時間の加熱を行い、アンダーフィル樹脂を硬化させた。その後、半導体素子とダムの間の接着材を、アセトンを用いて溶解し、半導体素子からダムを除去した。
一方、比較例として、半導体素子と回路基板を、Ｓｎ−Ａｇ半田（Ａｇ：１．５ｗｔ％）を用いて接続し、半導体素子上にはダムを設けていない構造体を準備した。その半導体素子の隣接する二辺に沿った側面に、ディスペンサを用いてアンダーフィル樹脂を配置した。アンダーフィル樹脂の配置は、ダムを設けていない構造体を載置するステージの温度を９０℃とし、ディスペンサの吐出圧を８０ｋＰａ、移動速度を４ｍｍ／秒、回路基板とのギャップを１００μｍとした条件で行った。配置されたアンダーフィル樹脂は、半導体素子と回路基板の隙間に進入していき、約２５分で半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂が供給（充填）された。半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂を供給した後、１５０℃で２時間の加熱を行い、アンダーフィル樹脂を硬化させた。
ダムを設けることで、半導体素子の厚みが１００μｍと比較的薄い場合でも、アンダーフィル樹脂の充填速度を約２５分の１に短縮できることが確認された。
〔実施例２〕
平面サイズが３０ｍｍ×５０ｍｍで厚みが１００μｍの半導体素子と、平面サイズが６０ｍｍ×６０ｍｍの回路基板を準備した。半導体素子及び回路基板は、互いの対応する位置に、中央領域にピッチが１００μｍで径が５０μｍの電極を備え、その外側領域（半導体素子の外縁から５ｍｍ程度の領域）にピッチが１５０μｍで径が７５μｍの電極を備える。電極は、銅層上にニッケル層を形成した構造を有する。このような半導体素子と回路基板を対向させ、互いの電極を、Ｓｎ−Ａｇ半田（Ａｇ：１．５ｗｔ％）を用いて接続し、構造体を得た。
得られた構造体の、半導体素子上（回路基板との接続部と反対側の背面）の縁部に、半導体素子の一辺に沿ってダムを設けた。ダムの高さ（半導体素子側の底面からの高さ）は、半導体素子と回路基板の接続部の中央領域に対応する部位（ダム部）を６００μｍ、その外側領域に対応する部位（ダム部）を３００μｍとした。ダムの幅は１００μｍとした。ダムは、接着材を用いて半導体素子の背面に接着した。
構造体にダムを設けた後、ディスペンサを用い、ダムに沿ってその側面（外面）及び半導体素子の側面に、アンダーフィル樹脂を配置した。アンダーフィル樹脂の配置は、構造体を載置するステージの温度を９０℃とし、ディスペンサの吐出圧を３００ｋＰａ、回路基板とのギャップを４００μｍとした条件で行った。この時のディスペンサの移動速度は、半導体素子と回路基板の接続部の中央領域に対応するダム部の領域で２ｍｍ／秒、その外側領域に対応するダム部の領域で４ｍｍ／秒とした。配置されたアンダーフィル樹脂は、半導体素子と回路基板の隙間に進入していき、約１分で半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂が供給（充填）された。
半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂を供給した後、１５０℃で２時間の加熱を行い、アンダーフィル樹脂を硬化させた。その後、半導体素子とダムの間の接着材を、アセトンを用いて溶解し、半導体素子からダムを除去した。
この実施例２で得られた電子装置について超音波断面観察を行った結果、アンダーフィル樹脂中にボイドは認められなかった。
一方、比較例として、半導体素子と回路基板を、Ｓｎ−Ａｇ半田（Ａｇ：１．５ｗｔ％）を用いて接続し、半導体素子上にはダムを設けていない構造体を準備した。その半導体素子の一辺に沿った側面に、ディスペンサを用いてアンダーフィル樹脂を配置した。アンダーフィル樹脂の配置は、ダムを設けていない構造体を載置するステージの温度を９０℃とし、ディスペンサの吐出圧を８０ｋＰａ、移動速度を４ｍｍ／秒、回路基板とのギャップを１００μｍとした条件で行った。配置されたアンダーフィル樹脂は、半導体素子と回路基板の隙間に進入していき、約２５分で半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂が供給（充填）された。半導体素子と回路基板の間にアンダーフィル樹脂を供給した後、１５０℃で２時間の加熱を行い、アンダーフィル樹脂を硬化させた。
この比較例で得られた電子装置について超音波断面観察を行った結果、アンダーフィル樹脂中の、半導体素子と回路基板の接続部の中央領域とその外側領域との境界に、ボイドが数点認められた。
ダムを設けることで、半導体素子の厚みが１００μｍと比較的薄い場合でも、アンダーフィル樹脂の充填速度を約２０分の１に短縮できることが確認された。また、ダムを設けることで、半導体素子と回路基板の接続部の密度に疎密が存在する場合でも、ボイドの発生を抑えてアンダーフィル樹脂を充填できることが確認された。
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
前記第１電子部品の、前記接続部群の配置面と反対側の第１表面の縁部に配置されたダムと
を含む構造体を準備する工程と、
前記構造体の、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に、前記第１電子部品の、前記ダムが配置された前記縁部の側面側から樹脂を供給する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記２） 前記樹脂を供給する工程は、前記ダムの、前記第１電子部品の外側に面する側面と、前記第１電子部品の、前記ダムが配置された前記縁部の側面とに、前記樹脂を配置する工程を含むことを特徴とする付記１に記載の電子装置の製造方法。
（付記３） 前記ダムは、前記第１表面の前記縁部に部分的に配置されることを特徴とする付記１又は２に記載の電子装置の製造方法。
（付記４） 前記ダムは、
前記第１表面から第１高さの第１ダム部と、
前記第１表面から前記第１高さよりも低い第２高さの第２ダム部と
を有することを特徴とする付記１乃至３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記５） 前記第１電子部品と前記第２電子部品の間には、
前記接続部群が第１密度の第１領域と、
前記接続部群が前記第１密度よりも低い第２密度の第２領域と
が含まれ、
前記ダムは、
前記第１領域に対応して前記第１ダム部が配置され、
前記第２領域に対応して前記第２ダム部が配置されることを特徴とする付記４に記載の電子装置の製造方法。
（付記６） 前記樹脂を供給する工程は、
前記第１ダム部の、前記第１電子部品の外側に面する側面と、前記第１電子部品の前記縁部のうち前記第１ダム部が位置する第１縁部の側面とに、第１量の前記樹脂を配置する工程と、
前記第２ダム部の、前記第１電子部品の外側に面する側面と、前記第１電子部品の前記縁部のうち前記第２ダム部が位置する第２縁部の側面とに、前記第１量よりも少ない第２量の前記樹脂を配置する工程と
を含むことを特徴とする付記４又は５に記載の電子装置の製造方法。
（付記７） 前記ダムは、前記第１電子部品の外側に面する側面が、前記第１表面に対して前記外側に傾斜していることを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記８） 前記ダムは、前記第１電子部品の外側に面する側面に、前記第１電子部品と前記第２電子部品の対向方向と交差する方向に延在された溝を有することを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記９） 前記構造体を準備する工程は、
前記第１電子部品を準備する工程と、
前記第２電子部品を準備する工程と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品とを前記接続部群で接続する工程と、
前記接続部群で前記第２電子部品と接続された前記第１電子部品に前記ダムを配置する工程と
を含むことを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１０） 前記構造体を準備する工程は、
前記第１電子部品を準備する工程と、
前記第２電子部品を準備する工程と、
準備された前記第１電子部品に前記ダムを配置する工程と、
前記ダムが配置された前記第１電子部品と前記第２電子部品とを前記接続部群で接続する工程と、
を含むことを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１１） 前記樹脂を供給する工程後に、前記ダムを前記第１電子部品から除去する工程を更に含むことを特徴とする付記１乃至１０のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
（付記１２） 第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
前記第１電子部品の、前記接続部群の配置面と反対側の第１表面の縁部に配置されたダムと、
前記接続部群で接続された前記第１電子部品と前記第２電子部品の間、及び前記第１電子部品の側面に配置され、前記ダムに接するフィレット部を有する樹脂と
を含むことを特徴とする電子装置。
（付記１３） 第１電子部品と、
前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
前記接続部群で接続された前記第１電子部品と前記第２電子部品の間、及び前記第１電子部品の側面に配置され、前記第１電子部品の前記第２電子部品側と反対の第１表面から突出するフィレット部を有する樹脂と
を含むことを特徴とする電子装置。
１ａ，１ｂ，１ｂａ，１ｃ，１ｄａ，１ｄｂ，１ｅａ，１ｅｂ，１ｆ，１ｇ 構造体
１Ａ 電子装置
１０，２０ 電子部品
１０ａ，２０ａ 表面
１１，２１，１２３，３１１，６１１ 電極
２０ｂ 背面
２０ｃ 縁部
２０ｄ 辺
２０ｅ，４１ 側面
３０，４１０ 接続部
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ，４０Ｅａ，４０Ｅｂ，４０Ｆ，４０Ｇ ダム
４０Ｂａ，４０Ｂｂ，４０Ｃａ，４０Ｃｂ ダム部
４１ａ 溝
５０ 接着材
６０，５１０ アンダーフィル樹脂
６１ フィレット
６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｆ，６１ｇ フィレット部
７０ 隙間
８０ 供給装置
１００，４００ 半導体素子
１１０ 半導体基板
１１０ａ 素子分離領域
１２０ 配線層
１２１，３１０，６１０ 導体部
１２２，３２０，６２０ 絶縁部
１３０ ＭＯＳトランジスタ
１３１ ゲート絶縁膜
１３２ ゲート電極
１３３ ソース領域
１３４ ドレイン領域
１３５ スペーサ
２００ 半導体パッケージ
３００ パッケージ基板
５００ 封止層
６００ 回路基板

Claims (9)

  1. 第１電子部品と、
    前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
    前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
    前記第１電子部品の、前記接続部群の配置面と反対側の第１表面の縁部に配置されたダムと
    を含む構造体を準備する工程と、
    前記構造体の、前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に、前記第１電子部品の、前記ダムが配置された前記縁部の側面側から樹脂を供給する工程と
    を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
  2. 前記ダムは、
    前記第１表面から第１高さの第１ダム部と、
    前記第１表面から前記第１高さよりも低い第２高さの第２ダム部と
    を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
  3. 前記第１電子部品と前記第２電子部品の間には、
    前記接続部群が第１密度の第１領域と、
    前記接続部群が前記第１密度よりも低い第２密度の第２領域と
    が含まれ、
    前記ダムは、
    前記第１領域に対応して前記第１ダム部が配置され、
    前記第２領域に対応して前記第２ダム部が配置されることを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
  4. 前記樹脂を供給する工程は、
    前記第１ダム部の、前記第１電子部品の外側に面する側面と、前記第１電子部品の前記縁部のうち前記第１ダム部が位置する第１縁部の側面とに、第１量の前記樹脂を配置する工程と、
    前記第２ダム部の、前記第１電子部品の外側に面する側面と、前記第１電子部品の前記縁部のうち前記第２ダム部が位置する第２縁部の側面とに、前記第１量よりも少ない第２量の前記樹脂を配置する工程と
    を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の電子装置の製造方法。
  5. 前記ダムは、前記第１電子部品の外側に面する側面が、前記第１表面に対して前記外側に傾斜していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  6. 前記ダムは、前記第１電子部品の外側に面する側面に、前記第１電子部品と前記第２電子部品の対向方向と交差する方向に延在された溝を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  7. 前記樹脂を供給する工程後に、前記ダムを前記第１電子部品から除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  8. 第１電子部品と、
    前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
    前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
    前記第１電子部品の、前記接続部群の配置面と反対側の第１表面の縁部に配置されたダムと、
    前記接続部群で接続された前記第１電子部品と前記第２電子部品の間、及び前記第１電子部品の側面に配置され、前記ダムに接するフィレット部を有する樹脂と
    を含むことを特徴とする電子装置。
  9. 第１電子部品と、
    前記第１電子部品と対向する第２電子部品と、
    前記第１電子部品と前記第２電子部品の間に配置され、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する接続部群と、
    前記接続部群で接続された前記第１電子部品と前記第２電子部品の間、及び前記第１電子部品の側面に配置され、前記第１電子部品の前記第２電子部品側と反対の第１表面から突出するフィレット部を有する樹脂と
    を含むことを特徴とする電子装置。
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