JP2015126082A - 半導体チップのピックアップ方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ダイシングテープが拡張することを抑制できる半導体チップのピックアップ方法を提供する。【解決手段】ダイシングテープ10として基材11に接着剤からなる粘着剤12が配置されたものを用い、粘着剤12に複数の半導体チップ20が接着されたものを用意する。そして、ダイシングテープ10の一面10aと反対側の他面10bのうちのピックアップする半導体チップ20と対向する部分に冷却素子30を当接することにより、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着している部分を当該粘着剤12のガラス転移点温度以下の温度に冷却した後、コレット40を用いて半導体チップ20を吸引することによって当該半導体チップ20をダイシングテープ10からピックアップする。【選択図】図1
Description
本発明は、ダイシングテープに接着された半導体チップをダイシングテープからピックアップする半導体チップのピックアップ方法に関するものである。
従来より、この種のピックアップ方法として、例えば、特許文献1に次の方法が開示されている。すなわち、このピックアップ方法では、まず、ダイシングテープの一面上に複数の半導体チップが接着されたものを用意し、ダイシングテープをエキスパンド(拡張)して隣接する半導体チップ間の距離を確保する。そして、このものを治具に設置して固定した後、ダイシングテープのうちの半導体チップ側と反対側の他面から突き上げピンによってダイシングテープを突き上げる。これにより、突き上げピンによって突き上げられた部分では半導体チップの外縁部がダイシングテープから剥離し、ダイシングテープと半導体チップとの接着面積が低下する。つまり、ダイシングテープと半導体チップとの接着力が低下する。その後、突き上げられたダイシングテープ上の半導体チップをコレットによって吸着することにより、半導体チップをダイシングテープからピックアップする。
なお、ダイシングテープとしては、樹脂等の基材上に一般的な接着剤等の粘着剤が配置されたものが用いられる。また、ダイシングテープをエキスパンドするのは、ダイシングテープを突き上げピンによって突き上げたときに、隣接する半導体チップ同士が接触することを抑制するためである。
しかしながら、上記特許文献1のピックアップ方法では、ダイシングテープをエキスパンドするため、ダイシングテープが元の状態に戻らずに剛性が低くなる。このため、ダイシングテープ上から一部の半導体チップのみをピックアップした後、残りの半導体チップがダイシングテープに接着された状態でこれを保管する場合、半導体チップ同士が接触して半導体チップが損傷することがあるという問題がある。
すなわち、残りの半導体チップがダイシングテープに接着された状態でこれを保管する場合、ダイシングテープを治具から取り外して搬送することになるが、ダイシングテープはエキスパンドされて剛性が低いために搬送中に弛んだり、撓んだりし易い。したがって、搬送する際にダイシングテープ上の半導体チップ同士が接触し易く、半導体チップが損傷することがある。
本発明は上記点に鑑みて、ダイシングテープをエキスパンドすることなく、ダイシングテープから半導体チップをピックアップできる半導体チップのピックアップ方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、ダイシングテープ(10)の一面(10a)上に複数の半導体チップ(20)が接着されたものを用意する工程と、半導体チップをダイシングテープからピックアップする工程と、を行う半導体チップのピックアップ方法において、以下の点を特徴としている。
すなわち、複数の半導体チップが接着されたものを用意する工程では、ダイシングテープとして基材(11)に接着剤からなる粘着剤(12)が配置されたものを用い、粘着剤に複数の半導体チップが接着されたものを用意し、ピックアップする工程では、ダイシングテープの一面と反対側の他面(10b)のうちのピックアップする半導体チップと対向する部分に冷却素子(30)を当接することにより、粘着剤のうちのピックアップする半導体チップを接着している部分を当該粘着剤のガラス転移点温度以下の温度に冷却した後、コレット(40)を用いて半導体チップを吸引することによって当該半導体チップをダイシングテープからピックアップすることを特徴としている。
これによれば、粘着剤のうちのピックアップする半導体チップを接着している部分を当該粘着剤のガラス転移点温度以下まで冷却し、粘着剤の接着力を低下させている。このため、ダイシングテープを突き上げピン等で突き上げることなく、半導体チップをダイシングテープからピックアップできる。つまり、ダイシングテープを突き上げピンで突き上げる必要がないため、ダイシングテープをエキスパンドする必要がない。したがって、半導体チップの一部をピックアップした後、残りの半導体チップをダイシングテープに接着されたままの状態で搬送する際に、半導体チップ同士が接触して半導体チップが損傷することを抑制できる。
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態における半導体チップのピックアップ方法について、図面を参照しつつ説明する。
本発明の第1実施形態における半導体チップのピックアップ方法について、図面を参照しつつ説明する。
図1(a)に示されるように、まず、ダイシングテープ10の一面10aに複数の半導体チップ20が接着されたものを用意する。具体的には、トランジスタ等の半導体素子が各チップ形成領域に形成された半導体ウェハを用意し、半導体ウェハの一面にダイシングテープ10を貼り付ける。そして、半導体ウェハをダイシングテープ10側と反対側からダイシングして複数の半導体チップ20に分離することにより、ダイシングテープ10の一面10aに複数の半導体チップ20が接着されたものを用意する。
なお、本実施形態では、ダイシングテープ10として、樹脂等の基材11に一般的な接着剤等の粘着剤12が配置されたものを用いる。そして、粘着剤12上に半導体チップ20が配置されている。
次に、図1(b)に示されるように、このものを図示しない治具に固定した後、ダイシングテープ10の他面10bのうちのピックアップする半導体チップ20(図1中の紙面では最も右側の半導体チップ20)と対向する部分に冷却素子30を当接する。そして、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着している部分をガラス転移点温度以下まで冷却し、粘着剤12の接着力(粘度)を低下させる。
例えば、粘着剤12としてアクリル酸ブチルを用いた場合には、ガラス転移点温度が−55℃であるため、本実施形態では、粘着剤12が−60℃程度となるように冷却する。なお、冷却素子30としては、ペルチェ素子や、ドライアイスまたは液体窒素等の低温物質で冷却したコレット等が用いられる。
そして、図1(c)に示されるように、コレット40を用いて半導体チップ20をダイシングテープ10からピックアップする。具体的には、まず、コレット40の先端面をピックアップする半導体チップ20に当接させる。なお、本実施形態では、コレット40は、先端面が平坦な面とされたいわゆる平コレットを用いている。そして、図示しない吸着機構を駆動して真空吸引することにより、半導体チップ20をダイシングテープ10からピックアップする。このとき、図1(b)の工程において、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着している部分の接着力を低下させているため、半導体チップ20をダイシングテープ10から容易にピックアップすることができる。
以上説明したように、本実施形態では、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着している部分を当該粘着剤12のガラス転移点温度以下まで冷却し、粘着剤12の接着力を低下させている。このため、ダイシングテープ10を突き上げピン等で突き上げることなく、半導体チップ20をダイシングテープ10からピックアップできる。つまり、ダイシングテープ10を突き上げピン等で突き上げる必要がないため、ダイシングテープ10をエキスパンドする必要がない。したがって、複数の半導体チップ20の一部をピックアップした後、残りの半導体チップ20をダイシングテープ10に接着されたままの状態で搬送する際に、半導体チップ20同士が接触して半導体チップ20が損傷することを抑制できる。
ところで、粘着剤として紫外線硬化性樹脂等のような特殊な材料を用いた半導体チップのピックアップ方法も知られている。このピックアップ方法では、粘着剤に紫外線を照射することによって粘着剤を硬化した後に半導体チップをピックアップするため、ダイシングテープが拡張することを抑制できる。しかしながら、このような半導体チップのピックアップ方法では、粘着剤として特殊な材料を用いる必要がある。これに対し、本実施形態では、粘着剤12を粘着剤12のガラス転移点温度以下まで冷却することによって粘着剤12の接着力を低下させている。このため、粘着剤12として一般的な接着剤等を用いることができ、汎用性を向上できる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して冷却素子30をダイシングテープ10に当接させる際に半導体チップ20にコレット40を当接させるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して冷却素子30をダイシングテープ10に当接させる際に半導体チップ20にコレット40を当接させるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図2(a)に示されるように、本実施形態では、ダイシングテープ10に冷却素子30を当接させる際、半導体チップ20にコレット40を同時に当接させる。その後は、上記と同様に、冷却素子30にて冷却した後に、コレット40によって半導体チップ20をダイシングテープ10からピックアップする。
これによれば、冷却素子30をダイシングテープ10に当接させる際に半導体チップ20にコレット40を同時に当接させる。このため、冷却素子30からダイシングテープ10に当接させる際に発生する押圧力と、コレット40から半導体チップ20(ダイシングテープ10)に当接させる際に発生する押圧力とを相殺することができる。このため、冷却素子30およびコレット40によってダイシングテープ10が拡張することも抑制できる。
(第3実施形態)
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して冷却素子30の大きさを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して冷却素子30の大きさを変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図3に示されるように、本実施形態では、ダイシングテープ10の他面10bのうちのピックアップされる半導体チップ20と対向する全面を含みつつ、ピックアップする半導体チップ20と隣接する半導体チップ20と対向する部分には当接しないように、冷却素子30を当接させる。つまり、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着する部分の全てを冷却すると共に、ピックアップしない半導体チップ20を接着する部分を冷却しないように、冷却素子30を当接させる。
これによれば、粘着剤12のうちのピックアップする半導体チップ20を接着する部分の全ての部分の接着力を低下でき、半導体チップ20を容易にピックアップできる。また、半導体チップ20を容易にピックアップできるため、ピックアップする時間の短縮も図ることができる。
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
例えば、上記各実施形態を組み合わせることもできる。例えば、上記第2実施形態を上記第3実施形態に組み合わせ、ダイシングテープ10に冷却素子30を当接する際に半導体チップ20にコレット40を同時に当接させるようにしてもよい。
10 ダイシングテープ
10a 一面
11 基材
12 粘着剤
20 半導体チップ
10a 一面
11 基材
12 粘着剤
20 半導体チップ
Claims (3)
- ダイシングテープ(10)の一面(10a)上に複数の半導体チップ(20)が接着されたものを用意する工程と、
前記半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップする工程と、を行う半導体チップのピックアップ方法において、
前記複数の半導体チップが接着されたものを用意する工程では、前記ダイシングテープとして基材(11)に接着剤からなる粘着剤(12)が配置されたものを用い、前記粘着剤に前記複数の半導体チップが接着されたものを用意し、
前記ピックアップする工程では、前記ダイシングテープの一面と反対側の他面(10b)のうちのピックアップする前記半導体チップと対向する部分に冷却素子(30)を当接することにより、前記粘着剤のうちのピックアップする前記半導体チップを接着している部分を当該粘着剤のガラス転移点温度以下の温度に冷却した後、コレット(40)を用いて前記半導体チップを吸引することによって当該半導体チップを前記ダイシングテープからピックアップすることを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。 - 前記ピックアップする工程では、前記ダイシングテープに前記冷却素子を当接させるのと同時に、ピックアップする前記半導体チップに前記コレットを当接させることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップのピックアップ方法。
- 前記ピックアップする工程では、前記ダイシングテープの他面のうちのピックアップする前記半導体チップと対向する部分の全面を含みつつ、ピックアップする前記半導体チップと隣接する前記半導体チップと対向する部分には当接しないように、前記冷却素子を当接させることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体チップのピックアップ方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
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