JP2015122540A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2015051636A JP5896346B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 炭化珪素半導体 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2014089900A Division JP2014166957A (ja) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015122540A JP2015122540A (ja) | 2015-07-02 |
| JP2015122540A5 true JP2015122540A5 (enExample) | 2015-12-24 |
| JP5896346B2 JP5896346B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=53533848
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015051636A Expired - Lifetime JP5896346B2 (ja) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 炭化珪素半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5896346B2 (enExample) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115961346A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-14 | 深圳市重投天科半导体有限公司 | 大尺寸碳化硅外延气体供应装置及供应方法 |
| CN117373913B (zh) * | 2023-10-19 | 2025-05-16 | 瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 | 一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺 |
| CN118064871B (zh) * | 2023-12-29 | 2025-05-09 | 苏州精材半导体科技有限公司 | 一种电阻率均匀的碳化硅膜及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6177700A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-21 | Nec Corp | 2−6族化合物半導体への窒素ド−ピング方法 |
| JP2749898B2 (ja) * | 1989-08-21 | 1998-05-13 | 昭和電工株式会社 | 半導体SiC単結晶の製造法 |
| JPH04111419A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体気相成長法および装置 |
| JPH0570295A (ja) * | 1991-03-28 | 1993-03-23 | Tdk Corp | 単結晶炭化珪素の形成方法 |
| JPH0629228A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Nec Corp | 結晶成長方法 |
| JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
| JP3671532B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2005-07-13 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| JP3650727B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2005-05-25 | Hoya株式会社 | 炭化珪素製造方法 |
| JP4374786B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2009-12-02 | 住友電気工業株式会社 | Cvd装置および薄膜製造方法 |
| US6759327B2 (en) * | 2001-10-09 | 2004-07-06 | Applied Materials Inc. | Method of depositing low k barrier layers |
| JP4284944B2 (ja) * | 2002-08-23 | 2009-06-24 | ソニー株式会社 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法 |
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2015
- 2015-03-16 JP JP2015051636A patent/JP5896346B2/ja not_active Expired - Lifetime
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