JP5943509B2 - 炭化珪素基板への成膜方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 18
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title description 33
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 29
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 65
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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Description
これに対し、炉内の温度分布の与える影響を軽減するために、ウェハをトレーに乗せて炉内で回転させる方法が提案されている。しかしながら、この方式を用いても回転トレーの内部で温度分布が生じるため、ウェハが大口径化するに伴い、温度分布の影響が避けられなくなる。
また、成長条件(C/Si比)を調整して若干の改善はできるが、表面粗さ、表面欠陥密度や膜厚分布などの他の膜特性に影響を与えるために、実用困難なことが多い。
[1]SiC基板上に導電型のSiC膜をエピタキシャル成長させる方法において、
主たるドーパントである第1のドーパントを含む反応ガスを流しつつ、該第1のドーパントとは取込まれる原子位置が異なる第2のドーパントを、そのエピタキシャル膜中への取込量が、第1のドーパントの膜中への取込量と同量未満になるように流すことにより、ドーピング濃度分布を均一化することを特徴とするエピタキシャルSiC膜の成膜方法。
[2]前記第1のドーパントと前記第2のドーパントの組み合わせが、窒素とアルミニウム、窒素とリン、ボロンとアルミニウム、或いはボロンとリン、の組み合わせから選択されることを特徴とする[1]に記載のエピタキシャルSiC膜の成膜方法。
[3]前記第1ドーパントの取込量が、2.0×1015cm-3以上、5.0×1016cm-3未満である[1]又は[2]に記載のエピタキシャルSiC膜の成膜方法。
方法。
[4][1]〜[3]のいずれかに記載の方法を用いて作成した炭化珪素半導体装置。
しかし本発明では、第2ドーパントも制御して、一定量ドープすることで、濃度分布の均一性を向上させることが特徴である。
本発明において、第1ドーパントと第2ドーパントの具体的な組み合わせは、「窒素とアルミニウム」、「窒素とリン」、「ボロンとアルミニウム」、または「ボロンとリン」である。
すなわち、第1ドーパント1と第2ドーパント2が異なる導電型の場合は、図1に示すように、両者の温度依存性が同じ傾向で、かつ第2ドーパントの温度依存性が、第1ドーパントよりも大きいことが必要である。また、第1ドーパントと第2ドーパントが同じ導電型の場合は、図2に示すように、第1ドーパントと第2ドーパントの取り込み量の温度依存性が逆の傾向であることが必要である。
なお、図1、2において、横軸は、後述する図3の装置において、回転する円形トレー上に均等間隔で配置した4枚のうちの1つの基板(ウェハ)の中心(0)からの位置(mm)を表しており、+は、円形トレーの外周側の位置であることを意味し、−は、円形トレーの中心側の位置であることを意味している。
本発明者らが調べた結果、C面基板上へのエピタキシャル成長を1600〜1700℃、6〜10kPa、C/Si比(Si系原料ガスとC系原料ガスの流量比)1.0〜1.5の範囲においては、アルミニウムの温度依存性が小さく、窒素の温度依存性が大きいことが分かった。
そこで、成長中にアルミニウムをドープする際に、窒素を同時にドープした結果、後述する実施例に示すとおり、p型のドーピング濃度の均一性が大幅に改善した。なお、図3は用いた装置の概略構成を示す断面図であるが、該装置については実施例に記載する。
この際、窒素の取込量は、アルミニウムの取込量未満でなければならない。またC面は元来、窒素を取込易いため、制御できる窒素取込量としては2.0×1015cm-3以上が望ましい。さらにまた、窒素取込量5.0×1016cm-3以上になると、不純物散乱による移動度の低下が懸念されるため、望ましくない。
その場合もアルミニウムの取込量は、窒素の取込量未満でなければならない。また、アルミニウムの取込量としては、制御性の観点から、2.0×1015cm-3以上が望ましい。さらにまた、アルミニウム取込量5.0×1016cm-3以上になると、不純物散乱による移動度の低下が懸念されるため、望ましくない。
本実施例では図3に示す装置を用いて実験をおこなった。
図3に示す装置は、SiCのエピタキシャル膜の成膜装置として一般的な横型ホットウォール成膜装置の加熱部の概略構成を示す断面図である。加熱部は、石英管と、その内側に断熱材(図示せず)を介して配置されたホットウォールからなる反応室、該反応室内に設置されたサセプタ、該サセプタに支持された基板(ウェハ)、及び石英管に巻かれた高周波加熱コイルから構成されている。本実施例に用いた装置では、ウェハを、円形トレー上に均等間隔で4枚配置して炉内で回転させている。
基板(ウェハ)上にSiCエピタキシャル膜を成膜するための反応ガス(矢印)が、図示しない流入口から導入され加熱部に達すると、高周波加熱コイルにより誘導加熱されたホットウォールによって加熱され、反応室空間に置かれたサセプタに取り付けられるウェハ上で、熱CVD法によってエピタキシャルSiC膜が成膜される。
また同様に、TMA(トリメチルアルミニウム)を用いてp型のドーパントであるアルミニウムを単独でドープしたところ、こちらもトレーの中心から端部の方向に単調増加する濃度分布が得られ、σ/meanで12.6%であることが分かった。
トレーの中心から端部の方向のp型ドーピング濃度(Na−Nd)を調べたところ、σ/mean(標準偏差/平均)で3.4%となり、アルミニウム単体の取込量分布よりも大幅に改善していることが分かった。
Claims (1)
- SiC基板上にp型のSiC膜をエピタキシャル成長させる方法において、
アルミニウムからなる主たるドーパントである第1のドーパントを含む反応ガスを、取込量が2.0×10 15 cm -3 以上、5.0×10 16 cm -3 未満となるように流しつつ、窒素からなる第2のドーパントを、そのエピタキシャル膜中への取込量が、前記第1のドーパントの膜中への取込量と同量未満になるように流すことを特徴とするエピタキシャルSiC膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082344A JP5943509B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 炭化珪素基板への成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012082344A JP5943509B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 炭化珪素基板への成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211500A JP2013211500A (ja) | 2013-10-10 |
JP5943509B2 true JP5943509B2 (ja) | 2016-07-05 |
Family
ID=49529067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012082344A Active JP5943509B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 炭化珪素基板への成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5943509B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016127201A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6374354B2 (ja) | 2015-06-22 | 2018-08-15 | トヨタ自動車株式会社 | SiC結晶の製造方法 |
JP6857351B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2021-04-14 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP7185088B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-12-06 | 昭和電工株式会社 | SiC基板及びSiCインゴット |
JP7214034B1 (ja) | 2022-06-02 | 2023-01-27 | 昭和電工株式会社 | SiCデバイスの製造方法 |
JP7185089B1 (ja) | 2022-06-02 | 2022-12-06 | 昭和電工株式会社 | SiC基板及びSiCインゴット |
JP7214032B1 (ja) | 2022-06-02 | 2023-01-27 | 昭和電工株式会社 | SiCデバイスの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334214A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-12-02 | Sharp Corp | pn接合型発光ダイオード |
JPH07131067A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-05-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法 |
JP3647515B2 (ja) * | 1995-08-28 | 2005-05-11 | 株式会社デンソー | p型炭化珪素半導体の製造方法 |
US6660084B1 (en) * | 1999-09-06 | 2003-12-09 | Sixon, Inc. | Sic single crystal and method for growing the same |
SE520968C2 (sv) * | 2001-10-29 | 2003-09-16 | Okmetic Oyj | Högresistiv monokristallin kiselkarbid och metod för dess framställning |
WO2006017074A2 (en) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Ii-Vi Incorporated | Low-doped semi-insulating sic crystals and method |
JP2007320790A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板 |
JP2011205059A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-10-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板製造方法及び基板処理装置 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012082344A patent/JP5943509B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013211500A (ja) | 2013-10-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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