JP3671532B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体発光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
可視光短波長領域の発光素子として化合物半導体を用いたものが知られている。なかでも3族窒化物半導体、特にGaN系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率が高く、かつ光の3原色の1つである青色発光すること等から、昨今特に注目を集めている。
【0003】
GaN系の半導体層は有機金属気相成長法(MOVPE)により形成される。この成長法においては、アンモニアガスと3族元素のアルキル化合物ガス、例えばトリメチルガリウム(TMG)、トリメチルアルミニウム(TMA)やトリメチルインジウム(TMI)とを適当な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、もって所望の3族窒化物半導体を基板上に結晶成長させる。
【0004】
このような有機金属気相成長法において、ヘテロ構造の発光素子を形成するには、GaN系の半導体層をp伝導型にする必要がある。しかし、マグネシウム等のアクセプタを単にドープしても当該GaN系の半導体層はp伝導型とならず、高抵抗の半絶縁性となってしまう。すなわち、GaN系の半導体層はi型となってしまう。
【0005】
i型のGaN系半導体層をp伝導型化するために、従来では当該i型のGaN系半導体層へ電子線を照射させていた(特開平3ー218625号公報参照)。また、i型のGaN系半導体層を熱処理することでこれをp伝導型にする方法も提案されている。
【0006】
なお、この発明に関連する技術を開示した文献として、特開昭58ー125698号公報及び特開平5ー175124号公報を参照されたい。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
p伝導型化するために上記のようにしてGaN系の半導体層を処理すると、当該半導体層に何らかの悪影響の及ぶおそれがある。特に、半導体層中の水素が半導体層にダメージを与えることが懸念される。p伝導型化されたGaN系の半導体層をNH3雰囲気中で熱処理すると再度高抵抗化してi型に戻ることから、MOVPE法の実行時、アンモニア(NH3)を熱分解したときに生じる水素がGaN系半導体層に取り込まれて、上記の問題を引き起こすと考えられる。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明は、本願発明者の見いだした上記知見に基づいてなされたものである。即ち、アンモニアガスと有機金属化合物ガスを熱分解反応させ、基板上に半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する方法において、アンモニアガスを前記基板へ供給する前に、該アンモニアガスを分解し、該分解したガスを水素吸蔵材料に接触させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。
【0009】
【発明の作用及び効果】
アンモニアガスを3族元素のアルキル化合物に反応させる前に分解し、分解されたガスを水素吸蔵材料に接触させることにより、上記で指摘した問題の水素が事前にこの水素吸蔵材料に吸蔵される。分解されかつ水素吸蔵材料に接触されたガスは基板上において再度加熱されるが、その中の水素は既に吸蔵除去されているので、GaN系の半導体層が結晶成長するとき、その中へアンモニアに起因する水素はほとんど取り込まれなくなる。よって、GaN系の半導体層に対する当該水素の悪影響を可及的にかつ未然に防止できることとなる。
【0010】
また、アンモニアガスから分解した水素を未然に除去することにより、マグネシウム等でドープされたGaN系の半導体層はそのままの状態でp伝導型となる。これは、分解した水素によってドープされたマグネシウムの活性化が阻害されることがなくなるためと考えられる。
よって、マグネシウム等でドープされたGaN系の半導体層に対するp伝導型化処理工程、即ち電子線の照射工程や熱処理工程が不要となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づき図面を参照しながら説明する。
図1は実施例の半導体発光素子の製造方法を実施するときに使用する気相成長装置1の断面図である。この気相成長装置1はアンモニアガスの供給系10、3族元素のアルキル化合物ガス(TMG、TMA、TMI等)及びドーパントガス(シクロペンタジエンマグネシウム(Cp2Mg)、ジエチルジンク(DEZ)シラン等)の供給系20及びリアクタ部30から構成される。
【0012】
アンモニアガス供給系10には加熱部11及び水素吸蔵部15が備えられている。
【0013】
加熱部11は加熱室12、発熱体13及び高周波コイル14から構成される。加熱室12はアンモニアガス供給系10の配管に連通し、その中に発熱体13を備える。発熱体13はアンモニアに対して安定なグラファイトにより形成される。この発熱体13は加熱室12の外周面に巻回された高周波コイル14により約1000℃に誘導加熱される。これにより、加熱室12へ送られてきたアンモニアガスは水素とN−Hに分解されると考えられる。ここで水素は水素分子の状態と活性水素の状態のものが混在していると考えられる。半導体層中に取り込まれて問題を引き起こすものは、活性水素であると考えられる。水素分子はヘリウムと同様にMOVPE法においてキャリアガスとして用いられるものであり、GaN系半導体層に対して別段悪影響を与えるとは考えられない。
【0014】
アンモニアガスを分解するには、発熱体13を900〜1200℃に加熱することが好ましい。
上記の実施例では、誘導加熱により発熱体13を加熱していたが、発熱体13内にニクロム線等の抵抗を埋め込み、これへ外部より通電することにより発熱体13を加熱することもできる。
【0015】
アンモニアガスへ電子線その他の荷電粒子線を照射することによりこれを分解することもできる。
【0016】
水素吸蔵部15は、水素吸蔵室16と水素吸蔵材料製の膜17とから構成される。
【0017】
水素吸蔵室16はアンモニアガス供給系10の配管に連通しており、その中に水素吸蔵材料製の膜17が設けられている。水素吸蔵材料としては、パラジウム、パラジウムー白金合金等の汎用的な水素吸蔵金属、水素吸蔵合金が用いられる。膜17はアンモニアガスが通過できるようポーラスに形成されており、実施例ではパラジウムのメッシュを2〜10数枚重ね合わせる構造とした。膜17はその外周が水素吸蔵室17の内面に実質的に接触するように、即ち水素吸蔵室17の内径の全面に渡るように、配設されている。
【0018】
分解ガス中の水素を吸蔵できる接触面積が確保できれば、水素吸蔵材料の形状は特に限定されない。例えば、パラジウム系水素吸蔵金属の粒子を水素吸蔵室16内に充填する構成でもよい。
【0019】
加熱部11で熱分解されたアンモニアガスをこのような水素吸蔵部15へ通すことにより、分解されたガス中の水素、特に活性水素が水素吸蔵材料製の膜17で吸蔵除去されることとなる。
【0020】
他のガス供給系20にはヘリウムガスをキャリヤガスとして、TMG、TMA、TMI等の材料ガスやCp2Mg等のドーパントガスが流通される。
【0021】
リアクタ部30は次の構成である。石英製の反応管31の中にグラファイト製のサセプタ32が設けられ、反応管31の外周面にサセプタ32を誘導加熱するための高周波コイル35が巻回される。サセプタ32の位置はロッド33を介して図示しない制御機構により制御される。サセプタ32の上には基板34が置かれている。
【0022】
気相成長装置1の他の部分の構成は、例えば特公平5ー73251号公報を参照されたい。
【0023】
次に、上記気相成長装置1を用いた半導体発光素子の製造方法を説明する。
まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したa面を主面とする単結晶サファイア基板34を気相反応装置1の反応管31内のサセプタ32に装着する。次に、常圧でN2を流速2 liter/min で反応管32に流しながら温度1100℃でサファイア基板34を気相エッチングする。
【0024】
次に、温度を400℃まで低下させて、N2を20 liter/min、加熱室11及び水素吸蔵室15を通過してきたNH3を10 liter/min、TMAを1.8 X 10ー5 mol/min で供給して基板34上にAlNのバッファ層を約50nmの厚さに形成する。次にサファイア基板34の温度を1150℃に保持し、TMGを1.12 X 10ー4 mol/min、水素吸蔵室15を通過してきたアンモニアを10 liter/min導入し、膜厚約2200nm、電子濃度2 X 1018/cm3のシリコンドープトGaNからなる高キャリア濃度n層を形成する。
【0025】
続いて、温度を850℃に保持し、N2を20 liter/min、加熱室11及び水素吸蔵室15を通過してきたNH3を10 liter/min、TMGを1.53 X 10ー4 mol/min、TMIを0.02 X 10ー4 mol/min、DEZを2 X 10ー7 mol/min及びシランを10 X 10ー8 mol/min導入し、膜厚約500nmの亜鉛及びシリコンドープトIn0.05Ga0.95Nからなる発光層を形成する。この発光層における亜鉛の濃度は1 X 1018/cm3、シリコンの濃度は1 X 1018/cm3である。
【0026】
次に、温度を850℃に保持し、N2を20 liter/min、加熱室11及び水素吸蔵室15を通過してきたNH3を10 liter/min、TMGを1.12 X 10ー4 mol/min、CP2Mgを2 X 10ー4 mol/min導入し、膜厚約1000nmのマグネシウムドープトGaNからなる上側クラッド層を形成する。この上側クラッド層におけるマグネシウムの濃度は1 X 1020/cm3である。
【0027】
このようにして形成された半導体ウエハ対して、周知の方法で電極を形成し、素子毎に切り分けて、所望の半導体発光素子とする(例えば、特開平8ー46240号公報参照)。
【0028】
上記実施例の製造方法によれば、上側クラッド層及び発光層をp伝導型化するための工程、例えば電子線照射や熱処理の工程が必要とされない。
【0029】
この発明の製造方法は、4元系の3族窒化物半導体発光素子(AlXGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む)に適用できる等、上記の実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施例の製造方法に使用する気相成長装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 気相成長装置
10 アンモニアガス供給系
11 加熱部
15 水素吸蔵部
20 材料ガス供給系
30 リアクタ部
34 基板
Claims (1)
- アンモニアガスと有機金属化合物ガスを熱分解反応させ、基板の上に半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造する方法において、
前記アンモニアガスを前記基板へ供給する前に、該アンモニアガスを分解し、該分解したガスを水素吸蔵材料に接触させることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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