JP4427924B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体を用いた発光素子、特に青色光あるいは紫外線の発光に適した発光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
青色光領域の短波長発光を行なう高輝度発光素子として、AlGaInN系材料が近年注目されているが、特開平11−168262号公報には、安価なZn及びMgの酸化物あるいはその混晶から構成される発光層部を用いた二次元アレー面型発光装置が開示されている。また、海底光ファイバーケーブルの中継器などにおいて、高出力及び高耐久性を実現するために、結晶欠陥形成密度等のスペックが非常に厳しく設定されたInAlAsP/InGaAsP化合物半導体レーザーが使用されている。いずれのデバイスにおいても、発光層部をなす半導体層は、スパッタリングや分子線エピタキシ(MBE:Molecular Beam Epitaxy)あるいは有機金属気相成長法(MOVPE:Metal Organic VapourPhase Epitaxy)などの気相成長法により形成される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、Zn及びMgの酸化物層は真空雰囲気中での気相成長により得られるが、酸素欠損を非常に生じやすいため、導電型が必然的にn型となり、導電性キャリアであるn型キャリア(電子)が少ない結晶を得ること自体が難しい問題である。特に発光素子の実現には、導電型がp型である材料を得ることが不可欠であるが、上記の酸化物結晶は酸素空孔の存在により導電型がn型になる傾向があり、p型結晶や活性層に用いるノンドープの半絶縁性結晶を作成することは、従来、非常に困難であるとみなされていた。他方、それ以外の系の化合物半導体発光素子を気相成長法により製造する場合においても、前記したInAlAsP/InGaAsP化合物半導体レーザーなど、要求品質レベルの非常に高いデバイスにおいては、原料ガスの反応効率のばらつきに起因したわずかな結晶欠陥でも不良につながり、製品歩留まりが大幅に低下してしまう問題がある。
【0004】
本発明の課題は、気相成長法により発光層部をなす半導体層を形成する際に、原料ガスの反応効率を飛躍的に高めることができ、ひいては、従来実現不能であった導電型の半導体層や、結晶欠陥の少ない高品質の半導体層を容易に実現できる発光素子の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記課題を解決するために本発明の発光素子の製造方法は、サファイア基板を配置した反応容器内に原料ガスとして酸素成分源ガスとZn源ガス及びMg源ガスとを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずるMgZnO半導体材料を基板の主表面上に堆積させることにより、該サファイア基板上にp型MgZnO層、MgZnO活性層及びn型MgZnO層をこの順序にて成長した発光層部をなす半導体層を気相成長させる工程を有し、p型MgZnO層を含む半導体層を気相成長する際に、反応容器内に導入された原料ガスとサファイア基板の主表面とに紫外線を照射することを特徴とする。
【0006】
上記の方法によると、原料ガスから半導体材料を生成するための化学反応が紫外線照射により促進されるので、基板主表面上に半導体材料が堆積するときに、結晶欠陥等を生じにくくなり、結晶欠陥の少ない半導体層を容易に実現できる。
【0007】
原料ガスが化学反応して半導体材料を生成する際には、原料ガスを含んだ反応系が反応活性な高エンタルピーの遷移状態に移行する必要がある。この遷移状態に移行するために必要なエネルギーを十分に与えなければ、未反応あるいは反応不完全な状態で形成中の層に吸着を起こす成分が増大し、結晶欠陥の発生につながる。該エネルギーは熱エネルギーの形で補うことが可能であるが、そのためには系の温度を上昇させなければならない。しかし、基板の温度が上昇しすぎると、結晶成長に寄与する半導体材料の付着率が損なわれ、却って結晶欠陥の多い層しか得られなくなってしまう問題がある。そこで、上記のように紫外線照射を併用することで、系の温度を極端に上昇させることなく、半導体材料の生成反応を完結するのに必要十分なエネルギーを確保でき、ひいては結晶欠陥の少ない半導体層の形成が可能となるのである。
【0008】
この場合、基板の主表面に対向して紫外線光源を配置し、該紫外線光源により主表面に向けて紫外線を照射しつつ、該基板と紫外線光源との間に原料ガスを供給する方式を採用することができる。これにより、基板の主表面近傍において原料ガスによる半導体材料の生成反応を選択的に促進できる。基板に紫外線照射を行なうと、紫外線の光エネルギーが一旦基板側に吸収され、形成中の層の最表層部を光励起効果により高活性化することができる。つまり、高温で層成長を行なった場合と同様の高活性状態が、層の最表層部において局所的に実現する形となり、ひいては気相中での原料ガス成分の熱分解を抑制しつつ、層成長を効率よく進行させることが可能になるものと考えられる。
【0009】
反応容器内の原料ガスあるいは基板に紫外線を照射する合理的な方法としては、反応容器の壁部のうち主表面に臨む部位を少なくとも透光性壁部として構成し、紫外線光源を反応容器の外に配置するとともに、該紫外線光源からの紫外線を透光性壁部を介して主表面に向けて照射する方法を例示できる。これによると、紫外線光源を反応容器外に出すことができるので、光源自体には腐食や反応生成物堆積の影響が及ばなくなり、装置の長寿命化を図ることができる。
【0010】
本発明においては、原料ガスの化学反応が層成長に関与するものであれば、どのような気相成長法を使用してもよいが、高品質の酸化物半導体あるいは化合物半導体を効率よく成長できる方法として、有機金属気相成長法(MOVPE法)を本発明に特に好ましく採用することができる。なお、MOVPE法以外ではMBE法を採用することも可能であるが、以下に説明する酸化物半導体層を形成する手段としては、酸素欠損がより生じにくい気相成長法として、MOVPE法を採用することが有利である。
【0011】
有機金属気相成長法を採用する場合、原料ガスとして有機金属ガスと酸素成分源ガスとを使用することにより、それら有機金属ガスと酸素成分源ガスとの化学反応により金属酸化物からなる半導体層を気相成長させることができる。酸化物半導体の場合、酸素成分源ガスが未反応あるいは反応不完全な状態で吸着した形で層に取り込まれると、該成分が離脱した後に酸素欠損が生ずる。この酸素欠損は電子をキャリアとして放出するので、形成される層を必然的にn型にしてしまうことになる。これは、発光層部の形成に不可欠なp型や絶縁性(ノンドープ)の層を形成したい場合には甚だ不都合となる。しかしながら、本発明の採用により、酸素欠損の発生を効果的に抑制することができる。このような酸化物半導体層としては、MgxZn1−xO(ただし、0≦x≦1)層を例示できる。該MgxZn1−xO層を発光層部に用いることにより、青色光領域あるいは紫外線領域にて高輝度発光が可能な発光素子を容易に形成できる。
【0012】
そして、本発明の採用により、酸素欠損が発生することを効果的に抑制でき、ひいてはn型キャリアが少ない結晶を容易に得ることができる。その結果、n型キャリアを補償するための過剰なp型ドーパントの添加が不要となり、ひいては電気的特性の安定性や再現性あるいは均一性に優れたp型MgxZn1−xO層を含む発光素子を得ることができる。
【0013】
具体的には、発光層部は、n型MgzZn1−zO層(ただし、0≦z≦1)からなるn型クラッド層、MgyZn1−yO層(ただし、0≦y<1、x>y)からなる活性層、及びp型MgxZn1−xO(ただし、0≦x≦1)層からなるp型クラッド層がこの順序にて積層されたダブルへテロ構造を有するものとして構成できる。この場合、反応容器内に、有機金属ガス及び酸素成分源ガスを供給し、特に紫外線照射を行なわないで層成長することにより、n型クラッド層は容易に成長できる。また、活性層は、反応容器内に、有機金属ガス及び酸素成分源ガスを供給しつつ紫外線照射を行なうことにより成長できる。さらに、p型クラッド層は、活性層と同様の工程においてさらにp型ドーパントガスを反応容器内に供給することにより形成できる(なお、以下の説明において、ZnOのZnの一部をMgで置換した複合酸化物をMgZnOと略記することがあるが、これは、Mg:Zn:O=1:1:1であることを意味するものではない)。
【0014】
p型MgZnO層あるいはMgZnO活性層中の酸素欠損濃度は、10個/cm3以下に留めることが望ましい(0個/cm3となることを妨げない)。MOVPE法を用いた気相成長法は、成長中の酸素分圧を自由に変化させることができるため、雰囲気圧力をある程度上昇させることで酸素離脱ひいては酸素欠損の発生を効果的に抑制できる。
【0015】
MOVPE法によるp型MgZnO層あるいはMgZnO活性層の成長は、10torr以上の圧力を有した雰囲気中で行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生をより効果的に抑制でき、良好な特性のp型MgZnO層あるいはMgZnO活性層を得ることができる。この場合、より望ましくは、酸素分圧(O2以外の酸素含有分子も、含有される酸素をO2に換算して組み入れるものとする)が10torr以上とするのがよい。
【0016】
既に説明した通り、MgZnOがp型となるためには、前述の通り、適当なp型ドーパントを添加する必要がある。このようなp型ドーパントとしては、N、Ga、Al、In、Li、Si、C、Seの一種又は2種以上を用いることができる。これらのうち、特にNを使用することが、良好なp型特性を得る上で有効である。また、金属元素ドーパントとしてはGa、Al、In及びLiの1種又は2種以上、特にGaを使用することが有効である。これらは、Nと共添加することにより、良好なp型特性をより確実に得ることができる。
【0017】
なお、十分な発光特性を確保するには、p型MgxZn1−xO層中のp型キャリア濃度が1×1016個/cm3以上8×1018個/cm3以下となっているのがよい。p型キャリア濃度が1×1016個/cm3未満になると十分な発光輝度を得ることが困難となる場合がある。他方、p型キャリア濃度が8×1018個/cm3を超えると、活性層に注入されるp型キャリアの量が過剰となり、p型MgxZn1−xO層への逆拡散や、あるいは障壁を乗り越えてn型クラッド層へ流入したりして発光に寄与しなくなるp型キャリアが増え、発光効率の低下につながる場合がある。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を、添付の図面を用いて説明する。
図1は、本発明の製造方法が適用可能な発光素子の要部を模式的に示すものであり、n型クラッド層34、活性層33及びp型クラッド層2がこの順序にて積層された発光層部を有している。そして、p型クラッド層2がp型MgxZn1−xO層(0≦x≦1:以下、p型MgZnO層2ともいう)として形成されている。該p型MgZnO層2には、p型ドーパントとして、例えばN、Ga、Al、In、Liの一種又は2種以上が微量含有されている。また、p型キャリア濃度は前述の通り1×1016個/cm3以上8×1018個/cm3以下、例えば1017個/cm3〜1018/cm3程度の範囲で調整される。
【0019】
活性層33は、要求される発光波長に応じて適宜のバンドギャップを有するものが使用される。例えば、可視光発光に使用するものは、波長400nm〜570nmにて発光可能なバンドギャップエネルギーEg(3.10eV〜2.18eV程度)を有するものを選択する。これは、紫から緑色までをカバーする発光波長帯であるが、特に青色発光に使用する場合は、波長450nm〜500nmにて発光可能なバンドギャップエネルギーEg(2.76eV〜2.48eV程度)を有するものを選択する。また、紫外線発光に使用するものは、波長280nm〜400nmにて発光可能なバンドギャップエネルギーEg(4.43eV〜3.10eV程度)を有するものを選択する。
【0020】
例えば活性層33は、p型MgZnO層との間にタイプIのバンドラインナップを形成する半導体により形成することができる。このような活性層33は、例えばMgyZn1−yO層(ただし、0≦y<1、x>y:以下、MgZnO活性層ともいう)として形成することができる。「活性層とp型MgZnO層との間にタイプIのバンドラインナップが形成される」とは、図4に示すように、p型クラッド層(p型MgZnO層2)の伝導帯底及び価電子帯上端の各エネルギーレベルEcp,Evpと、活性層の伝導帯底及び価電子帯上端の各エネルギーレベルEci,Eviとの間に次のような大小関係が成立している接合構造をいう:
Eci<Ecp ‥‥(1)
Evi>Evp ‥‥(2)
【0021】
該構造では、活性層33からn型クラッド層34への正孔の順拡散と、p型クラッド層2への電子(n型キャリア)の順拡散のいずれに関してもポテンシャル障壁が生ずる。そして、活性層33とn型クラッド層34との間に図4と同様のタイプI型バンドラインナップが形成されるようn型クラッド層34の材質選択を行なえば、活性層の位置には、伝導帯底及び価電子帯上端の両方に井戸状のポテンシャル障壁が形成され、電子と正孔との双方に対して閉じ込め効果が高められる。その結果、キャリア再結合促進ひいては発光効率向上が一層顕著となる。n型クラッド層34の材質は、AlGaNなどでもよいが、n型MgzZn1−zO層(ただし、0≦z≦1:以下、n型MgZnO層ともいう)を使用すれば、発光層部をなす全ての層がMgZnO系の酸化物材料にて構成できるため(以下、このような発光層部を「全酸化物型発光層部」という)、前記したGaやInなどの希少金属を使用する必要がなくなり(ドーパントを除く)、大幅なコスト削減が可能となる。ここで、n型MgZnO層34とp型MgZnO層の混晶比を等しくすれば、活性層両側のポテンシャル障壁高さは等しくなる。なお、活性層33の厚さtは、活性層33内でのキャリア密度の低下を招かず、かつトンネル効果にて活性層33を通過するキャリアが増加し過ぎないように、例えば30nm〜1000nmの値とする。
【0022】
MgZnO活性層33において、混晶比yの値は、バンドギャップエネルギーEgを決める因子ともなる。例えば、波長280nm〜400nmの紫外線発光を行なわせる場合は0≦y≦0.5の範囲にて選択する。また、形成されるポテンシャル障壁の高さは、発光ダイオードでは0.1eV〜0.3eV程度、半導体レーザー光源では0.25eV〜0.5eV程度とするのがよい。この値は、p型MgxZn1−xO層2、MgyZn1−yO活性層33及びn型MgzZn1−zO層34の各混晶比x、y、zの数値の選択により決定できる。
【0023】
以下、上記全酸化物型発光層部を有した発光素子の製造工程の一例を説明する。図6は、発光素子の製造工程の一例を示すものであり、図6(a)に示すように、サファイア基板10上にGaNバッファ層11をエピタキシャル成長し、次いで、p型MgZnO層52(層厚例えば50nm)、MgZnO活性層53(層厚例えば30nm)及びn型MgZnO層54(層厚例えば50nm)をこの順序にて成長する。これら各層のエピタキシャル成長は、前述の通りMOVPE法にて成長できる。
【0024】
図5は、紫外線ランプを用いて発光層部をMOVPE法により気相成長させる装置を示すものである。図5(a)に示すように、MOVPE法により、p型MgZnO層、MgZnO活性層及びn型MgZnO層を全て同じ原料を用いて同一の反応容器内にて連続的に成長できる。この場合、GaNバッファ層との反応性を低減し、格子整合性を高めるために、多少低めの温度、例えば300℃〜400℃にて成長を行なうことが望ましい。なお、基板の加熱は、基板を支持するサセプタ内に組み込まれたヒータにより行なう。
【0025】
各層の主原料としては次のようなものを用いることができる:
・酸素成分源ガス:酸素ガスを用いることもできるが、酸化性化合物ガスの形で供給することが、後述する有機金属との過度の反応を抑制する観点において望ましい。具体的には、N2O、NO、NO2、COなど。本実施形態では、N2O(亜酸化窒素)を用いている。
・Zn源(金属成分源)ガス:ジメチル亜鉛(DMZn)、ジエチル亜鉛(DEZn)など;
・Mg源(金属成分源)ガス:ビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)など。
【0026】
また、p型ドーパントガスとしては次のようなものを用いることができる;
・Li源ガス:ノルマルブチルリチウムなど;
・Si源ガス:モノシランなどのシリコン水素化物など;
・C源ガス:炭化水素(例えばCを1つ以上含むアルキルなど);
・Se源ガス:セレン化水素など。
【0027】
また、Al、Ga及びInの1種又は2種以上は、Nとの共添加により良好なp型ドーパントとして機能させることができる。ドーパントガスとしては以下のようなものを使用できる;
・Al源ガス;トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリエチルアルミニウム(TEAl)など;
・Ga源ガス;トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)など;
・In源ガス;トリメチルインジウム(TMIn)、トリエチルインジウム(TEIn)など。
p型ドーパントとして金属元素(Ga)とともにNが使用される場合、p型MgZnO層の気相成長を行なう際に、N源となる気体を、Ga源となる有機金属ガスとともに供給するようにする。例えば、本実施形態では、酸素成分源として使用するN2OがN源としても機能する形となる。
【0028】
上記の各原料ガスをキャリアガス(例えば窒素ガス)により適当に希釈し、反応容器内に供給する。なお、各層の混晶比の違いにより、層毎にMg源及びZn源となる有機金属ガスMOの流量比をマスフローコントローラMFC等により制御する。また、酸素成分源ガスであるN2O及びp型ドーパント源ガスの流量もマスフローコントローラMFCにより制御する。
【0029】
図2は、MgZnOの結晶構造を示すものであり、図3は、MgZnO層の金属イオンと酸素イオンとの配列形態を示すものである。図2に示すように、MgZnO結晶はいわゆるウルツ鉱型構造を有し、該構造では、酸素イオン充填面と金属イオン(ZnイオンまたはMgイオン)充填面とがc軸方向に交互に積層される形となっており、図3に示すように、p型MgZnO層2はc軸が層厚方向に沿うように形成される。酸素イオンが欠落して空孔を生ずると酸素欠損となり、n型キャリアである電子を生ずる。従って、このような酸素欠損が多く形成されすぎると、n型キャリアが増加してp型導電性を示さなくなる。
【0030】
ここで、n型MgZnO層54の成長に際しては酸素欠損を積極的に生じさせてn型とする方法を採用でき、MgZnO活性層53及びp型MgZnO層52を成長する場合よりも雰囲気圧力を下げる(例えば10torr未満とする)ことが有効である。また、n型ドーパントを別途導入する形で層成長を行なってもよい。あるいは、供給原料のII族とVI族との比(供給II/VI比)を大きくしてもよい。
【0031】
他方、MgZnO活性層53及びp型MgZnO層52を成長する際は、酸素欠損発生を抑制するために、以下のような本発明特有の方法が採用される。すなわち、基板の主表面に対向して紫外線光源としての紫外線ランプ(例えばエキシマ紫外線ランプ)を配置し、該紫外線ランプにより基板の主表面に向けて紫外線を照射しつつ、該基板と紫外線光源との間に原料ガスを供給する。反応容器の壁部は例えば石英ガラス等で構成された透光性壁部とされており、紫外線ランプは反応容器の外に配置して、該透光性壁部を介して基板に向けての紫外線照射を行うようにする。紫外線ランプは、例えば紫外線の波長が172nm程度であり、N2Oと有機金属ガスとの各流量がそれぞれ100cm3/分〜1000cm3/分及び10cm3/分〜100cm3/分(いずれも標準状態換算)のとき、出力を8mW/cm2程度のものを採用する。
【0032】
基板に紫外線照射を行なうと、紫外線の光エネルギーが一旦基板側に吸収され、形成中の層の最表層部が光励起効果により高活性化すると推定される。つまり、高温で層成長を行なった場合と同様の高活性状態が、層の最表層部において局所的に実現する形となる。また、紫外線の照射により、原料ガスも部分的に、高エネルギー遷移状態(ラジカル等)に移行する。その結果、活性化した層最表層部近傍では、原料ガスである有機金属ガスと酸素成分源ガス(N2O)とが、未反応成分等を生ずることなく過不足なく反応し、酸素欠損の少ない層成長が促される。
【0033】
有機金属ガスと酸素成分源ガスとのラジカルはおおむね不安定であり、両成分のラジカルが反応可能な距離にまで接近する状態が長時間実現しない場合は、各々別の分解生成物に移行して、酸化物形成反応には寄与しなくなる。このような分解反応は、反応系の温度が高くなるほど進行しやすくなるが、例えば基板温度を前記したような400℃以下の比較的低温に留めることで、ある程度抑制することができる。そして、基板主表面近傍では紫外線照射の効果により、反応活性を高めることができるから、種々の要因により基板温度をそれほど高くできない場合でも、酸素欠損の少ない酸化物半導体層を容易に形成することができる。
【0034】
他方、層成長に寄与する酸化物形成反応の確率は、形成中の層の表面近傍に形成される境界層(物質移動が拡散に支配される:よどみ層ともいう)にて高くなり、境界層外のガス流速の大きい領域では低くなる。従って、反応容器内に流通する原料ガスの流速が大きくなれば、境界層の厚さは減少するから、酸化物の成長速度は鈍ることになる。そこで、図5(b)に示すように、基板と紫外線ランプ(紫外線光源)との間に供給される原料ガスの流速を、紫外線光源に面する側において主表面に面する側よりも高くすると、紫外線ランプ近傍に位置する反応容器の壁部には反応生成物が堆積しにくくなり、ひいては光源からの紫外線が堆積物により遮られて反応効率が低下するといった不具合を回避することができる。具体的には、図5(b)に示すように、反応溶液へのガスの流入口及び流出口を、紫外線ランプ側のガス流を形成するための第一ガス流入/流出口と、基板側のガス流を形成するための第二ガス流入/流出口とに分離して形成し、第一ガス流入/流出口側のガス流速λ1が第二ガス流入/流出口側のガス流速λ2よりも大きくなるように調整する。
【0035】
なお、有機金属ガスの導入により層の成長を行なう際は、反応容器内の圧力を10torr以上に保持することが有効である。これにより酸素の離脱が一層抑制され、酸素欠損の少ないMgZnO層を成長することができる。特に酸素成分源としてN2Oを使用する場合、上記の圧力設定によりN2Oの解離が急激に進行することが防止され、酸素欠損の発生をより効果的に抑制することが可能となる。雰囲気圧力は高ければ高いほど酸素離脱抑制効果は高められるが、760torr(1気圧)程度までの圧力でも効果は十分顕著である。例えば、760torr以下であれば、反応容器内が常圧又は減圧となるので容器シール構造が比較的簡略なもので済む利点がある。他方、760torrを超える圧力を採用する場合は、容器内が加圧となるので内部の気体が漏れ出さないようにやや強固なシール構造を、また、圧力が相当高い場合には耐圧構造等を考慮する必要があるが、酸素離脱抑制効果は一層顕著となる。この場合、圧力の上限は、装置コストと達成できる酸素離脱抑制効果との兼ね合いにより適当な値に定めるべきである(例えば、7600torr(10気圧)程度)。
【0036】
このようにして発光層部の成長が終了すれば、図6(b)に示すようにn型MgZnO層54上に金属反射層22を形成し、図6(c)に示すようにサファイア基板10を剥離した後、p型MgZnO層52側に透明導電材料層25(例えばITO膜)を形成する。その後、図6(d)に示すように、ダイシングすれば発光素子104が得られる。なお、サファイア基板などの成長基板を剥離せず、そのまま素子の一部として流用することも可能である。
【0037】
なお、上記の実施形態では、紫外線光源として紫外線ランプを用いた。紫外線ランプは光照射面積を大きく取ることができ、ひいては酸化物層形成の反応を均一かつ効率的に進行させる上で有利となる。他方、図7に示すように、紫外線レーザービームを基板上にて二次元的に走査する形で照射することもできる。この方式では、紫外線ランプよりも光収束密度を高くできるので、反応効率を一層高めることができる。本実施形態では、エキシマレーザ光源あるいは半導体レーザー光源として構成されたレーザー光源を、高速回転駆動されるポリゴンミラーによりX方向に走査する一方、基板を保持するサセプタをYスキャンテーブルによりX方向と交差するY方向に駆動することで、基板主表面の全面をレーザービームにより二次元走査できるようにしている。
【図面の簡単な説明】
【図1】p型MgZnO層を含んだダブルへテロ構造の発光層部を概念的に示す図。
【図2】MgZnOの結晶構造を示す模式図。
【図3】MgZnO層の金属イオンと酸素イオンとの配列形態を示す模式図。
【図4】タイプI型バンドラインナップの接合構造を用いた発光素子のバンド模式図。
【図5】紫外線ランプを用いて発光層部をMOVPE法により気相成長させる装置を変形例とともに模式的に説明する図。
【図6】発光素子の製造工程の一例を示す説明図。
【図7】紫外線レーザービームを用いて発光層部を気相成長する方法を概念的に説明する図。
【符号の説明】
104 発光素子
2 p型MgZnO層(p型クラッド層)
33 活性層
34 n型クラッド層
10 サファイア基板
11 GaNバッファ層
52 p型MgZnO層(p型クラッド層)
53 MgZnO活性層
54 n型MgZnO層(n型クラッド層)
Claims (7)
- サファイア基板を配置した反応容器内に原料ガスとして酸素成分源ガスとZn源ガス及びMg源ガスとを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずるMgZnO半導体材料を前記基板の主表面上に堆積させることにより、該サファイア基板上にp型MgZnO層、MgZnO活性層及びn型MgZnO層をこの順序にて成長した発光層部をなす半導体層を気相成長させる工程を有し、前記p型MgZnO層を含む前記半導体層を気相成長する際に、前記反応容器内に導入された前記原料ガスと前記サファイア基板の主表面とに紫外線を照射することを特徴とする発光素子の製造方法。
- 前記基板の前記主表面に対向して紫外線光源を配置し、該紫外線光源により前記主表面に向けて紫外線を照射しつつ、該基板と紫外線光源との間に前記原料ガスを供給することを特徴とする請求項1記載の発光素子の製造方法。
- 前記反応容器の壁部のうち前記主表面に臨む部位を少なくとも透光性壁部として構成し、前記紫外線光源を前記反応容器の外に配置するとともに、該紫外線光源からの紫外線を前記透光性壁部を介して前記主表面に向けて照射することを特徴とする請求項2記載の発光素子の製造方法。
- 前記基板と前記紫外線光源との間に供給される前記原料ガスの流速を、前記紫外線光源に面する側において前記主表面に面する側よりも高くすることを特徴とする請求項3に記載の発光素子の製造方法。
- 前記気相成長を有機金属気相成長法にて行なうことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記有機金属気相成長法において、原料ガスとして有機金属ガスと酸素成分源ガスとを使用し、それら有機金属ガスと酸素成分源ガスとの化学反応により金属酸化物からなる半導体層を気相成長させることを特徴とする請求項5に記載の発光素子の製造方法。
- 前記半導体層がMgxZn1−xO(ただし、0≦x≦1)層であることを特徴とする請求項6記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (15)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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