JP2015079998A - 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、昇降駆動部37には、制御部80が接続されており、制御部80からの制御信号に基づいて昇降駆動部37が駆動され、各ノズル30、31、32が昇降するようになっている。このようにして、ウエハWに対する各ノズル30、31、32の高さを調節可能に構成されている。
この場合、IPA液の蒸発を促進させることができる。
10 処理容器
11 搬入出口
12 シャッタ
20 スピンチャック
21 回転プレート
22 保持部材
25 回転駆動部
26 回転駆動軸
30 洗浄液ノズル
31 乾燥液ノズル
32 ガスノズル
33 ノズルアーム
34 ガイドレール
35 ノズル駆動部
36 連結部材
37 昇降駆動部
38 昇降軸
40 薬液供給機構
41 SC1供給ライン
42 SC1供給源
43 DHF供給ライン
44 DHF供給源
45 SC1開閉弁
46 DHF開閉弁
50 リンス液供給機構
51 リンス液供給ライン
52 リンス液供給源
53 リンス液開閉弁
60 乾燥液供給機構
61 乾燥液供給ライン
62 乾燥液供給源
63 乾燥液開閉弁
70 不活性ガス供給機構
71 ガス供給ライン
72 ガス供給源
73 ガス開閉弁
80 制御部
81 入出力装置
82 記録媒体
Claims (15)
- 基板を薬液処理する工程と、
前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、当該基板にリンス液を供給するリンス処理工程と、
前記リンス処理工程の後、前記基板を回転させながら、前記基板を乾燥する乾燥処理工程と、を備え、
前記乾燥処理工程は、前記基板の中心部にリンス液を供給しながら、前記基板の回転数を前記リンス処理工程時の前記基板の回転数より低い第1の回転数まで低下させる工程と、前記基板の回転数を前記第1の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、前記基板の前記中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、前記リンス液供給位置を移動させる工程の後、前記基板に乾燥液を供給する工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記リンス液供給位置を移動させる工程において、前記基板の回転数を前記第1の回転数より低い第2の回転数まで低下させることを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記リンス液供給位置を移動させる工程において、前記基板の回転数が、前記第2の回転数まで低下した後、当該基板の回転数を、当該第2の回転数に維持することを特徴とする請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記リンス液供給位置を移動させる工程において、前記基板の回転数が前記第2の回転数まで低下した後、前記リンス液供給位置が当該基板の前記周縁部に達すると共に、当該基板に対するリンス液の供給を停止し、その後、当該基板の回転数を、所定時間、当該第2の回転数に維持することを特徴とする請求項2または3に記載の基板処理方法。
- 前記リンス液供給位置を移動させる工程において、前記第1の回転数に低下した前記基板の回転数を、当該第1の回転数に維持することを特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記リンス液供給位置を移動させる工程において、前記リンス液供給位置が前記基板の前記周縁部に達した後、当該基板に対するリンス液の供給を停止し、その後、当該基板の回転数を、所定時間、前記第1の回転数に維持することを特徴とする請求項1または5に記載の基板処理方法。
- 前記基板に乾燥液を供給する工程において、前記基板の回転数を上昇させ、その後、前記基板に乾燥液を供給することを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
前記基板処理方法は、
基板を薬液処理する工程と、
前記薬液処理する工程の後、前記基板を回転させながら、当該基板にリンス液を供給するリンス処理工程と、
前記リンス処理工程の後、前記基板を回転させながら、前記基板を乾燥する乾燥処理工程と、を備え、
前記乾燥処理工程は、前記基板の中心部にリンス液を供給しながら、前記基板の回転数を前記リンス処理工程時の前記基板の回転数より低い第1の回転数まで低下させる工程と、前記基板の回転数を前記第1の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、前記基板の前記中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、前記リンス液供給位置を移動させる工程の後、前記基板に乾燥液を供給する工程と、を有することを特徴とする記録媒体。 - 基板を保持する回転自在な基板保持部と、
前記基板保持部を回転駆動する回転駆動部と、
前記基板保持部に保持された前記基板に薬液を供給する薬液供給機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板に、ノズルを介してリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記基板保持部に保持された前記基板に、乾燥液を供給する乾燥液供給機構と、
前記ノズルを、前記基板の中心部に対応する位置と当該基板の周縁部に対応する位置との間で移動させるノズル駆動部と、
前記回転駆動部、前記薬液供給機構、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構、および前記ノズル駆動部、を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、回転する前記基板の前記中心部に前記リンス液供給機構により前記基板にリンス液を供給した後、前記基板の前記中心部にリンス液を供給しながら前記基板の回転数を第1の回転数まで低下させ、当該基板の回転数が前記第1の回転数まで低下した後、前記基板にリンス液を供給しながら、前記ノズルを、当該基板の前記中心部に対応する位置から当該基板の前記周縁部に対応する位置に向けて移動させ、前記ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に達した後、前記乾燥液供給機構により前記基板に乾燥液を供給するように、前記回転駆動部、前記リンス液供給機構、前記乾燥液供給機構および前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする基板処理装置。 - 前記制御部は、前記基板にリンス液を供給しながら前記ノズルを移動させる際、前記基板の回転数を前記第1の回転数より低い第2の回転数まで低下させるように、前記回転駆動部を制御することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板の回転数が、前記第2の回転数まで低下した後、当該基板の回転数を、当該第2の回転数に維持するように、前記回転駆動部を制御することを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板の回転数が前記第2の回転数まで低下した後、前記ノズルが当該基板の前記周縁部に対応する位置に達すると共に、当該基板に対するリンス液の供給を停止し、その後、当該基板の回転数を、所定時間、前記第2の回転数に維持するように、前記回転駆動部、前記リンス液供給機構、および前記ノズル駆動部を制御することを特徴とする請求項10または11に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記基板にリンス液を供給しながら前記ノズルを移動させる際、前記第1の回転数に低下した前記基板の回転数を、当該第1の回転数に維持するように、前記回転駆動部を制御することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に達した後、当該基板に対するリンス液の供給を停止し、その後、当該基板の回転数を、所定時間、前記第1の回転数に維持するように、前記回転駆動部および前記リンス液供給機構を制御することを特徴とする請求項9または13に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記ノズルが前記基板の前記周縁部に対応する位置に達した後、前記基板の回転数を上昇させて、その後、前記基板に乾燥液を供給するように、前記回転駆動部および前記乾燥液供給機構を制御することを特徴とする請求項9乃至14のいずれかに記載の基板処理装置。
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