JP2015078418A - 成膜方法および成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の一例を示す断面図、図2は図1の成膜装置の要部を拡大して示す断面図である。
この図に示すように、成膜装置100は、アルミニウム等の金属により構成され、その中が真空に保持される処理容器1と、この処理容器1内に設けられ、ウエハWが載置される載置台2と、載置台2と対向するように設けられ、載置台2との間に処理空間Sを形成するためのキャップ部材3と、処理空間Sに処理ガスおよびパージガスを供給するガス供給部4と、処理空間Sの排気を行う排気部5と、制御部6とを備えている。
次に、このように構成された成膜装置100による成膜方法について説明する。
まず、載置台2を搬送位置に下降させた状態で、ゲートバルブ12を開け、搬入出口11から搬送アーム(図示せず)に載せられたウエハWを搬入し、支持ピン27の操作によりウエハWを載置台2の上に載置する。次いで、処理容器1内を所定の圧力に調整した後、載置台2を処理位置に上昇させ、処理空間Sを形成する。
次に、実際に本発明の成膜方法を実施した際の実験例について説明する。
最初に、図1の構成を有し、処理空間の容積を1700mLとした装置を用い、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびNH3ガス、パージガスとしてN2ガスを用いて、ALD法によりTiN膜を成膜した。
次に、図1の構成を有し、処理空間の容積を650mLとした装置を用い、処理ガスとしてTiCl4ガスおよびNH3ガス、パージガスとしてN2ガスを用いて、ALD法によりTiN膜を成膜した。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、TiCl4ガスとNH3ガスを用いてTiN膜をALD法により成膜する場合について説明したが、本発明の原理上、処理ガスの種類、膜の材料は何ら限定されず、種々の処理ガスを用いてALD法により成膜する場合に適用することができる。パージガスも処理ガスに応じて適宜選択すればよく、特に限定されるものではない。また、処理ガスは2種類に限らず、3種類以上の処理ガスを用いてALD法により成膜する場合にも適用できることは言うまでもない。
2;載置台
3;キャップ部材
4;ガス供給部
5;排気部
6;制御部
13;天板
21;ヒーター
22;カバー部材
23;支持部材
24;昇降機構
31;凹部
33;隙間
34;ガス供給路
35;ガス吐出口
36;TiCl4ガス供給路
37;NH3ガス供給路
38;分散板
41;TiCl4ガス供給源
42;NH3ガス供給源
43,44;N2ガス供給源
45;TiCl4ガス供給ライン
46;NH3ガス供給ライン
47,48;N2ガス供給ライン
51;排気ダクト
52;ガス通流路
53;開口部
57;トラップ
58;真空ポンプ
S;処理空間
W;半導体ウエハ(基板)
Claims (15)
- 成膜装置における処理容器内の被処理基板が配置された処理空間に、複数の処理ガスを順次間欠的に供給するとともに、各処理ガスの供給後に処理ガスをパージガスによりパージして、被処理基板上でこれら複数の処理ガスを反応させて薄い単位膜を形成する操作を、複数回繰り返して所定厚さの膜を形成する原子層堆積法による成膜方法であって、
前記処理空間に前記パージガスを常時供給しつつ、前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するようにし、
前記処理空間内に供給するパージガスの流量を、前記処理容器内の圧力にかかわらず、前記薄い単位膜が成膜されるモードを主体とする成膜モードにより成膜することができる流量にして成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 - 成膜装置における処理容器内の被処理基板が配置された処理空間に、複数の処理ガスを順次間欠的に供給するとともに、各処理ガスの供給後に処理ガスをパージガスによりパージして、被処理基板上でこれら複数の処理ガスを反応させて薄い単位膜を形成する操作を、複数回繰り返して所定厚さの膜を形成する原子層堆積法による成膜方法であって、
前記成膜装置は、その排気部に前記複数の処理ガスの反応により生じた副生成物を捕捉するトラップを有し、
前記処理空間に前記パージガスを常時供給しつつ、前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するようにし、
前記処理空間の圧力を、前記トラップが前記処理空間内に供給するパージガスの置換性を律速しない程度に高くし、
前記パージガスの流量を、その圧力において、前記薄い単位膜が成膜されるモードを主体とする成膜モードとなる流量にして成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記処理空間は、前記処理容器内で前記被処理基板が載置される載置台と、前記載置台の上部に設けられた凹部を有するキャップ部材の前記凹部により形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜方法。
- 前記処理ガスとしてTiCl4ガスおよびNH3ガスを用い、被処理基板上にTiN膜を成膜することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜方法。
- 前記処理空間の容積が650〜1700mLであることを特徴とする請求項4に記載の成膜方法。
- 前記処理空間の容積が1300〜1700mLであり、前記パージガスの流量が8500mL/min以上であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 前記処理空間の容積が650〜850mLであり、前記パージガスの流量が5000mL/min以上であることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。
- 基板を収容し、その中で基板の成膜処理が行われる処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に形成される、基板に成膜処理を行う処理空間と、
前記処理空間に、複数の処理ガスと、パージガスとを供給するガス供給部と、
前記処理空間を排気する排気部と、
前記処理空間に前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するとともに、各処理ガスの供給後に処理ガスをパージガスによりパージして、基板上でこれら複数の処理ガスを反応させて薄い単位膜を形成する操作を、複数回繰り返して所定厚さの膜を形成する原子層堆積法による成膜を行うように制御する制御部とを有し、
前記制御部は、
前記処理空間に前記パージガスを常時供給しつつ、前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するようにし、
前記処理空間内に供給するパージガスの流量を、前記処理容器内の圧力にかかわらず、前記薄い単位膜が成膜されるモードを主体とする成膜モードにより成膜することができる流量にして成膜を行うように制御することを特徴とする成膜装置。 - 基板を収容し、その中で基板の成膜処理が行われる処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する載置台と、
前記処理容器内に形成される、基板に成膜処理を行う処理空間と、
前記処理空間に、複数の処理ガスと、パージガスとを供給するガス供給部と、
前記処理ガスの反応により生じた副生成物を捕捉するトラップを有し、前記処理空間を排気する排気部と、
前記処理空間に前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するとともに、各処理ガスの供給後に処理ガスをパージガスによりパージして、基板上でこれら複数の処理ガスを反応させて薄い単位膜を形成する操作を、複数回繰り返して所定厚さの膜を形成する原子層堆積法による成膜を行うように制御する制御部とを有し、
前記制御部は、
前記処理空間に前記パージガスを常時供給しつつ、前記複数の処理ガスを順次間欠的に供給するようにし、
前記処理空間の圧力を、前記トラップが前記処理空間内に供給するパージガスの置換性を律速しない程度に高くし、
前記パージガスの流量を、その圧力において、前記薄い単位膜が成膜されるモードを主体とする成膜モードとなる流量にして成膜を行うように制御することを特徴とする成膜装置。 - 前記載置台の上部に設けられ、前記載置台との間で前記処理空間を形成するための凹部を有するキャップ部材をさらに有することを特徴とする請求項8または請求項9に記載の成膜装置。
- 前記ガス供給部は、前記処理ガスとしてTiCl4ガスおよびNH3ガスを供給し、被処理基板上にTiN膜を成膜することを特徴とすることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記処理空間の容積が650〜1700mLであることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
- 前記処理空間の容積が1300〜1700mLであり、前記パージガスの流量が8500mL/min以上であることを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。
- 前記処理空間の容積が650〜850mLであり、前記パージガスの流量が5000mL/min以上であることを特徴とする請求項12に記載の成膜装置。
- コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項7のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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