JP2015075622A - 発光装置、電子機器、及び半導体装置の設計方法 - Google Patents
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Abstract
Description
従って、発光素子を用いた発光装置の駆動においては、当該発光素子に供給する駆動電流を精度良く制御することが重要である。特許文献1には、細かい精度のデータ信号を必要とせずに、発光素子に供給する駆動電流を精度良く制御する技術が開示されている。
特許文献1に開示されている電気光学装置では、データ信号が駆動トランジスターのゲートに直接書き込まれるのではなく、所定係数が乗算されてレベルシフトされた後のデータ信号が駆動トランジスターのゲートに書き込まれる。このレベルシフトによって、ゲートの電位範囲がデータ信号の電位範囲の1/10に圧縮されるため、データ信号を細かい精度で刻まなくても、階調レベルを反映した電圧を、駆動トランジスターのゲート・ソース間に印加することができる。特許文献1の段落0036乃至0040には、このような処理によって、発光素子に供給する駆動電流が精度良く制御される旨が記載されている。
このため、同一のゲート・ソース間電圧が印加された場合であっても、環境温度が変化すると、発光素子に供給される駆動電流が変化してしまい、結果として発光の輝度が変化してしまう。
特に、例えばマイクロディスプレイ(1280×720ピクセル以上の解像度を持つ1インチ未満の小型ディスプレイ)などのように、微細な駆動電流範囲で階調を刻むように構成されている装置においては、ゲート・ソース間電圧のわずかな変化に対して駆動電流が大きく変化してしまう。このため、微細な駆動電流範囲で階調を刻むように構成された装置は、他の装置に比較して、環境温度の変動による発光輝度の変動が大きくなってしまう。なお、特許文献1に開示された技術では、上述したような環境温度の変動に起因する課題については鑑みられていない。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、環境温度の変動に起因する発光輝度の変動を抑制する発光装置、電子機器、及び半導体装置の設計方法を提供することを解決課題とする。
ここで、前記第3電圧値は、前記変化率が最小のときのゲート・ソース間電圧であることが好ましい。
この発明によれば、例えば最低階調に応じた輝度で発光させる第1電圧値と、例えば最高階調に応じた輝度で発光させる第2電圧値とによって規定されるゲート・ソース間電圧の電圧範囲が、第3電圧値を含むように設定される。ここで第3電圧値は、前記変化率が最小となるとき(環境温度の変化に対する前記駆動電流の変化が殆ど生じないとき)のゲート・ソース間電圧である。このような第3電圧値によれば環境温度の変動に関わらず略一定の駆動電流を得られ、また、第3電圧値に近い値のゲート・ソース間電圧ほど、環境温度の変動に対する駆動電流の変動が小さいところ、当該第3電圧値を含むようにゲート・ソース間電圧の電圧範囲を設定することで、環境温度の変動に起因する駆動電流の変動が抑制され、発光輝度の変動が抑制される。
上述の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置の設計方法は、ゲート・ソース間電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する駆動トランジスターと、前記駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、前記ゲート・ソース間電圧を指定階調に応じて制御する制御部と、を備える発光装置の設計方法であって、前記環境温度が第1温度のときの前記特性を特定する工程と、前記環境温度が第2温度のときの前記特性を特定する工程と、環境温度の変化に対する前記駆動電流の変化率が所定値以下となるときのゲート・ソース間電圧である第3電圧値を、前記第1温度のときの前記特性と、前記第2温度のときの前記特性とに基づいて特定する工程と、前記発光素子を最低階調に応じた輝度で発光させる前記ゲート・ソース間電圧である第1電圧値と、前記発光素子を最高階調に応じた輝度で発光させる前記ゲート・ソース間電圧である第2電圧値との間に、前記第3電圧値が含まれるように、前記第1電圧値及び前記第2電圧値を設定する工程と、を備えることを特徴とする。
この発明によれば、例えば最低階調に応じた輝度で発光させる第1電圧値と、例えば最高階調に応じた輝度で発光させる第2電圧値とによって規定されるゲート・ソース間電圧の電圧範囲が、第3電圧値を含むように設定される。ここで第3電圧値は、前記変化率が最小となるとき(環境温度の変化に対する前記駆動電流の変化が殆ど生じないとき)のゲート・ソース間電圧である。このような第3電圧値によれば環境温度の変動に関わらず略一定の駆動電流を得られ、また、第3電圧値に近い値のゲート・ソース間電圧ほど、環境温度の変動に対する駆動電流の変動が小さいところ、当該第3電圧値を含むようにゲート・ソース間電圧の電圧範囲を設定することで、環境温度の変動に起因する駆動電流の変動が抑制され、発光輝度の変動が抑制される。
図1は、本発明の実施形態に係る発光装置(表示装置)の構成例を示すブロック図である。同図に示すように、発光装置100は、複数の画素回路Pが配列された素子アレイ部10、走査線駆動回路22、駆動制御回路24、データ線駆動回路26、及び制御回路36を具備する。これらの構成要素は同一の基板に形成されることが好ましい。また、基板は、半導体基板で構成されることが好ましい。
素子アレイ部10には、X方向に延在するM本の走査線12と、各走査線12に対をなしてX方向に延在するM本の駆動制御線14と、X方向に交差するY方向に延在するN本のデータ線16とが形成されている(MおよびNの各々は2以上の自然数)。各画素回路Pは、走査線12とデータ線16との各交差部位に対応して配置されている。したがって、素子アレイ部10の全体では、X方向およびY方向にわたって縦M行×横N列のマトリクス状に画素回路Pが配列されている。
図2は、発光装置100の各部の波形のタイムチャートを示している。同図に示すように、第i行(i=1〜M)の走査線12に供給される走査信号Y[i]は、ひとつのフレーム期間F(F1,F2,……)のうち第i番目の書込期間(水平走査期間)Hにてハイレベルとなり、それ以外の期間にてローレベルを維持する。走査線駆動回路22は、水平同期信号HSYNCに同期したクロック信号HCKを用いて、1水平走査期間だけHレベルとなるスタートパルスSP1を順次シフトして走査信号Y[1]〜Y[M]を生成する。スタートパルスSP1及びクロック信号HCKは、制御回路36から当該走査線駆動回路22に供給される。
駆動制御回路24は、クロック信号HCKを用いて、発光期間HDRにおいてHレベルとなるスタートパルスSP2をシフトして駆動制御信号Z[1]〜Z[m]を生成する。スタートパルスSP2及びクロック信号HCKは、制御回路36から当該駆動制御回路24に供給される。
図3に示すように、画素回路Pは発光素子Eを含む。本形態の発光素子Eは、相互に対向する陽極と陰極との間に有機EL(Electro-luminescence)材料の発光層が介在する有機発光ダイオード素子である。発光素子Eは、発光層に供給される駆動電流IDRの電流量に応じた強度で発光する。発光素子Eの陰極は低位側の電源(接地電位)VCTに電気的に接続される。
ここで、少なくとも駆動トランジスターTDRのアクティブ層は、結晶性材料を用いて製造されている。アクティブ層とは、駆動トランジスターTDRのソースとドレインとの間に設けられた領域であり、ゲートと対向して配置され、ゲートの電位により導電性が制御される。結晶性材料としては、例えば単結晶シリコンや、SELAX(Selectively Enlarging Laser X'tallization)法などによって結晶性が高められたポリシリコンなどを挙げることができる。SELAX法とは、固体レーザのパルス幅を制御してポリシリコンに照射することで、シリコン薄膜を最適条件で融解・凝固させ、「擬似単結晶シリコン」を形成する技術である。
図4において、特性曲線C1は環境温度が0[℃]のときの特性曲線であり、特性曲線C2は環境温度が25[℃]のときの特性曲線であり、特性曲線C3は環境温度が50[℃]のときの特性曲線である。同図に示すように、環境温度が変化すると、同一のゲート・ソース間電圧VGSによって流れる駆動電流IDRの電流量も変化する。
NR=(I3−I1)/I2 …(式1)
(式1)において、I1は環境温度が0[℃]のときの駆動電流IDRの値であり、I2は環境温度が25[℃]のときの駆動電流IDRの値であり、I3は環境温度が50[℃]のときの駆動電流IDRの値であり、NRは変動比率[%]である。
ここで、変動比率NRは、環境温度の変化に対する駆動電流IDRの変化率を示す指標である。変動比率NRの値が大きいゲート・ソース間電圧VGSほど、環境温度の変化に対する駆動電流IDRの変化が大きい。一方、変動比率NRの値が小さいゲート・ソース間電圧VGSほど、環境温度の変化に対する駆動電流IDRの変化が小さい。
図5は、ゲート酸化膜厚[Å]と、変動最小電圧VGSmとの関係の一例を示す図である。同図に示すように、駆動トランジスターTDRのゲート酸化膜厚[Å]が100[Å]のときの変動最小電圧VGSmは−1.3乃至−1.4[V]程度であり、ゲート酸化膜厚[Å]が300[Å]のときの変動最小電圧VGSmは−1.4乃至−1.55[V]程度であり、ゲート酸化膜厚[Å]が550[Å]のときの変動最小電圧VGSmは−2.2[V]程度である。
本実施形態においては、駆動トランジスターTDRのゲート酸化膜厚[Å]は約300[Å]であり、変動最小電圧VGSmは図4に示すように−1.55[V]程度である。なお、当然ながら、駆動トランジスターTDRがN型トランジスターの場合には、変動最小電圧VGSmの正負が逆であるので、変動最小電圧VGSmは1.55[V]程度となる。
換言すれば、特定のゲート・ソース間電圧VGSでは、環境温度に関わらず、略同一のドレイン電流を得ることができる。これは、半導体素子であるトランジスタは、特定のゲート・ソース間電圧を境に、環境温度の変化に対する電流変化の特性が互いに異なる2つの特性領域を有するからである。これら2つの特性領域のうち一方の特性領域は、環境温度の上昇に伴って電流が増加する第1特性領域であり、他方の特性領域は、環境温度の上昇に伴って電流が減少する第2特性領域である。
なお、上述したような結晶性材料以外の材料を用いて製造された半導体基板上に形成されたトランジスターは、第1温度のときの電圧−電流特性を示す特性曲線と、第2温度のときの電圧−電流特性を示す特性曲線とが交点を有さない。
図7は、第1電圧値及び第2電圧値(電圧範囲ΔV)の設定態様に係る変形例を示す図である。同図に示すように、最高階調に応じた輝度で発光素子Eを発光させる第2電圧値が、変動最小電圧VGSmの値(本例では−1.55[V])となるように、第1電圧値及び第2電圧値(電圧範囲ΔV)を設定してもよい。つまり、VGS_w=VGSmとなるように第1電圧値及び第2電圧値(電圧範囲ΔV)を設定してもよい。例えば、階調レベル0乃至255の256階調で発光素子Eを発光させる場合、階調レベル256に応じた輝度で発光素子Eを発光させる電圧値が、変動最小電圧VGSmの値(本例では−1.55[V])となるように、第1電圧値及び第2電圧値(電圧範囲ΔV)を設定する。このように設定することで、環境温度が変動した場合であっても、最高階調に応じた輝度にばらつきが殆ど生じなくなり、視認性が非常に良好になる。
以上の各形態には様々な変形を加えることができる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通りである。なお、以下の各態様を適宜に組み合わせてもよい。
以上の実施形態においては書込期間Hの開始と同時に駆動制御トランジスターTELを導通させる構成を例示したが、駆動制御トランジスターTELを導通させる時期(すなわち駆動制御信号Z[i]をハイレベルに設定する時期)は適宜に変更される。例えば、書込期間Hの開始前または開始後の時点から駆動制御トランジスターTELを導通させてもよい。また、書込期間Hの後の時点から駆動制御トランジスターTELを導通させてもよい。さらに、発光期間HDRは、書込期間Hが終了して所定期間経過後に開始され、次の書込期間Hの直前に終了するようにしてもよい。
画素回路の構成は適宜に変更される。例えば特開2005−099773号公報に開示されるように、選択トランジスターと駆動トランジスターとの間に容量素子を介在させることも可能である。指定階調に応じた変動量だけデータ線の電位を変動させ、容量素子の容量結合を利用して、駆動トランジスターのゲートの電位をデータ線の電位の変動量に応じて変動させることで、駆動トランジスターのゲート−ソース間の電圧を指定階調に応じて設定することも可能である。すなわち、ゲートの電位は、データ線の電位に必ずしも一致しない。
画素回路Pを構成する各トランジスターの導電型は適宜に変更される。例えば、駆動トランジスターTDRをNチャネル型としてもよい。すなわち、Nチャネル型の駆動トランジスターTDRのソースと発光素子Eの陰極との間に駆動制御トランジスターTELを介在させた構成を採用することができる。
有機発光ダイオード素子は電気光学素子の例示に過ぎない。本発明に適用される電気光学素子は、自身が発光する自発光型であればどのようなものでもよく、例えば、無機EL素子、LED(Light Emitting Diode)素子などが該当する。
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図9乃至図12には、以上に説明した何れかの形態に係る発光装置100を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
Claims (9)
- ゲート・ソース間電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する駆動トランジスターと、
前記駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記ゲート・ソース間電圧を指定階調に応じて制御する制御部と、
を備え、
前記ゲート・ソース間電圧は、前記発光素子を第1階調に応じた輝度で発光させる第1電圧値以上、且つ、前記発光素子を第2階調に応じた輝度で発光させる第2電圧値以下の電圧であり、
前記第1電圧値及び前記第2電圧値は、環境温度の変化に対する前記駆動電流の変化率が所定値以下となるときのゲート・ソース間電圧である第3電圧値が当該第1電圧値と当該第2電圧値との間に含まれるように設定されている、
ことを特徴とする発光装置。 - 前記第3電圧値は、前記変化率が最小のときのゲート・ソース間電圧である、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記駆動トランジスターは、単結晶シリコンまたは擬似単結晶シリコンを用いて形成されている、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光装置。 - 前記第1電圧値及び前記第2電圧値は、前記第3電圧値が当該第1階調と当該第2階調との中間の階調に応じた輝度で前記発光素子を発光させる電圧値となるように設定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記第1電圧値及び前記第2電圧値は、前記第3電圧値が最高階調に応じた輝度で前記発光素子を発光させる電圧値となるように設定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のうちいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記駆動トランジスターは、P型トランジスターであり、且つ、ゲート酸化膜厚が10nm以上30nm以下であり、
前記第1電圧値及び前記第2電圧値は、前記第3電圧値を−1.55V以上−1.3V以下の電圧値として設定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記駆動トランジスターは、N型トランジスターであり、且つ、ゲート酸化膜厚が10nm以上30nm以下であり、
前記第1電圧値及び前記第2電圧値は、前記第3電圧値を1.3V以上1.55V以下の電圧値として設定されている、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の発光装置。 - 請求項1乃至請求項7のうちいずれか一項に記載の発光装置を備える電子機器。
- ゲート・ソース間電圧に応じた電流量の駆動電流を生成する駆動トランジスターと、
前記駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する発光素子と、
前記ゲート・ソース間電圧を指定階調に応じて制御する制御部と、
を備える発光装置の設計方法であって、
前記環境温度が第1温度のときの前記特性を特定する工程と、
前記環境温度が第2温度のときの前記特性を特定する工程と、
環境温度の変化に対する前記駆動電流の変化率が所定値以下となるときのゲート・ソース間電圧である第3電圧値を、前記第1温度のときの前記特性と、前記第2温度のときの前記特性とに基づいて特定する工程と、
前記発光素子を最低階調に応じた輝度で発光させる前記ゲート・ソース間電圧である第1電圧値と、前記発光素子を最高階調に応じた輝度で発光させる前記ゲート・ソース間電圧である第2電圧値との間に、前記第3電圧値が含まれるように、前記第1電圧値及び前記第2電圧値を設定する工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の設計方法。
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