JP2015073094A5 - コンタクト抵抗測定パターン及びその使用方法、半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 半導体と、
   前記半導体と接し、互いに離間して配置された第１の導電体、第２の導電体および第３の導電体と、
   前記半導体と重なる絶縁体と、
   前記絶縁体を介し、前記半導体の、前記第１の導電体、前記第２の導電体および前記第３の導電体と接しない領域と重なる第４の導電体と、を有し、
   前記第１の導電体、前記第２の導電体、及び前記第３の導電体の各々は、前記半導体の上面と接する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記第１の導電体と前記第３の導電体の間に配置され、
   前記半導体と前記第２の導電体とのコンタクト抵抗が測定可能であることを特徴とするコンタクト抵抗測定パターン。
2. 請求項１において、
   前記第４の導電体は、前記半導体の上又は下に配置されることを特徴とするコンタクト抵抗測定パターン。
3. 前記第１の導電体と電気的に接続された第１の端子と、
   前記第３の導電体と電気的に接続された第２の端子と、
   前記第２の導電体と電気的に接続された第３の端子および第４の端子と、
   前記第４の導電体と電気的に接続された第５の端子と、を有し、
   前記第５の端子には前記半導体にキャリアを誘起させる電位を与え、前記第１の端子と前記第３の端子との間には一定の電流が流れるような電位差を与え、前記第２の端子と前記第４の端子との間には電流が測定されないような電位差を与え、前記第２の端子と前記第４の端子との電位差を、前記第１の端子と前記第３の端子との間を流れる電流値で除することでコンタクト抵抗を算出することを特徴とする、請求項１又は２に記載のコンタクト抵抗測定パターンの使用方法。
4. トランジスタと
   前記トランジスタと同一基板上に作製された請求項１又は２に記載のパターンと、を有することを特徴とした半導体装置。