JP2015064393A - レジスト剥離液 - Google Patents
レジスト剥離液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015064393A JP2015064393A JP2013190455A JP2013190455A JP2015064393A JP 2015064393 A JP2015064393 A JP 2015064393A JP 2013190455 A JP2013190455 A JP 2013190455A JP 2013190455 A JP2013190455 A JP 2013190455A JP 2015064393 A JP2015064393 A JP 2015064393A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist
- mass
- stripping solution
- resist stripping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 51
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- -1 cyclic amine Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 198
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical group OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 34
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 claims description 31
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical group CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- FQUYSHZXSKYCSY-UHFFFAOYSA-N 1,4-diazepane Chemical compound C1CNCCNC1 FQUYSHZXSKYCSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 claims description 12
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 87
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 85
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 85
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 43
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 43
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 226
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 110
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 94
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 56
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 43
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 38
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 29
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 27
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 27
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002585 base Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N sulfonyldimethane Chemical compound CS(C)(=O)=O HHVIBTZHLRERCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZLXQBNSOMJQEJ-UHFFFAOYSA-N 1,3-di(propan-2-yl)imidazolidin-2-one Chemical class CC(C)N1CCN(C(C)C)C1=O AZLXQBNSOMJQEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYCCIHSMVNRABA-UHFFFAOYSA-N 1,3-diethylimidazolidin-2-one Chemical compound CCN1CCN(CC)C1=O NYCCIHSMVNRABA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJEXUIKBGBSHBS-UHFFFAOYSA-N 1-(hydroxymethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCN1CCCC1=O PJEXUIKBGBSHBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCYRFWNGRMRJA-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpiperazine Chemical compound CCN1CCNCC1 WGCYRFWNGRMRJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 1-ethylsulfonylethane Chemical compound CCS(=O)(=O)CC MBDUIEKYVPVZJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDKGWGUUUVROTO-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypiperazine Chemical compound ON1CCNCC1 KDKGWGUUUVROTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 1-propylpyrrolidin-2-one Chemical compound CCCN1CCCC1=O DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethylsulfonyl)ethanol Chemical compound OCCS(=O)(=O)CCO QQLILYBIARWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpiperazine Chemical compound CC1CNCCN1 JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N D-Mannitol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-KVTDHHQDSA-N 0.000 description 1
- 229930195725 Mannitol Natural products 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical class NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-O N-dimethylethanolamine Chemical compound C[NH+](C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000832 lactitol Substances 0.000 description 1
- 235000010448 lactitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N lactitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-JVCRWLNRSA-N 0.000 description 1
- 229960003451 lactitol Drugs 0.000 description 1
- 239000000845 maltitol Substances 0.000 description 1
- 235000010449 maltitol Nutrition 0.000 description 1
- VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N maltitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]([C@H](O)CO)O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O VQHSOMBJVWLPSR-WUJBLJFYSA-N 0.000 description 1
- 229940035436 maltitol Drugs 0.000 description 1
- 239000000594 mannitol Substances 0.000 description 1
- 235000010355 mannitol Nutrition 0.000 description 1
- 229960001855 mannitol Drugs 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229960002920 sorbitol Drugs 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 229960004793 sucrose Drugs 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 1
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 1
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
三級アルカノールアミンと、極性溶媒と、水と、環式アミンと、糖アルコールを含むことを特徴とする。また、環式アミンに置き換えて、一部の二級アミンを用いてもよい。
レジスト剥離性を以下の2つの観点で評価した。
シリコン基板上に、シリコン熱酸化膜を100nm成膜し、シリコン熱酸化膜上にスパッタ法で銅膜を300nmの厚みに形成した。その銅膜上にポジ型レジスト液をスピンコートで塗布した。レジスト膜が乾燥した後、配線パターンのマスクを用いて露光した。そしてレジスト剥離液で、感光した部分のレジストを剥離した。つまり、銅膜上に配線パターンのレジスト膜が残った部分と、銅膜が露出した部分がある状態である。
シリコン基板上に、a−Si(アモルファスシリコン)膜を300nmの厚さで形成した。そのa−Si膜上にポジ型レジスト液をスピンコートで塗布した。レジスト膜が乾燥した後、配線パターンのマスクを用いて露光した。そしてレジスト剥離液で、感光した部分のレジストを剥離した。つまり、a−Si膜上に配線パターンのレジスト膜が残った部分と、a−Si膜が露出した部分がある状態である。
基板上に作製される銅膜およびアルミニウム膜は、上層に絶縁材としてSiNx膜が形成される層とされない層が作製される。これが、ゲート線のパターニング、a−Si(n+)/a−Si膜のパターニング、SD線のパターニング、a−Siチャンネル形成パターニングなどである。これらのパターニング時に、レジストが使用され、そのレジストを剥離するために、レジスト剥離液が使用される。つまり、レジスト剥離液は、銅膜およびアルミニウム膜に直接触れる場合がある。この際に、レジスト剥離液が銅膜およびアルミニウム膜を腐食する程度をSEMで観測した。
(1)シリコン基板上にシリコン熱酸化膜を100nm成膜し、熱酸化膜上にスパッタ法で銅膜を300nm形成したもの。表には「Cu gate」と記した。
(2)シリコン基板上にシリコン熱酸化膜を100nm成膜し、シリコン熱酸化膜上にスパッタ法でモリブデン膜を20nm形成した後、さらに銅膜を300nm積層したもの。表には「Cu/Mo gate」と記した。モリブデンは基板と銅膜の接着力を向上させるためのアンカー層である。銅膜がこの2層構造になっている場合は、レジスト剥離液がモリブデン層を腐食しても、銅膜が使用できなくなる。
(3)シリコン基板上にシリコン熱酸化膜を100nm成膜し、シリコン熱酸化膜上にスパッタ法でアルミニウム膜を300nm形成したもの。表には「Al gate」と記した。
以下の要領でサンプルレジスト剥離液を調製した。サンプルレジスト剥離液は、アミン類と極性溶媒と水と添加剤で構成されている。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、ホモピペラジンと、ソルビトールを用いた。
ホモピペラジン 1.0質量%
ソルビトール 1.0質量%
以上を混合攪拌して実施例1のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例2は実施例1より添加剤の量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.2質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、ホモピペラジンと、ソルビトールを用いた。
ホモピペラジン 0.9質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して実施例2のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例3は実施例2より添加剤ソルビトールの量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.6質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、ホモピペラジンと、ソルビトールを用いた。
ホモピペラジン 0.9質量%
ソルビトール 0.5質量%
以上を混合攪拌して実施例3のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例4は実施例1乃至3に対して環式アミンの種類を変更した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.2質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、ピペラジンと、ソルビトールを用いた。
ピペラジン 0.9質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して実施例4のサンプルレジスト剥離液とした。
実施例5は実施例1乃至4に対して環式アミンの種類を変更した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.1質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、OH−ピペラジンと、ソルビトールを用いた。
OH−ピペラジン 2.0質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して実施例5のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例1は添加剤がない組成である。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 24.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
以上を混合攪拌して比較例1のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例2は、アミンの種類を変更した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N,N−ジメチルエタノールアミン(DMEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 24.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
以上を混合攪拌して比較例2のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例3は、アミンの種類を変更した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N,N−ジエチルエタノールアミン(N−DEEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 24.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
以上を混合攪拌して比較例3のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例4は、アミンの種類を変更した。
アミン類としてニ級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルエタノールアミン(MMA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 24.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
以上を混合攪拌して比較例4のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例5は、アミンの種類を変更した。
アミン類として一級アルカノールアミンを用いた。
モノエタノールアミン(MEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 24.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
以上を混合攪拌して比較例5のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例6は、比較例1に添加剤を加えた。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.6質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてピペラジンを加えた。
ピペラジン 0.4質量%
以上を混合攪拌して比較例6のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例7は、比較例6の添加剤の量を増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.1質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてピペラジンを加えた。
ピペラジン 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例7のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例8は、比較例6の添加剤の種類を変更し、量も増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてヒドロキシエチルピペラジン(「OH−ピペラジン」と表記した)を加えた。
OH−ピペラジン 1.0質量%
以上を混合攪拌して比較例8のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例9は、比較例8の添加剤の量を増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.6質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてOH−ピペラジンを加えた。
OH−ピペラジン 2.4質量%
以上を混合攪拌して比較例9のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例10は、比較例6の添加剤の種類を変更し、量も増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.0質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてホモピペラジンを加えた。
ホモピペラジン 1.0質量%
以上を混合攪拌して比較例10のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例11は、比較例10の添加剤の量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.1質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてホモピペラジンを加えた。
ホモピペラジン 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例11のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例12は、比較例11の添加剤の量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 23.3質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤としてホモピペラジンを加えた。
ホモピペラジン 0.7質量%
以上を混合攪拌して比較例12のサンプルレジスト剥離液とした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.7質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 1.4質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して実施例21のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例21は、実施例21のMMAの量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.2質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 0.9質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例21のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例22は、比較例21のMMAの量を増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.9質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 1.2質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例22のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例23は、比較例22のMMAの量を増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.8質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 1.3質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例23のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例24は、実施例21からソルビトールを削除した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.6質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)だけを用いた。
MMA 1.4質量%
以上を混合攪拌して比較例24のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例25は、比較例24の添加剤をN−エチルエタノールアミン(MEM)に変更して量も増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.4質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−エチルエタノールアミン(MEM)だけを用いた。
MEM 1.6質量%
以上を混合攪拌して比較例25のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例26は、比較例24の添加剤をN−n−ブチルエタノールアミン(MBM)に変更して量も増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.9質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−n−ブチルエタノールアミン(MBM)だけを用いた。
MBM 2.1質量%
以上を混合攪拌して比較例26のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例27は、比較例24の添加剤をジエタノールアミン(DEA)に変更して量も増やした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.1質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、ジエタノールアミン(DEA)だけを用いた。
DEA 1.9質量%
以上を混合攪拌して比較例27のサンプルレジスト剥離液とした。
三級アルカノールアミンと、極性溶媒と、水と、環式アミンと、糖アルコールを含み、
前記環式アミンは、ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン、ホモピペラジンのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 21.7質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 1.4質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して参考例21のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例21は、参考例21のMMAの量を減らした。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.2質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)と、ソルビトールを用いた。
MMA 0.9質量%
ソルビトール 0.9質量%
以上を混合攪拌して比較例21のサンプルレジスト剥離液とした。
比較例24は、参考例21からソルビトールを削除した。
アミン類として三級アルカノールアミンを用いた。
N−メチルジエタノールアミン(MDEA) 5.0質量%
極性溶媒は、2種類を混合した。
プロピレングリコール(PG) 22.6質量%
ジエチレングリコールモノブチルエーテル(BDG) 40.0質量%
水 31.0質量%
添加剤として、N−メチルエタノールアミン(MMA)だけを用いた。
MMA 1.4質量%
以上を混合攪拌して比較例24のサンプルレジスト剥離液とした。
Claims (12)
- 三級アルカノールアミンと、極性溶媒と、水と、環式アミンと、糖アルコールを含むことを特徴とするレジスト剥離液。
- 前記極性溶媒は50〜80質量%であることを特徴とする請求項1に記載されたレジスト剥離液。
- 前記環式アミンは、六員環若しくは七員環の環状構造を有することを特徴とする請求項1または2の何れかに記載されたレジスト剥離液。
- 前記環式アミンは、ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン、ホモピペラジンのうちの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。
- 前記糖アルコールはソルビトールであることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。
- 前記三級アルカノールアミンが、N−メチルジエタノールアミンであり、前記極性溶媒がジエチレングリコールモノブチルエーテルと、プロピレングリコールの混合溶媒であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。
- 前記三級アルカノールアミンは、2〜9質量%であり、
前記極性溶媒は、50〜80質量%であり、
前記水は10〜50質量%であり、
前記環式アミンは、0.5〜5質量%であり、
前記糖アルコールは、0.5〜10質量%であることを特徴とする請求項1乃至6の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。 - 三級アルカノールアミンと、極性溶媒と、水と、二級アミンと、糖アルコールを含むことを特徴とするレジスト剥離液。
- 前記二級アミンがN−メチルエタノールアミンであることを特徴とする請求項8に記載されたレジスト剥離液。
- 前記糖アルコールがソルビトールであることを特徴とする請求項8または9のいずれかの請求項に記載されたレジスト剥離液。
- 前記三級アルカノールアミンが、N−メチルジエタノールアミンであり、前記極性溶媒がジエチレングリコールモノブチルエーテルと、プロピレングリコールの混合溶媒であることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。
- 前記三級アルカノールアミンは、2〜9質量%であり、
前記極性溶媒は、50〜80質量%であり、
前記水は10〜50質量%であり、
前記二級アミンは、1.4〜5質量%であり、
前記糖アルコールは、0.5〜10質量%であることを特徴とする請求項8乃至11の何れか1の請求項に記載されたレジスト剥離液。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013190455A JP5575318B1 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-13 | レジスト剥離液 |
CN201610810602.2A CN106200283B (zh) | 2013-09-02 | 2014-02-17 | 抗蚀剂剥离液 |
PCT/JP2014/000786 WO2015029277A1 (ja) | 2013-09-02 | 2014-02-17 | レジスト剥離液 |
CN201480059453.XA CN105723284B (zh) | 2013-09-02 | 2014-02-17 | 抗蚀剂剥离液 |
TW103123581A TWI494712B (zh) | 2013-09-02 | 2014-07-09 | Photoresist stripping solution |
TW103128915A TWI494713B (zh) | 2013-09-02 | 2014-07-09 | Photoresist stripping solution |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013181595 | 2013-09-02 | ||
JP2013181595 | 2013-09-02 | ||
JP2013190455A JP5575318B1 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-13 | レジスト剥離液 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014111594A Division JP5593466B1 (ja) | 2013-09-02 | 2014-05-29 | レジスト剥離液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5575318B1 JP5575318B1 (ja) | 2014-08-20 |
JP2015064393A true JP2015064393A (ja) | 2015-04-09 |
Family
ID=51579010
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013190455A Expired - Fee Related JP5575318B1 (ja) | 2013-09-02 | 2013-09-13 | レジスト剥離液 |
JP2014111594A Expired - Fee Related JP5593466B1 (ja) | 2013-09-02 | 2014-05-29 | レジスト剥離液 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014111594A Expired - Fee Related JP5593466B1 (ja) | 2013-09-02 | 2014-05-29 | レジスト剥離液 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5575318B1 (ja) |
CN (2) | CN105723284B (ja) |
TW (2) | TWI494712B (ja) |
WO (1) | WO2015029277A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5885041B1 (ja) * | 2014-10-27 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
JP5885043B1 (ja) * | 2014-12-05 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液とその製造方法 |
JP5885045B1 (ja) * | 2015-01-27 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液とその製造方法 |
JP5885046B1 (ja) * | 2015-03-24 | 2016-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
CN107995960B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-03-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
JP6938937B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2021-09-22 | 荒川化学工業株式会社 | 防錆膜用の除去剤 |
CN108941061B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-02-05 | 中国人民解放军国防科技大学 | 光学元件的定量化清洁装置及方法 |
CN109270808A (zh) * | 2018-10-25 | 2019-01-25 | 健鼎(湖北)电子有限公司 | 一种去除干膜的方法 |
WO2020194418A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
EP4038173A4 (en) * | 2019-09-30 | 2023-11-01 | Versum Materials US, LLC | PHOTO PAINT REMOVER |
CN112805629B (zh) * | 2019-11-20 | 2022-02-15 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005043873A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-17 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
WO2005043610A1 (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 不飽和ジカルボン酸およびエチレン尿素を含む半導体用洗浄液組成物および洗浄方法 |
JP2006079093A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物 |
WO2009051237A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Henkel Corporation | 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法 |
WO2010073887A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法 |
WO2010119753A1 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2000284506A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
US8003587B2 (en) * | 2002-06-06 | 2011-08-23 | Ekc Technology, Inc. | Semiconductor process residue removal composition and process |
US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
KR20090072546A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의제조 방법 |
CN102301282B (zh) * | 2008-11-28 | 2014-03-05 | 出光兴产株式会社 | 防腐蚀性光致抗蚀剂剥离剂组合物 |
KR20100070087A (ko) * | 2008-12-17 | 2010-06-25 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
KR100950779B1 (ko) * | 2009-08-25 | 2010-04-02 | 엘티씨 (주) | Tft―lcd 통합공정용 포토레지스트 박리제 조성물 |
JP5717519B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-05-13 | パナソニック株式会社 | フォトレジスト用剥離液 |
KR20140030185A (ko) * | 2011-05-20 | 2014-03-11 | 파나소닉 주식회사 | 포토레지스트용 박리액, 박리액 리사이클 시스템과 운전 방법 및 박리액의 리사이클 방법 |
CN103064263B (zh) * | 2011-08-22 | 2015-06-10 | 东友精细化工有限公司 | 抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法 |
-
2013
- 2013-09-13 JP JP2013190455A patent/JP5575318B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-02-17 CN CN201480059453.XA patent/CN105723284B/zh active Active
- 2014-02-17 WO PCT/JP2014/000786 patent/WO2015029277A1/ja active Application Filing
- 2014-02-17 CN CN201610810602.2A patent/CN106200283B/zh active Active
- 2014-05-29 JP JP2014111594A patent/JP5593466B1/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-09 TW TW103123581A patent/TWI494712B/zh active
- 2014-07-09 TW TW103128915A patent/TWI494713B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005043873A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-02-17 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
WO2005043610A1 (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 不飽和ジカルボン酸およびエチレン尿素を含む半導体用洗浄液組成物および洗浄方法 |
JP2006079093A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物 |
WO2009051237A1 (ja) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Henkel Corporation | 剥離液組成物、それを用いた樹脂層の剥離方法 |
WO2010073887A1 (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物、積層金属配線基板のフォトレジスト剥離方法及び製造方法 |
WO2010119753A1 (ja) * | 2009-04-17 | 2010-10-21 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離剤組成物及びフォトレジスト剥離方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI494713B (zh) | 2015-08-01 |
TW201445264A (zh) | 2014-12-01 |
WO2015029277A1 (ja) | 2015-03-05 |
CN105723284B (zh) | 2017-10-03 |
TWI494712B (zh) | 2015-08-01 |
CN105723284A (zh) | 2016-06-29 |
JP2015064555A (ja) | 2015-04-09 |
JP5575318B1 (ja) | 2014-08-20 |
JP5593466B1 (ja) | 2014-09-24 |
TW201447513A (zh) | 2014-12-16 |
CN106200283B (zh) | 2017-11-03 |
CN106200283A (zh) | 2016-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5593466B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
JP6277511B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
JP5885046B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
JP2016095413A (ja) | レジスト剥離液 | |
KR101082515B1 (ko) | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 | |
JP2012018982A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離法 | |
JP2006343604A (ja) | ホトリソグラフィ用洗浄液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
TWI629353B (zh) | Receptor stripping solution | |
JP5885041B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
JP6176584B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
JP5885043B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 | |
JP2012242696A (ja) | フォトレジスト用剥離液 | |
JP5885045B1 (ja) | レジスト剥離液とその製造方法 | |
JP5717519B2 (ja) | フォトレジスト用剥離液 | |
TWI431112B (zh) | Hydroxylamine - containing cleaning solution and its application | |
TWI629576B (zh) | Photoresist stripper | |
JP2002214805A (ja) | レジスト剥離剤 | |
JP6213803B1 (ja) | レジスト剥離液 | |
KR20080066322A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140529 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140529 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20140529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20140617 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140624 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140701 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5575318 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |