CN109270808A - 一种去除干膜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种去除干膜的方法，包括使用特定浓度乙醇胺稀释液去除干膜，降低去膜液体表面张力，使干膜裂解、剥离进而除去干膜，去除率高，同时可避免对基板金属的氧化，不良率低，工艺简单易操作，可适用于现有技术中多种干膜，具有良好应用前景。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种去除干膜的方法，尤其涉及一种可降低去膜液体表面张力，使覆盖于基板表面的干膜易于裂解、剥离进而去除干膜的方法。
【背景技术】
随着消费市场越来越大，电路基板企业飞速成长，而电子产品科技高性能化，基板表面处理时，性能优良的镀金或化金也成为首选材料。由于金昂贵，通常需使用干膜覆盖基板表面，仅选择性地露出需要镀金或化金的部分。其中，干膜的覆盖能力强，不破膜是其必要性能，但是如果干膜附着力越强，则会使得去膜越加困难。
现有技术中去除干膜常用的方法是采用氢氧化钠液体使干膜分裂为碎片，再以纯水洗去。其步骤繁琐，耗费人工及工时，不仅对于干膜的去除效果不佳，甚至会对基板表面或金属层造成伤害。
因此，如何能有一种可降低去膜液体表面张力，使覆盖于基板表面的干膜易于裂解剥离的去除干膜的方法，是相关技术领域人士亟待解决的问题。
【发明内容】
本发明提出一种去除干膜的方法，其特征在于：以乙醇胺稀释液去除覆盖于基板的干膜。
其中，其中按照所述乙醇胺稀释液总重量为100％计，乙醇胺的量为1-6％，其余为纯水，作为优选，乙醇胺的量为1-5％，其余为纯水。
作为优选，乙醇胺稀释液以冲洗或浸泡的方式，去除覆盖在所述基板上的干膜，更进一步的，所述基板经过乙醇胺溶液冲洗或浸泡后，还包括纯水冲洗的步骤。
本发明的技术效果在于：
采用特定浓度乙醇胺稀释液去除干膜，降低去膜液体表面张力，使干膜裂解、剥离进而除去干膜，去除率高，同时可避免对基板金属的氧化，不良率低，工艺简单易操作，可适用于现有技术中多种干膜。
【具体实施方式】
本发明所提供的一种去除干膜的方法，其特征在于：以乙醇胺(分子式为HO(CH2)2NH2)稀释液去除覆盖于基板的干膜。
经以乙醇胺浓度为0～7％的稀释液进行实验，其中，乙醇胺稀释液以总重量百分数为100％计，乙醇胺浓度1％代表乙醇胺为1％，其余为纯水；乙醇胺浓度2％代表乙醇胺为2％，其余为纯水，以此类推。此外，线速(米/分钟)代表待去除干膜的基板的移动速度。
表1：实验结果如下表1所示：
以实施例1为例，利用乙醇胺浓度为0％的乙醇胺稀释液(实际上相当于纯水)冲洗或浸泡待去除干膜的基板，再以纯水冲洗，基板以每分钟2米的速度移动，而后检验500组基板的去膜效果，去膜不尽不良率为1.20％，铜面氧化不良率为89％，金面氧化不良为1.99％。其余实施例2～7以此类推。
根据上述表1所示实验结果，若仅考量去膜不尽不良率时，当乙醇胺稀释液浓度为2～7％时，去膜不尽不良率均为0。
若仅考量铜面氧化不良率时，当乙醇胺稀释液浓度为1～7％时，铜面氧化不良率最高为3.80％，属于可接受的范围。且当乙醇胺稀释液浓度为7％时，铜面氧化不良率为0％。
若仅考量金面氧化不良率时，当乙醇胺稀释液浓度为0～6％时，金面氧化不良率最高为10.35％，均属于可接受的范围。
若综合考量去膜不尽不良率，铜面氧化不良率及金面氧化不良率三方面时，则当乙醇胺稀释液浓度介于1～6％的范围时，各方面的效果皆佳，其中，当乙醇胺稀释液浓度介于1～5％的范围时尤佳。
综上所述，本发明所述的去除干膜的方法，借助适当浓度调配的乙醇胺稀释液去除覆盖在基板上的干膜，可降低去膜液体表面张力，使覆盖于基板表面的干膜易于裂解剥离，且可保护。此外，本发明提供的去除干膜的方法，适用于本技术领域业者普遍使用的干膜，例如镀金干膜，化金干膜。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作若干的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (8)
1.一种去除干膜的方法，其特征在于：以乙醇胺稀释液去除覆盖于基板的干膜。
2.根据权利要求1所述去除干膜的方法，其中按照所述乙醇胺稀释液总重量为100％计，乙醇胺的量为1-6％，其余为纯水。
3.根据权利要求2所述去除干膜的方法，其中按照所述乙醇胺稀释液总重量为100％计，乙醇胺的量为1-5％，其余为纯水。
4.根据权利要求1所述去除干膜的方法，其中乙醇胺稀释液以冲洗或浸泡的方式，去除覆盖在所述基板上的干膜。
5.根据权利要求4所述去除干膜的方法，其中所述基板经过乙醇胺溶液冲洗或浸泡后，还包括纯水冲洗的步骤。
6.根据权利要求1所述去除干膜的方法，所述基板材质为金属。
7.根据权利要求6所述去除干膜的方法，所述基板材质为铜或金。
8.根据权利要求1或4所述去除干膜的方法，其特征在于，在去除干膜过程中，所述基板移动速度为1-5米/分钟，优选1-3米/分钟，更优选2-2.5米/分钟。
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