TWI676678B - 去除乾膜的方法

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本發明提供一種去除乾膜的方法，包括使用特定濃度乙醇胺稀釋液去除乾膜，降低去膜液體表面張力，使乾膜裂解、剝離進而除去乾膜，去除率高，同時可避免對基板金屬的氧化，不良率低，工藝簡單易操作，可適用於現有技術中多種乾膜，具有良好應用前景。

去除乾膜的方法

本發明涉及一種去除乾膜的方法，尤其涉及一種可降低去膜液體表面張力，使覆蓋於基板表面的乾膜易於裂解、剝離進而去除乾膜的方法。

隨著消費市場越來越大，電路基板企業飛速成長，而電子產品科技高性能化，基板表面處理時，性能優良的鍍金或化金也成為首選材料。

由於金昂貴，通常需使用乾膜覆蓋基板表面，僅選擇性地露出需要鍍金或化金的部分。其中，乾膜的覆蓋能力強，不破膜是其必要性能，但是如果乾膜附著力越強，則會使得去膜越加困難。

現有技術中去除乾膜常用的方法是採用氫氧化鈉液體使乾膜分裂為碎片，再以純水洗去。其步驟繁瑣，耗費人工及工時，不僅對於乾膜的去除效果不佳，甚至會對基板表面或金屬層造成傷害。

據此，如何能有一種可降低去膜液體表面張力，使覆蓋於基板表面之乾膜易於裂解剝離之『去除乾膜的方法』，是相關技術領域人士亟待解決之課題。

於一實施例中，本發明提出一種去除乾膜的方法，其特徵在於：以乙醇胺稀釋液去除覆蓋於基板的乾膜。

其中，其中按照所述乙醇胺稀釋液總重量為100%計，乙醇胺的量為1-6%，其餘為純水，作為優選，乙醇胺的量為1-5%，其餘為純水。

作為優選，乙醇胺稀釋液以沖洗或浸泡的方式，去除覆蓋在所述基板上的乾膜，更進一步的，所述基板經過乙醇胺稀釋液沖洗或浸泡後，還包括純水沖洗的步驟。

本發明的技術效果在於：採用特定濃度乙醇胺稀釋液去除乾膜，降低去膜液體表面張力，使乾膜裂解、剝離進而除去乾膜，去除率高，同時可避免對基板金屬的氧化，不良率低，工藝簡單易操作，可適用於現有技術中多種乾膜。

本發明所提供的一種去除乾膜的方法，其特徵在於：以乙醇胺(分子式為HO(CH₂)₂NH₂)稀釋液去除覆蓋於基板的乾膜。

經以乙醇胺濃度為0~7%的稀釋液進行實驗，其中，乙醇胺稀釋液以總重量百分數為100%計，乙醇胺濃度1%代表乙醇胺為1%，其餘為純水；乙醇胺濃度2%代表乙醇胺為2%，其餘為純水，以此類推。

實驗結果如下表1所示：

必須說明的是，線速(公尺/分鐘)代表待去除乾膜的基板的移動速度。基板的材質不限，可為金屬，例如銅或金。基板移動速度可為1-5公尺/分鐘，優選1-3公尺/分鐘，更優選2-2.5公尺/分鐘，例如表1是以2-2.5公尺/分鐘為實驗實施例，但不限於此。

以表1的實施例1為例，利用乙醇胺濃度為0%的乙醇胺稀釋液(實際上相當於純水)沖洗或浸泡待去除乾膜的基板，再以純水沖洗，基板以每分鐘2公尺的速度移動，而後檢驗500組基板的去膜效果，去膜不盡不良率為1.20%，銅面氧化不良率為89%，金面氧化不良為1.99%。其餘實施例2~8以此類推。

根據上述表1所示實驗結果，若僅考量去膜不盡不良率時，當乙醇胺稀釋液濃度為2~7%時，去膜不盡不良率均為0。

若僅考量銅面氧化不良率時，當乙醇胺稀釋液濃度為1~7%時，銅面氧化不良率最高為3.80%，屬於可接受的範圍。且當乙醇胺稀釋液濃度為7%時，銅面氧化不良率為0%。

若僅考量金面氧化不良率時，當乙醇胺稀釋液濃度為0~6%時，金面氧化不良率最高為10.35%，均屬於可接受的範圍。

若綜合考量去膜不盡不良率，銅面氧化不良率及金面氧化不良率三方面時，則當乙醇胺稀釋液濃度介於1~6%的範圍時，各方面的效果皆佳，其中，當乙醇胺稀釋液濃度介於1~5%的範圍時尤佳。

綜上所述，本發明所述的去除乾膜的方法，借助適當濃度調配的乙醇胺稀釋液去除覆蓋在基板上的乾膜，可降低去膜液體表面張力，使覆蓋於基板表面的乾膜易於裂解剝離，且可保護。此外，本發明提供的去除乾膜的方法，適用於本技術領域業者普遍使用的乾膜，例如鍍金乾膜、化金乾膜。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

一種去除乾膜的方法，其特徵在於：以乙醇胺稀釋液去除覆蓋於基板的乾膜；其中該乙醇胺稀釋液總重量為100%計，乙醇胺的量為1-6%，其餘為純水；以及其中該去除乾膜過程中，該基板移動速度為1-5公尺/分鐘。
如申請專利範圍第1項所述之去除乾膜的方法，其中該乙醇胺稀釋液總重量為100%計，乙醇胺的量為1-5%，其餘為純水。
如申請專利範圍第1項所述之去除乾膜的方法，其中該乙醇胺稀釋液以沖洗或浸泡的方式，去除覆蓋在該基板上的乾膜。
如申請專利範圍第3項所述之去除乾膜的方法，其中該基板經過該乙醇胺稀釋液沖洗或浸泡後，還包括純水沖洗的步驟。
如申請專利範圍第1項所述之去除乾膜的方法，其中該基板的材質為金屬。
如申請專利範圍第5項所述之去除乾膜的方法，其中該基板的材質為銅或金。
如申請專利範圍第1項所述之去除乾膜的方法，其中該去除乾膜過程中，該基板移動速度為1-3公尺/分鐘。
如申請專利範圍第7項所述之去除乾膜的方法，其中該去除乾膜過程中，該基板移動速度為2-2.5公尺/分鐘。