JP2015050722A - 信号出力回路および信号出力方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】受信側回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる信号出力回路を得る。【解決手段】第1の出力信号を出力する第1の端子を有する出力バッファと、第1の出力端子と、第1の端子から第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチと、オン状態になることにより第1の出力端子に所定の電圧を伝える第2のスイッチとを備える。【選択図】図1

Description

本開示は、信号を出力する信号出力回路、およびそのような信号出力回路に用いられる信号出力方法に関する。
複数の集積回路(LSI;Large-scale Integrated Circuit)間で信号を伝達する際、しばしばAC結合(容量結合)が用いられる。このAC結合により、送信側回路は、受信側回路に対して、信号の直流成分を伝えることなく、交流成分を伝えることができる。そのため、送信側回路の直流レベルと、受信側回路の直流レベルが互いに異なる場合にも、容易に信号を伝達させることができる。
一方、例えば電源投入時などにおいて、送信側回路に過渡的に過大な電圧が発生した場合、このAC結合により、その電圧が受信側回路に伝わることがある。その際、この受信側回路に伝わった電圧が、受信側回路の定格を超えてしまい、受信側回路の特性劣化や、デバイス破壊を招くおそれがある。特に、近年は、集積回路の製造プロセスの微細化が進み、定格電圧が低くなりつつあるため、受信側回路に伝わった過渡的な信号により、受信側回路の特性劣化などが生じやすくなっている。
このような受信側回路の特性劣化などを低減するため、さまざまな技術が開示されている。例えば、特許文献1には、アナログフロントエンド回路(受信側回路)にAC結合されたバッファ回路(送信側回路)と電源との間に、RCフィルタを設けることにより、アナログフロントエンド回路のデバイス保護を図る技術が開示されている。
特開2007−214688号公報
このように、複数の集積回路間で信号を伝達する際に、受信側回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することが望まれている。
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、受信側回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる信号出力回路および信号出力方法を提供することにある。
本開示の信号出力回路は、出力バッファと、第1の出力端子と、第1のスイッチと、第2のスイッチとを備えている。出力バッファは、第1の出力信号を出力する第1の端子を有するものである。第1のスイッチは、第1の端子から第1の出力端子への信号経路上に挿入されたものである。第2のスイッチは、オン状態になることにより第1の出力端子に所定の電圧を伝えるものである。
本開示の信号出力方法は、出力バッファの第1の端子から第1の出力信号を出力し、 所定の期間にわたって、第1の端子から第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチをオフ状態にするとともに、オン状態になることにより第1の出力端子に所定の電圧を供給する第2のスイッチをオン状態にし、その後に、第1のスイッチをオン状態にする動作と、第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行うものである。
本開示の信号出力回路では、第1の出力信号が、出力バッファの第1の端子から第1の出力端子に伝えられ、第1の出力端子から出力される。この第1の端子から第1の出力端子への信号経路上には、第1のスイッチが挿入され、また、オン状態になることにより第1の出力端子に所定の電圧を伝える第2のスイッチが設けられている。
本開示の信号出力方法では、所定の期間にわたって、第1のスイッチがオフ状態にされるとともに、第2のスイッチがオン状態にされる。そして、その後に、第1のスイッチをオン状態にする動作と、第2のスイッチをオフ状態にする動作とが行われる。
本開示の信号出力回路によれば、第1のスイッチと第2のスイッチとを設けるようにしたので、受信側回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
本開示の信号出力方法によれば、所定の期間にわたって、第1のスイッチをオフ状態にするとともに第2のスイッチをオン状態にし、その後に、第1のスイッチをオン状態にする動作と、第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行うようにしたので、受信側回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果があってもよい。
本開示の実施の形態に係る受信装置の一構成例を表すブロック図である。 図1に示したスイッチの一構成例を表す回路図である。 図1に示したスイッチの他の構成例を表す回路図である。 図1に示したスイッチの他の構成例を表す回路図である。 図1に示した受信装置の一動作例を表すタイミング波形図である。 比較例に係る受信装置の一構成例を表すブロック図である。 図4に示した受信装置の一動作例を表すタイミング波形図である。 変形例に係る受信装置の一動作例を表すタイミング波形図である。 他の変形例に係る受信装置の一構成例を表すブロック図である。 他の変形例に係る装置の一構成例を表すブロック図である。
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
[構成例]
図1は、実施の形態に係る受信装置の一構成例を表すものである。この受信装置1は、無線信号を受信するものである。なお、本開示の実施の形態に係る信号送信回路および信号送信方法は、本実施の形態により具現化されるので、併せて説明する。
受信装置1は、RF(Radio Frequency)回路10と、復調回路50とを備えている。RF回路10は、アンテナ9から供給された信号Srfに基づいてダウンコンバートなどを行って差動信号を生成し、容量素子CP,CNを介して復調回路50に供給するものである。すなわち、RF回路10は、容量素子CP,CNを用いて、AC結合により、差動信号を復調回路50に供給するようになっている。復調回路50は、RF回路10から供給された差動信号に基づいて無線信号を復調する回路である。この例では、RF回路10および復調回路50は、それぞれ1チップで構成されているものである。
RF回路10は、RF部20と、電圧生成部11と、電源制御部12と、スイッチ制御部13とを備えている。RF部20は、LNA(Low Noise Amplifier)21と、局部発振部22と、ミキサ23と、フィルタ24と、出力バッファ25と、スイッチ26P,26Nと、抵抗素子27P,27Nと、スイッチ28P,28Nとを有している。
LNA21は、雑音の発生を抑えつつ、アンテナ9から供給された信号Srfを増幅し、差動信号Srf2として出力する回路である。受信装置1では、初段にLNA21を設けることにより、受信装置1全体としての信号対雑音比(S/N比)を高くすることができ、これにより微弱な電波を受信することができるようになっている。
局部発振部22は、無線通信の搬送波と同じ周波数を有する差動信号Sloを生成する発振回路であり、例えば、PLL(Phase Locked Loop)を用いた周波数シンセサイザにより構成されるものである。
ミキサ23は、差動信号Srf2と差動信号Sloとを乗算してダウンコンバートすることにより、搬送波に重畳されている信号成分を抽出し、信号Sifとして出力するものである。
フィルタ24は、差動信号Sifから、ミキサ23において乗算する際に生じる不要な周波数成分を除去することにより、差動信号Sif2を生成するローパスフィルタである。
出力バッファ25は、出力インタフェース回路であり、差動信号Sif2に基づいて信号SP1,SN1を生成するものである。信号SP1,SN1は、アナログ信号であり、コモンモード電圧が電圧Vcm1に設定された差動信号である。
スイッチ26P,26Nは、スイッチ制御信号SW1に基づいてオンオフするスイッチであり、例えば、MOS(Metal Oxide Semiconductor)型のFET(Field Effect Transistor)を含んで構成されるものである。スイッチ26Pの一端には、出力バッファ25により信号SP1が供給され、他端は、抵抗素子27Pの一端に接続されるとともにRF回路10の出力端子TOPを介して容量素子CPの一端に接続されている。スイッチ26Nの一端には、出力バッファ25により信号SN1が供給され、他端は、抵抗素子27Nの一端に接続されるとともにRF回路10の出力端子TONを介して容量素子CNの一端に接続されている。
抵抗素子27Pの一端は、スイッチ26Pの他端に接続されるとともに出力端子TOPを介して容量素子CPの一端に接続され、他端は、スイッチ28Pの一端に接続されている。抵抗素子27Nの一端は、スイッチ26Nの他端に接続されるとともに出力端子TONを介して容量素子CNの一端に接続され、他端は、スイッチ28Nの一端に接続されている。
スイッチ28P,28Nは、スイッチ制御信号SW2に基づいてオンオフするスイッチであり、例えば、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを含んで構成されるものである。スイッチ28Pの一端は、抵抗素子27Pの他端に接続され、他端には、電圧生成部11により電圧Vcm2(後述)が供給されている。スイッチ28Nの一端は、抵抗素子27Nの他端に接続され、他端には、電圧生成部11により電圧Vcm2が供給されている。この電圧Vcm2は、後述するように、信号SP1,SN1のコモンモード電圧Vcm1とほぼ等しい電圧である。
図2A〜2Cは、スイッチ26P,26N、およびスイッチ28P,28Nの一構成例を表すものであり、図2AはN型のMOSトランジスタMN1を用いて構成する例を示し、図2Bは、P型のMOSトランジスタMP1を用いて構成する例を示し、図2Cは、いわゆるトランスミッションゲートを用いて構成する例を示す。
図2Aにおいて、MOSトランジスタMN1のゲートにはスイッチ制御信号SW1またはスイッチ制御信号SW2が印加され、その電圧に基づいてドレイン・ソース間がオンオフする。具体的には、スイッチ制御信号SW1,SW2が高レベルのときにオン状態になり、スイッチ制御信号SW1,SW2が低レベルのときにオフ状態になる。
図2Bにおいて、MOSトランジスタMP1のゲートにはスイッチ制御信号SW1またはスイッチ制御信号SW2が印加され、その電圧に基づいてドレイン・ソース間がオンオフする。具体的には、スイッチ制御信号SW1,SW2が低レベルのときにオン状態になり、スイッチ制御信号SW1,SW2が高レベルのときにオフ状態になる。
図2Cの構成では、N型のMOSトランジスタMN2と、P型のMOSトランジスタMP2と、インバータIVとを用いてスイッチを構成している。この例では、N型のMOSトランジスタMN2のソースとP型のMOSトランジスタMP2のソースとが互いに接続され、同様に、N型のMOSトランジスタMN2のドレインとP型のMOSトランジスタMP2のドレインとが互いに接続されている。インバータIVの入力端子は、N型のMOSトランジスタMN2のゲートに接続され、出力端子は、P型のMOSトランジスタMP2のゲートに接続されている。この構成により、MOSトランジスタMN1のゲートにスイッチ制御信号SW1またはスイッチ制御信号SW2が印加され、その電圧に基づいて両端間がオンオフする。具体的には、スイッチ制御信号SW1,SW2が高レベルのときにオン状態になり、スイッチ制御信号SW1,SW2が低レベルのときにオフ状態になる。
スイッチ26P,26N,28P,28Nは、それぞれ、図2A〜図2Cのうちのどの構成を用いてもよい。以下、図2Cの構成を用いてこれら4つのスイッチを構成したものとして説明を進める。
電圧生成部11は、電圧Vcm2を生成し、スイッチ28P,28Nの他端に供給する回路である。電圧Vcm2は、この例では、出力バッファ25の出力信号SP1,SN1のコモンモード電圧Vcm1とほぼ等しい電圧である。
電源制御部12は、RF部20に対する電源供給を制御するものである。具体的には、電源制御部12は、例えば、図示しないRSSI(Received Signal Strength Indication)などに基づいて、RF部20に対して電源供給を行うか否かを判定し、その判定結果に基づいてRF部20への電源供給を制御するようになっている。また、電源制御部12は、RF部20への電源供給を行っているか否かを示す制御信号を生成し、スイッチ制御部13に供給する機能をも有している。
スイッチ制御部13は、電源制御部12から供給された制御信号に基づいて、スイッチ制御信号SW1,SW2を生成し、スイッチ26P,26N,28P,28Nのオンオフを制御するものである。具体的には、後述するように、スイッチ制御部13は、電源制御部12がRF部20への電源供給を開始する前に、スイッチ26P,26Nをオフ状態に設定するとともに、スイッチ28P,28Nをオン状態に設定する。そして、電源制御部12がRF部20への電源供給を開始し、所定の期間が経過した後に、スイッチ28P,28Nをオフ状態に変化させ、その後にスイッチ26P,26Nをオン状態にする。これにより、受信装置1では、後述するように、RF部20への電源投入に応じて出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化した場合でも、その信号の変化が後段回路(復調回路50)に与える影響を抑えることができるようになっている。
容量素子CP,CNは、RF回路10と復調回路50とをAC結合するものである。容量素子CPの一端は、RF回路10の出力端子TOPに接続され、他端は、復調回路50の入力端子TIPに接続されている。容量素子CNの一端は、RF回路10の出力端子TONに接続され、他端は、復調回路50の入力端子TINに接続されている。これにより、RF回路10の出力端子TOPにおける信号SP2の交流成分が、復調回路50の入力端子TIPに伝わるとともに、RF回路10の出力端子TONにおける信号SN2の交流成分が、復調回路50の入力端子TINに伝わるようになっている。
復調回路50は、抵抗素子51P,51Nと、入力バッファ52とを有している。抵抗素子51P,51Nは、入力バッファ52の入力端子にバイアス電圧Vbiasを供給するための抵抗素子である。抵抗素子51Pは、一端が復調回路50の入力端子TIPを介して容量素子CPの他端に接続され、他端にはバイアス電圧Vbiasが供給されている。抵抗素子51Nは、一端が復調回路50の入力端子TINを介して容量素子CNの他端に接続され、他端にはバイアス電圧Vbiasが供給されている。入力バッファ52は、入力インタフェース回路であり、入力端子TIPの信号SP3および入力端子TINの信号SN3を受け取るものである。復調回路50では、この入力バッファ52の出力信号に基づいて、例えば、図示しないA/D(Analog/Digital Converter)変換部がA/D変換を行い、その後に図示しない復調部が復調処理を行うようになっている。
ここで、出力端子TOP,TONは、本開示における「第1の出力端子」および「第2の出力端子」の一具体例に対応する。スイッチ26P,26Nは、本開示における「第1のスイッチ」および「第3のスイッチ」の一具体例に対応する。スイッチ28P,28Nは、本開示における「第2のスイッチ」および「第4のスイッチ」の一具体例に対応する。
[動作および作用]
続いて、本実施の形態の受信装置1の動作および作用について説明する。
(全体動作概要)
まず、図1を参照して、受信装置1の全体動作概要を説明する。LNA21は、アンテナ9から供給された信号Srfを増幅し、差動信号Srf2として出力する。局部発振部22は、無線通信の搬送波と同じ周波数を有する差動信号Sloを生成する。ミキサ23は、差動信号Srf2と差動信号Sloとを乗算してダウンコンバートすることにより、搬送波に重畳されている信号成分を抽出し、信号Sifとして出力する。フィルタ24は、差動信号Sifから、ミキサ23において乗算する際に生じる不要な周波数成分を除去することにより、差動信号Sif2を生成する。出力バッファ25は、差動信号Sif2に基づいて信号SP1,SN1を生成する。スイッチ26P,26Nは、スイッチ制御信号SW1に基づいてオンオフすることにより、信号SP1,SN1を出力端子TOP,TONに対して供給する。スイッチ28P,28Nは、スイッチ制御信号SW2に基づいてオンオフすることにより、抵抗素子27P,27Nを介して、出力端子TOP,TONに対して電圧Vcm2を供給する。電圧生成部11は、電圧Vcm2を生成する。電源制御部12は、RF部20に対する電源供給を制御するとともに、RF部20への電源供給を行っているか否かを示す制御信号を生成し、スイッチ制御部13に供給する。スイッチ制御部13は、電源制御部12から供給された制御信号に基づいて、スイッチ制御信号SW1,SW2を生成する。そして、RF回路10は、出力端子TOPの信号SP2を、容量素子CPを介してAC結合により復調回路50の入力端子TIPに供給するとともに、出力端子TONの信号SN2を、容量素子CNを介してAC結合により復調回路50の入力端子TINに供給する。
(詳細動作)
スイッチ制御部13は、電源制御部12がRF部20への電源供給を開始する際に、スイッチ26P,26N,28P,28Nを制御する。以下に、この動作の詳細を説明する。
図3は、RF部20に対する電源投入時の動作を表すものであり、(A)は信号SP1,SN1の波形を示し、(B)はスイッチ制御信号SW2の波形を示し、(C)はスイッチ制御信号SW1の波形を示し、(D)は信号SP2,SN2の波形を示し、(E)は信号SP3,SN3の波形を示す。この例では、RF回路10は、例えば2Vの電源電圧で動作し、復調回路50は、例えば1.2Vの電源電圧で動作する。なお、電源投入時では、信号SP1,SN1(図3(A))は互いに同じような波形であり、信号SP2,SN2(図3(D))は互いに同じような波形であり、信号SP3,SN3(図3(E))は互いに同じような波形であるため、図3(A),(D),(E)では、それぞれ1つの波形のみを示している。
タイミングt1以前において、電源制御部12は、RF部20に対して電源供給を停止している。これにより、信号SP1,SN1は、0Vとなる(図3(A))。また、電圧生成部11は、電圧Vcm2(この例では1.0V)を生成し、スイッチ28P,28Nの他端に供給する。そして、スイッチ制御部13は、低レベルのスイッチ制御信号SW1をスイッチ26P,26Nに供給して(図3(C))、スイッチ26P,26Nをオフ状態にすると同時に、高レベルのスイッチ制御信号SW2をスイッチ28P,28Nに供給して(図3(B))、これらのスイッチ28P,28Nをオン状態にする。これにより、信号SP2,SN2の電圧は、電圧Vcm2になる(図3(D))。また、復調回路50には電源電圧が供給され、動作状態になっている。これにより、信号SP3,SN3の電圧は、バイアス電圧Vbias(この例では0.6V)に設定される(図3(E))。
次に、電源制御部12は、タイミングt1において、RF部20に対して電源供給を開始する。これにより、この例では、出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に一旦2.0V付近(すなわちRF回路10の電源電圧付近)まで上昇し、その後に低下して、最終的にコモンモード電圧Vcm1(この例では1.0V)に収束する(図3(A))。このとき、スイッチ26P,26Nはオフ状態であるため、信号SP2,SN2の電圧は、電圧Vcm2に維持され、信号SP3,SN3の電圧は、バイアス電圧Vbiasに維持される(図3(D),(E))。
次に、スイッチ制御部13は、タイミングt2において、スイッチ制御信号SW2を高レベルから低レベルに変化させる(図3(B))。これにより、スイッチ28P,28Nがオン状態からオフ状態に変化し、出力端子TOP,TONは電気的にフローティング状態になり、信号SP2,SN2の電圧は電圧Vcm2に維持される(図3(D))。よって、復調回路50の入力信号SP3,SN3の電圧もまた、バイアス電圧Vbiasに維持される(図3(E))。
次に、スイッチ制御部13は、タイミングt3において、スイッチ制御信号SW1を低レベルから高レベルに変化させる(図3(C))。これにより、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化し、出力端子TOP,TONは、出力バッファ25に接続される。このとき、図3(D)に示したように、タイミングt3の前後では、出力端子TOP,TONの電圧(信号SP2,SN2の電圧)はほとんど変化しない。すなわち、タイミングt3の直前において、スイッチ26P,26Nの一端の電圧(信号SP1,SN1の電圧、図3(A))であるコモンモード電圧Vcm1は、スイッチ26P,26Nの他端における電圧Vcm2(信号SP2,SN2の電圧、図3(D))とほぼ等しいため、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化しても、信号SP2,SN2の電圧はほとんど変化しない。よって、復調回路50の入力信号SP3,SN3の電圧もほとんど変化せず、バイアス電圧Vbiasに維持される(図3(E))。
そして、これ以降において、RF回路10の出力バッファ25は、復調回路50に対して差動信号を供給する。
このように、受信装置1では、電源制御部12がRF部20への電源供給を開始する前に、スイッチ制御部13は、スイッチ26P,26Nをオフ状態に設定する。そして、電源制御部12がRF部20への電源供給を開始し、所定の期間が経過した後に、スイッチ26P,26Nをオン状態にする。これにより、受信装置1では、電源投入時(タイミングt1)において出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化した場合でも、復調回路50にその信号が伝わるおそれを低減することができ、復調回路50において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
また、受信装置1では、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する前に、スイッチ28P,28Nを介して、出力端子TOP,TONの電圧を、出力バッファ25のコモンモード電圧Vcm1にほぼ等しい電圧Vcm2に設定するようにしたので、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化するタイミングt3における、出力端子TOP,TONの電圧変化を小さくすることができ、復調回路50において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
また、受信装置1では、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する前に、スイッチ28P,28Nがオン状態からオフ状態に変化するようにしたので、スイッチ26P,26Nと、スイッチ28P,28Nとが同時にオンすることがないため、仮に、コモンモード電圧Vcm1と電圧Vcm2とが互いに異なっていた場合でも、その電圧差に起因して出力端子TOP,TONに過渡的な電圧変化が生じるおそれを低減することができ、復調回路50において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
(比較例)
次に、比較例に係る受信装置1Rについて説明する。本比較例は、スイッチ26P,26Nなどを設けずにRF回路を構成したものである。
図4は、比較例に係る受信装置1Rの一構成例を表すものである。受信装置1Rは、RF回路10Rを備えている。このRF回路10Rは、本実施の形態に係るRF回路10と比べて、スイッチ26P,26N,28P,28N、抵抗素子27P,27N、電圧生成部11およびスイッチ制御部13を省いたものである。
図5は、RF部20Rに対する電源投入時の動作を表すものであり、(A)は信号SP1,SN1の波形を示し、(B)は信号SP3,SN3の波形を示す。電源制御部12は、タイミングt11において、RF部20Rに対して電源供給を開始する。これにより、本実施の形態の場合(図3(A))と同様に、出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に一旦2.0V付近まで上昇し、その後に低下して、最終的にコモンモード電圧Vcm1に収束する(図5(A))。このとき、この過渡的な信号は容量素子CP,CNを介して復調回路50に伝わる。具体的には、図5(B)に示したように、信号SP3,SN3の電圧は、タイミングt11において、バイアス電圧Vbiasから2.4V付近まで上昇し、その後に低下して、バイアス電圧Vbiasに向かって収束していく。
このように、比較例に係る受信装置1Rでは、電源投入時(タイミングt11)において出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化した場合に、その信号が復調回路50に伝わってしまうおそれがある。なお、一般に、集積回路の入出力端子には、ESD(Electro-Static Discharge)に対する耐性を高めることを目的として保護ダイオードが設けられているが、信号の波形などによっては、この保護ダイオードによっても電圧の変化を抑制できず、図5のように電圧が大きく変化してしまうことがある。そして、このように復調回路50に伝わった電圧が大きい場合には、復調回路50に特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれがある。特に、復調回路50が、微細化の進んだ製造プロセスにより製造されている場合には、定格電圧が低いため、より大きな特性劣化などが生じうる。
一方、本実施の形態に係る受信装置1では、スイッチ26P,26Nなどを設けるようにしたので、電源投入時(タイミングt11)において出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化した場合でも、そのスイッチ26P,26Nをオフ状態にすることにより、復調回路50にその信号が伝わるおそれを低減することができる。これにより、受信装置1では、復調回路50に特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
[効果]
以上のように本実施の形態では、スイッチ26P,26Nを設けるようにしたので、出力バッファ25の出力信号が過渡的に変化した場合でも、後段回路にその信号が伝わるおそれを低減することができ、後段回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
また、本実施の形態では、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する前に、出力端子の電圧を、出力バッファのコモンモード電圧Vcm1にほぼ等しい電圧Vcm2に設定するようにしたので、後段回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
また、本実施の形態では、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する前に、スイッチ28P,28Nがオン状態からオフ状態に変化するようにしたので、スイッチ26P,26Nと、スイッチ28P,28Nとが同時にオンすることがないため、後段回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
[変形例1]
上記実施の形態では、コモンモード電圧Vcm1と電圧Vcm2とは、互いにほぼ等しい電圧としたが、これに限定されるものではなく、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する際に、後段回路において特性劣化が生じない程度に、互いに異なる電圧であってもよい。
[変形例2]
上記実施の形態では、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化する前に、スイッチ28P,28Nをオン状態からオフ状態に変化させたが、これに限定されるものではない。これに代えて、例えば、スイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化するタイミングと同じタイミングで、スイッチ28P,28Nをオン状態からオフ状態に変化させてもよい。
また、例えば、図6に示すように、タイミングt22においてスイッチ26P,26Nがオフ状態からオン状態に変化した後に、タイミングt23においてスイッチ28P,28Nをオン状態からオフ状態に変化させてもよい。この場合には、タイミングt22〜t23の期間において、スイッチ26P,26Nと、スイッチ28P,28Nとが、同時にオン状態になる。よって、例えばコモンモード電圧Vcm1と電圧Vcm2とが異なる場合には、この期間において、電圧生成部11と出力バッファ25との間で、スイッチ26P、抵抗素子27P、およびスイッチ28Pを介して電流が流れるとともに、スイッチ26N、抵抗素子27N、およびスイッチ28Nを介して電流が流れ、その結果、出力端子TOP,TONに過渡的な電圧変化が生じるおそれがある。よって、この場合には、抵抗素子27P,27Nの抵抗値を適切に設定する必要がある。これにより、出力端子TOP,TONに電圧変化が生じるおそれを低減することができる。
[変形例3]
上記実施の形態では、抵抗素子27P,27Nを設けたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、例えば、図7に示す受信装置1Bのように、これらの抵抗素子27P,27Nを省いてもよい。この場合には、スイッチ26P,26Nとスイッチ28P,28Nとがともにオン状態にならないようにするのが望ましい。
[変形例4]
上記実施の形態では、電源投入時において、スイッチ26P,26N,28P,28Nをオンオフしたが、これに限定されるものではなく、これに代えて、出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化するような様々なケースにおいて、スイッチ26P,26N,28P,28Nをオンオフするようにしてもよい。例えば、RF回路10が、特性を調整するいわゆるキャリブレーション機能を有する場合において、そのキャリブレーション動作に起因して出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化するようなケースに適用することができる。具体的には、例えば、キャリブレーションにより、LNA21や出力バッファ25のゲインを変更した場合には、出力バッファ25の出力信号SP1,SN1が過渡的に変化するおそれがある。このような場合に、上記実施の形態と同様にスイッチ26P,26N,28P,28Nをオンオフすることにより、後段回路にその信号が伝わるおそれを低減することができ、後段回路において特性劣化やデバイス破壊が生じるおそれを低減することができる。
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等には限定されず、種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態などでは、本技術を、無線信号を受信する受信装置に適用したが、これに限定されるものではなく、AC結合により信号を伝送する用途であれば、どのようなものにも適用することができる。
また、例えば、上記実施の形態などでは、本技術を、差動信号を伝送する用途に適用したが、これに限定されるものではなく、単相信号を伝送する用途に適用してもよい。この場合の例を図8に示す。この例では、送信側回路60は、容量素子CAPを介してAC結合により、単相信号を受信側回路70に伝送する。送信側回路60は、電圧生成部61と、出力バッファ65と、スイッチ66と、抵抗素子67と、スイッチ68とを備えている。電圧生成部61は、電圧V1を生成するものである。出力バッファ65は、電圧V1とほぼ等しい電圧V2を直流レベルとしたアナログ信号を出力するバッファである。スイッチ66は、スイッチ制御信号SW1に基づいてオンオフするスイッチであり、一端は出力バッファ65の出力端子に接続され、他端は送信側回路60の出力端子TOを介して容量素子CAPの一端に接続されるとともに抵抗素子67の一端に接続されている。抵抗素子67の一端は、スイッチ66の他端に接続されるとともに出力端子TOを介して容量素子CAPの一端に接続され、他端は、スイッチ68の一端に接続されている。スイッチ68はスイッチ制御信号SW2に基づいてオンオフするスイッチであり、一端は抵抗素子67の他端に接続され、他端には電圧生成部61により電圧V1が供給されている。受信側回路70は、抵抗素子71と、入力バッファ72とを有している。抵抗素子71は、入力バッファ72の入力端子にバイアス電圧Vbias2を供給するための抵抗素子であり、一端が受信側回路70の入力端子TIを介して容量素子CAPの他端に接続され、他端にはバイアス電圧Vbias2が供給されている。入力バッファ72は、入力端子TIの信号を受け取るものである。
また、例えば、上記実施の形態などでは、抵抗素子27Pおよびスイッチ28Pのうち、抵抗素子27Pを出力端子TOPに接続するとともにスイッチ28Pを電圧生成部11に接続し、同様に、抵抗素子27Nおよびスイッチ28Nのうち、抵抗素子27Nを出力端子TONに接続するとともにスイッチ28Nを電圧生成部11に接続したが、これに限定されるものではない。これに代えて、抵抗素子27Pおよびスイッチ28Pのうち、抵抗素子27Pを電圧生成部11に接続するとともにスイッチ28Pを出力端子TOPに接続し、同様に、抵抗素子27Nおよびスイッチ28Nのうち、抵抗素子27Nを電圧生成部11に接続するとともにスイッチ28Nを出力端子TONに接続してもよい。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成とすることができる。
(1)第1の出力信号を出力する第1の端子を有する出力バッファと、
第1の出力端子と、
前記第1の端子から前記第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチと、
オン状態になることにより前記第1の出力端子に所定の電圧を伝える第2のスイッチと
を備えた信号出力回路。
(2)前記所定の電圧を生成する電圧生成部と、
前記電圧生成部と前記第1の出力端子との間に、前記第2のスイッチと直列に設けられた抵抗素子と
をさらに備えた
前記(1)に記載の信号出力回路。
(3)所定の期間にわたって、前記第1のスイッチをオフ状態にするとともに前記第2のスイッチをオン状態にし、その後に、前記第1のスイッチをオン状態にする動作と、前記第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行う制御部をさらに備えた
前記(1)または(2)に記載の信号出力回路。
(4)前記制御部は、前記第2のスイッチをオフ状態にしたタイミング以後のタイミングで前記第1のスイッチをオン状態にする
前記(3)に記載の信号出力回路。
(5)前記制御部は、前記第1のスイッチをオン状態にし、その後に前記第2のスイッチをオフ状態にする
前記(3)に記載の信号出力回路。
(6)前記所定の期間内に、前記第1の出力信号が過渡的に変化する
前記(3)から(5)のいずれかに記載の信号出力回路。
(7)前記所定の期間内に、前記出力バッファへの電源投入が行われる
前記(3)から(6)のいずれかに記載の信号出力回路。
(8)前記所定の期間内に、キャリブレーション動作が行われる
前記(3)から(6)のいずれかに記載の信号出力回路。
(9)前記第1の出力端子は、容量素子を介して次段回路と接続される
前記(1)から(8)のいずれかに記載の信号出力回路。
(10)前記出力バッファは、さらに、前記第1の出力信号とともに差動信号を構成する第2の出力信号を生成する第2の端子を有し、
第2の出力端子と、
前記第2の端子から前記第2の出力端子への信号経路上に挿入された第3のスイッチと、
オン状態になることにより前記第2の出力端子に前記所定の電圧を供給する第4のスイッチと
をさらに備えた
前記(1)に記載の信号出力回路。
(11)前記所定の電圧を生成する電圧生成部と、
前記電圧生成部と前記第1の出力端子との間に、前記第2のスイッチと直列に設けられた第1の抵抗素子と、
前記電圧生成部と前記第2の出力端子との間に、前記第4のスイッチと直列に設けられた第2の抵抗素子と
をさらに備えた
前記(10)に記載の信号出力回路。
(12)前記所定の電圧は、前記差動信号のコモンモード電圧とほぼ等しい
前記(10)または(11)に記載の信号出力回路。
(13)出力バッファの第1の端子から第1の出力信号を出力し、
所定の期間にわたって、前記第1の端子から第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチをオフ状態にするとともに、オン状態になることにより前記第1の出力端子に所定の電圧を供給する第2のスイッチをオン状態にし、
その後に、前記第1のスイッチをオン状態にする動作と、前記第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行う
信号出力方法。
1,1B…受信装置、9…アンテナ、10…RF回路、11,61…電圧生成部、12…電源制御部、13…スイッチ制御部、20…RF部、21…LNA、22…局部発振部、23…ミキサ、24…フィルタ、25,65…出力バッファ、26P,26N,28P,28N,66,68…スイッチ、27P,27N,51P,51N,67,71…抵抗素子、50…復調回路、52,72…入力バッファ、60…送信側回路、70…受信側回路、CAP,CP,CN…容量素子、IV…インバータ、MN1,MN2,MP1,MP2…トランジスタ、SP1〜SP3,SN1〜SN3,Srf…信号、Sif,Sif2,Slo,Srf2…差動信号、SW1,SW2…スイッチ制御信号、TIP,TIN…入力端子、TOP,TON…出力端子、Vcm1…コモンモード電圧、Vcm2,V1,V2…電圧、Vbias,Vbias2…バイアス電圧。

Claims (13)

  1. 第1の出力信号を出力する第1の端子を有する出力バッファと、
    第1の出力端子と、
    前記第1の端子から前記第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチと、
    オン状態になることにより前記第1の出力端子に所定の電圧を伝える第2のスイッチと
    を備えた信号出力回路。
  2. 前記所定の電圧を生成する電圧生成部と、
    前記電圧生成部と前記第1の出力端子との間に、前記第2のスイッチと直列に設けられた抵抗素子と
    をさらに備えた
    請求項1に記載の信号出力回路。
  3. 所定の期間にわたって、前記第1のスイッチをオフ状態にするとともに前記第2のスイッチをオン状態にし、その後に、前記第1のスイッチをオン状態にする動作と、前記第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行う制御部をさらに備えた
    請求項1に記載の信号出力回路。
  4. 前記制御部は、前記第2のスイッチをオフ状態にしたタイミング以後のタイミングで前記第1のスイッチをオン状態にする
    請求項3に記載の信号出力回路。
  5. 前記制御部は、前記第1のスイッチをオン状態にし、その後に前記第2のスイッチをオフ状態にする
    請求項3に記載の信号出力回路。
  6. 前記所定の期間内に、前記第1の出力信号が過渡的に変化する
    請求項3に記載の信号出力回路。
  7. 前記所定の期間内に、前記出力バッファへの電源投入が行われる
    請求項3に記載の信号出力回路。
  8. 前記所定の期間内に、キャリブレーション動作が行われる
    請求項3に記載の信号出力回路。
  9. 前記第1の出力端子は、容量素子を介して次段回路と接続される
    請求項1に記載の信号出力回路。
  10. 前記出力バッファは、さらに、前記第1の出力信号とともに差動信号を構成する第2の出力信号を生成する第2の端子を有し、
    第2の出力端子と、
    前記第2の端子から前記第2の出力端子への信号経路上に挿入された第3のスイッチと、
    オン状態になることにより前記第2の出力端子に前記所定の電圧を供給する第4のスイッチと
    をさらに備えた
    請求項1に記載の信号出力回路。
  11. 前記所定の電圧を生成する電圧生成部と、
    前記電圧生成部と前記第1の出力端子との間に、前記第2のスイッチと直列に設けられた第1の抵抗素子と、
    前記電圧生成部と前記第2の出力端子との間に、前記第4のスイッチと直列に設けられた第2の抵抗素子と
    をさらに備えた
    請求項10に記載の信号出力回路。
  12. 前記所定の電圧は、前記差動信号のコモンモード電圧とほぼ等しい
    請求項10に記載の信号出力回路。
  13. 出力バッファの第1の端子から第1の出力信号を出力し、
    所定の期間にわたって、前記第1の端子から第1の出力端子への信号経路上に挿入された第1のスイッチをオフ状態にするとともに、オン状態になることにより前記第1の出力端子に所定の電圧を供給する第2のスイッチをオン状態にし、
    その後に、前記第1のスイッチをオン状態にする動作と、前記第2のスイッチをオフ状態にする動作とを行う
    信号出力方法。


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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP3742486A1 (en) * 2019-05-21 2020-11-25 Infineon Technologies AG Circuit including configuration terminal and method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6295323B1 (en) * 1998-12-28 2001-09-25 Agere Systems Guardian Corp. Method and system of data transmission using differential and common mode data signaling
US6529070B1 (en) * 1999-10-25 2003-03-04 Texas Instruments Incorporated Low-voltage, broadband operational amplifier
US6731155B2 (en) * 2002-02-13 2004-05-04 Intersil Americas Inc Track and hold with dual pump circuit
US6617908B1 (en) * 2002-03-22 2003-09-09 Cirrus Logic, Inc. Switched-capacitor circuits with reduced distortion
JP4386619B2 (ja) * 2002-05-20 2009-12-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US7088147B2 (en) * 2003-04-16 2006-08-08 Cirrus Logic, Inc. Sample and hold circuits and methods with offset error correction and systems using the same
US7724042B2 (en) * 2007-07-06 2010-05-25 Texas Instruments Incorporated Reducing power consumption in an amplification stage driving a sample and hold circuit while maintaining linearity
US7843232B2 (en) * 2009-02-27 2010-11-30 Atmel Corporation Dual mode, single ended to fully differential converter structure
US8319579B2 (en) * 2010-11-29 2012-11-27 Advanced Micro Devices, Inc. Passive filter and AC coupler receiver interface
KR20120058057A (ko) * 2010-11-29 2012-06-07 삼성전자주식회사 오프셋 제거 회로, 샘플링 회로 및 이미지 센서
US8487795B1 (en) * 2012-04-18 2013-07-16 Lsi Corporation Time-interleaved track-and-hold circuit using distributed global sine-wave clock
US8791754B2 (en) * 2012-05-03 2014-07-29 Analog Devices, Inc. Programmable gain amplifier with amplifier common mode sampling system
TWI489778B (zh) * 2012-09-19 2015-06-21 Novatek Microelectronics Corp 介面電路
US8866652B2 (en) * 2013-03-07 2014-10-21 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for reducing sampling circuit timing mismatch

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