JP2013110645A - 増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入力トランジスタと、第1端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第2端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする(調整可能な)上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、を備える、増幅回路。
【選択図】図5
Description
図1は、本発明の一実施形態にかかる無線通信装置10の構成例を示す説明図である。図1に示したように、本発明の一実施形態にかかる無線通信装置10は、アンテナ11と、伝送線路12と、インピーダンス整合回路13と、LNA14と、ミキサ15と、局部発振器16と、フィルタ17と、増幅器18と、AD変換器19と、デジタル復調器20と、を備える。
以上、図1を用いて、本発明の一実施形態にかかる無線通信装置10の構成例について説明した。上述したような無線通信装置は、送信機の直近に存在する場合も想定されるので、LNAに過入力信号が発生し得る。しかし、LNAの入力トランジスタのゲート酸化膜は、過入力信号によって劣化または破壊されるので、過入力信号の対策を施すことは重要である。
(第1の実施形態によるLNAの構成)
図3は、第1の実施形態によるLNA14−1の回路構成を示した説明図である。図3に示したように、第1の実施形態によるLNA14−1は、入力端子101と、インダクタ102と、保護回路103−1と、抵抗素子104と、増幅回路105と、出力端子106と、備える。
以上、第1の実施形態によるLNA14−1の構成を説明した。続いて、第1の実施形態によるLNA14−1の動作を説明する。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、MOSダイオードを用いる簡易な保護回路103−1により、バイアス電圧を基準とする過入力信号から入力トランジスタ114を保護することが可能である。
(第2の実施形態によるLNAの構成)
図5は、第2の実施形態によるLNA14−2の回路構成を示した説明図である。図5に示したように、第2の実施形態によるLNA14−2は、入力端子101と、インダクタ102と、保護回路103−2と、抵抗素子104と、増幅回路105と、出力端子106と、備える。保護回路103−2以外の構成は第1の実施形態で説明した通りであるので、ここでの詳細な説明を省略する。
以上、第2の実施形態によるLNA14−2の構成を説明した。続いて、第2の実施形態によるLNA14−2の動作を説明する。
以上説明したように、第2の実施形態によれば、MOSトランジスタ121およびMOSトランジスタ122が可変バイアス電圧に接続されるので、可変バイアス電圧を変更して上限電圧および下限電圧を調整することにより、過入力信号から入力トランジスタ114をより適切に保護することが可能となる。
(第3の実施形態によるLNAの構成)
図7は、第3の実施形態によるLNA14−3の回路構成を示した説明図である。図7に示したように、第3の実施形態によるLNA14−3は、入力端子101と、インダクタ102と、保護回路103−3と、抵抗素子104と、増幅回路105と、出力端子106と、備える。保護回路103−3以外の構成は第1の実施形態で説明した通りであるので、ここでの詳細な説明を省略する。
以上、第3の実施形態によるLNA14−3の構成を説明した。続いて、第2の実施形態によるLNA14−3の動作を説明する。
以上説明したように、第3の実施形態によれば、MOSトランジスタ121およびMOSトランジスタ122のボディー端子が可変バイアス電圧に接続されるので、可変バイアス電圧を変更して上限電圧および下限電圧を調整することにより、過入力信号から入力トランジスタ114をより適切に保護することが可能となる。
(第4の実施形態によるLNAの構成)
図9は、第4の実施形態によるLNA14−4の回路構成を示した説明図である。図9に示したように、第4の実施形態によるLNA14−4は、入力端子101と、インダクタ102と、保護回路103−4と、抵抗素子104と、増幅回路105と、出力端子106と、備える。保護回路103−4以外の構成は第1の実施形態で説明した通りであるので、ここでの詳細な説明を省略する。
以上、第4の実施形態によるLNA14−4の構成を説明した。続いて、第2の実施形態によるLNA14−4の動作を説明する。
以上説明したように、第4の実施形態によれば、各MOSトランジスタのソースとドレインの短絡を制御して上限電圧および下限電圧を調整できるので、過入力信号から入力トランジスタ114をより適切に保護することが可能となる。
(第5の実施形態によるLNAの構成)
図11は、第5の実施形態によるLNA14−5の回路構成を示した説明図である。図11に示したように、第5の実施形態によるLNA14−5は、入力端子101と、インダクタ102と、保護回路103−5と、抵抗素子104と、増幅回路105と、出力端子106と、備える。保護回路103−5以外の構成は第1の実施形態で説明した通りであるので、ここでの詳細な説明を省略する。
以上、第5の実施形態によるLNA14−5の構成を説明した。続いて、第5の実施形態によるLNA14−5の動作を説明する。
以上説明したように、第5の実施形態によれば、ソースフォロワ回路に接続する可変バイアス電圧により上限電圧および下限電圧を調整できるので、過入力信号から入力トランジスタ114をより適切に保護することが可能となる。
以上説明したように、本発明の各実施形態によるLNA14は、ノイズフィギュアの劣化を抑制しつつ、過入力信号から回路を適切に保護することが可能である。さらに、本発明の第2〜第5の実施形態によれば、入力信号を制限する上限電圧および下限電圧を調整することにより、LNA14の入力トランジスタ114をより適切に保護することが可能となる。
11 アンテナ
12 伝送線路
13 インピーダンス整合回路
14 LNA
15 ミキサ
16 局部発振器
17 フィルタ
18 増幅器
19 変換器
20 デジタル復調器
101 入力端子
102 インダクタ
103 保護回路
104 抵抗素子
105 増幅回路
106 出力端子
114 入力トランジスタ
121〜126 トランジスタ
130 第1のトランジスタ群
140 第2のトランジスタ群
151〜153、161〜163 スイッチ用トランジスタ
170 接続制御部
Claims (6)
- 入力トランジスタと、
第1端が前記入力トランジスタのゲートに接続され、第2端がバイアス電圧に接続される抵抗素子と、
前記入力トランジスタのゲートに接続され、前記入力トランジスタのゲートへの入力を、前記バイアス電圧を基準とする調整可能な上限電圧および下限電圧の範囲内に制限する保護回路と、
を備える、増幅回路。 - 前記保護回路は、
ダイオード接続された第1のMOSトランジスタと、
前記第1のMOSトランジスタと並列に配置され、前記第1のMOSトランジスタと逆方向にダイオード接続された第2のMOSトランジスタと、
を備える、請求項1に記載の増幅回路。 - 前記第1のMOSトランジスタのソース、および前記第2のMOSトランジスタのドレインには可変バイアス電圧が接続される、請求項2に記載の増幅回路。
- 前記第1のMOSトランジスタのソースおよび前記第2のMOSトランジスタのドレインには前記バイアス電圧が接続され、
前記第1のMOSトランジスタのボディー端子、および前記第2のMOSトランジスタのボディー端子には可変バイアス電圧が接続される、請求項2に記載の増幅回路。 - 前記保護回路は、
直列に配置された複数のMOSトランジスタを含み、各MOSトランジスタが同一方向にダイオード接続された第1のMOSトランジスタ群と、
前記第1のMOSトランジスタ群と並列に配置され、直列に配置された複数のMOSトランジスタを含み、各MOSトランジスタが前記第1のMOSトランジスタ群に含まれる各MOSトランジスタと逆方向にダイオード接続された第2のMOSトランジスタ群と、
前記第1のMOSトランジスタ群および第2のMOSトランジスタ群に含まれる各MOSトランジスタのソースとドレインの短絡を制御する接続制御部と、
を備える、請求項1に記載の増幅回路。 - 前記保護回路は、
ドレインが所定電圧に接続される第3のトランジスタを含む第1のソースフォロワ回路と、
ドレインが前記所定電圧に接続される第4のトランジスタを含む第2のソースフォロワ回路と、
をさらに備え、
前記第3のMOSトランジスタのドレインは前記第1のMOSトランジスタのゲートに接続され、
前記第4のMOSトランジスタのドレインは前記第2のMOSトランジスタのゲートに接続され、
前記第3のMOSトランジスタおよび前記第4のMOSトランジスタのゲートは可変バイアス電圧に接続される、請求項2に記載の増幅回路。
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