JP2015045075A - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents
成膜装置及び成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015045075A JP2015045075A JP2013178082A JP2013178082A JP2015045075A JP 2015045075 A JP2015045075 A JP 2015045075A JP 2013178082 A JP2013178082 A JP 2013178082A JP 2013178082 A JP2013178082 A JP 2013178082A JP 2015045075 A JP2015045075 A JP 2015045075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- pressure
- film forming
- vacuum pump
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】成膜装置100は、第1の成膜ユニット21と、第2の成膜ユニット22と、第1の排気ユニット41と、第2の排気ユニット42とを具備する。第1の成膜ユニット21は、第1の処理室31と、第1の処理室31を密閉可能な第1の扉11とを含む。第2の成膜ユニット21は、第2の処理室32と、第2の処理室32を密閉可能な第2の扉12とを含む。第1の排気ユニット41は、第1の真空ポンプP1を有し、第1及び第2の処理室31,32のいずれか一方を真空排気可能に構成される。第2の排気ユニット42は、第1の真空ポンプP1よりも到達真空度が高い第2の真空ポンプP2を有し、第1及び第2の処理室31,32のいずれか一方を真空排気可能に構成される。
【選択図】図4
Description
上記第1の成膜ユニットは、第1の成膜源を有する第1の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第1の支持体を有し上記第1の処理室を密閉可能な第1の扉と、を含む。
上記第2の成膜ユニットは、第2の成膜源を有する第2の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第2の支持体を有し上記第2の処理室を密閉可能な第2の扉と、を含む。
上記第1の排気ユニットは、第1の真空ポンプを有し、上記第1の処理室及び上記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成される。
上記第2の排気ユニットは、上記第1の真空ポンプよりも到達真空度が高い第2の真空ポンプを有し、上記第1の処理室及び上記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成される。
上記第1の処理室は、第2の真空ポンプで上記第1の圧力から、上記第1の圧力よりも低い第2の圧力までさらに排気される。
第2の処理室は、上記第1の真空ポンプで大気圧から第3の圧力まで排気される。
上記第1の処理室に収容された基材を上記第2の圧力で成膜した後、上記第1の処理室は、大気圧にベントされる。
上記第2の処理室は、上記第2の真空ポンプで上記第3の圧力から、上記第3の圧力よりも低い第4の圧力までさらに排気される。
上記第2の処理室に収容された基材を上記第4の圧力で成膜した後、上記第2の処理室は、大気圧にベントされる。
上記第1の成膜ユニットは、第1の成膜源を有する第1の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第1の支持体を有し上記第1の処理室を密閉可能な第1の扉と、を含む。
上記第2の成膜ユニットは、第2の成膜源を有する第2の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第2の支持体を有し上記第2の処理室を密閉可能な第2の扉と、を含む。
上記第1の排気ユニットは、第1の真空ポンプを有し、上記第1の処理室及び上記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成される。
上記第2の排気ユニットは、上記第1の真空ポンプよりも到達真空度が高い第2の真空ポンプを有し、上記第1の処理室及び上記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成される。
これにより第2の排気ユニットが連続して運転可能となるため、成膜処理の効率が高まり、生産性の向上を図ることが可能となる。
上記第1の処理室は、第2の真空ポンプで上記第1の圧力から、上記第1の圧力よりも低い第2の圧力までさらに排気される。
第2の処理室は、上記第1の真空ポンプで大気圧から第3の圧力まで排気される。
上記第1の処理室に収容された基材を上記第2の圧力で成膜した後、上記第1の処理室は、大気圧にベントされる。
上記第2の処理室は、上記第2の真空ポンプで上記第3の圧力から、上記第3の圧力よりも低い第4の圧力までさらに排気される。
上記第2の処理室に収容された基材を上記第4の圧力で成膜した後、上記第2の処理室は、大気圧にベントされる。
これにより2つの処理室を効率よく所定の成膜圧力にまで排気することが可能となる。
上記のように一台の真空ポンプで2つの処理室を同時に排気しないようにすることで、各処理室を効率よく所定の成膜圧力へ排気することが可能となる。
図1は本発明の一実施形態に係る成膜装置の全体を概略的に示す斜視図、図2は上記成膜装置の一方の扉が開放された状態を示す斜視図、図3は上記成膜装置の正面図、図4は上記成膜装置の内部構成を概略的に示す部分破断平面図である。
各図においてX軸、Y軸及びZ軸は、相互に直交する3軸方向を示しており、X軸及びY軸は水平方向を示している。
次に、本実施形態の成膜装置100の典型的な動作を説明する。図5A〜図5Dは、成膜装置100の動作を説明する概略工程図である。
12…第2の扉
21…第1の成膜ユニット
22…第2の成膜ユニット
31…第1の処理室
32…第2の処理室
41…第1の排気ユニット
42…第2の排気ユニット
50…コントローラ
100…成膜装置
110…第1の支持体
120…第2の支持体
310…第1の成膜源
320…第2の成膜源
P1…第1の真空ポンプ
P2…第2の真空ポンプ
Claims (8)
- 第1の成膜源を有する第1の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第1の支持体を有し前記第1の処理室を密閉可能な第1の扉と、を含む第1の成膜ユニットと、
第2の成膜源を有する第2の処理室と、成膜すべき基材を支持可能な第2の支持体を有し前記第2の処理室を密閉可能な第2の扉と、を含む第2の成膜ユニットと、
第1の真空ポンプを有し、前記第1の処理室及び前記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成された第1の排気ユニットと、
前記第1の真空ポンプよりも到達真空度が高い第2の真空ポンプを有し、前記第1の処理室及び前記第2の処理室のいずれか一方を真空排気可能に構成された第2の排気ユニットと
を具備する成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記第1の排気ユニット及び前記第2の排気ユニットを制御可能なコントローラとをさらに具備し、
前記コントローラは、
前記第1の処理室及び前記第2の処理室のうち一方の処理室が開放されているときは、他方の処理室を前記第2の排気ユニットによって排気させ、
前記一方の処理室が密閉されたときは、前記一方の処理室を前記第1の排気ユニットによって排気させる
成膜装置。 - 請求項1又は2に記載の成膜装置であって、
前記第1の成膜源及び前記第2の成膜源は、蒸着材料を蒸発させることが可能な蒸発源を含む
成膜装置。 - 第1の処理室を第1の真空ポンプで大気圧から第1の圧力まで排気し、
前記第1の処理室を第2の真空ポンプで前記第1の圧力から、前記第1の圧力よりも低い第2の圧力までさらに排気し、
第2の処理室を前記第1の真空ポンプで大気圧から第3の圧力まで排気し、
前記第1の処理室に収容された基材を前記第2の圧力で成膜した後、前記第1の処理室を大気圧にベントし、
前記第2の処理室を前記第2の真空ポンプで前記第3の圧力から、前記第3の圧力よりも低い第4の圧力までさらに排気し、
前記第2の処理室に収容された基材を前記第4の圧力で成膜した後、前記第2の処理室を大気圧にベントする
成膜方法。 - 請求項4に記載の成膜方法であって、
前記第1の圧力と前記第3の圧力とは同じ圧力であり、前記第2の圧力と前記第4の圧力は同じ圧力である
成膜方法。 - 請求項4又は5に記載の成膜方法であって、
前記第1の処理室が前記第2の真空ポンプで排気されている間に、前記第2の処理室は前記第1の真空ポンプによって大気圧から前記第3の圧力に排気され、
前記第2の処理室が前記第2の真空ポンプで排気されている間に、前記第1の処理室は前記第1の真空ポンプによって大気圧から前記第1の圧力に排気される
成膜方法。 - 請求項4〜6の何れか1項に記載の成膜方法であって、
前記第1の処理室が前記第1の圧力に排気されている間は、前記第2の処理室は前記第3の圧力に排気されず、
前記第1の処理室が前記第2の圧力に排気されている間は、前記第2の処理室は前記第4の圧力に排気されない
成膜方法。 - 請求項4〜7の何れか1項に記載の成膜方法であって、
前記第1の処理室及び前記第2の処理室は、大気圧にベントされている間、それぞれに設けられた扉が開放可能とされる
成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013178082A JP6230019B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 成膜装置及び成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013178082A JP6230019B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015045075A true JP2015045075A (ja) | 2015-03-12 |
JP6230019B2 JP6230019B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=52670804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013178082A Active JP6230019B2 (ja) | 2013-08-29 | 2013-08-29 | 成膜装置及び成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6230019B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110373657A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-10-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式pecvd设备压力控制装置 |
CN110408913A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129240A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
WO2009084408A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 成膜装置及び成膜方法 |
-
2013
- 2013-08-29 JP JP2013178082A patent/JP6230019B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05129240A (ja) * | 1991-11-07 | 1993-05-25 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
WO2009084408A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Ulvac, Inc. | 成膜装置及び成膜方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110373657A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-10-25 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式pecvd设备压力控制装置 |
CN110408913A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-05 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
CN110408913B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-09-10 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 管式pecvd设备的压力控制装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6230019B2 (ja) | 2017-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5167282B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2012501549A (ja) | 大面積基板処理システム用ロードロックチャンバ | |
JP2009062604A (ja) | 真空処理システムおよび基板搬送方法 | |
JP5208948B2 (ja) | 真空処理システム | |
JPS6337186B2 (ja) | ||
JP6336231B1 (ja) | 真空処理装置 | |
JP5898523B2 (ja) | 真空処理装置および真空処理装置を用いた物品の製造方法 | |
JP6230019B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JPH11158618A (ja) | 実質的に扁平な円板形の基板に成膜処理を施すための成膜装置 | |
JP2014179431A (ja) | 真空処理装置及びその運転方法 | |
JP2010034505A (ja) | 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置 | |
US20090266410A1 (en) | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, electronic device, and electronic device manufacturing method | |
JP5731085B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5603333B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPS639586B2 (ja) | ||
WO2023286369A1 (ja) | 真空処理装置 | |
JP6253039B1 (ja) | 薄膜形成装置 | |
KR101968256B1 (ko) | 진공 성막 장치 | |
JP4702867B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP5892828B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP6718755B2 (ja) | 真空処理装置およびその運転方法 | |
JP3954938B2 (ja) | 複合真空処理装置 | |
JP4839097B2 (ja) | 真空装置 | |
CN115142031B (zh) | 成膜装置 | |
KR101914771B1 (ko) | 막 증착 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170926 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6230019 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |