JP2015042953A - 形状測定装置及びv溝求心測定方法 - Google Patents
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Abstract
Description
したがって、本発明は、V溝中心を高精度に測定することができる形状測定装置及びV溝求心測定方法を提供することを目的とする。
図1を参照して、実施の形態1にかかる形状測定装置100の概要を説明する。
図8は、実施の形態1にかかるV溝求心測定方法におけるプローブ17の動作を示す模式図である。図8(a)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17を現在位置からV溝61の上方の開始位置に移動させる(ステップS10)。開始位置は、例えば、XwZw平面(Xw軸及びZw軸が張る平面)上の点である。図8(b)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17をV溝61の表面に向かってアプローチさせる(ステップS11)。このとき、駆動部13はプローブ17をZw軸に平行に移動する。
制御部40は、チップ17cがワーク60の表面に到達したか判定する。具体的には、制御部40は、振れベクトルEの絶対値が接触判定閾値より大きくなるとチップ17cがワーク60の表面に到達したと判定し(ステップS12においてYES)、駆動部13にプローブ17を停止させ、ステップS13に移行する。振れベクトルEの絶対値が接触判定閾値より大きくない場合(ステップS12においてNO)、ステップS11に戻る。
制御部40は、角度αが二つの閾値T1及びT2の間か判定する。例えば、閾値T1は−0.5°、閾値T2は+0.5°である。これにより、チップ17cが斜面61a及び61bの両方に接触しているか判定することができる。以下、ステップS11のアプローチによりチップ17cが斜面61aに到達し、ステップS12においてプローブ17が停止したときの角度αの値が閾値T1より小さい場合について説明する。角度αが閾値T1より小さいため(ステップS13においてNO)、ステップS14に移行する。
制御部40は、角度αが閾値T1となるまでXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。XwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御は、数式(4)〜(14)を用いて説明した高さ一定倣い制御と基本的に同様である。ただし、Zw軸の単位ベクトルのかわりにYw軸の単位ベクトルを用い、チップ17cの中心のZw座標の値Chのかわりにチップ17cの中心のYw座標の値を用い、平面55のZw座標の値ZhのかわりにXwZw平面のYw座標の値(=0)を用い、角度αが増加するように進行方向速度ベクトルVPの向きを決定する。これにより、図8(c)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心(底)へ近づくように駆動部13にプローブ17を移動させる。チップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心に近づくとき、チップ17cと斜面61aの接触点がV溝61の中心へ近づく。図8(d)に示すように、角度αが閾値T1になると(ステップS13においてYES)、ステップS15に移行する。上述したように、ステップS15は、ステップS21〜S28を含んでいる。尚、角度αが閾値に等しいとき、図9におけるV溝61底部の図示のようにチップ17cは斜面61a及び61bの両方に接触するが、図8(d)においては説明をわかり易くするために片側接触としている。以下の角度αが閾値に等しい場合の図示についても同様である。
制御部40は、角度αが閾値T2となるまでXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS21における高さ一定倣い制御は、ステップS14における高さ一定倣い制御と同様である。これにより、制御部40は、図8(d)に示すようにチップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心へ近づくように駆動部13にプローブ17を移動させ、図8(e)に示すようにチップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ17を移動させる。チップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心から遠ざかるとき、チップ17cと斜面61bの接触点がV溝の中心から遠ざかる。
制御部40は、角度αが閾値T2となったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになるまでXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS22における高さ一定倣い制御は、ステップS14における高さ一定倣い制御と同様である。これにより、図8(f)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ17を移動させ、角度αが閾値T2になったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになると駆動部13にプローブ17を停止させる。
制御部40は、角度αが閾値T2に近づくようにXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS23における高さ一定倣い制御は、ステップS14における高さ一定倣い制御と基本的に同様である。ただし、角度αが減少するように進行方向速度ベクトルVPの向きを決定する。これにより、図8(g)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心に近づくように駆動部13にプローブ17を移動させる。チップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心に近づくとき、チップ17cと斜面61bとの接触点がV溝61の中心へと近づく。
図8(g)に示すように、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T2を超えて変化したときのチップ17cの座標P1を測定値として取得する。例えば、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T2を超えて変化したときのベクトルCを座標P1として取得する。
制御部40は、角度αが閾値T1となるまでXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS25における高さ一定倣い制御は、ステップS23における高さ一定倣い制御と同様である。これにより、制御部40は、図8(h)に示すようにチップ17cが斜面61bに倣ってV溝61の中心へ近づくように駆動部13にプローブ17を移動させ、図8(i)に示すようにチップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ17を移動させる。チップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心から遠ざかるとき、チップ17cと斜面61aの接触点がV溝の中心から遠ざかる。
制御部40は、角度αが閾値T1となったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになるまでXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS26における高さ一定倣い制御は、ステップS23における高さ一定倣い制御と同様である。これにより、図8(j)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ13を移動させ、角度αが閾値T1になったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになると駆動部13にプローブ17を停止させる。
制御部40は、角度αが閾値T1に近づくようにXwZw平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する。ステップS27における高さ一定倣い制御は、ステップS14における高さ一定倣い制御と同様である。これにより、図8(k)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面61aに倣ってV溝61の中心に近づくように駆動部13にプローブ17を移動させる。
図8(k)に示すように、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T1を超えて変化したときのチップ17cの座標P2を測定値として取得する。例えば、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T1を超えて変化したときのベクトルCを座標P2として取得する。ステップS28においては、チップ17cがステップS24の場合の反対側からV溝61の中心へ近づいているときにチップ17cの座標を取得する。その後、制御部40は、駆動部13にプローブ17の移動を停止させる。ステップS28の後、ステップS16に移行する。
図8(l)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17をリトラクトさせる(ステップS16)。V溝中心算出部47は、座標P1及びP2に基づいて、V溝61の中心の座標P0を測定値として算出する(ステップS17)。例えば、座標POは、下記式に示すように、座標P1及びP2の平均である。
次に、実施の形態2にかかる形状測定装置及びV溝求心測定方法を説明する。実施の形態2にかかる形状測定装置及びV溝求心測定方法は、円錐状に形成されたV溝の中心測定に好適である。以下、実施の形態1と共通する事項の説明は省略される場合がある。
図15は、実施の形態2にかかるV溝求心測定方法におけるプローブ17の動作を示す模式図である。図15(a)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17を現在位置からV溝71の上方の開始位置に移動させる(ステップS30)。図15(b)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17をV溝71の表面に向かってアプローチさせる(ステップS311)。このとき、駆動部13はプローブ17をZw軸に平行に移動する。
制御部40は、チップ17cがワーク70の表面に到達したか判定する。具体的には、制御部40は、振れベクトルEの絶対値が接触判定閾値より大きくなるとチップ17cがワーク70の表面に到達したと判定し(ステップS32においてYES)、駆動部13にプローブ17を停止させ、ステップS33に移行する。振れベクトルEの絶対値が接触判定閾値より大きくない場合(ステップS32においてNO)、ステップS31に戻る。
制御部40は、振れベクトルEの方向と所定方向(Zw軸の方向)のなす角度αが二つの閾値T1及びT2の間か判定する。例えば、閾値T1は−0.5°、閾値T2は+0.5°である。これにより、チップ17cがV溝71の中心(底)の近傍にあるか判定することができる。以下、ステップS31のアプローチによりチップ17cが斜面71aに到達し、ステップS32においてプローブ17が停止したときの角度αの値が閾値T1より小さい場合について説明する。角度αが閾値T1より小さいため(ステップS33においてNO)、ステップS34に移行する。
図15(c)を参照して、制御部40は、角度αが閾値T1となるまで、同時に2つの平面75及び76を拘束面として用いた高さ一定倣い制御を実行する。平面75は、チップ17cの中心を通り、Zw軸及びXw軸に平行な平面である。平面76は、チップ17cの中心を通り、Zw軸及びYw軸に平行な平面である。平面75及び76は、チップ17cとともに移動する。尚、斜面71aと平面70aの交線71cの内側の円77は、角度αが閾値T1又はT2となる位置を示している。
制御部40は、角度αが閾値T2となるまでVtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ここで、固定倣いベクトル生成部407は、下記式で表されるチップ17cの目標速度ベクトルVtを生成する。
制御部40は、角度αが閾値T2となったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになるまで、Vtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ステップS42における固定倣い制御は、ステップS41における固定倣い制御と同様である。これにより、図15(f)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面71aに倣ってV溝71の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ13を移動させ、角度αが閾値T2になったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになると駆動部13にプローブ17を停止させる。
制御部40は、角度αが閾値T2に近づくようにVtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ステップS43における固定倣い制御は、ステップS41における固定倣い制御と基本的に同様である。ただし、チップ17cの目標速度ベクトルVtは下記式で表される。
図15(g)に示すように、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T2を超えて変化したときのチップ17cの座標P1を測定値として取得する。例えば、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T2を超えて変化したときのベクトルCを座標P1として取得する。
制御部40は、角度αが閾値T1となるまでVtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ステップS45における固定倣い制御は、ステップS43における固定倣い制御と同様である。これにより、制御部40は、図15(h)に示すようにチップ17cが斜面71aに倣ってV溝71の中心へ近づくように駆動部13にプローブ17を移動させ、図15(i)に示すようにチップ17cが斜面71aに倣ってV溝71の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ17を移動させる。
制御部40は、角度αが閾値T1となったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになるまでVtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ステップS46における固定倣い制御は、ステップS43における固定倣い制御と同様である。これにより、図15(j)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面71aに倣ってV溝71の中心から遠ざかるように駆動部13にプローブ13を移動させ、角度αが閾値T1になったときの位置からのチップ17cの移動距離が所定の長さLになると駆動部13にプローブ17を停止させる。
制御部40は、角度αが閾値T1に近づくようにVtx及びVtyに基づく固定倣い制御を実行する。ステップS47における固定倣い制御は、ステップS41における固定倣い制御と同様である。これにより、図15(k)に示すように、制御部40は、チップ17cが斜面71aに倣ってV溝71の中心に近づくように駆動部13にプローブ17を移動させる。
図15(k)に示すように、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T1を超えて変化したときのチップ17cの座標P2を測定値として取得する。例えば、閾値対応座標取得部46は、角度αが閾値T1を超えて変化したときのベクトルCを座標P2として取得する。ステップS48においては、チップ17cがステップS44の場合の反対側からV溝71の中心へ近づいているときにチップ17cの座標を取得する。その後、制御部40は、駆動部13にプローブ17の移動を停止させる。ステップS48の後、ステップS36に移行する。
図15(l)に示すように、制御部40は、駆動部13にプローブ17をリトラクトさせる(ステップS36)。V溝中心算出部47は、座標P1及びP2に基づいて、V溝71の中心の座標P0を測定値として算出する(ステップS37)。例えば、座標POは数式(15)で表される。コンピュータ本体21は、座標POを測定データとして保存する。
1 三次元測定機
2 コンピュータ
3 ジョイスティックボックス
4 コントローラ
13 駆動部
17 プローブ
17a プローブ本体
17b スタイラス
17c チップ
40 制御部
41 プローブ座標検出部
42 振れベクトル検出部
43 チップ座標算出部
44 角度算出部
45 移動距離算出部
46 閾値対応座標取得部
47 V溝中心算出部
48 速度算出部
W(50、60、70) ワーク
55、75、76 平面(拘束面)
61、71 V溝
61a、61b、71a 斜面
Claims (5)
- 被測定物を測定するためのチップを有するプローブと、
前記プローブを移動する駆動部と、
前記プローブの座標を検出するプローブ座標検出部と、
前記プローブの振れベクトルを検出する振れベクトル検出部と、
前記振れベクトルの方向と所定方向のなす角度を算出する角度算出部と、
前記プローブの座標及び前記振れベクトルに基づいて前記チップの座標を算出するチップ座標算出部と、
前記チップがV溝の斜面に倣って前記V溝の中心へ近づくように前記駆動部に前記プローブを移動させる第1倣い制御と前記チップが前記V溝の斜面に倣って前記第1倣い制御の場合の反対側から前記V溝の中心へ近づくように前記駆動部に前記プローブを移動させる第2倣い制御とを実行する制御部と、
前記第1倣い制御の実行中において前記角度が第1閾値を超えて変化したときの前記チップの座標を第1座標として取得し、前記第2倣い制御の実行中において前記角度が第2閾値を超えて変化したときの前記チップの座標を第2座標として取得する閾値対応座標取得部と、
前記第1座標及び前記第2座標に基づいて前記V溝の中心の座標を算出するV溝中心算出部と
を具備する
形状測定装置。 - 前記制御部は、
前記第1倣い制御を実行する前に、前記チップが前記V溝の斜面に倣って前記V溝の中心から遠ざかるように前記駆動部に前記プローブを移動させる第3倣い制御を実行し、
前記第3倣い制御において、前記角度が前記第1閾値になったときの位置からの前記チップの移動距離が所定長さに達するまで前記駆動部に前記プローブを移動させ、
前記第2倣い制御を実行する前に、前記チップが前記V溝の斜面に倣って前記V溝の中心から遠ざかるように前記駆動部に前記プローブを移動させる第4倣い制御を実行し、
前記第4倣い制御において、前記角度が前記第2閾値になったときの位置からの前記チップの移動距離が所定長さに達するまで前記駆動部に前記プローブを移動させる
請求項1に記載の形状測定装置。 - 前記制御部は、前記第1及び第2倣い制御において、前記V溝の長手方向に垂直な固定平面を拘束面とする高さ一定倣い制御を実行する
請求項1又は2に記載の形状測定装置。 - 前記制御部は、
前記チップが前記V溝の斜面に倣って前記V溝の中心へ近づくように前記駆動部に前記プローブを移動させる第5倣い制御を実行し、
前記第5倣い制御において、前記所定方向に平行な第1平面を拘束面とする高さ一定倣い制御のための前記プローブの第1目標速度ベクトルを生成し、前記所定方向に平行且つ前記第1平面に垂直な第2平面を拘束面とする高さ一定倣い制御のための前記プローブの第2目標速度ベクトルを生成し、前記第1目標速度ベクトル及び前記第2目標速度ベクトルの合成ベクトルに基づいて前記駆動部に前記プローブを移動させ、前記角度が前記第1閾値又は前記第2閾値に到達したときの前記チップの速度の前記所定方向に垂直な成分を検出速度成分として検出し、
前記第1平面及び前記第2平面は、前記チップとともに移動し、
前記制御部は、前記第1及び第2倣い制御において、前記プローブの速度の前記所定方向に垂直な成分を前記検出速度成分に基づいて制御する
請求項1又は2に記載の形状測定装置。 - プローブのチップがV溝の斜面に倣って前記V溝の中心へ近づくように前記プローブを移動する第1倣い工程において前記プローブの振れ方向と所定方向のなす角度が第1閾値を超えて変化したときの前記チップの座標を第1座標として取得し、
前記チップが前記V溝の斜面に倣って前記第1倣い工程の場合の反対側から前記V溝の中心へ近づくように前記プローブを移動する第2倣い工程において前記角度が第2閾値を超えて変化したときの前記チップの座標を第2座標として取得し、
前記第1座標及び前記第2座標に基づいて前記V溝の中心の座標を算出する
V溝求心測定方法。
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