JP2015031690A - 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法 - Google Patents

高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015031690A
JP2015031690A JP2014153396A JP2014153396A JP2015031690A JP 2015031690 A JP2015031690 A JP 2015031690A JP 2014153396 A JP2014153396 A JP 2014153396A JP 2014153396 A JP2014153396 A JP 2014153396A JP 2015031690 A JP2015031690 A JP 2015031690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dut
pattern
data
recording data
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014153396A
Other languages
English (en)
Inventor
サン ユ,ホ
Ho Sang You
サン ユ,ホ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UniTest Inc
Original Assignee
UniTest Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by UniTest Inc filed Critical UniTest Inc
Publication of JP2015031690A publication Critical patent/JP2015031690A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/36Data generation devices, e.g. data inverters
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/22Detection or location of defective computer hardware by testing during standby operation or during idle time, e.g. start-up testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/10Test algorithms, e.g. memory scan [MScan] algorithms; Test patterns, e.g. checkerboard patterns 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56004Pattern generation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C29/56008Error analysis, representation of errors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract


【課題】高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法を提供する。
【解決手段】本発明の高速フェイルメモリデータ取得装置は、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信するパターン発生器(1)と、パターン発生器(1)から印加を受けたDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを不良分析器(3)へ伝送するデータ伝送装置(2)と、データ伝送装置(2)から受信したDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析して不良分析情報を生成する不良分析器(3)と、を備えている。
【選択図】図2

Description

本発明は、高速フェイル(fail)メモリデータ取得装置およびその方法に関し、さらに詳しくは、メモリ試験装置における不良分析のためのFM(フェイルメモリ:Fail Memory)運用において、テスト終了以前にも、パターン発生器に記録したデータと被測定メモリから読み出されたデータとの比較によって実時間で不良情報を取得する技術に関する。
従来のメモリ試験装置の場合、テストしようとするメモリ(DUT:Device Under Test)とこれを試験するためのパターン発生器(Pattern Generator)とが結合して被測定メモリに一定のデータを記録し、これをさらに読み出して異常有無を判断する。
特許文献1(メモリ素子テストのためのアルゴリズムパターン生成器およびこれを用いたメモリテスト)には、各クロックサイクルに対してデータ生成部で生成したデータとテストデータとを比較し、不良メモリに対する情報を格納するデータ比較部に対する技術が開示されている。
この際、不良データの分析では、 正確な不良分析および復旧過程の情報を知るためには単にデータの一致/不一致だけでなく、該当メモリの不良アドレス情報およびデータを知らなければならない。
ところが、この情報を得るためには、パターン発生器で記録したデータと被測定メモリから読み出したデータとを比較し、その結果を別途の記録空間に格納し、テストが完全に終了した後、別途の記録空間からコンピュータなどの不良分析器を介さないと異常有無を分析することができないという欠点がある。
まとめると、図1に示すように、従来の技術では、パターン発生器1で不良情報を記録するために、FM2に格納する間に、PCを含む不良分析器3では不良分析情報に接近することができない。
すなわち、不良を分析するためには、パターン発生器1のパターン発生を終了した後に接近が可能である。よって、パターン発生器1のパターンプログラム終了後の不良分析作業が行われることになり、パターン発生器1のパターン遂行時間および不良分析時間が最終不良分析時間となる。
また、一度で格納することが可能な不良分析情報量がFM2より大きければ、格納が不可能であり、このような場合、同一の作業を数回にわたって反復してパターンを行わなければならないという問題点がある。
韓国登録特許第540506号
本発明の目的は、不良分析時間を繰り上げることが可能なデータ伝送装置(FIFO)を構成し、テスト終了前に不良分析を予め処理することができるようにすることにより、全体不良分析時間を短縮させ、不良分析のためのハードウェア的制約を克服することにある。
上記技術的課題を達成するために、本発明の高速フェイルメモリデータ取得装置は、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、前記被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信するパターン発生器と、前記パターン発生器から印加を受けたDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを不良分析器へ伝送するデータ伝送装置と、前記データ伝送装置から受信したDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析して不良分析情報を生成する不良分析器と、を備えている。
また、前記パターン発生器は、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させて前記被測定メモリ(DUT)へ伝送し、前記被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信し、既に発生させたパターンと共に前記データ伝送装置へ印加することを特徴とする。
また、前記データ伝送装置は、前記パターン発生器から前記被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンおよび該パターンに対応して記録されたDUT記録データの印加を受けて前記不良分析器へ伝送し、FIFO(First In First Out)制御に基づいて、前記パターン発生器から印加を受けた前記被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンおよび該パターンに対応して記録されたDUT記録データを順序通り前記不良分析器側へ伝送することを特徴とする。
また、前記不良分析器は、前記データ伝送装置から受信した前記パターン発生器のパターンと前記被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断し、前記パターン発生器のパターンとDUT記録データとが一致しない場合、一致しないDUT記録データおよびこれに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成することを特徴とする。
一方、前述した装置に基づく本発明の高速フェイルメモリデータ取得方法は、パターン発生器が、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、前記被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信する(a)段階と、データ伝送装置が、前記パターン発生器から印加を受けたDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生させたパターンを不良分析器へ伝送する(b)段階と、前記不良分析器が、前記データ伝送装置から受信したDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析して不良分析情報を生成する(c)段階と、を備えている。
(c)段階は、前記不良分析器が、前記データ伝送装置から受信した前記パターン発生器のパターンと前記被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断する(c−1)段階と、(c−1)段階で判断した結果、前記パターン発生器のパターンと前記DUT記録データとが一致しない場合、前記不良分析器が、一致しないDUT記録データおよびこれに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成する(c−2)段階と、を含む。
前述したような本発明によれば、不良分析時間を繰り上げることが可能なデータ伝送装置(FIFO)を構成し、テスト終了前に不良分析を予め処理することができるようにすることにより、全体不良分析時間を短縮させ、不良分析のためのハードウェア的制約を克服できるという効果がある。
従来のパターン発生器と不良分析のための装置構造を示す構成図である。 本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得装置を示す構成図である。 本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得方法を示すフローチャートである。 本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得方法のS30段階の詳細過程を示すフローチャートである。
本発明の具体的な特徴および利点は、添付図面に基づく以下の詳細な説明からさらに明白になるであろう。これに先立ち、本明細書および請求の範囲に使用された用語または単語は、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に基づき、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されなければならない。なお、本発明に関連した公知の機能およびその構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を無駄に乱すおそれがあると判断された場合は、その具体的な説明を省略する。
図2に示すように、本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得装置Aは、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、被測定メモリ(DUT)から記録されたデータ(以下、「DUT記録データ」)を受信するパターン発生器1と、パターン発生器1から印加を受けたDUT記録データ、およびこれに対応するように既に発生させたパターンを不良分析器3へ伝送するデータ伝送装置2と、データ伝送装置2から受信したDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析して不良分析情報を生成する不良分析器3と、を備えている。
具体的に、パターン発生器1は、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させて被測定メモリ(DUT)へ伝送し、被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信し、既に発生させたパターンと共にデータ伝送装置2へ印加する。
また、データ伝送装置2は、パターン発生器1から被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンおよび該パターンに対応して記録されたDUT記録データの印加を受けて不良分析器3へ伝送する。
この際、データ伝送装置2は、FIFO(First In First Out)制御に基づいて、パターン発生器1から印加を受けた被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターン、および該パターンに対応して記録されたDUT記録データを順序通り不良分析器3側へ伝送する。
また、不良分析器3は、データ伝送装置2から受信したパターン発生器1のパターンと、被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断し、パターン発生器1のパターンとDUT記録データとが一致しない場合、一致しないDUT記録データおよびこれに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成する。
この際、不良分析器3は、PCのハードディスクの形態をとり、従来のFM(フェイルメモリ:Fail Memory)に比べて高容量のデータ格納装置から構成される。
以下、図3を参照して、本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得方法について考察する。
まず、パターン発生器1が、被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信する(S10)。
次いで、データ伝送装置2が、パターン発生器1から印加を受けたDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを不良分析器3へ伝送する(S20)。
また、不良分析器3が、データ伝送装置2から受信したDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析し、不良分析情報を生成する(S30)。
以下、図4を参照して、本発明に係る高速フェイルメモリデータ取得方法のS30段階の詳細過程について考察する。
S20段階の後、不良分析器3が、データ伝送装置2から受信したパターン発生器1のパターンと、被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断する(S31)。
S31段階で判断した結果、パターン発生器1のパターンとDUT記録データとが一致しない場合、不良分析器3が、一致しないDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成する(S32)。
以上、本発明の技術的思想を例示するための好適な実施例について説明および図示したが、本発明はこれらに限定されるものではない。当該分野における通常の知識を有する者であれば、技術的思想の範疇から逸脱することなく、本発明に多数の変更および修正を加え得るのを理解するであろう。よって、それらの全ての適切な変更および修正とその均等物も本発明の範囲に属すると看做すべきであろう。
A 高速フェイルメモリデータ取得装置
1 パターン発生器
2 データ伝送装置
3 不良分析器

Claims (6)

  1. フェイルメモリデータ取得装置において、
    被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させ、前記被測定メモリから記録されたDUT記録データを受信するパターン発生器と、
    前記パターン発生器から印加を受けたDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを不良分析器へ伝送するデータ伝送装置と、
    前記データ伝送装置から受信したDUT記録データ、および該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析して不良分析情報を生成する不良分析器と、を備えていることを特徴とする、高速フェイルメモリデータ取得装置。
  2. 前記パターン発生器が、
    前記被測定メモリ(DUT)に記録するためのパターンを発生させて前記被測定メモリへ伝送し、
    前記被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信し、既に発生させたパターンと共に前記データ伝送装置へ印加することを特徴とする、請求項1に記載の高速フェイルメモリデータ取得装置。
  3. 前記データ伝送装置は、
    前記パターン発生器から前記被測定メモリに記録するためのパターン、および該パターンに対応して記録されたDUT記録データの印加を受けて前記不良分析器へ伝送し、
    FIFO(First In First Out)制御に基づいて、前記パターン発生器から印加を受けた前記被測定メモリに記録するためのパターン、および該パターンに対応して記録されたDUT記録データを順序通り前記不良分析器側へ伝送することを特徴とする、請求項1に記載の高速フェイルメモリデータ取得装置。
  4. 前記不良分析器が、
    前記データ伝送装置から受信した前記パターン発生器のパターンと、前記被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断し、
    前記パターン発生器のパターンと前記DUT記録データとが一致しない場合、一致しないDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成することを特徴とする、請求項1に記載の高速フェイルメモリデータ取得装置。
  5. フェイルメモリデータ取得方法において、
    (a)パターン発生器が、被測定メモリに記録するためのパターンを発生させ、前記被測定メモリ(DUT)から記録されたDUT記録データを受信する段階と、
    (b)データ伝送装置が、前記パターン発生器から印加を受けたDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを不良分析器へ伝送する段階と、
    (c)前記不良分析器が、前記データ伝送装置から受信したDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するように既に発生したパターンを分析し、不良分析情報を生成する段階と、を備えていることを特徴とする、高速フェイルメモリデータ取得方法。
  6. 前記(c)段階は、
    (c−1)前記不良分析器が、前記データ伝送装置から受信した前記パターン発生器のパターンと前記被測定メモリ(DUT)のDUT記録データとを比較して一致するか否かを判断する段階と、
    (c−2)前記(c−1)段階で判断した結果、前記パターン発生器のパターンと前記DUT記録データとが一致しない場合、前記不良分析器が、一致しないDUT記録データおよび該DUT記録データに対応するメモリ不良アドレスを抽出して不良情報を生成する段階と、を含むことを特徴とする、請求項5に記載の高速フェイルメモリデータ取得方法。
JP2014153396A 2013-07-31 2014-07-29 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法 Pending JP2015031690A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130090906A KR101530587B1 (ko) 2013-07-31 2013-07-31 고속 Fail Memory 데이터 취득 장치 및 그 방법
KR10-2013-0090906 2013-07-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016108477A Division JP2016164577A (ja) 2013-07-31 2016-05-31 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2015031690A true JP2015031690A (ja) 2015-02-16

Family

ID=52428820

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014153396A Pending JP2015031690A (ja) 2013-07-31 2014-07-29 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法
JP2016108477A Pending JP2016164577A (ja) 2013-07-31 2016-05-31 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016108477A Pending JP2016164577A (ja) 2013-07-31 2016-05-31 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9312030B2 (ja)
JP (2) JP2015031690A (ja)
KR (1) KR101530587B1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101522292B1 (ko) * 2013-07-31 2015-05-21 주식회사 유니테스트 메모리 테스트 동시 판정 시스템
KR102013643B1 (ko) * 2018-04-13 2019-10-21 주식회사 엑시콘 고속 번인 테스트 장치 및 방법
CN109346119B (zh) * 2018-08-30 2021-07-23 武汉精鸿电子技术有限公司 一种半导体存储器老化测试核心板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63265181A (ja) * 1987-04-22 1988-11-01 Nec Corp フアンクシヨンテスタ
JPH05144295A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Ando Electric Co Ltd メモリ試験装置
JPH07147100A (ja) * 1993-11-22 1995-06-06 Ando Electric Co Ltd 不良判定データ書き込み装置
JP2005010095A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Advantest Corp 半導体試験装置
US20080034265A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Unitest Inc. Tester For Testing Semiconductor Device
JP2010061777A (ja) * 2008-09-08 2010-03-18 Yokogawa Electric Corp メモリテスト装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69220262T2 (de) * 1991-03-08 1997-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Einrichtung zur Datenübertragung
GB0026849D0 (en) * 2000-11-03 2000-12-20 Acuid Corp Ltd DDR SDRAM memory test system with fault strobe synchronization
JP4241157B2 (ja) * 2003-04-16 2009-03-18 株式会社アドバンテスト 試験装置
KR100540506B1 (ko) 2004-08-03 2006-01-11 주식회사 유니테스트 메모리 소자 테스트를 위한 알고리즘 패턴 생성기 및 이를이용한 메모리 테스터
TWI252397B (en) * 2004-09-17 2006-04-01 Ind Tech Res Inst Method and apparatus of built-in self-diagnosis and repair in a memory with syndrome identification
JP5194067B2 (ja) * 2010-07-08 2013-05-08 アンリツ株式会社 誤り率測定装置及び誤り率測定方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63265181A (ja) * 1987-04-22 1988-11-01 Nec Corp フアンクシヨンテスタ
JPH05144295A (ja) * 1991-11-25 1993-06-11 Ando Electric Co Ltd メモリ試験装置
US5291449A (en) * 1991-11-25 1994-03-01 Ando Electric Co., Ltd. IC memory testing apparatus
JPH07147100A (ja) * 1993-11-22 1995-06-06 Ando Electric Co Ltd 不良判定データ書き込み装置
JP2005010095A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Advantest Corp 半導体試験装置
US20080034265A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Unitest Inc. Tester For Testing Semiconductor Device
JP2010061777A (ja) * 2008-09-08 2010-03-18 Yokogawa Electric Corp メモリテスト装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9312030B2 (en) 2016-04-12
JP2016164577A (ja) 2016-09-08
KR20150015189A (ko) 2015-02-10
US20150039951A1 (en) 2015-02-05
KR101530587B1 (ko) 2015-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016106605A1 (zh) 一种fpga功能模块仿真验证方法及其系统
US8996928B2 (en) Devices for indicating a physical layer error
US9384117B2 (en) Machine and methods for evaluating failing software programs
US8412991B2 (en) Scan chain fault diagnosis
JP6387182B2 (ja) 情報処理方法、装置及びコンピュータ記憶媒体
US9946638B1 (en) System and method for end to end performance response time measurement based on graphic recognition
US9460814B2 (en) Memory tester design for soft error rate (SER) failure analysis
CN110196801B (zh) 一种基于代码覆盖率的测试方法及装置
US9400311B1 (en) Method and system of collective failure diagnosis for multiple electronic circuits
JP2016164577A (ja) 高速フェイルメモリデータ取得装置およびその方法
KR101976629B1 (ko) 커미트 민감도 테스트들
CN104360946A (zh) 一种测试缺陷的计算机实现的方法及计算机
KR101421909B1 (ko) 기준 스캔 체인 테스트 데이터를 생성하는 테스트 장치 및 테스트 시스템
TW201435371A (zh) 診斷工具-一種增加良率提升製程之產量的方法
CN109901962B (zh) 一种Linux下AEP内存的同步混合压力测试方法及系统
US8341579B2 (en) Method, apparatus, and system for analyzing operation of semiconductor integrated circuits
Grinevich et al. Formal methods in industrial software standards enforcement
Karnane et al. Automating root-cause analysis to reduce time to find bugs by up to 50%
KR20170060297A (ko) 반도체 장치 및 그를 포함하는 반도체 시스템
JP2011154568A (ja) 情報処理装置、プログラム検証方法およびプログラム
US8656235B2 (en) Verifying and detecting boundary scan cells to input/output mapping
CN109634842A (zh) 基于qt应用程序的测试方法和系统
CN107870838A (zh) 一种linux下多pattern内存诊断测试的方法
Zhang et al. Optimization and selection of diagnosis-oriented fault-insertion points for system test
Venhoek Building the Trigger Partition Testbed

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150507

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150806

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150903

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151006

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160209