JP2015025865A - 画像投射装置、制御方法及びプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】電源ボタンが操作されることなく、電源から電源コードが引き抜かれて電源がオフされる際に水銀ブリッジの発生確率を低減することができる画像投射装置、制御方法及びプログラムを提供する。【解決手段】プロジェクタ１は、電源に接続され、プロジェクタ１を駆動するための電流が入力される電源コード２０と、電源に対して電源コード２０をロックするロック機構２２と、ロック機構２２による電源コード２０のロックを解除するロック解除機構２３と、ロック機構２２による電源コード２０のロックの解除を検出するロック解除検出部２４と、ロック解除検出部２４がロック解除機構２３による電源コード２０のロックの解除を検出した場合、高圧水銀ランプ３０に生じる水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う制御装置７０と、を備える。【選択図】図８

Description

本発明は、画像を投射する画像投射装置、その制御方法及びプログラムに関する。

従来、プロジェクタの光源として広く用いられている高圧水銀ランプは、発光管内に設けられた一対の電極間のアーク放電を利用して、発光管内部に封入された水銀蒸気（発光物質）を発光させる。水銀蒸気は、プロジェクタの電源がオフになると、液体へと戻るが、この時に、一対の電極に液体水銀が付着することで、電極間をショート（短絡）させてしまうことがある。この現象を水銀ブリッジと呼び、プロジェクタ不点灯の原因となる。

水銀ブリッジは、液化した水銀が低温部に付着しやすい、電極部が管球部（発光管）に比べ温度変化しやすくプロジェクタの電源オフ後に電極部の温度が管球部より低くなりやすい、という２つの特性により発生する。特に、電極の温度とランプ電力（電極に供給される電力）には相関関係があるので、ランプ電力が低い状態からプロジェクタの電源がオフされると電極と管球部の温度差が広がり、水銀ブリッジの発生確率が飛躍的に高まる。

そこで、プロジェクタの電源オフ後も一定時間にわたってランプを冷却し続けるアフタークーリングを実施することで、電極と管球部の温度差を小さくし、水銀ブリッジの発生確率を低下させる技術が既に知られている。また、例えば特許文献１には、水銀ブリッジを防止するために、プロジェクタの電源をオフする際、一定時間にわたってランプ電力を低い状態に維持した後に電源をオフするという技術が開示されている。

しかしながら、上述した特許文献１では、電源から電源コードを引き抜くことで、プロジェクタの電源をオフにした場合、電極と管球部の温度差が大きいため、水銀ブリッジの発生確率が高まるという問題点があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電源ボタンが操作されることなく、電源から電源コードが引き抜かれて電源がオフされる際に水銀ブリッジの発生確率を低減することができる画像投射装置、制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像投射装置は、一対の電極間の放電により発光物質としての水銀が発光する光源と、前記光源から出射される光の強度を変調して画像を形成する画像形成部と、を備えた画像投射装置であって、電源に接続され、当該画像投射装置を駆動するための電力が入力される電源コードと、前記電源に対して前記電源コードをロックするロック機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックを解除するロック解除機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックの解除を検出するロック解除検出部と、前記ロック解除検出部が前記ロック解除機構による前記電源コードのロックの解除を検出した場合、前記光源に生じる水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、電源ボタンが操作されることなく、電源から電源コードが引き抜かれて電源がオフされる際に水銀ブリッジの発生確率を低減することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態のプロジェクタの斜視図である。 図２は、実施形態のプロジェクタの側面図である。 図３は、実施形態のプロジェクタが備える光学装置及び光源装置を示す内部断面図である。 図４は、実施形態のプロジェクタが備える光学装置及び光源装置を示す斜視図である。 図５は、実施形態の高圧水銀ランプの断面図である。 図６は、従来のプロジェクタの電極及び管球部の各々の温度の経時的変化の一例を示す図である。 図７は、従来のプロジェクタの電極及び管球部の各々の温度の経時的変化の一例を示す図である。 図８は、実施形態のプロジェクタのハードウェア構成例を示すブロック図である。 図９は、実施形態のプロジェクタが備える電源コード、ロック機構、ロック解除機構及びロック解除検出部の構成を模式的に示す斜視図である。 図１０は、実施形態のプロジェクタの電源コードが電源から引き抜かれた際の動作例を示すフローチャートである。 図１１は、実施形態のロック解除機構によるロック機構の電源コードのロックを解除する際の動作図である。 図１２は、実施形態の水銀ブリッジ低減処理を行った後の電極及び管球部の各々の温度の経時的変化の一例を示す図である。

以下、送付図面を参照して、本発明にかかる画像投射装置、その制御方法及びプログラムの実施形態を詳細に説明する。

図１は、本実施形態が適用される画像投射装置としてのプロジェクタ１の斜視図である。図２は、プロジェクタ１の側面図である。なお、図２では、プロジェクタ１の投射レンズ１０から投射光が被投射面であるスクリーン２に照射されている状態が示されている。

図３は、プロジェクタ１が備える光学装置３及び光源装置４を示す内部断面図である。図４は、プロジェクタ１が備える光学装置３及び光源装置４の斜視図である。

図３及び図４に示す光学装置３は、照明機構３ａ及び投射機構３ｂを備える。光学装置３は、カラーホイール５、ライトトンネル６、リレーレンズ７、平面ミラー８、凹面ミラー９及び画像形成部１１を備える。

カラーホイール５は、円盤状をなし、光源装置４からの白色光を単位時間毎にＲＧＢの各色が繰り返す光に変換してライトトンネル６に向けて出射する。
ライトトンネル６は、板ガラスを張り合わせた筒状に形成されており、カラーホイール５から出射された光をリレーレンズ７へ導出する。
リレーレンズ７は、少なくとも二枚のレンズを組み合わせて構成されており、ライトトンネル６から出射される光の軸上色収差を補正しつつ集光する。
平面ミラー８及び凹面ミラー９は、リレーレンズ７により出射される光を反射して、画像形成部１１へ案内して集光する。
画像形成部１１は、複数のマイクロミラーからなる矩形状のミラー面を有し、映像や画像のデータに基づいて、各マイクロミラーが時分割駆動されることにより、所定の画像データを形成するように投射光を加工して反射するＤＭＤ素子を用いて構成される。

光源装置４は、後述の高圧水銀ランプを光源として備える。光源装置４は、光学装置３の照明機構３ａに向けて白色光を照射する。照明機構３ａ内においては、光源装置４から照射された白色光がＲＧＢに分光され、画像形成部１１へ導出される。そして、画像形成部１１は、光源装置４から出射される光の強度を変調して画像を形成する。画像形成部１１により形成された画像は、投射機構３ｂによってスクリーン２に拡大投射される。なお、本実施形態では、画像形成部１１は、ＤＭＤ素子によって形成されているが、これに限らず、例えば液晶ライトバルブによって形成されてもよい。要するに、画像形成部１１は、光源装置４から出射される光の強度を変調して画像を形成する機能を有するものであればよく、その種類を任意に変更することができる。

また、図３で示された画像形成部１１の図中手前側となる鉛直方向上方には、画像形成部１１に入射した光のうち、投射光として使用しない不要な光を受光するＯＦＦ光板が設けられている。画像形成部１１は、光が入射すると、映像データに基づいて、ＤＭＤ素子の働きにより時分割で複数のマイクロミラーを作動させ、このマイクロミラーによって使用する光を投射レンズ１０へと反射し、捨てる光をＯＦＦ光板へと反射する。画像形成部１１は、投射画像に使用する光を投射機構３ｂへと反射する。投射機構３ｂに反射された光は、複数の投射レンズ１０を通って拡大されて映像光として投射される。

次に、光源装置４の光源として用いられる高圧水銀ランプ３０について説明する。図５は、光源装置４が光源として用いる高圧水銀ランプ３０の断面図である。

図５に示す高圧水銀ランプ３０は、管球部３１と、管球部３１内に高圧で封入され、発光物質としての水銀３２と、管球部３１内に設けられた一対の電極３３と、リフレクタ３４と、を有する。高圧水銀ランプ３０は、一対の電極３３間の放電により水銀３２が発光することで、光源として機能する。

より具体的には以下の通りである。一対の電極３３は、例えばタングステンで形成される。一対の電極３３間に高電圧が印加されるとアーク放電が形成され、管球部３１内に高圧で封入された水銀３２との相互作用により輝線スペクトル、連続スペクトルが発生し、発光する。管球部３１から発せられた光は、リフレクタ３４で反射し、ある一点に集光する。管球部３１内には、水銀３２の他に、始動希ガスやその他ハロゲンが封入されている。一対の電極３３間が液化した水銀３２によって繋がる（短絡する）水銀ブリッジが発生すると、一対の電極３３間に電圧を印加することができず、アーク放電が形成されないため、不点灯となってしまう。水銀３２は、液化する際に、温度の低い箇所に付着する性質を有する。このため、水銀３２が液化する温度、具体的には、３５０℃程度になる際に、電極３３の温度が管球部３１の温度より高い場合、水銀ブリッジを抑制することができる。また、一対の電極３３間の距離が狭まると、水銀３２が電極３３に繋がり易くなり、水銀ブリッジの発生確率が高まる。ランプ電圧は、一対の電極３３間の距離に依存しており、一対の電極３３間の距離が狭まるほどランプ電圧が低くなる。

なお、一般的に、一対の電極３３間の距離は、高圧水銀ランプ３０の点灯中に、ハロゲンサイクル効果によって長くなったり、短くなったりを繰り返す。さらに、一対の電極３３間の距離は、長期的には高圧水銀ランプ３０の寿命初期において最も短く、高圧水銀ランプ３０の寿命経過とともに少しずつ長くなっていく。従って、水銀ブリッジは、高圧水銀ランプ３０の寿命初期に最も発生しやすい。このため、高圧水銀ランプ３０の寿命初期に、水銀ブリッジ対応を行う必要がある。

ここで、上述の高圧水銀ランプ３０が光源として使用される従来のプロジェクタを想定する。図６は、プロジェクタの電源をオフ（プロジェクタに対する電力供給を停止）した後に、アフタークーリングを実施した場合の電極３３及び管球部３１の各々の温度の警笛変化の一例を示す図である。図６において、図６において、横軸が経過時間（ｔ）を示し、縦軸が温度（℃）を示す。また、図６において、曲線Ｐ１が電極３３の温度の経時的変化を示し、曲線Ｑ１が管球部３１の温度の経時的変化を示す。

図６に示すように、プロジェクタは、電源オフし（時点ｔ₀）、高圧水銀ランプ３０が消灯した後、冷却ファンが時点ｔ₁まで高圧水銀ランプ３０の冷却を行う（アフタークーリング）。冷却ファンによる高圧水銀ランプ３０の冷却は、冷却効果が電極３３よりも管球部３１の方が大きいため、時点ｔ₁で電極３３の温度と管球部３１の温度との温度差が大きい。時点ｔ₁後の自然冷却では、電極３３の方が管球部３１の温度より低下しやすいため、電極３３の温度と管球部３１の温度との温度差が徐々に小さくなる。その後、時点ｔ₂で、電極３３の温度と管球部３１の温度とが逆転する。即ち、水銀３２が液化する時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₂）が電極３３の温度より管球部３１の温度が低くなる時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₃）よりも短ければ、水銀３２が管球部３１に付着する水銀ブリッジを低減することができる。

図７は、プロジェクタの電源をオフすることなく、プロジェクタの電源コードを電源（コンセント）から引き抜いた場合の電極３３及び管球部３１の各々の温度の経時的変化の一例を示す図である。図７において、横軸が時間経過（ｔ）を示し、縦軸が温度（℃）を示す。また、図７において、曲線Ｐ２が電極３３の温度の経時的変化を示し、曲線Ｑ２が管球部３１の温度の経時的変化を示す。

図７に示すように、プロジェクタの電源をオフすることなく、プロジェクタの電源コードを電源から引き抜いた場合、高圧水銀ランプ３０の消灯と同時に冷却ファンによる高圧水銀ランプ３０の冷却も停止する。上述した図６の電源ボタンを操作してプロジェクタの電源をオフした場合に比べて、自然冷却開始時点ｔ₀での、電極３３の温度と管球部３１の温度との温度差が小さい。このため、上述した図６の電極３３の温度と管球部３１の温度とが逆転する時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₃）よりも電極３３の温度と管球部３１の温度とが逆転する時間（時点ｔ₀〜ｔ₄）が短くなる。また、冷却ファンによる高圧水銀ランプ３０の冷却がない分、水銀３２が液化するまでの時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₅）が上述した図６の時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₂）よりも長くなる。よって、管球部３１の温度は、電極３３の温度より高くなり、電極３３の温度と管球部３１の温度とが逆転する時間（上述した図６の時点ｔ₀〜時点ｔ₃）が水銀３２の液化する時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₅）よりも短くなるため、水銀ブリッジが発生しやすくなる。

そこで、本実施形態では、プロジェクタ１の電源コードを電源にロックするロック機構と、ロック機構による電源コードのロックを解除するロック解除機構と、ロック解除機構によるロックの解除を検出するロック検出部とを設ける。そして、ロック検出部がロック解除を検出した場合、高圧水銀ランプ３０に対して水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う。これにより、電源ボタンが操作されることなく、電源から電源コードが引き抜かれてプロジェクタ１の電源がオフされる際に水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

図８は、本発明を実現するのに最低限必要なプロジェクタ１のハードウェア構成例を示すブロック図である。図８に示すように、プロジェクタ１は、画像形成部１１と、電源コード２０と、電源部２１と、ロック機構２２と、ロック解除機構２３と、ロック解除検出部２４と、高圧水銀ランプ３０と、冷却ファン４０と、電源ボタン５０と、記録部６０と、制御装置７０と、を備える。

画像形成部１１は、上述したように、高圧水銀ランプ３０（光源装置４）から出射される光の強度を変調して画像を形成する。画像形成部１１により形成された画像は、投射機構３ｂ（図８では不図示）によってスクリーン２（図８では不図示）に拡大投射される。

電源コード２０は、電源（コンセント）に接続され、プロジェクタ１を駆動するための電力が入力される。
電源部２１は、電源コード２０から入力された電力を所定の電圧に変換してプロジェクタ１の各部へ供給する。
ロック機構２２は、電源に対して電源コード２０をロックする。
ロック解除機構２３は、ロック機構２２による電源コード２０のロックを解除する。
ロック解除検出部２４は、ロック機構２２による電源コード２０のロックの解除を検出する。

ここで、電源コード２０、ロック機構２２、ロック解除機構２３及びロック解除検出部２４について詳細に説明する。図９は、プロジェクタ１が備える電源コード２０、ロック機構２２、ロック解除機構２３及びロック解除検出部２４の構成を模式的に示す斜視図である。

図９に示すように、電源コード２０は、電源に接続される電源プラグ２０ａと、コード部２０ｂと、を有する。
ロック機構２２は、弾性部材等によって形成され、電源プラグ２０ａを保持するＣ字状の電源保持部２２ａと、電源保持部２２ａをロック解除機構２３に押圧する板バネ２２ｂと、を有する。
ロック解除機構２３は、台形柱をなし、電源側に移動可能に設けられる。ロック解除機構２３は、外部から押されることによって、電源側に移動する。この際、電源保持部２２ａがロック解除機構２３の形状に沿って上端側に移動することによって、電源保持部２２ａによる電源プラグ２０ａのロックを解除する。
ロック解除検出部２４は、ロック解除機構２３に設けられる。具体的には、ロック解除検出部２４は、ロック解除機構２３と電源保持部２２ａとが接触するロック解除機構２３の面（斜面）に設けられる。

図８に戻り、プロジェクタ１の構成について説明する。
高圧水銀ランプ３０は、上述したように、一対の電極３３間の放電により水銀３２が発光する光源である。

冷却ファン４０は、高圧水銀ランプ３０を冷却するためのファンであり、制御装置７０の制御により駆動する。

電源ボタン５０は、プロジェクタ１への電力供給を行うか否かを指示するための操作デバイスである。電源ボタン５０は、外部から押下されることによって、プロジェクタ１の電力供給を停止する指示信号の入力を受け付ける。なお、本実施形態では、電源ボタン５０が入力部として機能する。

記録部６０は、高圧水銀ランプ３０を駆動するためのランプ電力の設定情報及び冷却ファン４０によるアフタークーリング時間等を記録する。さらに、記録部６０は、プロジェクタ１を駆動するための各種プログラムやテーブル等を記録する。ここで、ランプ電力の設定情報とは、ランプ電力の最大値と電力のステップ幅との対応関係を示す情報である。また、ステップ幅とは、プロジェクタ１が有する複数の電力モード毎にランプ電力の最大値から減少されるかを定めた設定値である。

制御装置７０は、プロジェクタ１全体の動作を統括的に制御する。制御装置７０は、受付部７１と、電力制御部７２と、冷却ファン制御部７３と、を備える。

受付部７１は、電源ボタン５０から入力される指示信号を受け付ける。
電力制御部７２は、電源ボタン５０から入力される指示信号に応じて、プロジェクタ１に対する電力供給を制御する。例えば、電力制御部７２は、受付部７１を介して電源ボタン５０から電力をオフする指示信号が入力された場合、プロジェクタ１の電力供給を停止する制御を行う。
冷却ファン制御部７３は、冷却ファン４０の駆動を制御する。具体的には、冷却ファン制御部７３は、受付部７１が電源ボタン５０からプロジェクタ１の電源をオフする指示信号を受け付けた場合、冷却ファン４０を駆動することによって、アフタークーリングを行う。

本実施形態では、制御装置７０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備えたコンピュータ装置で構成され、上述の受付部７１、電力制御部７２及び冷却ファン制御部７３の各々の機能は、ＣＰＵがＲＯＭ等に格納されたプログラムを実行することにより実現されるが、これに限られるものではない。例えば上述の受付部７１、電力制御部７２及び冷却ファン制御部７３の各々の機能のうちの少なくとも一部の機能が、専用のハードウェア回路で実現される形態であってもよい。

なお、上述の制御装置７０が実行するプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ−ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録して提供するように構成してもよい。さらに、上述の制御装置７０が実行するプログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、上述の制御装置７０が実行するプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供又は配布するように構成してもよい。

次に、図１０を参照して、電源ボタン５０が操作されることなく、電源コード２０が電源から引き抜かれた際のプロジェクタ１の動作例について説明する。図１０は、電源ボタン５０が操作されることなく、電源コード２０が電源から引き抜かれた際のプロジェクタ１の動作例を示すフローチャートである。

図１０に示すように、制御装置７０は、ロック機構２２による電源コード２０のロックが解除されたか否かを判断する（ステップＳ１０１）。具体的には、図１１に示すように、ロック解除機構２３が押下されることによって、ロック機構２２の電源保持部２２ａがロック解除機構２３の形状に沿ってロック解除機構２３側に移動し、電源保持部２２ａによる電源プラグ２０ａの保持が解除される（図１１（ａ）→図１１（ｂ））。この際、制御装置７０は、ロック解除検出部２４に電源保持部２２ａが接触し、ロック解除検出部２４からロックが解除されたことを示す信号が入力されたか否かを判断する。制御装置７０がロック機構２２による電源コード２０のロックが解除されたと判断した場合（ステップＳ１０１：Ｙｅｓ）、プロジェクタ１は、ステップＳ１０２へ移行する。これに対して、制御装置７０が電源コード２０のロックが解除されていないと判断した場合（ステップＳ１０１：Ｎｏ）、制御装置７０は、この判断を続ける。

ステップＳ１０２において、制御装置７０は、高圧水銀ランプ３０に生じる水銀ブリッジ低減処理を行う。具体的には、制御装置７０の電力制御部７２は、高圧水銀ランプ３０のランプ電力を上昇させて水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う。

図１２は、ロック解除検出部２４が電源コード２０のロックの解除を検出した際に電力制御部７２による水銀ブリッジ低減処理を行った後に、プロジェクタ１の電源がオフした場合の電極３３及び管球部３１の各々の温度の経時的変化の一例を示す図である。図１２において、横軸が時間経過（ｔ）を示し、縦軸が温度（℃）を示す。また、図１２において、曲線Ｐ３が電極３３の温度の経時的変化を示し、曲線Ｑ３が管球部３１の温度の経時的変化を示す。

図１２に示すように、ロック解除検出部２４がロック機構２２による電源コード２０のロックの解除を検出した場合において、電力制御部７２が高圧水銀ランプ３０のランプ電力を上昇させる水銀ブリッジ低減処理を行ったとき、時点ｔ₆で管球部３１の温度が上昇する。さらに、電極３３の温度も管球部３１の温度に比して大きく上昇する。このため、電源コード２０が電源から抜かれた際に、自然空冷が開始される際の温度差も大きくなる。これにより、電極３３の温度が管球部３１の温度と逆転するまでの時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₈）が長くなるが、電力制御部７２が高圧水銀ランプ３０のランプ電力を上昇させることで、水銀３２の温度も上昇する。この結果、水銀３２が液化するまでの時間（時点ｔ₀〜時点ｔ₇）も長くなり、相対的に水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

以上説明した本実施形態によれば、電源ボタン５０が操作されることなく、電源から電源コード２０が引き抜かれてプロジェクタ１の電源がオフされる際に高圧水銀ランプ３０に生じる水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

なお、本実施形態では、ロック解除検出部２４がロック機構２２による電源コード２０のロックの解除を検出した場合、制御装置７０の電力制御部７２は、高圧水銀ランプ３０を消灯する水銀ブリッジ低減処理を行ってもよい。この場合、電極３３の温度と管球部３１の温度は、図７と同様に、高圧水銀ランプ３０が消灯してから、電源コード２０が電源から抜かれて冷却ファン４０が停止するまでの時間において、電極３３の温度と管球部３１の温度との差が大きい。このため、電極３３の温度が管球部３１の温度と逆転するまでの時間も長くなるので、水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

また、本実施形態では、ロック解除検出部２４がロック機構２２による電源コード２０のロックの解除を検出した場合、制御装置７０の冷却ファン制御部７３は、冷却ファン４０の回転数を高圧水銀ランプ３０の点灯時より上げる水銀ブリッジ低減処理を行ってもよい。この場合、冷却ファン４０による強制空冷は、管球部３１の方が電極３３に比して冷却効果が大きいため、電極３３の温度と管球部３１の温度との温度差が大きくなる。このため、電極３３の温度が管球部３１の温度と逆転するまでの時間も長くなるので、水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

また、本実施形態では、制御装置７０が上述した３つの水銀ブリッジ低減処理を組み合わせて行ってもよい。これにより、より水銀ブリッジの発生確率を抑制することができる。

また、本実施形態では、ロック機構２２による電源コード２０のロックを解除する際に、電源コード２０が電源から所定時間だけ抜けないようにする強制的に抜け止めを防止する抜け止め機構をさらに設けてもよい。これにより、電極３３と管球部３１との温度差が大きくなり、より水銀ブリッジの発生確率を低減することができる。

１ プロジェクタ
２ スクリーン
３ 光学装置
３ａ 照明機構
３ｂ 投射機構
４ 光源装置
５ カラーホイール
６ ライトトンネル
７ リレーレンズ
８ 平面ミラー
９ 凹面ミラー
１０ 投射レンズ
１１ 画像形成部
２０ 電源コード
２１ 電源部
２２ ロック機構
２３ ロック解除機構
２４ ロック解除検出部
３０ 高圧水銀ランプ
３１ 管球部
３２ 水銀
３３ 電極
３４ リフレクタ
４０ 冷却ファン
５０ 電源ボタン
６０ 記録部
７０ 制御装置
７１ 受付部
７２ 電力制御部
７３ 冷却ファン制御部

特許第４０７０４２０号公報

Claims (7)

1. 一対の電極間の放電により発光物質としての水銀が発光する光源と、前記光源から出射される光の強度を変調して画像を形成する画像形成部と、を備えた画像投射装置であって、
   電源に接続され、当該画像投射装置を駆動するための電力が入力される電源コードと、
   前記電源に対して前記電源コードをロックするロック機構と、
   前記ロック機構による前記電源コードのロックを解除するロック解除機構と、
   前記ロック機構による前記電源コードのロックの解除を検出するロック解除検出部と、
   前記ロック解除検出部が前記ロック解除機構による前記電源コードのロックの解除を検出した場合、前記光源に生じる水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う制御部と、
   を備えたことを特徴とする画像投射装置。
2. 前記制御部は、
   前記光源に対する電力を制御することによって前記水銀ブリッジ低減処理を行う電力制御部を有し、
   前記電力制御部は、前記水銀ブリッジ低減処理として前記光源の電力を上昇させることを特徴とする請求項１に記載の画像投射装置。
3. 前記制御部は、
   前記光源に対する電力を制御することによって前記水銀ブリッジ低減処理を行う電力制御部を有し、
   前記電力制御部は、前記水銀ブリッジ低減処理として前記光源に供給される電力を停止させて消灯させることを特徴とする請求項１に記載の画像投射装置。
4. 前記光源を冷却する冷却ファンをさらに備え、
   前記制御部は、
   前記冷却ファンを駆動して前記光源を冷却させることによって前記水銀ブリッジ低減処理を行う冷却ファン制御部を有し、
   前記冷却ファン制御部は、前記水銀ブリッジ低減処理として前記光源の点灯時よりも前記冷却ファンの回転数を上げることを特徴とする請求項１に記載の画像投射装置。
5. 前記ロック解除機構によるロックの解除が行われる際に、前記電源コードを所定時間だけ前記電源に抜け止めを防止する抜け止め機構をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の画像投射装置。
6. 一対の電極間の放電により発光物質としての水銀が発光する光源と、前記光源から出射される光の強度を変調して画像を形成する画像形成部と、電源に接続され、当該画像投射装置を駆動するための電力が入力される電源コードと、前記電源に対して前記電源コードをロックするロック機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックを解除するロック解除機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックの解除を検出するロック解除検出部と、を備えた画像投射装置が実行する制御方法であって、
   前記ロック解除検出部が前記ロック解除機構による前記電源コードのロックの解除を検出した場合、前記光源に生じる水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う制御ステップを含むことを特徴とする制御方法。
7. 一対の電極間の放電により発光物質としての水銀が発光する光源と、前記光源から出射される光の強度を変調して画像を形成する画像形成部と、電源に接続され、当該画像投射装置を駆動するための電流が入力される電源コードと、前記電源に対して前記電源コードをロックするロック機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックを解除するロック解除機構と、前記ロック機構による前記電源コードのロックの解除を検出するロック解除検出部と、を備えた画像投射装置のコンピュータに、
   前記ロック解除検出部が前記ロック解除機構による前記電源コードのロックの解除を検出した場合、前記光源に生じる水銀ブリッジを低減する水銀ブリッジ低減処理を行う制御ステップを実行させることを特徴とするプログラム。

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