JP2015012540A

JP2015012540A - 受光回路

Info

Publication number: JP2015012540A
Application number: JP2013138259A
Authority: JP
Inventors: 杉　崎　雅　之; Masayuki Sugizaki; 崎雅之杉; 倉成之佐; Nariyuki Sakura
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2013-07-01
Filing date: 2013-07-01
Publication date: 2015-01-19
Also published as: US9285269B2; US20150001380A1

Abstract

【課題】出力信号のパルス幅の歪みを低減することが可能な受光回路を提供する。
【解決手段】受光回路は、第１から第３の抵抗を備える。受光回路は、一端が第１のノードに接続され、他端が第２の電位線に接続され、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを備える。受光回路は、ソースが第２のノードに接続され、ドレインが出力に接続され、ゲートが第１のノードに接続された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタを備える。受光回路は、第１の電位線と第２のノードとの間で、第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサを備える。
【選択図】図１

Description

受光回路に関する。

従来、フォトダイオードと、ＣＭＯＳ回路からなるコンパレータとを有する受光回路がある。この従来の受光回路は、光入力パワーの大きさが変化すると、コンパレータの出力が切り替わるまでの時間が変化する。これにより、出力信号のパルス幅の歪み（PWD：pulse width distortion）が発生する。

特開２００７−５９０１号公報

出力信号のパルス幅の歪みを低減することが可能な受光回路を提供する。

実施形態に従った受光回路は、一端が第１の電位線に接続され、他端が第１のノードに接続された第１の抵抗を備える。受光回路は、一端が前記第１のノードに接続され、他端が第２の電位線に接続され、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードを備える。受光回路は、一端が前記第１の電位線に接続され、他端が第２のノードに接続された第２の抵抗を備える。受光回路は、ソースが前記第２のノードに接続され、ドレインが出力に接続され、ゲートが前記第１のノードに接続された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタを備える。受光回路は、一端が前記出力に接続され、他端が前記第２の電位線に接続された第３の抵抗を備える。受光回路は、前記第１の電位線と前記第２のノードとの間で、前記第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサを備える。

図１は、第１の実施形態に係る受光回路１００の構成の一例を示す回路図である。図２は、フォトダイオードＰＤに矩形波を入力した場合の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓの過渡応答の波形を示す波形図である。図３は、出力端子ＴＯＵＴに接続されたＣＯＭＳバッファの出力信号のパルス幅と、フォトダイオードＰＤの電流との関係を示す特性図である。図４は、第２の実施形態に係る受光回路２００の構成の一例を示す回路図である。図５は、フォトダイオードＰＤに矩形波を入力した場合の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓの過渡応答の波形を示す波形図である。図６は、出力端子ＴＯＵＴに接続されたＣＯＭＳバッファの出力信号のパルス幅と、フォトダイオードＰＤの電流との関係を示す特性図である。図７は、第３の実施形態に係る受光回路３００の構成の一例を示す回路図である。図８は、第４の実施形態に係る受光回路４００の構成の一例を示す回路図である。

以下、実施形態について図面に基づいて説明する。

第１の実施形態

図１は、第１の実施形態に係る受光回路１００の構成の一例を示す回路図である。

図１に示すように、受光回路１００は、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、第３の抵抗Ｒ３と、フォトダイオードＰＤと、第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１と、リミッタ回路ＬＭと、を備える。

第１の抵抗Ｒ１は、一端が第１の電位線Ｌ１に接続され、他端が第１のノードＮ１に接続されている。なお、本実施形態では、第１の電位線Ｌ１は、電源電圧Ｖｄｄが印加されている。

フォトダイオードＰＤは、一端（カソード）が第１のノードＮ１に接続され、他端（アノード）が第２の電位線Ｌ２に接続されている。なお、本実施形態では、第２の電位線Ｌ２は、接地電圧ＧＮＤが印加されている。

このフォトダイオードＰＤは、例えば、光ファイバや他の回路（装置）からフォトダイオードＰＤに入射される光信号を、電気信号に光電変換する。すなわち、フォトダイオードＰＤは、光信号のパワーに応じた大きさの入力電流を流す。例えば、フォトダイオードＰＤは、光信号のパワーが大きくなると、入力電流を増加させ、一方、光信号のパワーが小さくなると、入力電流を減少させる。

また、第２の抵抗Ｒ２は、一端が第１の電位線Ｌ１に接続され、他端が第２のノードＮ２に接続されている。

第１のＭＯＳトランジスタＭ１は、ソースが第２のノードＮ２に接続され、ドレインが出力端子ＴＯＵＴに接続され、ゲートが第１のノードＮ１に接続されている。

また、第３の抵抗Ｒ３は、一端が出力端子ＴＯＵＴに接続され、他端が第２の電位線Ｌ２に接続されている。

なお、第１の抵抗Ｒ１、第２の抵抗Ｒ２、および第３の抵抗Ｒ３は、例えば、抵抗またはディプレッション型ＭＯＳトランジスタで構成されている。

リミッタ回路ＬＭは、第１の電位線Ｌ１と第１のノードＮ１との間で、第１の抵抗Ｒ１と並列に接続されている。このリミッタ回路ＬＭは、第１の抵抗Ｒ１に流れる電流が予め設定された基準値以上になった場合に、第１の電位線Ｌ１と第１のノードＮ１との間に電流を流す。

このリミッタ回路ＬＭは、例えば、第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２を含む。

そして、第２のＭＯＳトランジスタＭ２は、ドレインが第１の電位線Ｌ１に接続され、ソースが第１のノードＮ１に接続され、ダイオード接続されている。

なお、この第２のＭＯＳトランジスタＭ２の閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。

ここで、以上のような構成を有する受光回路１００において、例えば、光信号がフォトダイオードＰＤに入射すると電流信号が流れて、第１の抵抗Ｒ１の両端に電圧信号が発生する。

そして、この電圧信号の電圧値が第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値を超えると、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のドレインから電流が流れることとなる。これにより、第３の抵抗Ｒ３の両端に電圧が発生し、出力端子ＴＯＵＴから信号が出力される。

そして、既述のように、第２のＭＯＳトランジスタＭ２の閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。

これにより、例えば、第１のＭＯＳトランジスタＭ１がオンした後、さらに大きい光信号がフォトダイオードＰＤに入射すると、フォトダイオードＰＤから出力される電流を第２のＭＯＳトランジスタＭ２がバイパスする。このように、第２のＭＯＳトランジスタＭ２は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓが過大にならないように、リミッタとして動作する。

また、受光回路１００は、第１の電位線Ｌ１と第２のノードＮ２との間に、第２の抵抗Ｒ２とコンデンサＣＸとが並列接続されている。

これにより、フォトダイオードＰＤに入力される光信号のオン時（光信号のパワーが規定レベルに上昇する時）には、フォトダイオードＰＤに流れる電流が急激に上昇する。これにより、第１のＭＯＳトランジスタＭ１がオンし、コンデンサＣＸに電流が流れて、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のソースは、コンデンサＣＸにより第１の電位線Ｌ１（電源電圧Ｖｄｄ）にショートされる。すなわち、受光回路１００の感度に対するコンデンサＣＸの容量の影響は抑制される。

一方、光信号のオフ（光信号のパワーが元のレベルに降下する）前、リミッタ回路に一定の電流が流れているので、コンデンサＣＸの両端の電圧は一定になっており、コンデンサＣＸは充電が終了している。これにより、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のソース電位は、電源電圧Ｖｄｄより低くなっている。すなわち、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓは、光信号の立下り直前に十分低くなる。

そして、光信号がオフすると、ゲート−ソース電圧Ｖｇｓが十分低いので第１のＭＯＳトランジスタＭ１は、より早くカットオフすることとなる。

したがって、光信号の立下り時のスイッチング時間を早くすることができる。すなわち、受光回路１００は、出力信号のパルス幅の歪みを低減することができる。

ここで、以上のような構成・機能を有する受光回路１００の動作特性についてシミュレーションした結果について説明する。

図２は、フォトダイオードＰＤに矩形波を入力した場合の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓの過渡応答の波形を示す波形図である。また、図３は、出力端子ＴＯＵＴに接続されたＣＯＭＳバッファの出力信号のパルス幅と、フォトダイオードＰＤの電流との関係を示す特性図である。なお、図２、図３において、比較例として、第２の抵抗Ｒ２とコンデンサＣＸが無い場合の波形を記載している。

図２に示すように、比較例の波形に比べて、第１の実施形態の方が、ゲート−ソース電圧Ｖｇｓ立下りが急峻になるとともに振幅を抑えることができている。また、図３に示すように、比較例の特性に比べ、第１の実施形態の方が、出力信号のパルス幅と、入力光信号のパルス幅の乖離が小さく、パルス幅歪みを小さくすることができる。

以上のように、本実施形態に係る受光回路によれば、出力信号のパルス幅の歪みを低減することができる。

第２の実施形態

図４は、第２の実施形態に係る受光回路２００の構成の一例を示す回路図である。なお、図４において、図１の符号と同じ符号は、第１の実施形態と同様の構成を示す。

図４に示すように、受光回路２００は、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、第３の抵抗Ｒ３と、フォトダイオードＰＤと、第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１と、リミッタ回路ＬＭと、電流取出回路ＩＸと、を備える。

すなわち、この受光回路２００は、第１の実施形態の受光回路１００と比較して、電流取出回路ＩＸを、さらに備える。

この電流取出回路ＩＸは、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に接続され、リミッタ回路ＬＭに流れる電流に応じた電流を、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に流す。

ここで、本実施の形態では、リミッタ回路ＬＭは、例えば、第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ２を含む。

この第２のＭＯＳトランジスタＭ２は、ドレインが第１の電位線Ｌ１に接続され、ソースが第１のノードＮ１に接続され、ダイオード接続されている。

また、電流取出回路ＩＸは、第２導電型の第３のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ３を含む。

第３のＭＯＳトランジスタＭ３は、ドレインが第２のノードＮ２に接続され、ソースが第１のノードＮ１に接続され、ゲートが第２のＭＯＳトランジスタＭ２のゲートに接続されている。
すなわち、これらの第２のＭＯＳトランジスタＭ２と第３のＭＯＳトランジスタＭ３とは、カレントミラー回路を構成する。

したがって、電流取出回路ＩＸ（第３のＭＯＳトランジスタＭ３）は、リミッタ回路ＬＭ（第２のＭＯＳトランジスタＭ２）に流れる電流に応じた電流（ミラー電流）を、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に流す。

ここで、第１の実施形態と同様に、第２のＭＯＳトランジスタＭ２の閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。これにより、リミッタ回路ＬＭが働く（第２のＭＯＳトランジスタＭ２に電流が流れる）までは、第３のＭＯＳトランジスタＭ３には電流は流れない。

そして、リミッタ回路ＬＭが働くレベルの光信号がフォトダイオードＰＤ入ると、第３のＭＯＳトランジスタＭ３に電流が流れ、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のソース電位を下げる。

これにより、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓが過大になることを防ぎ、光信号のオフ時に、第１のＭＯＳトランジスタＭ１をより早くオフすることができる。

これにより、光信号の立下り時の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のスイッチング時間を短くすることができるので、パルス幅歪みを小さくすることができる。

受光回路２００のその他の構成・機能は、第１の実施形態の受光回路１００と同様である。

ここで、以上のような構成・機能を有する受光回路２００の動作特性についてシミュレーションした結果について説明する。

図５は、フォトダイオードＰＤに矩形波を入力した場合の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のゲート−ソース電圧Ｖｇｓの過渡応答の波形を示す波形図である。また、図６は、出力端子ＴＯＵＴに接続されたＣＯＭＳバッファの出力信号のパルス幅と、フォトダイオードＰＤの電流との関係を示す特性図である。なお、図５、図６において、図２、図３に示す比較例の波形を記載している。

図５に示すように、比較例の波形に比べて、第２の実施形態の方が、ゲート−ソース電圧Ｖｇｓ立下りがより急峻になるとともに振幅を抑えることができている。なお、この図５に示す第２の実施形態の特性は、電流取出回路ＩＸが動作することにより、図２に示す第１の実施形態の特性よりも、ゲート−ソース電圧Ｖｇｓ立下りがより急峻になる。

また、図６に示すように、比較例の特性に比べ、第２の実施形態の方が、出力信号のパルス幅と、入力光信号のパルス幅の乖離が小さく、パルス幅歪みを小さくすることができる。

以上のように、本実施形態に係る受光回路によれば、出力信号のパルス幅の歪みをより低減することができる。

第３の実施形態

既述の第２の実施形態では、リミッタ回路がｎＭＯＳトランジスタである構成の一例について説明した。

この第３の実施形態では、リミッタ回路がｐＭＯＳトランジスタである構成の一例について説明する。

図７は、第３の実施形態に係る受光回路３００の構成の一例を示す回路図である。なお、図７において、図１の符号と同じ符号は、第１の実施形態と同様の構成を示す。

図７に示すように、この受光回路３００は、第１の抵抗Ｒ１と、第２の抵抗Ｒ２と、第３の抵抗Ｒ３と、フォトダイオードＰＤと、第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ１と、リミッタ回路ＬＭと、電流取出回路ＩＸと、を備える。

ここで、本実施形態では、リミッタ回路ＬＭは、第１導電型の第２のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２ａを含む。

この第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａは、ソースが第１の電位線Ｌ１に接続され、ドレインが第１のノードＮ１に接続され、ダイオード接続されている。

なお、この第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａの閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。

また、本実施形態では、電流取出回路ＩＸは、第１導電型の第３のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ３ａと、第２導電型の第４のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ４ａと、第２導電型の第５のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ５ａと、を含む。

第３のＭＯＳトランジスタＭ３ａは、ソースが第１の電位線Ｌ１に接続され、ゲートが第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａのゲートに接続されている。

第４のＭＯＳトランジスタＭ４ａは、ドレインが第３のＭＯＳトランジスタＭ３ａのドレインに接続され、ソースが第２の電位線Ｌ２に接続され、ダイオード接続されている。

第５のＭＯＳトランジスタＭ５ａは、ドレインが第２のノードＮ２に接続され、ソースが第２の電位線Ｌ２に接続され、ゲートが第４のＭＯＳトランジスタＭ４ａのゲートに接続されている。

なお、第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａと第３のＭＯＳトランジスタＭ３ａとは、カレントミラー回路を構成する。また、第４のＭＯＳトランジスタＭ４ａと第５のＭＯＳトランジスタＭ５ａとは、カレントミラー回路を構成する。

したがって、電流取出回路ＩＸ（第３〜第５のＭＯＳトランジスタＭ３ａ〜Ｍ５ａ）は、リミッタ回路ＬＭ（第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａ）に流れる電流に応じた電流（ミラー電流）を、第１のノードＮ１と第２の電位線Ｌ２との間に流す。

ここで、第１の実施形態と同様に、第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａの閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１の閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。これにより、リミッタ回路ＬＭが働く（第２のＭＯＳトランジスタＭ２ａ）に電流が流れる）までは、第３のＭＯＳトランジスタＭ３ａには電流は流れない。

そして、リミッタ回路ＬＭが働くレベルの光信号がフォトダイオードＰＤ入ると、第３〜第５のＭＯＳトランジスタＭ３ａ〜Ｍ５ａに電流が流れ、第１のＭＯＳトランジスタＭ１のソース電位を下げる。

これにより、光信号のオフ時の第１のＭＯＳトランジスタＭ１のスイッチング時間を短くすることができるので、パルス幅歪みを小さくすることができる。

この受光回路３００のその他の構成・機能は、第２の実施形態の受光回路２００と同様である。

すなわち、本実施形態に係る受光回路によれば、出力信号のパルス幅の歪みを低減することができる。

第４の実施形態

既述の第１ないし第３の実施形態に係る受光回路は、その極性を逆にしても同様の作用効果を奏することなできる。

そこで、本第４の実施形態においては、一例として、第２の実施形態に係る受光回路の極性を逆にした場合の構成の一例について説明する。

図８は、第４の実施形態に係る受光回路４００の構成の一例を示す回路図である。なお、図８において、図５の符号と同じ符号は、第２の実施形態と同様の構成を示す。

図８に示すように、この受光回路４００は、第１の抵抗Ｒ１ｂと、第２の抵抗Ｒ２ｂと、第３の抵抗Ｒ３ｂと、フォトダイオードＰＤと、第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）Ｍ１ｂと、リミッタ回路ＬＭと、電流取出回路ＩＸと、を備える。

ここで、本実施形態では、第１の電位線Ｌ１は、接地電圧が印加されている。また、第２の電位線Ｌ２は、電源電圧が印加されている。

また、既述のように、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂは、ｎＭＯＳトランジスタである。

また、フォトダイオードＰＤは、カソードが第２の電位線Ｌ２に接続され、アノードが第１のノードＮ１に接続されている。

また、本実施形態では、リミッタ回路ＬＭは、第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ２ｂを含む。

この第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂは、ソースが第１の電位線Ｌ１に接続され、ドレインが第１のノードＮ１に接続され、ダイオード接続されている。

なお、この第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂの閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂの閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。

また、本実施形態では、電流取出回路ＩＸは、第２導電型の第３のＭＯＳトランジスタ（ｐＭＯＳトランジスタ）Ｍ３ｂを含む。

第３のＭＯＳトランジスタＭ３ｂは、ドレインが第２のノードＮ２に接続され、ソースが第１のノードＮ１に接続され、ゲートが第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂのゲートに接続されている。
すなわち、これらの第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂと第３のＭＯＳトランジスタＭ３ｂとは、カレントミラー回路を構成する。

したがって、電流取出回路ＩＸ（第３のＭＯＳトランジスタＭ３ｂ）は、リミッタ回路ＬＭ（第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂ）に流れる電流に応じた電流（ミラー電流）を、第１のノードＮ１と第２のノードＮ２との間に流す。

ここで、第１の実施形態と同様に、第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂの閾値電圧の絶対値は、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂの閾値電圧の絶対値よりも、大きくなるように設定されている。これにより、リミッタ回路ＬＭが働く（第２のＭＯＳトランジスタＭ２ｂに電流が流れる）までは、第３のＭＯＳトランジスタＭ３ｂには電流は流れない。

そして、リミッタ回路ＬＭが働くレベルの光信号がフォトダイオードＰＤ入ると、第３のＭＯＳトランジスタＭ３ｂに電流が流れ、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂのソース電位を上げる。

これにより、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂのゲート−ソース電圧Ｖｇｓが過大になることを防ぎ、光信号のオフ時に、第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂをより早くオフすることができる。

これにより、光信号の立下り時の第１のＭＯＳトランジスタＭ１ｂのスイッチング時間を短くすることができるので、パルス幅歪みを小さくすることができる。

受光回路４００のその他の構成・機能は、第２の実施形態の受光回路２００と同様である。

なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。

１００、２００、３００、４００受光回路
Ｒ１第１の抵抗
Ｒ２第２の抵抗
Ｒ３第３の抵抗
ＰＤフォトダイオード
Ｍ１第１のＭＯＳトランジスタ
ＬＭリミッタ回路
ＩＸ電流取出回路
ＰＤフォトダイオード
Ｌ１第１の電位線
Ｌ２第２の電位線

Claims

一端が第１の電位線に接続され、他端が第１のノードに接続された第１の抵抗と、
一端が前記第１のノードに接続され、他端が第２の電位線に接続され、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、
一端が前記第１の電位線に接続され、他端が第２のノードに接続された第２の抵抗と、
ソースが前記第２のノードに接続され、ドレインが出力に接続され、ゲートが前記第１のノードに接続された第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタと、
一端が前記出力に接続され、他端が前記第２の電位線に接続された第３の抵抗と、
前記第１の電位線と前記第２のノードとの間で、前記第２の抵抗と並列に接続されたコンデンサと、
を備えることを特徴とする受光回路。
前記第１の電位線と前記第１のノードとの間で、前記第１の抵抗と並列に接続され、前記第１の抵抗に流れる電流が基準値以上になった場合に、前記第１の電位線と前記第１のノードとの間に電流を流すリミッタ回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の受光回路。
前記リミッタ回路は、
ダイオード接続された第２のＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項２に記載の受光回路。
前記第１のノードと前記第２のノードとの間に接続され、前記リミッタ回路に流れる電流に応じた電流を、前記第１のノードと前記第２のノードとの間に流す電流取出回路を、さらに備えることを特徴とする請求項２に記載の受光回路。
前記リミッタ回路は、
ドレインが前記第１の電位線に接続され、ソースが前記第１のノードに接続され、ダイオード接続された第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタを含み、
前記電流取出回路は、
ドレインが前記第２のノードに接続され、ソースが前記第１のノードに接続され、ゲートが前記第２のＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第２導電型の第３のＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする請求項４に記載の受光回路。
前記リミッタ回路は、
ソースが前記第１の電位線に接続され、ドレインが前記第１のノードに接続され、ダイオード接続された第１導電型の第２のＭＯＳトランジスタを含み、
前記電流取出回路は、
ソースが前記第１の電位線に接続され、ゲートが前記第２のＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第１導電型の第３のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが前記第３のＭＯＳトランジスタのドレインに接続され、ソースが前記第２の電位線に接続され、ダイオード接続された第２導電型の第４のＭＯＳトランジスタと、
ドレインが前記第２のノードに接続され、ソースが前記第２の電位線に接続され、ゲートが前記第４のＭＯＳトランジスタのゲートに接続された第２導電型の第５のＭＯＳトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項４に記載の受光回路。
前記第１の電位線は、電源電圧が印加され、
前記第２の電位線は、接地電圧が印加され、
前記第１のＭＯＳトランジスタは、ｐＭＯＳトランジスタであり、
前記フォトダイオードは、アノードが前記第２の電位線に接続され、カソードが前記第１のノードに接続されている
ことを特徴とする請求項２に記載の受光回路。
前記第１の電位線は、接地電圧が印加され、
前記第２の電位線は、電源電圧が印加され、
前記第１のＭＯＳトランジスタは、ｎＭＯＳトランジスタであり、
前記フォトダイオードは、カソードが前記第２の電位線に接続され、アノードが前記第１のノードに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の受光回路。
前記第２のＭＯＳトランジスタの閾値電圧の絶対値は、前記第１のＭＯＳトランジスタの閾値電圧の絶対値よりも、大きいことを特徴とする請求項３に記載の受光回路。
前記第１の抵抗、前記第２の抵抗、および前記第３の抵抗の少なくとも１つは、ディプレッション型ＭＯＳトランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の受光回路。