JP2015002204A - 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015002204A JP2015002204A JP2013124801A JP2013124801A JP2015002204A JP 2015002204 A JP2015002204 A JP 2015002204A JP 2013124801 A JP2013124801 A JP 2013124801A JP 2013124801 A JP2013124801 A JP 2013124801A JP 2015002204 A JP2015002204 A JP 2015002204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acrylic resin
- semiconductor
- temperature
- resin composition
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
このような架橋多環構造を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、前記式(I)のaが1、bが0であるジシクロペンタジエン骨格を有する(メタ)アクリレート、前記式(II)のcが1であるパーヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン骨格を有する(メタ)アクリレート、前記式(II)のcが0であるノルボルナン骨格を有する(メタ)アクリレート、前記式(I)のR1およびR2が水素原子であり、a=1、b=0であるジシクロペンタジエニルジアクリレート(トリシクロデカンジメタノールジアクリレート)、前記式(II)のXがアクリロイルオキシメチル基であり、R3およびR4が水素原子であり、cが1であるパーヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン−2,3,7−トリメチロールトリアクリレート、前記式(II)のX、R3およびR4が水素原子であり、cが0であるノルボルナンジメチロールジアクリレート、前記式(II)のX、R3およびR4が水素原子であり、cが1であるパーヒドロ−1,4:5,8−ジメタノナフタレン−2,3−ジメチロールジアクリレートなどが挙げられる。中でも、ジシクロペンタジエニルジアクリレートおよびノルボルナンジメチロールジアクリレートが好ましい。
このようなビスフェノール骨格にアルキレンオキサイドが付加された構造を有するジ(メタ)アクリレートとしては、例えば、アロニックスM−210、M−211B(東亞合成製)、NKエステルABE−300、A−BPE−4、A−BPE−6、A−BPE−10、A−BPE−20、A−BPE−30、BPE−100、BPE−200、BPE−500、BPE−900、BPE−1300N(新中村化学製)などのEO変性ビスフェノールA型ジ(メタ)アクリレート(n=2〜20)、アロニックスM−208(東亞合成製)などのEO変性ビスフェノールF型ジ(メタ)アクリレート(n=2〜20)、デナコールアクリレートDA−250(ナガセ化成製)、ビスコート540(大阪有機化学工業製)などのPO変性ビスフェノールA型ジ(メタ)アクリレート(n=2〜20)、デナコールアクリレートDA−721(ナガセ化成製)などのPO変性フタル酸ジアクリレートなどが挙げられる。
ビスフェノールA型エポキシアクリレートの市販品としては、例えば、デナコールアクリレートDA−250(長瀬化成、25℃で60Pa・s)、デナコールアクリレートDA−721(長瀬化成、25℃で100Pa・s)、リポキシVR−60(昭和高分子、常温固体)、リポキシVR−77(昭和高分子、25℃で100Pa・s)などが挙げられる。
(供給工程)
図1(a)に示すように、半導体チップ10を実装するための回路基板13の電極パッド14が形成された面に、前記の半導体封止用アクリル樹脂組成物30aを供給する。
(接地工程)
次に、図1(a)に示すように、フリップチップボンダーのボンディングヘッド20により半導体チップ10がフェースダウンで所定位置に配置され、半導体チップ10と回路基板13とが位置合わせされた状態で、ボンディングヘッド20を下降させ、図1(b)に示すように、半導体チップ10のバンプ電極11を回路基板13の電極パッド14に接地する。
(昇温工程)
0.1〜2秒間の接地によって半導体封止用アクリル樹脂組成物30aを半導体チップ10と回路基板13との間に広げた後、ボンディングヘッド20の温度を、前記一定温度から、半導体チップ10のバンプ電極11に配置した融点210℃以上の鉛フリーはんだ12の融点以上の温度まで、生産性、レオロジー特性の制御、はんだ12の濡れ性などを考慮し1〜2.5秒間の範囲内で昇温する。
(高温保持工程)
次に、ボンディングヘッド20の温度を、昇温後の温度に保持して半導体封止用アクリル樹脂組成物30aを硬化させる。すなわち、図1(c)に示すようにはんだ12を溶融させ、はんだ12の融点以上となるピーク温度に保持しながら、半導体チップ10と回路基板13とをはんだ12による金属接合によって接続し、かつ、図1(d)に示すように半導体封止用アクリル樹脂組成物30aを硬化させて硬化物30bとする。
(熱硬化性アクリル樹脂)
・EO変性ビスフェノールA型ジアクリレート、オキシエチレン基数30
・トリシクロデカンジメタノールジアクリレート
・ビスフェノールA型エポキシアクリレート
(ラジカル開始剤)
・有機過酸化物、ジクミルパーオキサイド(1分間半減期温度175.2℃)
・有機過酸化物、α,α’−ジ(t−ブチルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン(1分間半減期温度175.4℃)
・有機過酸化物、3,3,5,7,7-ペンタメチル-1,2,4-トリオキセパン(1分間半減期温度205℃)
・有機過酸化物、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド(1分間半減期温度232.5℃)
なお、有機化酸化物は純度98%以上のものを使用した。
(無機充填剤)
・合成シリカ、平均粒径2.5μm
(活性剤)
・アビエチン酸
・グルタル酸
・コハク酸
・シュウ酸
(エポキシ樹脂)
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量175
・ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量160
表1に示す配合量で各成分を配合し、常法に従って撹拌、溶解、混合、分散することにより半導体封止用アクリル樹脂組成物を調製した。
[ボイド]
前記の条件で作製したサンプルについて、超音波探傷装置(SAT:日立エンジニアリング社製)の画像で観察し、10個のサンプルの平均値に基づきボイドの数について次の基準により評価した。
○:ボイドがゼロ
△:チップ下にボイドがゼロ、ペリフェラル外にボイド1〜5個
×:チップ下にボイドが1個以上
[濡れ広がり]
表1に準じた組成物を用いて前記の条件で作製したサンプルについて、樹脂の上に半田ボールを搭載し、加熱したホットプレート上で半田を溶融させた。このときの濡れ広がり率によって、はんだが十分に濡れているか否かを次の基準により評価した。
○:濡れ広がり率55%以上
△:濡れ広がり率50%以上
×:濡れ広がり率50%未満
[密着性]
セラミック基板上にNCP(半導体封止用アクリル樹脂組成物)を塗布し、接着面をポリイミド処理した2mm□に切り出したシリコンウエハのチップを搭載し150℃2h硬化炉で樹脂を硬化させた。その後、密着性を次の基準により評価した。
○:40MPa以上 凝集破壊
△:40MPa未満 凝集破壊
×:40MPa未満 Chip/NCP界面剥離
[信頼性]
温度サイクル試験(−55℃⇔125℃)を行い、次の基準により評価した。
○:500cycleで抵抗値上昇が1割未満
△:100cycle以上500cycle未満で抵抗値上昇が1割以上
×:100cycle未満で抵抗値上昇が1割以上
評価結果を表1に示す。
11 バンプ電極
13 回路基板
14 電極パッド
20 ボンディングヘッド
21 ステージ
30a 半導体封止用アクリル樹脂組成物
30b 硬化物
Claims (6)
- 常温で液状の熱硬化性アクリル樹脂、前記熱硬化性アクリル樹脂の第1のラジカル開始剤である1分間半減期温度150〜180℃の有機過酸化物、前記熱硬化性アクリル樹脂の第2のラジカル開始剤である1分間半減期温度200〜220℃の有機過酸化物、活性剤、および無機充填剤を含有する半導体封止用アクリル樹脂組成物を回路基板の電極パッドを有する面に供給し、かつ前記回路基板を60〜100℃の範囲内の一定温度に加熱したステージに搭載する工程と、
半導体チップを保持し100〜160℃の範囲内の一定温度に加熱したボンディングヘッドを、前記半導体チップのバンプ電極と前記回路基板の電極パッドとの位置を合わせて、前記ステージに搭載した前記回路基板上の前記半導体封止用アクリル樹脂組成物に接地させ、0.1〜2秒間の範囲内で保持する工程と、
前記ボンディングヘッドの温度を、前記一定温度から、前記半導体チップのバンプ電極に配置した融点210℃以上の鉛フリーはんだの融点以上の温度まで1〜2.5秒間の範囲内で昇温する工程と、
前記ボンディングヘッドの温度を、前記昇温後の所定温度に0.5〜2秒間の範囲内で保持して前記半導体封止用アクリル樹脂組成物を硬化させた後、前記接地から5秒間以内で前記ボンディングヘッドを前記ステージから上昇させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップは、銅ピラーの先端に前記鉛フリーはんだが形成された構造のバンプ電極を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体封止用アクリル樹脂組成物は、前記活性剤として有機酸を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体封止用アクリル樹脂組成物は、前記活性剤の含有量が、前記半導体封止用アクリル樹脂組成物の全量に対して0.1〜20.0質量%の範囲内であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体封止用アクリル樹脂組成物は、前記無機充填剤の最大粒径が10μm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 封止樹脂を回路基板の電極パッドを有する面に供給し、かつ前記回路基板を60〜100℃の範囲内の一定温度に加熱したステージに搭載する工程と、半導体チップを保持し100〜160℃の範囲内の一定温度に加熱したボンディングヘッドを、前記半導体チップのバンプ電極と前記回路基板の電極パッドとの位置を合わせて、前記ステージに搭載した前記回路基板上の前記封止樹脂に接地させ、0.1〜2秒間の範囲内で保持する工程と、前記ボンディングヘッドの温度を、前記一定温度から、前記半導体チップのバンプ電極に配置した融点210℃以上の鉛フリーはんだの融点以上の温度まで1〜2.5秒間の範囲内で昇温する工程と、前記ボンディングヘッドの温度を、前記昇温後の所定温度に0.5〜2秒間の範囲内で保持して前記半導体封止用アクリル樹脂組成物を硬化させた後、前記接地から5秒間以内で前記ボンディングヘッドを前記ステージから上昇させる工程とを含む半導体装置の製造方法に前記封止樹脂として使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物であって、
常温で液状の熱硬化性アクリル樹脂、前記熱硬化性アクリル樹脂の第1のラジカル開始剤である1分間半減期温度150〜180℃の有機過酸化物、前記熱硬化性アクリル樹脂の第2のラジカル開始剤である1分間半減期温度200〜220℃の有機過酸化物、活性剤、および無機充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用アクリル樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124801A JP6094884B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124801A JP6094884B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015002204A true JP2015002204A (ja) | 2015-01-05 |
JP6094884B2 JP6094884B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=52296562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013124801A Active JP6094884B2 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6094884B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015052035A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤および半導体装置 |
JP2016204645A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 封止用熱硬化性樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2016210903A (ja) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 日本化薬株式会社 | 樹脂組成物の製造方法 |
JP2017114961A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置の製造方法、及び電子部品装置 |
WO2017170873A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、および半導体装置 |
KR20170132639A (ko) * | 2016-05-24 | 2017-12-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치 |
WO2018159387A1 (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 日本ユピカ株式会社 | 電気電子部品用結晶性ラジカル重合性組成物、当該組成物を使用した電気電子部品成形体、及び当該電気電子部品成形体の製造方法 |
JPWO2018163900A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-01-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | アンダーフィル用熱硬化性組成物及び半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181482A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2011140617A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | アンダーフィル形成用接着剤組成物、アンダーフィル形成用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2011243786A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法 |
JP2012038975A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤、回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-06-13 JP JP2013124801A patent/JP6094884B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001181482A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP2011140617A (ja) * | 2009-12-07 | 2011-07-21 | Hitachi Chem Co Ltd | アンダーフィル形成用接着剤組成物、アンダーフィル形成用接着剤シート及び半導体装置の製造方法 |
JP2011243786A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sony Chemical & Information Device Corp | 接続構造体の製造方法 |
JP2012038975A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 回路部材接続用接着剤、回路部材接続用接着剤シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015052035A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、先供給型半導体封止剤および半導体装置 |
JP2016204645A (ja) * | 2015-04-15 | 2016-12-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 封止用熱硬化性樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2016210903A (ja) * | 2015-05-11 | 2016-12-15 | 日本化薬株式会社 | 樹脂組成物の製造方法 |
JP2017114961A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 日立化成株式会社 | 先供給型アンダーフィル材、電子部品装置の製造方法、及び電子部品装置 |
KR20180129793A (ko) * | 2016-03-31 | 2018-12-05 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 수지 조성물 및 반도체 장치 |
JP2017179186A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、および半導体装置 |
WO2017170873A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ナミックス株式会社 | 樹脂組成物、および半導体装置 |
US10738187B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-11 | Namics Corporation | Resin composition and semiconductor device |
KR102269234B1 (ko) | 2016-03-31 | 2021-06-24 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 수지 조성물 및 반도체 장치 |
KR20170132639A (ko) * | 2016-05-24 | 2017-12-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치 |
KR102008177B1 (ko) | 2016-05-24 | 2019-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광소자 봉지용 조성물 및 이로부터 제조된 유기발광소자 표시장치 |
WO2018159387A1 (ja) | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 日本ユピカ株式会社 | 電気電子部品用結晶性ラジカル重合性組成物、当該組成物を使用した電気電子部品成形体、及び当該電気電子部品成形体の製造方法 |
KR20190121778A (ko) | 2017-03-03 | 2019-10-28 | 니혼 유피카 가부시키가이샤 | 전기 전자 부품용 결정성 라디칼 중합성 조성물, 상기 조성물을 사용한 전기 전자 부품 성형체, 및 상기 전기 전자 부품 성형체의 제조 방법 |
US11485801B2 (en) | 2017-03-03 | 2022-11-01 | Japan U-Pica Company, Ltd. | Crystalline radical polymerizable composition for electrical and electronic component, molded article of electrical and electronic component using the composition, and method of the molded article of electrical and electronic component |
KR20230018541A (ko) | 2017-03-03 | 2023-02-07 | 니혼 유피카 가부시키가이샤 | 전기 전자 부품용 결정성 라디칼 중합성 조성물, 상기 조성물을 사용한 전기 전자 부품 성형체, 및 상기 전기 전자 부품 성형체의 제조 방법 |
JPWO2018163900A1 (ja) * | 2017-03-07 | 2020-01-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | アンダーフィル用熱硬化性組成物及び半導体装置 |
JP7126129B2 (ja) | 2017-03-07 | 2022-08-26 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | アンダーフィル用熱硬化性組成物及び半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6094884B2 (ja) | 2017-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6094884B2 (ja) | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 | |
CN109075088B (zh) | 半导体装置的制造方法 | |
JP6094886B2 (ja) | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 | |
JP7380926B2 (ja) | 半導体用フィルム状接着剤、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP7281751B2 (ja) | 封止用樹脂組成物、積層シート、硬化物、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6094885B2 (ja) | 半導体装置の製造方法とそれに使用される半導体封止用アクリル樹脂組成物 | |
JP2019137866A (ja) | 半導体用接着剤、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014094981A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 | |
JP6857837B2 (ja) | 封止用熱硬化性樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2017122193A (ja) | 半導体用接着剤及び半導体装置の製造方法 | |
JP6859708B2 (ja) | 半導体装置を製造する方法 | |
WO2020157828A1 (ja) | 樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2021024963A (ja) | 半導体用接着剤、それを用いた半導体用接着剤フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014220446A (ja) | 半導体封止用アクリル樹脂組成物とそれを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
JP2022043572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW202410369A (zh) | 半導體用膜狀接著劑、半導體裝置的製造方法及半導體裝置 | |
JP2020136398A (ja) | 半導体用接着剤 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20150225 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160318 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170202 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6094884 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |