JP2014507787A - 半導体構造およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
R3は、C1〜C50アルキル基、好ましくはC4〜C25アルキル基である]によって表される1つ以上のジケトピロロピロール(DPP)骨格を有するDPPポリマーを含む。
[式中、x=0.995〜0.005であり、y=0.005〜0.995であり、好ましくはx=0.2〜0.8であり、y=0.8〜0.2であり、ただし、x+y=1であり;
r=0.985〜0.005であり、s=0.005〜0.985であり、t=0.005〜0.985であり、u=0.005〜0.985であり、ただし、r+s+t+u=1であり;
n=4〜1000、好ましくは4〜200、より好ましくは5〜100であり、
Aは、式:
Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3、Ar3’、Ar4、およびAr4’は、互いに独立して、場合により、縮合および/または置換されていてもよいヘテロ芳香族環または芳香環であり、好ましくは、
X3およびX4のうちの1つはNであり、かつもう一方はCR99であり;
R99、R104、R104’、R123、およびR123’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、とりわけ、F、または場合により1つ以上の酸素原子または硫黄原子で中断されていてもよいC1〜C25アルキル基、とりわけ、C4〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキル、またはC1〜C25アルコキシ基であり;
R105、R105’、R106、およびR106’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子で中断されていてもよいC1〜C25アルキル;C7〜C25アリールアルキル、またはC1〜C18アルコキシであり;
R107は、C7〜C25アリールアルキル、C6〜C18アリール;C1〜C18アルキル、C1〜C18ペルフルオロアルキル、またはC1〜C18アルコキシで置換されているC6〜C18アリール;C1〜C18アルキル;−O−または−S−によって中断されているC1〜C18アルキル;または−COOR124であり;
R124は、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子によって中断されているC1〜C25アルキル基、とりわけ、C4〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキルであり;
R108およびR109は、互いに独立して、H、C1〜C25アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、C2〜C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2〜C20ヘテロアリール、C2〜C18アルケニル、C2〜C18アルキニル、C1〜C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルコキシ、またはC7〜C25アラルキルであり;または
R108およびR109が一緒に、式=CR110R111の基を形成し、式中、R110およびR111は、互いに独立して、H、C1〜C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、またはC2〜C20ヘテロアリール、もしくはGで置換されているC2〜C20ヘテロアリールであり;または、
R108およびR109は一緒に、5または6員環を形成し、これらは、場合により、C1〜C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、C2〜C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2〜C20ヘテロアリール、C2〜C18アルケニル、C2〜C18アルキニル、C1〜C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルコキシ、またはC7〜C25アラルキルで置換されていてもよく;
Dは、−CO−、−COO−、−S−、−O−、または−NR112−であり;
Eは、C1〜C8チオアルコキシ、C1−C8アルコキシ、CN、−NR112R113、−CONR112R113、またはハロゲンであり、
Gは、EまたはC1〜C18アルキルであり、ならびに
R112およびR113は、互いに独立して、H;C6〜C18アリール;C1〜C18アルキルまたはC1〜C18アルコキシで置換されているC6〜C18アリール;C1〜C18アルキル;または−O−で中断されているC1〜C18アルキルであり、ならびに
B、D、およびEは、互いに独立して、式:
Ar4、Ar5、Ar6、およびAr7は、互いに独立して、式:
式中、X5およびX6のうちの1つはNであり、もう一方はCR14であり、
cは、1、2、または3の整数であり、
dは、1、2、または3の整数であり、
Ar8およびAr8’は、互いに独立して、式:
X1およびX2は、上記において定義した通りであり、
R1''およびR2''は、同じ、または異なっていてもよく、ならびに、水素、C1〜C36アルキル基、とりわけC6〜C24アルキル基、C6〜C24アリール、特に、C1〜C8アルキル、C1〜C8チオアルコキシ、および/またはC1〜C8アルコキシで1〜3回置換されていてもよいフェニルまたは1−ナフチルもしくは2−ナフチル、あるいはペンタフルオロフェニルから選択され、
R14、R14’、R17、およびR17’は、互いに独立して、H、または場合により1つ以上の酸素原子で中断されていてもよいC1〜C25アルキル基、とりわけC6〜C25アルキルである]からなる群より選択される。
(a)少なくとも1つ種の有機半導体材料を含む少なくとも2つの半導体領域を提供する工程;
(b)当該少なくとも2つの半導体領域間に少なくとも1つの導体領域を提供する工程;
(c)当該導体領域全体にわたって広がる当該少なくとも1つの導体領域に開口部を提供する工程;および
(d)当該少なくとも1つの導体領域の開口部を介して当該少なくとも2つの半導体領域を部分的に接触させる工程
を含む。
(i)少なくとも1種の有機半導体材料を含む少なくとも1つの半導体領域を提供する工程;
(ii)当該半導体領域に接触する少なくとも1つの導体領域を提供する工程;
(iii)導体領域全体にわたって広がる当該少なくとも1つの導体領域に、開口部を提供する工程;
(iv)導体領域が少なくとも2つの半導体領域間に存在するように、当該導体領域と接触する、少なくとも1種の有機半導体材料を含む少なくとも1つの半導体領域を提供する工程;および
(v)当該少なくとも1つの導体領域の開口部を通って、当該少なくとも2つの半導体領域5を部分的に接触させる工程
を実施することにより行われる。
(a)当該半導体領域に接触している、導体領域全体にわたって広がる当該少なくとも1つの導体領域における開口部を備える当該少なくとも1つの導体領域を提供する工程;または
(b)当該半導体領域に接触する少なくとも1つの導体領域を提供し、続いて、導体領域全体に広がる当該少なくとも1つの導体領域における開口部を提供する工程
を含む。
実施例1
厚さ40nmの金電極が上に蒸着されているガラス基板を提供した。次に、国際公開第2010/049321号の実施例1によるDPPポリマー(サイクリックボルタンメトリー/Autolab PGSTAT(登録商標) 30によって特定した場合のHOMO:|EH|=5.35eV)を、トルエン中における5%のDPPの溶液の形態において適用する。5%のDPPを含有する当該溶液を、1000rpmでスピンキャストし、90℃で乾燥させる。当該スピンキャストしたDPPは、第一半導体領域を形成する。特に、当該溶液は、50℃未満、または室温(20℃)において乾燥させることができる。
第二実施例において、導体領域は、200nmの内側幅の開口部を有する、蒸着された40nmのアルミニウム層により形成した。当該開口部は、500nmの中心間距離においてグリッド状に整列させた。当該半導体領域は、実施例1に従って製造した。実施例1と対照的に、結果として得られた実施例2の開口部は、結果として、導体領域の面積に対する当該開口部の断面積の比率が0.126であった。実施例1のように、実施例2では、3Vにおいて0.53A/cm2のバルク電流密度が得られた。実施例2の開口部の総数は、0.16mm2の面積に対して600000であった。実施例1のように、キャパシタンス法により測定した半導体領域の厚さ1μmにおいて、3Vにおいて100μAの電流が得られた。バルク電荷キャリア濃度、導電率、および移動度に関して、実施例1と同じ結果が得られた。
図1において、本発明の半導体構造の実施形態が、側断面図において示されている。当該描画は、特に当該構造の要素の幅に関して、一定の縮尺で描かれているわけではない。当該半導体構造は、電気接続12を有する電極10を備える。電極10は、導体材料で作成されている。さらに、当該構造は、導体領域20を含み、これは開口部22を備える。当該開口部22は、導体領域20が広がる方向に対して垂直に延びている。第一電極10と導体領域20との間に、第一電極10から導体領域20へと広がっている第一半導体領域30が提供されている。半導体領域30と反対側の、導体領域20の側部に、第二半導体領域40が位置している。さらに、第二電極50は、電気接続52を有する。第二電極50は、導体領域20および第一半導体領域30の反対側の、第二半導体領域40の側部に配置されている。したがって、第一電極10および第二電極50は、半導体構造の反対側の端面に位置している。特に、電極10および50は、導体領域20の反対側の、半導体領域30および40の端面に位置している。
・ 国際公開第2010/049321号
・ 国際公開第2008/000664号
・ 米国特許出願公開第2006/0086933(A1)号
・ 米国特許出願公開第2009/0001362(A1)号
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・ Yasuyuki Watanabe et.al.,"Characteristics of organic inverters using vertical− and lateral−type organic transistors",Thin Solid Films 516(2008),pp.2731−2734
・ 米国特許出願公開第2005/0196895(A1)号
・ 米国特許出願公開第2009/0042142(A1)号
・ 米国特許第6,451,459(B1)号
・ 国際公開第05/049695号
・ 国際公開第2010/049323号
・ 国際出願第PCT/EP2010/053655号
・ 国際出願第PCT/EP2010/054152号
・ 国際出願第PCT/EP2010/056778号
・ 国際出願第PCT/EP2010/056776号
Claims (15)
- 少なくとも1つの導体領域と前記少なくとも1つの導体領域によって部分的に分離されている少なくとも2つの半導体領域とを含み、前記少なくとも1つの導体領域が、前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域の間に延びる開口部を含む半導体構造であって、前記半導体領域の少なくとも1つが半導体材料としてジケトピロロピロールポリマーを含有し、前記半導体領域が、最高被占分子軌道エネルギーレベルEHを有する少なくとも1種の有機半導体材料を含み、EHが、5.0eV≦|EH|≦5.8eVによって定義され、ならびに前記導体領域が、|EH|−1.5eV≦|EC|≦|EH|−0.4eVによって定義される仕事関数ECを有する導体材料を含むことを特徴とする前記半導体構造。
- 前記有機半導体材料が、Np≦1×1016cm-3、Np≦8×1015cm-3、Np≦6×1015cm-3、Np≦5×1015cm-3、Np≦1016cm-3、Np≦4×1015cm-3、Np≦2×1015cm-3、もしくはNp≦1×1015cm-3、好ましくはNp≦5.5×1015cm-3、より好ましくはNp≦3.9×1015cm-3、最も好ましくはNp≦2.3×1015cm-3の、正電荷キャリア等価物のバルク濃度Npを有する、請求項1に記載の半導体構造。
- EH、EC、およびNpが、前記半導体領域内において、100nm超の、好ましくは少なくとも125nmの、より好ましくは少なくとも250nmの空乏幅Idが得られるように適合される、請求項2に記載の半導体構造。
- 前記少なくとも1種の有機半導体材料が、繰り返しユニット中に、以下の式:
R3は、C1〜C50アルキル基、好ましくはC4〜C25アルキル基である]によって表される1つ以上のDPP骨格を有するジケトピロロピロール(DPP)ポリマーを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体構造。 - 前記DPPポリマーが、
式(Ia):
式(Ib):
式(Ic):
式(Id):
からなる群より選択され、
式(Ib)のポリマーが好ましく、
ここで、x=0.995〜0.005であり、y=0.005〜0.995であり、好ましくはx=0.2〜0.8であり、y=0.8〜0.2であり、ただし、x+y=1であり;
r=0.985〜0.005であり、s=0.005〜0.985であり、t=0.005〜0.985であり、u=0.005〜0.985であり、ただし、r+s+t+u=1であり;
n=4〜1000、好ましくは4〜200、より好ましくは5〜100であり、
Aは、式:
Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3、Ar3’、Ar4、およびAr4’は、互いに独立して、場合により、縮合および/または置換されていてもよいヘテロ芳香族環または芳香環であり、好ましくは、
式中、X3およびX4のうちの1つはNであり、かつもう一方はCR99であり;
R99、R104、R104’、R123、およびR123’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、とりわけ、F、または場合により1つ以上の酸素原子または硫黄原子で中断されていてもよいC1〜C25アルキル基、とりわけ、C4〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキル、またはC1〜C25アルコキシ基であり;
R105、R105’、R106、およびR106’は、互いに独立して、水素、ハロゲン、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子で中断されていてもよいC1〜C25アルキル;C7〜C25アリールアルキル、またはC1〜C18アルコキシであり;
R107は、C7〜C25アリールアルキル、C6〜C18アリール;C1〜C18アルキル、C1〜C18ペルフルオロアルキル、またはC1〜C18アルコキシで置換されているC6〜C18アリール;C1〜C18アルキル;−O−または−S−によって中断されているC1〜C18アルキル;または−COOR124であり;
R124は、場合により、1つ以上の酸素または硫黄原子によって中断されているC1〜C25アルキル基、とりわけ、C4〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキルであり;
R108およびR109は、互いに独立して、H、C1〜C25アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C25アルキル、C7〜C25アリールアルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、C2〜C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2〜C20ヘテロアリール、C2〜C18アルケニル、C2〜C18アルキニル、C1〜C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルコキシ、またはC7〜C25アラルキルであり;または
R108およびR109が一緒に、式=CR110R111の基を形成し、R110およびR111は、互いに独立して、H、C1〜C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、またはC2〜C20ヘテロアリール、もしくはGで置換されているC2〜C20ヘテロアリールであり;または、
R108およびR109は一緒に、5または6員環を形成し、これらは、場合により、C1〜C18アルキル、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルキル、C6〜C24アリール、Gで置換されているC6〜C24アリール、C2〜C20ヘテロアリール、Gで置換されているC2〜C20ヘテロアリール、C2〜C18アルケニル、C2〜C18アルキニル、C1〜C18アルコキシ、Eで置換されている、および/またはDで中断されているC1〜C18アルコキシ、またはC7〜C25アラルキルで置換されていてもよく;
Dは、−CO−、−COO−、−S−、−O−、または−NR112−であり;
Eは、C1〜C8チオアルコキシ、C1−C8アルコキシ、CN、−NR112R113、−CONR112R113、またはハロゲンであり、Gは、EまたはC1〜C18アルキルであり、ならびに
R112およびR113は、互いに独立して、H;C6〜C18アリール;C1〜C18アルキルまたはC1〜C18アルコキシで置換されているC6〜C18アリール;C1〜C18アルキル;または−O−で中断されているC1〜C18アルキルであり、ならびに
B、D、およびEは、互いに独立して、式:
Ar4、Ar5、Ar6、およびAr7は、互いに独立して、式:
X5およびX6のうちの1つはNであり、もう一方はCR14であり、
R14、R14’、R17、およびR17’は、互いに独立して、H、または場合により、1つ以上の酸素原子によって中断されていてよいC1〜C25アルキル基、とりわけ、C6〜C25アルキルである]の基である、請求項4に記載の半導体構造。 - 前記有機半導体材料、好ましくはDPPポリマーが、1.01〜10、好ましくは1.1〜3.0、より好ましくは1.5〜2.5の範囲の多分散度を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体材料。
- 前記導体領域に含まれる前記開口部が、200nm超の、好ましくは250nm超の、より好ましくは500nm超の内側幅を有し、ならびに前記開口部が、好ましくは、エンボス加工された開口部、機械的に切断された開口部、またはレーザーカットされた開口部である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体構造。
- 前記導体領域の前記導体材料が、金属、合金、または導電性ポリマー、好ましくは金属、より好ましくは、Al、Cr、Cu、Fe、In、Sb、Si、Sn、およびZnからなる群より選択される金属を含む、好ましくはそれらからなり、前記金属は特にAlである、請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体構造。
- さらに、前記半導体領域の端面に少なくとも2つの電極を備え、好ましくは前記半導体領域の両端面のそれぞれに1つの電極を備え、前記電極および前記導体領域が、それぞれ、接触領域を含む、または外部接触に適した導体を備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体構造。
- 前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域が、前記導体領域の前記開口部を介して互いに直接接触しており、前記半導体領域が、前記それぞれの導体領域のセクションによる前記それぞれの導体領域によって分離されており、前記セクションが前記開口部の側方に位置している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体構造。
- 2つの半導体領域を部分的に分離している導体領域を含む半導体構造であって、前記導体領域および前記2つの半導体領域が縦型トランジスタ構造を提供し、かつ前記導体領域が、前記半導体領域間の導電率制御のために適合されたゲートを提供し、前記2つの半導体領域が、好ましくは同じ有機半導体材料、とりわけ同じDPPポリマーを含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導体構造。
- 少なくとも1つの導体領域および前記少なくとも1つの導体領域によって部分的に分離されている少なくとも2つの半導体領域を含む半導体構造であって、前記少なくとも1つの導体領域が、前記それぞれの導体領域によって部分的に分離されている前記半導体領域間に延びる開口部を含み、前記半導体領域が、DPPポリマー、とりわけ請求項4〜7において説明したようなDPPポリマー、から選択される少なくとも1種の有機半導体材料を含み、前記導体領域が、Al、Cr、Cu、Fe、In、Sb、Si、Sn、およびZnからなる群より選択される金属を含み、好ましくは実質的に前記金属からなる、半導体構造。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の半導体構造を製造する方法であって、
(a)少なくとも1種の有機半導体材料を含む少なくとも2つの半導体領域を提供する工程;
(b)前記少なくとも2つの半導体領域間に少なくとも1つの導体領域を提供する工程;
(c)導体領域全体にわたって広がる前記少なくとも1つの導体領域に開口部を提供する工程;および
(d)前記少なくとも1つの導体領域の前記開口部を介して前記少なくとも2つの半導体領域を部分的に接触させる工程;
を含み、
工程(a)の前記有機半導体材料が、HOMO(最高被占分子軌道)エネルギーレベルEHを有し、EHが、5.0eV≦|EH|≦5.8eVによって定義され、ならびに工程(b)において提供される前記少なくとも1つの導体領域が、|EH|−1.5eV≦|EC|≦|EH|−0.4eVによって定義される仕事関数ECを有する導体材料を含む前記方法。 - 工程(b)が、前記導体材料の連続層として前記少なくとも1つの導体領域を提供する工程を含み、工程(c)が、前記連続層を通る、200nm超の、好ましくは250nm超の、より好ましくは500nm超の内側幅の開口部を、エンボス加工、機械的切断、またはレーザーカットする工程を含む、請求項14に記載の方法。
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