JP2014209609A - 半導体レーザ - Google Patents
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
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Abstract
Description
。この場合の量子ドットは直径が15〜25nmであり、この直径の範囲の量子ドットが全ドット中に数にして90%ほど含むものであるが、このような性状の量子ドットによって構成される半導体レーザにおいても、未だ発光する波長に大きな広がりが存在し、発光利得が小さいという問題がある。
2°以内であるようなものである。
。この後、端面コートを行うことによって半導体レーザを得ることができる。
ている。また、図4(b)に示すように、図4(a)の量子ドット7の場合にも、中心波長(1310nm)での利得(基準値1)に対する第2、第3の波長の相対利得がほぼ0である。また、温度を20℃、60℃および100℃のいずれの温度においても変化は見られない。
3・・・・・・・・・・p型の半導体基板
5・・・・・・・・・・活性層
7・・・・・・・・・・量子ドット
9・・・・・・・・・・マトリックス
11・・・・・・・・・n(負)電極
13、21・・・・・・バッファ層
15・・・・・・・・・n−クラッド層
17・・・・・・・・・n−光ガイド層
18・・・・・・・・・p−光ガイド層
19・・・・・・・・・p−クラッド層
23・・・・・・・・・p(正)電極
Claims (3)
- n型の半導体基板とp型の半導体基板との間に、複数の量子ドットと該量子ドットを取り囲むように配置されたマトリックスとから構成されてなる活性層を備えている半導体レーザであって、前記量子ドットは、最大径が10〜30nmであるとともに、最大径のばらつきが2nm以内であることを特徴とする半導体レーザ。
- 前記量子ドットは、外表面と内部とで格子構造が同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。
- 前記量子ドットは、主成分がGaaInbAsc(a=0〜0.5、b=1−a、c=0.8〜1.2)であるとともに、最大径が10〜26nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体レーザ。
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2014
- 2014-03-25 JP JP2014061982A patent/JP2014209609A/ja active Pending
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