JP2011199172A - 半導体光波形整形装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体光波形整形装置1は、第1光信号を増幅するための、第1光信号と波長又は偏光方向が異なる第2光信号に対する利得係数が、第1光信号に対する利得係数の10%以下となっている第1活性層11と、第2光信号を増幅するための、第1光信号に対する利得係数が、第2光信号に対する利得係数の10%以下となっている第2活性層12と、第1活性層と第2活性層との間に設けられた,各層に対するキャリアの供給源として機能するキャリア供給層13とを含む導波路コアを備える。
【選択図】図1
Description
る図14に示したような性質、すなわち、入力信号が大きすぎると利得が飽和する性質、を利用して光信号を光信号のまま整形及び増幅する半導体光波形整形装置の開発が進められている。
にある。
まず、図1及び図2を用いて、第1実施形態に係る半導体光波形整形装置1の概要を説明する。なお、これらの図のうち、図1は、半導体光波形整形装置1の断面図であり、図2は、半導体光波形整形装置1の上面図である。
キャリア供給層13aは、各活性層11、12を、独立した活性層(他方の活性層の状態変化の影響を受けない活性層)として機能させるために、設けられている層である。
図9、図10に、それぞれ、第2実施形態に係る光波形整形装置(半導体光波形整形装置)2の断面図、上面図を示す。
上記した光波形整形装置1、2は、各種の変形を行えるものである。例えば、各実施形態に係る光波形整形装置1、2は、利得ピーク波長の異なる活性層11、12を備えたものであったが、光波形整形装置1、2を、利得を有する光信号の偏光方向が異なる活性層11、12を備えたものに変形することも出来る。すなわち、光波形整形装置1、2を、所定方向に偏光した第1光信号に対する利得が特に大きな第1活性層11(又は第2活性
層12)、第1光信号とは偏光方向が異なる第2光信号に対する利得が特に大きな第2活性層12(又は第1活性層11)を備えたものに変形することも出来る。
10・・・半導体基板
11・・・第1活性層
12・・・第2活性層
13a、13b・・・キャリア供給層
14・・・上部クラッド
15・・・第1電極
16・・・第2電極
17・・・第3電極
18・・・埋込層
Claims (5)
- 第1光信号を増幅するための第1活性層と、
第2光信号を増幅するための第2活性層と、
前記第1活性層と前記第2活性層との間に設けられ、前記第1活性層と前記第2活性層に対するキャリアの供給源として機能するキャリア供給層と
を含む導波路コアを備え、
前記第2光信号は、前記第1光信号と波長又は偏光方向が異なり、
前記第1活性層は、前記第2光信号に対する利得係数が、前記第1光信号に対する利得係数の10%以下となり、
前記第2活性層は、前記第1光信号に対する利得係数が、前記第2光信号に対する利得係数の10%以下となっている
ことを特徴とする半導体光波形整形装置。 - 前記第1活性層及び前記第2活性層が、いずれも、ドット底面サイズが15nm未満、かつ、サイズばらつきが3%未満の量子ドット活性層である
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体光波形整形装置。 - 前記キャリア供給層が、前記キャリア供給層の電位を所定電位に維持するための電極を備えた導電層である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体光波形整形装置。 - 前記キャリア供給層が、トンネル接合である
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体光波形整形装置。 - 前記第1活性層の,前記キャリア供給層と対向していない面側と、前記第2活性層の,前記キャリア供給層と対向していない面側とに、それぞれ、第1種半導体層が設けられており、
前記キャリア供給層が、前記第1種半導体層とはキャリアが異なる第2種半導体層である
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体光波形整形装置。
Priority Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2010
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