JP6162401B2 - 光半導体デバイス - Google Patents
光半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6162401B2 JP6162401B2 JP2012288321A JP2012288321A JP6162401B2 JP 6162401 B2 JP6162401 B2 JP 6162401B2 JP 2012288321 A JP2012288321 A JP 2012288321A JP 2012288321 A JP2012288321 A JP 2012288321A JP 6162401 B2 JP6162401 B2 JP 6162401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- semiconductor
- light
- ring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1042—Optical microcavities, e.g. cavity dimensions comparable to the wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1071—Ring-lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本実施の形態の光半導体デバイスは、第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成されるリングまたはディスク形状の活性層と、活性層上に形成されるリングまたはディスク形状の第2導電型の第2の半導体層と、第1の半導体層上に形成される第1の電極と、第2の半導体層上に形成される第2の電極と、を備える。そして、第1の半導体層がリングまたはディスク形状の第1の領域と、第1の領域の外周に形成され第1の領域よりも厚さが薄い第2の領域を備える。そして、第1の電極が第2の領域上に形成され、第1の領域と第1の電極との間の、第2の領域に、複数の穴が形成される。
本実施の形態の光半導体デバイスは、第1の領域と第1の電極との間の、第2の領域に複数の穴に代えて、リング形状の溝が設けられること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の光半導体デバイスは、第1の領域と第1の電極との間の、第2の領域に複数の穴とリング形状の溝の双方が設けられる以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
本実施の形態の光半導体デバイスは、受光素子ではなく、発光素子である点で第1の実施の形態と異なる。特に、半導体多層構造の構成等については第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
本実施の形態の光半導体デバイスは、複数の穴が第1の領域の外周に対して斜め方向に配列されること以外は、第4の実施の形態と同様である。したがって、第4の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
16 第1の半導体層
16a 第1の領域
16b 第2の領域
20 光導波路
22 活性層
36 第2の半導体層
38 第1の電極
40 第2の電極
44 穴
50 溝
60 光導波路
70 光共振器
100 受光素子
200 受光素子
300 発光素子
Claims (5)
- リングまたはディスク形状の第1の領域と、前記第1の領域の外周に位置する第2の領域を有する第1導電型の第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記第1の領域上に位置するリングまたはディスク形状の活性層と、
前記活性層上に位置するリングまたはディスク形状の第2導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層の前記第2の領域上に位置し、前記第1の領域の外周に位置する第1の電極と、
前記第2の半導体層上に位置する第2の電極と、
前記第1の半導体層下に位置し、らせん状であり、かつ前記第1または第2の半導体層を光学的に結合して光信号を伝搬可能である光導波路と、を備え、
前記第1の領域と前記第1の電極との間の、前記第2の領域に、前記第1の領域の外周に位置する溝または複数の穴を有する光半導体デバイス。 - 前記複数の穴が前記第2の領域を貫通している請求項1記載の光半導体デバイス。
- 前記複数の穴が前記第1の領域の外周に対して斜め方向に配列される請求項1又は請求項2記載の光半導体デバイス。
- 前記溝の深さが前記第2の領域の厚さよりも浅い請求項1記載の光半導体デバイス。
- 前記第1の半導体層は、第1導電型の半導体の第1のコンタクト層と、
前記第1のコンタクト層と前記活性層との間に位置し、前記第1のコンタクト層よりも第1導電型の不純物濃度が低い第1導電型の半導体層を含む第1のクラッド層を有し、
前記第2の半導体層は、第2導電型の半導体の第2のコンタクト層と、
前記第2のコンタクト層と前記活性層との間に位置し、前記第2のコンタクト層よりも第2導電型の不純物濃度が低い第2導電型の半導体層を含む第2のクラッド層を有し、
前記第1のクラッド層と前記活性層との間に位置し、前記第1のクラッド層よりも屈折率の高い半導体の第1の光ガイド層と、
前記第2のクラッド層と前記活性層との間に位置し、前記第2のクラッド層よりも屈折率の高い半導体の第2の光ガイド層と、を更に備える請求項1乃至請求項4いずれか一項記載の光半導体デバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012288321A JP6162401B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 光半導体デバイス |
US14/132,170 US8855163B2 (en) | 2012-12-28 | 2013-12-18 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012288321A JP6162401B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 光半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014130939A JP2014130939A (ja) | 2014-07-10 |
JP6162401B2 true JP6162401B2 (ja) | 2017-07-12 |
Family
ID=51017151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012288321A Expired - Fee Related JP6162401B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 光半導体デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8855163B2 (ja) |
JP (1) | JP6162401B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015184375A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 株式会社東芝 | 光配線デバイスおよびその製造方法 |
JP5914605B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-05-11 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子 |
JP5902267B1 (ja) | 2014-09-19 | 2016-04-13 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
WO2017200620A2 (en) * | 2016-02-29 | 2017-11-23 | Stc.Unm | Ring laser integrated with silicon-on-insulator waveguide |
CN110994358B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-04-20 | 华中科技大学 | 电泵浦的切向偏振矢量光束激光器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61191063A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体装置 |
US6831309B2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-12-14 | Agilent Technologies, Inc. | Unipolar photodiode having a schottky junction contact |
CN101341600B (zh) * | 2005-12-26 | 2012-11-28 | 日本电气株式会社 | 半导体光学元件 |
US7561770B2 (en) * | 2007-07-30 | 2009-07-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microresonator systems and methods of fabricating the same |
JP5209010B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2013-06-12 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ |
WO2012082523A2 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | California Institute Of Technology | Chemically-etched nanostructures and related devices |
JP5653270B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | 受光素子、その製造方法、および光送受信ユニット |
JP5480192B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
-
2012
- 2012-12-28 JP JP2012288321A patent/JP6162401B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-18 US US14/132,170 patent/US8855163B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140185641A1 (en) | 2014-07-03 |
US8855163B2 (en) | 2014-10-07 |
JP2014130939A (ja) | 2014-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11728624B2 (en) | Tensile strained semiconductor photon emission and detection devices and integrated photonics system | |
KR101928436B1 (ko) | 광 집적 회로용 하이브리드 수직 공명 레이저 | |
JP5758359B2 (ja) | 光配線デバイスおよびその製造方法 | |
US7391801B1 (en) | Electrically pumped Group IV semiconductor micro-ring laser | |
JP2009239260A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP6162401B2 (ja) | 光半導体デバイス | |
US20140226691A1 (en) | Iii-v photonic crystal microlaser bonded on silicon-on-insulator | |
CN103117510A (zh) | 一种混合硅基回音壁模式微腔激光器 | |
US9008473B2 (en) | Optical transmission-reception system and light-receiving unit | |
CN103779785B (zh) | 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 | |
KR20140057536A (ko) | 레이저 소자 | |
JP2016039274A (ja) | 光変調機能付き面発光レーザ | |
JP5477148B2 (ja) | 半導体光配線装置 | |
JP2008177578A (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
JP2007013065A (ja) | 近赤外光検出素子 | |
Takeda et al. | Optical links on silicon photonic chips using ultralow-power consumption photonic-crystal lasers | |
US20130207140A1 (en) | Semiconductor Optical Element Semiconductor Optical Module and Manufacturing Method Thereof | |
JP5717684B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP5653270B2 (ja) | 受光素子、その製造方法、および光送受信ユニット | |
JP2017130605A (ja) | 半導体光デバイス | |
JP2012160524A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
JP2013191704A (ja) | 受光素子 | |
JP2012014002A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、集積基板、光モジュール、光通信装置 | |
JP5818952B2 (ja) | 光配線デバイス | |
JP2010539702A (ja) | 光導波路用電気接点装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170516 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170615 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6162401 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |