JPH0480985A

JPH0480985A - 光半導体装置

Info

Publication number: JPH0480985A
Application number: JP19581690A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nitta; 淳新田; Michiyo Nishimura; 西村　三千代
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-07-24
Filing date: 1990-07-24
Publication date: 1992-03-13
Anticipated expiration: 2014-05-17
Also published as: JP2891753B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は誘導放出を利用して光を増幅する半導体光増幅
素子、光を発振する半導体レーザ素子などの光半導体装
置に関する。

［従来の技術］従来、活性層として、複数の量子井戸から構成されてい
る量子井戸構造を有し、その量子井戸の井戸部分材料の
組成或は井戸幅が異なる複数個の量子井戸から構成され
ている半導体レーザが提案されている（特開昭６３−２
１１７８７参照）。

この様な活性層を有する半導体レーザは、一般の多重量
子井戸構造を持つ半導体レーザと比較すると、幅広い波
長範囲でレーザ発振が可能な利得を持つことが知られて
いる。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上記従来例では、２つの量子井戸が比較
的近接して形成されていて、これらの量子井戸へ注入す
るキャリア量を夫々の量子井戸に対して別々に制御する
為には２つの量子井戸間の障壁の幅や高さを変えて行な
うので、次の様な欠点があった。

（１）障壁幅や高さの制御だけでは、各量子井戸に対す
る注入キャリア量を完全に独立に設定することは困難で
あり、また設定可能な範囲も狭かった。

（２）２つの量子井戸への注入キャリア量を独立に制御
できない為に、増幅或は発振に寄与しない無効な電流が
存在する。

（３）夫ヤの量子井戸への注入キャリア量を完全に独立
に制御できない面を補うのに光の伝搬方向に沿っての損
失の調整（共振器長、温度などの調整、光吸収部の導入
などによる）によって行なうので、利得分散の形を制御
することが難しかったよって、本発明の目的は、上記の
課題に鑑み、利得の波長分散を容易且つ広く制御でき、
増幅ないし発振を有効に行なうことができる光半導体装
置を提供することにある。

［課題を解決する為の手段］上記目的を達成する本発明の光半導体装置においては、
半導体レーザ構造を有していて、異なる利得分散を有す
る複数の活性層（量子井戸などで構成される）が、導波
路中に導波方向に沿って少なくとも一部において並列的
に、電気的に結合しない程度分離して（絶縁性の高い半
導体材料を間に形成するなどして行なわれる）形成され
、そして各活性層に独立に反転分布を形成する為のエネ
ルギー供給手段（電流注入、光励起などによる）が設け
られている。

より具体的には、導波路は単一モード導波路などである
矩形導波路等であリーエネルギー供給手段は電流注入に
よりエネルギー供給をしたり、電流注入方向が活性層の
層面に平行な方向であったり垂直な方向であったりし、
そして複数の活性層に電流注入する構造において、各一
対の電極が別々に設けられて、そこから、任意の抵抗値
を持つ高抵抗または絶縁性の高い適当な導電型を持つ半
導体領域を介して活性層に電流が注入される構造であっ
たり、少なくとも１つの電極が共通電極として用いられ
る構造であったり、電流が、３層の半導体で構成される
バイポーラトランジスタ構造などのスイッチング手段を
介して制御的に活性層に注入される構造であったりする
。

以上の構成であるので、本発明においては、複数の活性
層に注入されるキャリア量が独立に（完全に独立である
場合、一定の比率関係を保ちながら多（なったり少なく
なったりする半ば独立である場合などを含む）設定可能
であり、制御の範囲が従来例に比べて広（且つ柔軟に設
定できる。

［実施例］第１図は本発明の第１寅施例の斜視図であり、同図にお
いて、１は半絶縁性の（以下、ＳＩ−と記す）　Ａ　ｌ
　６．ｓ　Ｇ　ａｏ５Ａ　Ｓから成る第１クラッド層、
２は厚さ６０人でｎ型ＧａＡｓから成る量子井戸である
第１活性層、３は５Ｉ−Ａ１．、、Ｇａ　ａ、　ｓ　Ａ
　Ｓから成る導波路層、４は厚さ８０人のｎ型ＧａＡｓ
から成る量子井戸で構成される第２活性層、５はＳ　Ｉ
　−Ａ　１　ｏ＠Ｇａａ、ｓ　Ａｓから成る第２クラッ
ド層、６はｐ型Ａ　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　ＡＳか
ら成る第１ｐ型層、７はｎ型Ａ　１　ｏ、ａ　Ｇａ。

ｓＡｓから成る第１ｎ型層、８はｐ型Ａ１ｏ、、Ｇａａ
、　ｓ　Ａ　Ｓから成る第２ｐ型層１．９はｎ型Ａ１ｏ
、ｓ　Ｇａａ、ｓ　Ａｓから成る第２ｎ型層、１０は５
Ｉ−Ａｌｏ、ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａｓから成る高抵抗層、
１１は第１ｐ型層６に接している第１ｐ電極、１２は第
２ｐ型層８に接している第２ｐ電極、１３は第１ｎ型層
７に接している第１０電極、１４は第２ｎ型層９に接し
ている第２ｎ電極、１５は端面反射率を下げる為に両端
面に形成された反射防止膜である。第１図には示されて
いないが、第１．２ｐ電極１１．１２と第１．２ｎ型層
６．８の間、及び第１．２ｎ電極１３．１４と第１．２
ｎ型層７．９の間には、夫々、電極のオーミックコンタ
クトを形成する為に、低抵抗（高ドープ）のｎ型及びｎ
型のキャップ層を形成してもよい。

以上の構成の第１実施例の動作について説明する。

外部よりレンズ等を用いて本半導体光増幅素子の導波路
層３へ光信号を結合させるとき、導波路Ｎ３を含む導波
路を進行する光信号は第１、第２活性層２．４により増
幅される。すなわち、第１活性層２においては、第ｐ電
極１１と第１０電極１３に電源を接続することで第１ｐ
型層６、第１活性層２、第１ｎ型層７を通る経路で電流
が流れ（第１クラッド層１、導波路層３、高抵抗層１０
が半絶縁性であることに留意）、ここにキャリアが注入
され反転分布が形成されて誘導放出が生じる様になる。

一方、第２活性層４に対しても、同様に第２ｐ電極１２
と第２ｎ電極１４に電源を接続することで反転分布を形
成することができ、誘導放出が生じる。

こうして、光信号は２つの活性層２，４の影響を受けて
導波路層３を進行し、誘導放出により増幅されて出力さ
れる。

第２図は第２実施例を示す斜視図であり、同図において
、２１はＧａＡｓから成る基板、２２はＳ　Ｉ　−Ａ　
ｌ　ｏ、ｓ　Ｇ　ａａ５Ａ　ｓから成る第１クラッド層
、２３は井戸幅６０人でｐ型ＧａＡＳより成る量子井戸
である第１活性層、２４は５Ｉ−Ａｔ。ｚＧａｏ、ｓＡ
ｓから成る導波路層、２５は井戸幅８０人でｐ型ＧａＡ
ｓより成る量子井戸である第２活性層、２６は５Ｉ−Ａ
ｌｏ、ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａｓより成る第２クラッド層、
２７はｎ型Ａ１０．ｓＧａ　ｏ、　ｓ　Ａ　ｓより成る
第１ｎ型層、２８は第１ｎ型層２７とドーピング量の異
なるｎ型Ａ１ｏ、５Ｇａｏ、ａＡｓより成る第２ｎ型層
２９はｎ型Ａ１ａ５Ｇａｏ、ｓＡｓより成る第３ｎ型層
、３０はｐ型Ａ１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　Ａ　Ｓより
成る第１ｐ型層、３１は第１ｐ型層３０と異なるドーピ
ング量のｐ型Ａ１ａ、ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａｓより成る第
２ｐ型層、３２はｐ型Ａ　ｌ　ｏ、ａ　Ｇ　ａｏ、ｓ　
Ａ　Ｓより成る第３ｐ型層、３３は第３ｐ型層３２上に
形成されたｎ型電極、３４は第３ｎ型層２９上に形成さ
れたｎ型電極、３５は端面に形成された反射防止膜であ
る。第２図中には示されていないが、ｎ型電極３４と第
３ｎ型層２９の間、及びｎ型電極３３と第３ｐ型層３２
の間には、良好なオーミック接触を形成する為に夫々ｎ
型及びｐ型で高ドープされたコンタクト層が形成されて
もよい。

第２実施例の動作を説明する。導波路層２４及びその近
傍に形成された活性層２３．２５は第１実施例と同様な
ので、ここでは第１活性層２３及び第２活性層２５に対
するキャリアの注入及び制御の方法について述べる。ｎ
型電極３３とｎ型電極３４に対して順方向電圧を印加す
ると、２つの電流の径路が形成される。１つは、ｎ型電
極３３、第３ｐ型層３２、第２活性層２５．第３ｎ型層
２９、ｎ型電極３４を通る径路で（第２クラッド層２６
と導波路層２４が半絶縁性であることに留意）、もう１
つは、ｎ型電極３３、第３ｐ型層３２、第２ｐ型層３１
．第１ｐ型層３０、第１活性層２３、第１ｎ型層２７．
第２ｎ型層２８、第３ｎ型層２９、ｎ型電極３４を通る
径路である（基板２１と第１クラッド層２２が半絶縁性
であることに留意）。

注入電流は、この２つの径路を通って第１、第２活性層
２３．２５ヘキヤリアを注入し、ここに反転分布を形成
する。第１、第２活性層２３．２５への注入キャリア量
は第２ｐ型層３１及び第２ｎ型層２８のドーピング量を
調整することにより（等価回路で言えば、第２活性層２
５と並列的に接続された第１活性層２３と直列的に接続
された抵抗の抵抗値を調整すること）、任意の比率で選
択できる。

この様にして、第２実施例においても、光信号は２つの
活性層２３．２５の影響を受けて導波路層２４を進行し
、誘導放出により増幅されて出力される。

第３図は第３実施例の光が入射或は出射する端面方向か
ら眺めた図を示し、同図において、４１はＳ　Ｉ　　Ａ
　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　Ａ　Ｓから成る第１クラ
ッド層、４２は井戸幅６０人のＱａＡＳから成る量子井
戸である第１活性層、４３は５Ｉ−ＡＩＯｚＧａｏ、ａ
Ａｓから成る導波路層、４４は井戸幅８０人のＧａＡｓ
から成る量子井戸である第２活性層、４５はＳ　Ｉ　−
Ａ　１　ｏｓＧａａ、ｓ　Ａｓから成る第２クラッド層
、４６はｐ型Ａ１．。ｔ、　Ｇ　ａ　ｏ、　ｓＡＳから
成る第１ｐ型層、４７は５Ｉ−ＧａＡｓから成る絶縁層
、４８はｎ型Ａ　１　ａ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　ＡＳから
成る第１ｎ型層で第１活性層４２と接する様に形成され
た層、４９はｐ型層　１ａ、ｓ　Ｇａｏ、ｓＡｓから成
る第２ｐ型層、５０はｎ型層１ｏ、、Ｇａｏ、ｓＡＳか
ら成る第２ｎ型層で第２活性層４４と接する様に形成さ
れた層、５２は第１ｐ型層４６とオーミックコンタクト
のとれている第１電極、５３は第２ｎ型層５０とオーミ
ックコンタクトのとれている第２電極、５４は第２ｐ型
層４９とオーミックコンタクトのとれている第３を極で
ある。第３図に示されていないが、両端面には、端面反
射率を低減させる為に反射防止膜が形成されている。

以上の構成では、導波路層４３の横（第３図左側）に、
第１ｎ型層４８、第２ｐ型層４９、第２ｎ型層５０から
成るｎｐｎ型バイポーラトランジスタが形成された構造
となっている。

第３実施例の動作を説明する。第１電極５２と第２電極
５３の間に順バイアスを印加すると、第１ｐ型［４６、
第２活性層４４、第２ｎ型層５０の径路に電流が流れ、
第２活性層４４に反転分布が形成される。一方、第ｔｐ
型層４６．第１活性層４２、第１ｎ型層４８、第２ｐ型
層４９、第２ｎ型層５０を通る径路は、バイポーラトラ
ンジスタのベースに相当する第２ｐ型層４９に対して、
第３電極５４を介して電圧を印加した時に、初めて電流
が流れ、第１活性層４２に反転分布が形成される。第１
活性層４２に注入するキャリア量は、第３電極５４（ベ
ース電極に相当）に印加する電圧によって、第２活性層
４４を流れる電流とは独立に調整することが可能である
。

第３実施例においても、光信号は２つの活性層４２．４
４の影響を受けて導波路層４３を進行し、誘導放出によ
り増幅されて出力される。

第４図は、第３実施例を若干変形した第４実施例の光が
入射或は出射する端面方向から眺めた閣を示し、同図に
おいて第３図と同一部材には同番号が付しである。新た
に形成された部分について、５５はｐ型層１ｏ５Ｇａｏ
、ｓ　Ａｓから成る第３ｐ型層、５６はｎ型層　Ｉ　Ｑ
５Ｇａｏ、ｓ　Ａｓから成る第３ｎ型層、５７はｐ型層
　１　ｏ、　ｓ　Ｇ　ａ　ｏ、　ｓＡＳから成る第４ｐ
型層、５８は第３ｎ型層５６上に形成されている第４電
極である。

この第４実施例では、導波路部分の両側にバイポーラト
ランジスタが形成されている。以上の構成においては、
第１ｎ型層４８、第２ｐ型層４９、第２ｎ型層５０によ
って構成されるトランジスタにより第１活性層４２への
注入電流が制御され（これは第３実施例と同じ）、第３
ｐ型層５５、第３ｎ型層５６、第４ｐ型層５７によって
構成されるトランジスタにより第２活性層４４への注入
電流が制御される。

導波路層４３を進行する光信号が増幅されて出力される
態様は上記の実施例と同じである。

第５図は第５実施例を示す図であり、第３図、第４図と
同様に端面側から見た図である。同図において、６０は
ｐ型層１ａ、ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａｓから成る第１クラッ
ド層、６１は井戸幅６０人から成る量子井戸である第１
活性層、６２はｎ型Ａ１．２０ａｏｓＡＳから成る第１
導波路、６３はｎ型Ａ１０．２　Ｇ　ａａ、ｓ　Ａ　Ｓ
から成り第１導波路６２よりドーピング量が多いものか
ら構成されている第２導波路、６４は第１導波路と同じ
もので構成されている第３導波路、６５は井戸幅８０人
から成る量子井戸である第２活性層、６６はｎ型層１．
、。

Ｇ　ａ　ｏ、　ｓ　Ａ　ｓから成る第２クラッド層、６
７はＳＩ　　Ａ　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　Ａ　Ｓか
ら成る高抵抗層、６８はｎ型層　ｌ　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ
、ｓ　Ａ　ｓから成るｎ型層、６９は第１クラッド層６
０とオーミックコンタクトしている第１電極、７０は第
２クラッド層６６とオーミックコンタクトしている第２
電極、７１はｎ型層６８上に形成された第３電極である
。図示はしていないが、両端面には反射防止膜が形成さ
れている。また、第１、第２、第３電極６９゜７０．７
１は、夫々、第クラッド層６０、第２クラッド層６６、
ｎ型層６８と良好なオーミックコンタクトを得る為に、
高ドープされたキャップ層が形成されてもよい。

第５実施例の動作について説明する。

本実施例では、第１、第２、第３導渡路６２．６３．６
４で１つの導波路を形成するようになつている。本実施
例での電流の径路は２つで、１つは第１電極６９から第
１クラッド層６０、第１活性層６１、第１導波路６２、
第２導波路６３、ｎ型層６８、第３１ｆ極７１へ至るも
ので（高抵抗層６７の存在に留意）、もう１つが第２電
極７０、第２クラッド層６６、第２活性層６５、第３導
波路６４、第２導波路６３、ｎ型層６８、第３電極７１
へ至るものでである（第２クラッド層６６、第２活性層
６５、第３導波路６４の左右両側に存在する高抵抗層６
７に留意）。

前者の径路により第１活性層６１にのみ電流が注入され
、後者の径路により第２活性層６５へのみ電流が注入さ
れる。そして、第１電極６９と第３電極７１間の電圧を
調整して第１活性層６１への電流注入量が制御され、第
２電極７０と第３電極７１間の電圧を調整して第２活性
層６５への電流注入が制御される。こうして、夫々の活
性層６１．６５で反転分布が制御的に形成され、信号光
は制御された増幅度で増幅されて出力される。

第６図は本発明の第６実施例の斜視図であり、本実施例
は第１図の第１実施例の変形例である。

同図において、８１はＳ　１−Ａ　１　ｏ、ｓ　Ｇａｏ
、ｓ　ＡＳより成る第１クラッド層、８２はＳ　Ｉ　−
Ａ　１゜ｚ　Ｇ　ａ　ｏ、　ａ　Ａ　Ｓから成る導波路
層、８３は導波路層８２中にある厚さ６０人のｐ型Ｇａ
Ａｓから成る量子井戸である第１活性層、８４は同じ（
４波路層８２中にある厚さ８０人のｐ型ＧａＡＳから成
る１子弁戸である第２活性層、８５は５ｒ−Ａ１　ｏ、
ｓ　Ｇａｏ、ｓ　Ａｓから成る第２クラッド層、８６は
ｎ型層　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　Ａ　Ｓから成る第
１ｎ型層、８７はｎ型層　１　ｏ、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　
Ａｓから成る第２ｎ型層、８８．８９はｐ型層　１　ｎ
、ｓ　Ｇ　ａｏ、ｓ　ＡＳから成る第１．第２ｐ型層、
９０は５Ｉ−Ａｌ。ｓ　Ｇ　ａａ、ｓ　Ａ　ｓから成る
高抵抗層、９Ｉは第１ｎ型層８６にオーミック接触して
いる第１電極、９２は第１ｐ型層８８にオーミック接触
している第２電極、９３は第２ｎ型層８７にオーミック
接触している第３電極、９４は第２ｐ型層８９にオーミ
ック接触している第４Ｎ極、９５は端面に形成された反
射防止膜である。

第６実施例では、第１実施例と同様に、第１、第２電極
９１．９２を用いて第１活性層８３にキャリアが注入さ
れ（第１クラツドＮ８１、導波路層８２、高抵抗層９０
が半絶縁性であることに留意）、第３、第４電極９３．
９４を用いて第２活性層８４にキャリアが注入され（第
２クラッド層８５、導波路層８２、高抵抗層９０が半絶
縁性であることに留意）、夫々、第１、第２活性層８３
．８４に反転分布が形成される。

第１実施例との差異は、２つの活性層８３．８４が矩形
導波路の端に形成されているのではな（て導波路層８２
の中に形成されていることである。ただし、２つの活性
層８３．８４を分離する導波路層８２の厚さには条件が
あり、その条件は、２つの活性層８３．８４が電気的に
分離されていて導波路層８２を介してキャリアのやり取
りがない様に形成されていることである。

次に１本発明による素子の使用態様について述べる。第
７図第８図はこの状況を示す図であり、同図において、
１０１は本発明の素子である半導体光増幅素子、１０２
は光ファイバ、１０４は光送信機、１０５は光受信機、
１０３はレンズである。

第７図は、光送信機１０４から送出された光信号が光フ
ァイバ１０２を伝送され、途中、半導体光増幅素子１０
１によって減衰を補償する為に増幅され、更に光ファイ
バ１０２を伝送され、光受信機１０５で受信される場合
を示す、第８図は、第７図の半導体光増幅素子１０１と
光ファイバ１０２の結合の部分を示し、光ファイバ１０
２から出射した光信号はレンズ１０３により半導体光増
幅素子１０１の導波路へ結合され、この結合された光信
号は光増幅素子１０１の導波路を進行しながら誘導放出
により増幅され、ここから出射された光信号はレンズ１
０３によって再び光ファイバ１０２のコアへ結合される
。

この使用例はあくまで例示であり、本発明による半導体
光増幅素子は双方向光通信、波長多重光通信、光ネット
ワーク（光ＬＡＮ）などのシステムにおいても使用でき
る。また、光ファイバと光増幅素子との結合は、レンズ
に限らず、他に先球ファイバなどを用いて結合させても
よいし、レンズなどを用いないで端面結合で結合させて
もよいここでは、−射的な光増幅素子の使用状況を述べ
たが、本発明による光増幅素子においては、２つの活性
層に注入する電流値を調整してお（ことにより、利得分
散特性を成る一定の範囲で比較的均一にすることができ
、これにより波長多重通信では各信号波長にほぼ同等の
増幅をかけることが可能になるし、１波長の光通信にお
いても信号波長の変動による増幅率の変動を抑制する効
果が生じる。

ところで、上記実施例では構成材料はＧａＡｓ系で説明
したが、ＧａＡｓ系に限定されるものではな（、ＩｎＰ
系など他のｍ−ｖ系或はＩＩ−ＶＴ系などの他の半導体
材料で構成されてもよい。

また、上記実施例では第１、第２活性層として１つの量
子井戸で説明したが、夫々が多重量子井戸であってもよ
いし、バルク構造、量子細線など、どの様な構成のもの
も適用できる。

上記実施例の説明では製造方法については述べなかった
が、実施例の素子の製造には、制御性、再現性の優れた
公知の成膜装置、エツチング装置等を用いることで素子
が実現できる。

更に、上記実施例では、端面に反射防止膜が形成されて
いる所謂進行波型半導体レーザアンプであったが、端面
に反射防止膜が形成されていない所謂ファブリペロ−型
レーザアンプとして用いることもできる。また、フアブ
リペロー型レーザアンプを非対称量子井戸構造を有する
半導体レーザとして用いることも可能である。

上記実施例では、導波路構造は屈折率がステップ状に変
化するものであったが（クラッド層、活性層、導波路層
の屈折率がステップ状に変化している）、所謂ＧＲＩＮ
−３ＣＨ（ｇｒａｄｅｄｊｎｄｅｘ−ｓｅｐａｒａｔｅ
　　ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ　　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕ
ｃｔｕｒｅ）を用いてもよい。

また、活性層は第１実施例などの如く単一モド矩形導波
路の端部に形成する必要はな（（単一モード導波路であ
ると光の界分布と活性層の位置関係が容易に且つ正確に
設定でき増幅などが効果的に行なえる）、２つの活性層
が第６実施例の如く電気的に分離された関係で導波路中
に形成されているなどしてもよい（この場合、多モード
導波路でもよく、サイズ的に大きくなって製造容易とな
る）。

［発明の効果］以上説明した様に、本発明によれば、複数の異なる構成
の活性層を、導波路中に、電気的に結合しない程度分離
して形成し、各活性層への注入電流量を制御可能な構成
としているので、従来よりも容易に各活性層に注入する
キャリア■を独立に制御できる様になり、制御の範囲を
広げられ、増幅などに寄与しない電流を減少でき、更に
活性層間でのキャリアの行き来がなくなったので利得の
波長分散を容易に制御可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１寅施例の斜視図、第２図は第１実
施例の斜視図、第３図は第３実施例の端面図、第４図は
第４実施例の端面図、第５図は第５実施例の端面図、第
６図は第６実施例の斜視図、第７図と第８図は本発明の
素子の使用される状況を説明する図である。１．５，２２，２６，４１，４５，６０，６６．８１．
８５−・・クラッド層、３，２４，４３．６２．６３，
６４．８２−−・導波路層、２，４，２３２５．４２，
４４．’６１，６５，８３．８４−・・活性層、１０，
６７．９０−・・高抵抗層、１１．１２．１３，１４，
３３，３４．５．２．５３．５４５８．６９．７０，７
１，９１，９２，９３゜９４・・・電極

Claims

【特許請求の範囲】１、半導体レーザ構造を有し、異なる利得分散を有する
複数の活性層が、導波路中に、導波方向に沿って少なく
とも一部において並列的に、電気的に結合しない程度分
離して形成され、そして各活性層に独立に反転分布を形
成する為のエネルギ供給手段が設けられていることを特
徴とする光半導体装置。２、端面に反射防止膜が形成され、進行波型光増幅素子
として構成されている請求項１記載の光半導体装置。３、端面が反射面となり、フアブリペロー型光増幅素子
として構成されている請求項１記載の光半導体装置。４、端面が反射面となり、フアブリペロー型半導体レー
ザとして構成されている請求項１記載の光半導体装置。