JP2014209198A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置は、第1面11A、及び、該第1面11Aと対向する第2面11Bを有する第1基板11;第1基板11と対向して配置され、第1基板11の第2面11Bと対向する第1面12A、及び、該第1面12Aと対向する第2面12Bを有する第2基板12、並びに;第1基板11の第2面11Bに、第2基板12と離間して設けられた複数の発光部20を備えており、各発光部20に対応して、第2基板12の第2面12Bには、発光部20からの光を透過させる光透過部32が設けられた光透過抑制層31が形成されており、光透過部32には反射防止層33が形成されている。
【選択図】 図1
Description
第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えている。
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、
光透過部には、反射防止層が形成されている。
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる第1の光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、第1の光透過部の面積よりも小さい。尚、第2基板の第1面側に光不透過層が形成されているが、具体的には、光不透過層は、第2基板の第1面上に形成されていてもよいし、発光部と第2基板の第1面との間の領域に形成されていてもよい。以下の説明においても同様である。
1.本開示の第1の態様〜第2の態様に係る表示装置、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様に係る表示装置)
3.実施例2(本開示の第2の態様に係る表示装置)
4.実施例3(実施例1の変形であり、実施例2の表示装置との組合せ)
5.実施例4(実施例1〜実施例3の変形)
6.実施例5(実施例1〜実施例4の変形)
7.実施例6(第3の態様に係る表示装置)
8.実施例7(第4の態様に係る表示装置)、その他
本開示の第1の態様に係る表示装置において、光透過抑制層は反射防止機能を有する形態とすることができ、これによって、上記の本開示の第1の目的を達成することができる。そして、この場合、光透過抑制層は、反射防止層の正反射率と同程度の正反射率を有することが好ましい。ここで、「同程度」とは、限定するものではないが、
0≦(光透過抑制層の正反射率/反射防止層の正反射率)≦2
を満足することを意味する。一般に、表示装置の表面における散乱反射率の大小は、画像表示の黒沈みを決定づける。一方、表示装置の表面における正反射率の大小は、表示装置の表面に映り込んだ像の明るさを決定づけ、画像表示の品質を大きく左右する。本開示の第1の態様に係る表示装置にあっては、正反射率を上記のとおり規定することで、高い画像表示品質を達成することができる。例えば、艶消し印刷を行うことで、正反射率は低下するが、散乱反射率の値が増加してしまい、正反射率と散乱反射率との適切なバランスを取ることが困難である。また、微粒子を使用するAGコートでは、発光部の疑似減点が発生する虞がある。
光透過部(第1の光透過部)の外形形状を、直径D1の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から光透過部(第1の光透過部)までの距離をL1とし、
発光部から、光透過部が設けられた光透過抑制層に至るまでの光路の平均屈折率をn1としたとき、
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する形態することが好ましい。尚、通常、n1の値は1.4乃至1.6の範囲にあるため、tan(sin-1(1/n1))の値は、通常、0.8から1.02の間の値となる。この場合、発光部の中心及び光透過部(第1の光透過部)の中心は、同じ軸線上にあることが望ましい。ここで、発光部が1つの発光素子から構成されている場合であって、実際に光を出射する1つの発光素子の部分の平面形状が円形である場合、「発光部を直径D0の円形とみなし」とは、実際に光を出射する部分の直径をD0とすることを意味し、実際に光を出射する部分が円形ではない場合には、実際に光を出射する部分の面積を円の面積に換算したときの円の直径をD0とすることを意味する。一方、後述するように、発光素子・表示装置における1画素(1ピクセル)を、例えば、第1発光素子、第2発光素子及び第3発光素子の組(発光ユニット)から構成し、あるいは又、4つ以上の発光素子の組(発光ユニット)から構成し、これらの発光素子を1つの発光部とみなす場合、全ての発光素子を包含する円を想定し、この円の直径をD0とすることを意味する。あるいは又、各発光素子が一直線上に配置されていない場合、各発光素子の中心を結ぶ円を想定し、この円の直径をD0とすることを意味するし、各発光素子が一直線上に配置されている場合、最も外側に位置する2つ発光素子の中心を結ぶ線分を想定し、この線分を直径とする円の直径をD0とすることを意味する。以下の説明においても同様である。また、光透過部(第1の光透過部)の平面形状が円形ではない場合を含めるため、「光透過部(第1の光透過部)の外形形状を、直径D1の円形とみなし」との表現とした。
各発光部に対応して、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、光透過部の面積よりも小さい(狭い)構成とすることができる。そして、このような構成の本開示の第1の態様に係る表示装置にあっては、あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第2の態様に係る表示装置にあっては、
第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第2の光透過部までの距離をL2とし、
発光部から、第2の光透過部が設けられた光不透過層に至るまで光路の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足することが好ましい。更には、発光部の中心、光透過部の中心(第1の光透過部の中心)、及び、第2の光透過部の中心は、同じ軸線上にあり、光透過部(第1の光透過部)と第2の光透過部とは相似形であることが望ましい。尚、第2の光透過部の平面形状が円形ではない場合を含めるため、「第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし」との表現とした。
第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
第2基板の第2面側又は第1面側には、マイクロカプセル方式、電子粉流体方式、液晶方式、エレクトロウェッティング方式、電気泳動方式、化学変化方式若しくは電気泳動方式の電子ペーパー、又は、透明な液晶表示装置から成る模様表示装置が配されており、模様表示装置に模様を表示する。模様表示装置に模様を表示するときには、発光部において画像を表示しない。一方、発光部において画像を表示するときには、模様表示装置に模様を表示しない。
第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
第2基板の第1面側には模様が形成されている。模様は、第2基板の第1面の下に位置する層の凹凸によって発現されている形態とすることができる。
第1面11A、及び、この第1面11Aと対向する第2面11Bを有する第1基板11、
第1基板11と対向して配置され、第1基板11の第2面11Bと対向する第1面12A、及び、この第1面12Aと対向する第2面12Bを有する第2基板12、並びに、
第1基板11の第2面11Bに、第2基板12と離間して設けられた複数の発光部20(20R,20G,20B)、
を備えている。
0≦(光透過抑制層の正反射率/反射防止層の正反射率)≦2
を満足する。
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する。発光部20の中心及び光透過部32の中心は、同じ軸線AX1上にある。
各発光部20に対応して、第2基板12の第2面12Bには、発光部20からの光を透過させる第1の光透過部32が設けられた光透過抑制層31が形成されており、第2基板12の第1面側には、発光部20からの光を透過させる第2の光透過部35が設けられた光不透過層34が形成されており、
第2の光透過部35の面積は、第1の光透過部32の面積よりも小さい(狭い)。ここで、第2基板12の第1面側に光不透過層34が形成されているが、具体的には、光不透過層34は、第2基板12の第1面上に形成されていてもよいし、発光部20と第2基板12の第1面との間の領域に形成されていてもよい。即ち、光不透過層34は、図示したように、第2基板12の第1面12A上に形成されていてもよいし、代替的に、保護膜13上に形成されていてもよい(図5A参照)。以下の説明においても、同様である。また、光不透過層34には、赤色を発光する第1発光素子20R、緑色を発光する第2発光素子20G及び青色を発光する第3発光素子20Bの1組(1つの発光ユニット)から構成された1つの発光部20からの光を透過させる1つの第2の光透過部35が設けられている。第2の光透過部35の外形形状は、直径D2の円形である。
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する。更には、第2の光透過部35の外形形状を、直径D2の円形とみなし、発光部20を直径D0の円形とみなし、発光部20の頂面から第2の光透過部35までの距離をL2とし、発光部20から、第2の光透過部35が設けられた光不透過層34に至るまで光路(具体的には、図3A、図4A、図4Bに示す例にあっては、保護膜13及び粘着剤層14を通過する光路、図5A、図5B、図5Cに示す例にあっては、保護膜13を通過する光路)の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足する。発光部20の中心、第1の光透過部の中心32、及び、第2の光透過部35の中心は、同じ軸線AX2上にあり、第1の光透過部32と第2の光透過部35とは相似形である。
各発光部20に対応して、第2基板12の第1面側には、発光部20からの光を透過させる第2の光透過部35が設けられた光不透過層34が形成されており、
第2の光透過部35の面積は、光透過部32の面積よりも小さい(狭い)。尚、図4Aにあっては、光不透過層34は、第2基板12の第1面12A上に形成されている。一方、図5B、図5Cにあっては、光不透過層34は、保護膜13上に形成されている。
第1面11A、及び、この第1面11Aと対向する第2面11Bを有する第1基板11、
第1基板11と対向して配置され、第1基板11の第2面11Bと対向する第1面12A、及び、この第1面12Aと対向する第2面12Bを有する第2基板12、並びに、
第1基板11の第2面11Bに、第2基板12と離間して設けられた複数の発光部20、
を備えており、
第2基板12の第2面側(図12A参照)又は第1面側(図12B参照)には、マイクロカプセル方式、電子粉流体方式、液晶方式、エレクトロウェッティング方式、電気泳動方式、化学変化方式若しくは電気泳動方式の電子ペーパー、又は、透明な液晶表示装置から成る模様表示装置51が配されており、模様表示装置51に模様を表示する。模様表示装置51に模様を表示するときには、発光部20において画像を表示しない。一方、発光部20において画像を表示するときには、模様表示装置51に模様を表示しない。模様表示装置51を構成する電子ペーパー又は液晶表示装置は、周知の構成、構造を有する電子ペーパー又は液晶表示装置から構成すればよいので、詳細な説明は省略する。模様表示装置51における画素の形成ピッチは、発光部の配置ピッチの整数倍、等倍又は整数分の一とすればよい。尚、模様表示装置51を概念的に図示している。
第1面11A、及び、この第1面11Aと対向する第2面11Bを有する第1基板11、
第1基板11と対向して配置され、第1基板11の第2面11Bと対向する第1面12A、及び、この第1面12Aと対向する第2面12Bを有する第2基板12、並びに、
第1基板11の第2面に、第2基板12と離間して設けられた複数の発光部20、
を備えており、
第2基板12の第1面側には模様が形成されている。具体的には、模様は、第2基板12の第1面12Aの下に位置する層(具体的には、保護膜13)の凹凸52によって発現されている。発光部20からの光は、光透過部53を通過して、外部に出射される。
先ず、周知の方法に基づき、発光素子製造用基板70の第1面70Aの上に、第1化合物半導体層61、化合物半導体から成る活性層63、及び、第2化合物半導体層62から成る積層構造体60を、例えば、MOCVD法に基づき形成し、更に、積層構造体60上に第2電極65を形成する。尚、積層構造体60を構成する第1化合物半導体層61、活性層63、及び、第2化合物半導体層62、並びに、第2電極65の組成、構成、構造は、発光素子に要求される仕様に基づき決定すればよい。次いで、素子分離のために、第2電極65、積層構造体60を、例えば、エッチングし、あるいは、ミーリングする。こうして、図14Aに示すように、第2電極が形成され、素子分離された積層構造体60を得ることができる。尚、以降の図面においては、第2電極65の図示を省略する場合がある。
未硬化の接着剤層72が全面に形成された支持基板71を準備する。そして、未硬化の接着剤層72と、積層構造体60の第2化合物半導体層62とを接触させ、接着剤層72を硬化させることで、積層構造体60を支持基板71に貼り合わせる(図14B参照)。その後、発光素子製造用基板70を裏面70Bからラッピング法やCMP法によって薄くする。ラッピングの場合、更に、アンモニア水、過酸化水素水の混合溶液にてエッチングすることで、発光素子製造用基板70を除去する。次いで、リフトオフ法と真空蒸着法にて第1電極64を第1化合物半導体層61上に形成する。こうして、図14Cに示す構造を得ることができる。尚、[工程−800]においては素子分離を行わず、[工程−810]において素子分離を行ってもよい。
未硬化の接着剤67が積層構造体60を固定すべき部分に形成され、且つ、パッド部66が形成されたパッド部形成基板73を準備する(図14D参照)。パッド部66は、パッド部形成基板73の表面に形成された剥離層74の上に形成されている。そして、未硬化の接着剤67と、積層構造体60(具体的には、第1化合物半導体層61)とを接触させ、例えば、エキシマレーザを接着剤層72に照射することでレーザ・アブレージョンを生じさせ、積層構造体60を支持基板71から除去した後、接着剤67を硬化させる。こうして、図15Aに示すように、パッド部形成基板73上に、接着剤67によって積層構造体60が固定された構造(発光素子チップ21)を得ることができる。その後、第1電極64と第1パッド部40Aとをメッキ法によって電気的に接続する。
次いで、積層構造体60から第2パッド部66Bの一部の上に亙り、犠牲層75を形成する(図15B参照)。積層構造体60の第2化合物半導体層62の一部分の上には、犠牲層75は形成されていない。
次に、第2電極65から犠牲層75、第2パッド部66Bの上に亙り、配線層68を形成する(図16A参照)。配線層68は、下地層の形成、及び、下地層上での配線層68のメッキ法(具体的には、電解メッキ法)に基づく形成によって得られる。尚、配線層68の形成をセミアディティブ法に基づき行うこともできる。具体的には、全面にスパッタリング法に基づき、厚さ50nmのチタン(Ti)層及び厚さ200nmの銅(Cu)層を順次形成することで、下地層を得ることができる。次いで、配線層68を形成しない領域を覆うレジストマスクを形成し、電解メッキ法に基づき、レジストマスクで覆われていない下地層の部分の上に、厚さ2μmの銅層から成る配線層68を形成する。その後、レジストマスクを除去し、更に、下地層をソフト・エッチングによって除去した後、犠牲層75を除去することで、第2電極65と第2パッド部66Bとが配線層68で接続された構造を有する発光素子20’を得ることができる(図16B参照)。
その後、発光素子20’をモールド材料を用いてモールドすることで、発光素子20’をモールドしたモールド部22を得ることができる(図16C参照)。
接着層が全面に形成された中継基板を準備する。そして、接着層とモールド部22とを接触させ、接着層にモールド部22を付着させる。その後、エキシマレーザを剥離層74に照射することでレーザ・アブレージョンを生じさせ、発光素子20’からパッド部形成基板73を除去する。その後、中継基板上の発光素子20’のパッド部66を第1基板11に設けられた配線に電気的に接続し、中継基板を周知の方法で除去する。こうして、第1基板11に発光部20(発光素子20’)が取り付けられた構造を得ることができる。
その後、第1基板11の第2面側に、周知の方法で保護膜13を形成する。
例えば、実施例1の表示装置の製造にあっては、光透過抑制層31や反射防止層33が形成された第2基板12を準備し、粘着剤層14を介して、第1基板11と第2基板12の第1面12Aとを貼り合わせる。また、実施例2や実施例3の表示装置を製造する場合には、保護膜13の上に光不透過層34を形成した後、光透過抑制層31等が形成された第2基板12の第1面12Aと、第1基板11とを、粘着剤層14を介して貼り合わせる。あるいは又、実施例2や実施例3の表示装置を製造する場合には、光透過抑制層31等が第2面12Bに形成され、光不透過層34が第1面12Aに形成された第2基板12の第1面12Aと、第1基板11とを、粘着剤層14を介して貼り合わせる。
(元の画像表示における輝度)+(模様に伴う輝度)−(信号処理後の輝度)
=(元の画像表示における輝度)
となる。それ故、発光部の動作時(発光部の点灯時)、模様をキャンセルすることができる。このような信号処理は、周知の信号処理に基づき行うことができるし、信号処理回路は、周知の信号処理回路とすることができる。尚、実際には、模様に伴う輝度は、照明や外光によって異なる場合がある。それ故、元の表示画像から模様の輝度を減じるとき、表示装置の設置環境に依存した係数を「処理後の輝度」に対して乗ずる必要がある場合がある。
[A01]《表示装置:第1の態様》
第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、
光透過部には、反射防止層が形成されている表示装置。
[A02]光透過抑制層は、反射防止機能を有する[A01]に記載の表示装置。
[A03]光透過抑制層は、反射防止層の正反射率と同程度の正反射率を有する[A01]又は[A02]に記載の表示装置。
[A04]反射防止層は、光透過抑制層と第2基板の第2面との間に延在している[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A05]反射防止層は、光透過抑制層を覆っている[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A06]光透過抑制層には模様が付されている[A01]に記載の表示装置。
[A07]模様の形成ピッチは、発光部の配置ピッチの整数倍、等倍又は整数分の一である[A06]に記載の表示装置。
[A08]光透過抑制層の厚さは、光透過部に近づく程、薄い[A01]乃至[A07]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A09]光透過部の外形形状を、直径D1の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から光透過部までの距離をL1とし、
発光部から、光透過部が設けられた光透過抑制層に至るまでの光路の平均屈折率をn1としたとき、
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A10]発光部の中心及び光透過部の中心は、同じ軸線上にある[A09]に記載の表示装置。
[A11]各発光部に対応して、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、光透過部の面積よりも小さい[A01]乃至[A10]のいずれか1項に記載の表示装置。
[A12]第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第2の光透過部までの距離をL2とし、
発光部から、第2の光透過部が設けられた光不透過層に至るまで光路の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足する[A11]に記載の表示装置。
[A13]発光部の中心、光透過部の中心、及び、第2の光透過部の中心は、同じ軸線上にあり、
光透過部と第2の光透過部とは相似形である[A12]に記載の表示装置。
[B01]《表示装置:第2の態様》
第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる第1の光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、第1の光透過部の面積よりも小さい表示装置。
[B02]光透過抑制層は、反射防止機能を有する[B01]に記載の表示装置。
[B03]光透過抑制層には模様が付されている[B01]に記載の表示装置。
[B04]模様の形成ピッチは、発光部の配置ピッチの整数倍、等倍又は整数分の一である[B03]に記載の表示装置。
[B05]光透過抑制層の厚さは、第1の光透過部に近づく程、薄い[B01]乃至[B04]のいずれか1項に記載の表示装置。
[B06]第1の光透過部の外形形状を、直径D1の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第1の光透過部までの距離をL1とし、
発光部から、光透過部が設けられた光透過抑制層に至るまでの光路の平均屈折率をn1としたとき、
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する[B01]乃至[B05]のいずれか1項に記載の表示装置。
[B07]第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第2の光透過部までの距離をL2とし、
発光部から、第2の光透過部が設けられた光不透過層に至るまで光路の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足する[B06]に記載の表示装置。
[B08]発光部の中心、第1の光透過部の中心、及び、第2の光透過部の中心は、同じ軸線上にあり、
第1の光透過部と第2の光透過部とは相似形である[B06]又は[B07]に記載の表示装置。
[B09]第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
第2基板の第2面側又は第1面側には模様表示装置が配されており、模様表示装置に模様を表示する表示装置。
[B10]模様表示装置は、電子ペーパー、又は、透明な液晶表示装置から成る[B09]に記載の表示装置。
[B11]模様表示装置に模様を表示するときには、発光部において画像を表示せず、発光部において画像を表示するときには、模様表示装置に模様を表示しない[B09]又は[B10]に記載の表示装置。
[B12]第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
第2基板の第1面側には模様が形成されている表示装置。
[B13]模様は、第2基板の第1面の下に位置する層の凹凸によって発現される[B12]に記載の表示装置。
[C01]発光部は、発光ダイオードから成る[A01]乃至[B13]のいずれか1項に記載の表示装置。
[C02]各発光部は、一直線上に配置された複数の発光ダイオードから成る[A01]乃至[B13]のいずれか1項に記載の表示装置。
[C03][A01]乃至[C02]のいずれか1項に記載の表示装置が、複数、配列されて成るタイリング形式の表示装置。
[C04]タイル毎に、異なる色又は模様を施した[C03]に記載のタイリング形式の表示装置。
Claims (21)
- 第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、
光透過部には、反射防止層が形成されている表示装置。 - 光透過抑制層は、反射防止機能を有する請求項1に記載の表示装置。
- 反射防止層は、光透過抑制層と第2基板の第2面との間に延在している請求項1に記載の表示装置。
- 反射防止層は、光透過抑制層を覆っている請求項1に記載の表示装置。
- 光透過抑制層には模様が付されている請求項1に記載の表示装置。
- 模様の形成ピッチは、発光部の配置ピッチの整数倍、等倍又は整数分の一である請求項5に記載の表示装置。
- 光透過抑制層の厚さは、光透過部に近づく程、薄い請求項1に記載の表示装置。
- 光透過部の外形形状を、直径D1の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から光透過部までの距離をL1とし、
発光部から、光透過部が設けられた光透過抑制層に至るまでの光路の平均屈折率をn1としたとき、
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する請求項1に記載の表示装置。 - 各発光部に対応して、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、光透過部の面積よりも小さい請求項1に記載の表示装置。 - 第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第2の光透過部までの距離をL2とし、
発光部から、第2の光透過部が設けられた光不透過層に至るまで光路の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足する請求項9に記載の表示装置。 - 第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第1基板、
第1基板と対向して配置され、第1基板の第2面と対向する第1面、及び、該第1面と対向する第2面を有する第2基板、並びに、
第1基板の第2面に、第2基板と離間して設けられた複数の発光部、
を備えており、
各発光部に対応して、第2基板の第2面には、発光部からの光を透過させる第1の光透過部が設けられた光透過抑制層が形成されており、第2基板の第1面側には、発光部からの光を透過させる第2の光透過部が設けられた光不透過層が形成されており、
第2の光透過部の面積は、第1の光透過部の面積よりも小さい表示装置。 - 光透過抑制層は、反射防止機能を有する請求項11に記載の表示装置。
- 光透過抑制層には模様が付されている請求項11に記載の表示装置。
- 模様の形成ピッチは、発光部の配置ピッチの整数倍、等倍又は整数分の一である請求項13に記載の表示装置。
- 光透過抑制層の厚さは、第1の光透過部に近づく程、薄い請求項11に記載の表示装置。
- 第1の光透過部の外形形状を、直径D1の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第1の光透過部までの距離をL1とし、
発光部から、光透過部が設けられた光透過抑制層に至るまでの光路の平均屈折率をn1としたとき、
tan(sin-1(1/n1))≦(D1−D0)/(2・L1)≦2
を満足する請求項11に記載の表示装置。 - 第2の光透過部の外形形状を、直径D2の円形とみなし、
発光部を直径D0の円形とみなし、発光部の頂面から第2の光透過部までの距離をL2とし、
発光部から、第2の光透過部が設けられた光不透過層に至るまで光路の平均屈折率をn2としたとき、
tan(sin-1(1/n2))≦(D2−D0)/(2・L2)≦2
を満足する請求項16に記載の表示装置。 - 発光部は、発光ダイオードから成る請求項1又は請求項11に記載の表示装置。
- 各発光部は、一直線上に配置された複数の発光ダイオードから成る請求項18に記載の表示装置。
- 請求項1乃至請求項19のいずれか1項に記載の表示装置が、複数、配列されて成るタイリング形式の表示装置。
- タイル毎に、異なる色又は模様を施した請求項20に記載のタイリング形式の表示装置。
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