JP2014181142A - サファイア単結晶育成用坩堝 - Google Patents
サファイア単結晶育成用坩堝 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014181142A JP2014181142A JP2013055608A JP2013055608A JP2014181142A JP 2014181142 A JP2014181142 A JP 2014181142A JP 2013055608 A JP2013055608 A JP 2013055608A JP 2013055608 A JP2013055608 A JP 2013055608A JP 2014181142 A JP2014181142 A JP 2014181142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- sapphire single
- tungsten
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】タングステンまたはタングステン合金からなる坩堝1の内周面のうち、サファイア単結晶の育成中において、少なくともサファイア原料融液5の上面と接触する部分に固着防止層7を形成する。この固着防止層は、タングステンまたはタングステン合金を構成する成分と、5質量%以上の金属元素M(Mは、Pt、Pd、Re、Rh、Irから選択される1種以上の元素)との合金により構成されており、その表面におけるタングステンの含有率が20質量%以上であり、金属元素Mの含有率が20質量%以上であり、かつ、その厚さが0.05μm〜50μmの範囲にある。
【選択図】図1
Description
以下、本発明のサファイア単結晶育成用坩堝について、坩堝本体と固着防止層に分けて、詳細に説明をする。
本発明のサファイア単結晶育成用坩堝の材質としては、その融点が、サファイアの融点(2040℃)よりも高い、具体的に、2400℃以上の融点を有する、高温耐久性を有するものであることが必要である。
本発明のサファイア単結晶育成用坩堝は、その内周面のうち、サファイア単結晶の育成中において、少なくともサファイア原料融液の上面と接触する部分に、固着防止層が形成されていることを特徴とする。この固着防止層は、タングステンまたはタングステン合金を構成する成分と、5質量%以上の金属元素M(Mは、Pt、Pd、Re、Rh、Irから選択される1種以上の元素)との合金からなる合金層により構成される。この固着防止層の表面におけるタングステンの含有率は20質量%以上であり、金属元素Mの含有率は20質量%以上であり、かつ、固着防止層の厚さは0.05μm〜50μmの範囲にある。
本発明のサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法のうち、坩堝本体を製造するための手段については、特に限定されることなく、粉末治金法などの従来の技術によって製造することが可能である。このため、以下、坩堝本体の製造方法の説明は省略し、主として固着防止層を形成するための手段および手順について説明する。
後述する溶解試験実施後に、坩堝に形成した固着防止層を目視で観察することにより、該固着防止層の状態について評価した。具体的には、固着防止層が溶融していたり、剥離していたりしたものは「不良(×)」と評価し、溶融や剥離が生じなかったもの「良(○)」と評価した。
坩堝からサファイア単結晶を取り出した後に、該サファイア単結晶を目視で観察することにより、固着防止層の形成による効果について確認した。具体的には、サファイア単結晶が坩堝に固着したり、取り出す際に割れが生じたりした場合には「不良(×)」と評価し、固着や割れが生じなかった場合は「良(○)」と評価した。
[サファイア単結晶育成用坩堝の作製]
図1に示すような形状を有する、サファイア単結晶育成用のタングステン坩堝(1)を用意した。この坩堝(1)は、開口側(2)の内径が153mm、底面側(3)の内径が150mm、厚さが5mm、高さが150mmであり、開口側(2)の内径が、底面側(3)の内径よりも2%広くなるようにテーパが付けられているものであった。なお、この坩堝(1)は、粉末治金法により製造されたものであった。
このようにして得られたサファイア単結晶育成用坩堝に、2kgのアルミナを入れて、カーボンヒータを用いた抵抗加熱式の溶解炉を用いて、約2100℃まで加熱することにより溶解した。その後、炉内で除冷することにより、サファイア単結晶を得た。
坩堝材料、被覆層を構成する金属、加熱処理の温度および時間を表1に示す条件としたこと以外は、実施例1と同様にして、サファイア単結晶育成用坩堝を、それぞれ製造した。
実施例1〜18は、本発明の技術的範囲に属するサファイア単結晶育成用坩堝を使用した例である。実施例1〜18により得られたサファイア単結晶は、坩堝に固着していなかったため、容易に坩堝から取り出すことができた。また、取り出したサファイア単結晶には割れなども生じていなかった。さらに、サファイア単結晶を取り出した後、坩堝の外周面を観察した結果、固着防止層の溶融や剥離などは生じていないことが確認された。
2 開口側
3 底面側
4 内周面
5 サファイア原料融液
6 接触部
7 固着防止層
Claims (5)
- 融点が2400℃以上で、かつ、2040℃における熱膨張係数が8×10-6/℃以下であるタングステンまたはタングステンを含む合金からなり、内周面のうち、サファイア単結晶の育成中において、少なくともサファイア原料融液の上面と接触する部分に固着防止層が形成されており、
該固着防止層は、タングステンまたはタングステン合金を構成する成分と、5質量%以上の金属元素M(Mは、Pt、Pd、Re、Rh、Irから選択される1種以上の元素)との合金により構成されており、
該固着防止層の表面におけるタングステンの含有率が20質量%以上、かつ、金属元素Mの含有率が20質量%以上であって、
該固着防止層の厚さが0.05μm〜50μmである、
サファイア単結晶育成用坩堝。 - 前記タングステン合金は、タングステンとモリブデンとの合金からなる、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記固着防止層の厚さは0.1μm〜10μmである、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記固着防止層の表面におけるタングステンの含有率は、20質量%〜50質量%である、請求項1に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
- 前記タングステンとモリブデンとの合金におけるタングステンの含有率は、30質量%以上である、請求項2に記載のサファイア単結晶育成用坩堝。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055608A JP6060755B2 (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | サファイア単結晶育成用坩堝およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013055608A JP6060755B2 (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | サファイア単結晶育成用坩堝およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014181142A true JP2014181142A (ja) | 2014-09-29 |
JP6060755B2 JP6060755B2 (ja) | 2017-01-18 |
Family
ID=51700196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013055608A Expired - Fee Related JP6060755B2 (ja) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | サファイア単結晶育成用坩堝およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6060755B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190122495A (ko) * | 2018-04-20 | 2019-10-30 | 한국생산기술연구원 | 세라믹 단결정 잉곳의 취출 방법 |
JP2020090403A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Tdk株式会社 | 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010132544A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Schott Ag | 高融点材料加工用坩堝、及び該坩堝中における高融点材料の加工方法 |
JP2011042560A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-03-03 | Shinshu Univ | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 |
-
2013
- 2013-03-18 JP JP2013055608A patent/JP6060755B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010132544A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Schott Ag | 高融点材料加工用坩堝、及び該坩堝中における高融点材料の加工方法 |
JP2011042560A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-03-03 | Shinshu Univ | サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190122495A (ko) * | 2018-04-20 | 2019-10-30 | 한국생산기술연구원 | 세라믹 단결정 잉곳의 취출 방법 |
KR102039055B1 (ko) * | 2018-04-20 | 2019-10-31 | 한국생산기술연구원 | 세라믹 단결정 잉곳의 취출 방법 |
JP2020090403A (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Tdk株式会社 | 単結晶育成用ルツボ、単結晶製造方法及び単結晶 |
JP7155968B2 (ja) | 2018-12-04 | 2022-10-19 | Tdk株式会社 | 単結晶育成用ルツボ及び単結晶製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6060755B2 (ja) | 2017-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4924200B2 (ja) | SiC単結晶の製造装置および製造方法 | |
WO2014050585A1 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | |
JP5741652B2 (ja) | n型SiC単結晶及びその製造方法 | |
JP2017075382A (ja) | 無酸素銅板、無酸素銅板の製造方法およびセラミック配線基板 | |
JP2011195423A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP2007238343A (ja) | Iii族窒化物単結晶の育成方法 | |
JP6060755B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびその製造方法 | |
JP2012193423A (ja) | Cu−Ga合金材およびその製造方法 | |
KR101074304B1 (ko) | 금속 실리콘과 그 제조 방법 | |
JP2016033102A (ja) | サファイア単結晶およびその製造方法 | |
JP5949622B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝 | |
JP6357146B2 (ja) | 酸化物セラミック単結晶製造のための坩堝 | |
JP2015189616A (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP6134814B2 (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝、サファイア単結晶育成方法およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | |
TWI625400B (zh) | Copper-gallium alloy sputtering target | |
KR101364587B1 (ko) | 사파이어 단결정 성장장치의 도가니 | |
JPWO2013132629A1 (ja) | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 | |
JP2010265150A (ja) | サファイア単結晶の製造方法及び種結晶の製造方法 | |
JP5776587B2 (ja) | 単結晶製造方法 | |
JP2015140291A (ja) | サファイア単結晶育成用坩堝およびこの坩堝を用いたサファイア単結晶の製造方法 | |
KR101683646B1 (ko) | 사파이어 단결정 성장용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장장치 | |
JP7403101B2 (ja) | 酸化ガリウム結晶育成用るつぼ | |
TWI606129B (zh) | Cu-Ga alloy sputtering target | |
JP2018145518A (ja) | Cu−Ni合金スパッタリングターゲット | |
JP2006342013A (ja) | 単結晶育成用ルツボ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150421 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160315 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160920 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161115 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6060755 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |