JP2014179375A - 熱電変換素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱電変換素子は、Sb系熱電変換材料からなる単位素子と、前記単位素子の両端に接合された電極と、前記Sb系熱電変換材料と少なくとも一方の前記電極との間に設けられたSbを含むフルホイスラー相を含む合金層とを備えている。前記合金層は、Ti(Co,Ni)2Sbが好ましい。また、前記Sb系熱電変換材料は、RxCo4Sb12(Rは、希土類元素。0≦x≦1。)が好ましい。
【選択図】図2
Description
(1)エネルギー変換の際に余分な老廃物を排出しない、
(2)排熱の有効利用が可能である、
(3)材料が劣化するまで継続的に発電を行うことができる、
(4)モータやタービンのような可動装置が不要であり、メンテナンスの必要がない、
等の特徴を有していることから、エネルギーの高効率利用技術として注目されている。
ゼーベック係数は、1Kの温度差によって生じる起電力の大きさを表す。熱電変換材料は、それぞれ固有のゼーベック係数を持っており、ゼーベック係数が正であるもの(p型)と、負であるもの(n型)に大別される。
(1)Bi−Te系、Pb−Te系、Si−Ge系等の化合物半導体、
(2)Zn−Sb系、Co−Sb系、Fe−Sb系等のスクッテルダイト化合物、
(3)TiNiSn等のハーフホイスラー化合物、
などが知られている。
例えば、特許文献1には、
(1)p型熱電変換材料La0.7Ba0.01Ga0.1Ti0.1Fe3Co1Sb12、及び、n型熱電変換材料Yb0.3Ca0.1Al0.1Ga0.1Fe0.25Co3.75Sb12をそれぞれ角柱状に加工し、
(2)電極材料及び電極と素子との間に介在させる接合部材としてそれぞれNi3Tiを用い、溶射処理によってp/n素子の両端を電気的に直列に連結する
ことにより得られる熱電変換モジュールが開示されている。
同文献には、ヒートサイクル試験後においても、熱電変換モジュールの内部抵抗の増加は認められない点が記載されている。
(1)p型熱電変換材料Yb0.7Fe3CoSb12の粉末と、n型熱電変換材料Yb0.4Fe0.5Co3.5Sb12の粉末をカーボンシートを境にして共にカーボンダイスに入れ、
(2)その上にさらにNi55質量%−Ti45質量%からなるNi−Ti合金の薄板を入れ、
(3)アルゴンガス雰囲気中で60MPaの圧力の下でパルス大電流をかけながら、600℃まで加熱し、p型熱電変換材料およびn型熱電変換材料とが一体焼結されたペレットとし、
(4)得られたペレットをダイヤモンドカッターで切り出し、p型、n型各熱電変換材料間のカーボンシートを除去する
ことにより得られる熱電モジュールが開示されている。
同文献には、得られた熱電モジュールは、ヒートサイクル試験後においても内部抵抗の増加は見られない点が記載されている。
同文献には、熱電モジュールをこのような構造とすることにより、ヒートサイクル試験後も接合状態が良好であり、熱電変換部材と電極部材との間に元素の相互拡散が認められない点が記載されている。
同文献には、Ni−Ti合金粉末の放電プラズマ焼結体からなる拡散防止層がSbの拡散を抑制する点が記載されている。
同文献には、TiとCoSb3との反応過程において界面にSbを含むハーフホイスラー相(TiCoSb)やTiSb2が形成される点、及び、Ti−Sbの化合物は厚み100μm程度まで成長する点が記載されている。
すなわち、本発明が解決しようとする課題は、Sb系熱電変換材料を用いた熱電変換素子において、材料特性の変化や耐久性の低下を抑制し、併せて高電気伝導率を達成することにある。
Sb系熱電変換材料からなる単位素子と、
前記単位素子の両端に接合された電極と、
前記Sb系熱電変換材料と少なくとも一方の前記電極との間に設けられたSbを含むフルホイスラー相を含む合金層と
を備えていることを要旨とする。
前記合金層は、Ti(Co,Ni)2Sbが好ましい。
[1. 熱電変換素子]
本発明に係る熱電変換素子は、
Sb系熱電変換材料からなる単位素子と、
前記単位素子の両端に接合された電極と、
前記単位素子と少なくとも一方の前記電極との間に設けられたSbを含むフルホイスラー相を含む合金層と
を備えている。
本発明において「Sb系熱電変換材料」とは、Sbを1原子%以上含む相で構成され、無次元性能指数ZTがいずれかの温度で0.5を超える熱電変換材料をいう。Sb系熱電変換材料は、その組成よってp型になる場合と、n型になる場合とがある。
Sb系熱電変換材料としては、具体的には、以下のような材料がある。
(1)RxCo4Sb12(Rは、希土類元素。0≦x≦1。)などのSb系スクッテルダイト化合物。
(2)Bi0.5Sb1.5Te3などのビスマス・テルル系化合物。
(3)Cu3Sb(S,Se)4などのカルコゲナイド化合物。
(4)(AgSbTe2)0.15(GeTe)0.85などのTAGS化合物。
(5)TiCoSbなどのハーフホイスラー合金。
(6)In0.2Yb0.1Co4Sb12などの充填スクッテルダイト。
これらの中でも、RxCo4Sb12は、中・低温域において高い性能指数を示すので、熱電変換材料として特に好適である。
単位素子の両端には、電極が接合される。電極が接合された単位素子の一端は温接点となり、他方が冷接点となる。
電極の材料は、特に限定されるものではなく、熱電変換素子の使用温度において、熱電変換材料より高い電気伝導率を持つ材料であればよい。一般的に、電極には、電気伝導率及び熱伝導率がともに高い材料(特に、金属材料)が用いられる。
(1)Fe、Co、Niなどの鉄族の合金又は純金属。
(2)Cu、Ag、Auなどの銅族の合金又は純金属。
(3)Ti、Zr、Mnなどの遷移金属の合金又は純金属。
これらの中でも、Cuは、安価であり、かつ、中・低温域において高い電気伝導性を示すので、電極の材料として特に好適である。
単位素子と、少なくとも一方の電極との間には、Sbを含むフルホイスラー相を含む合金層(以下、単に「合金層」ともいう)が形成される。このような合金層は、単位素子の両端に形成されていても良い。
Sbを含むフルホイスラー相は、ABySbで表される化合物を含むものが好ましい。
但し、
yは、1<y≦2、
Aは、Ti、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Hf、Ta、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及び、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素、
Bは、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Ir、Pt、及び、Auからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素。
すなわち、合金層は、少なくともSbを含むフルホイスラー相を含むものであればよく、Sbを含むハーフホイスラー相を追加で含んでいても良い。但し、ハーフホイスラー相のみからなる合金層は、本発明から除外される。電気伝導度が低いからである。
Aは、Ti、Zr、V、及び、Mnからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、
Bは、Fe、Co、Ni、及び、Cuからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である
ものが好ましい。
これらは、安定なホイスラー相を形成しうる元素であり、汎用性のある元素であるため、コスト優位性を持つ接合層を形成可能である。
合金層は、Sbを含むフルホイスラー相のみからなる層でも良く、あるいは、Sbを含むフルホイスラー相と他の相との混合物からなる層でも良い。但し、熱電特性や耐久性に悪影響を及ぼすおそれのある他の相は、少ないほど良い。
(1)これらの材料は、単位素子からのSbの拡散を抑制する効果が大きい。
(2)これらの材料は、700℃以上の温度においても安定で、かつ、電気伝導度が大きいため、接合界面での接触抵抗の増加を抑制する効果が大きい。
(3)これらの材料は、Sb系熱電変換材料と同等の線膨張係数を持っているため、接合界面に熱応力がかかりにくく、熱電変換素子の耐久性を向上させる効果が大きい。
一方で、上記フルホイスラー相を含まず、ハーフホイスラー相からなる合金層では、剥離防止効果が充分でなく、電気伝導度も充分でない。
合金層以外の層としては、具体的には、以下のようなものがある。
(1)単位素子と電極との間に接合部材を介在させ、接合部材と単位素子との固相反応又は固相液相反応により合金層を形成する際に、界面近傍に残留する未反応の接合部材。
(2)接合部材と電極との反応物であって、Sbを含まない化合物。
Sb系熱電変換材料は、中温域で用いられることが多いので、合金層は、少なくとも温接点側に形成されているのが好ましい。
一方、合金層の厚さが厚すぎると、熱電材料内での温度差が小さくなり、発電効率が低下する。従って、合金層の厚さは、単位素子の高さの1/10以下が好ましい。合金層の厚さは、さらに好ましくは、単位素子の高さの1/20以下である。
本発明に係る熱電変換素子は、
(1)Sb系熱電変換材料からなる単位素子を製造し、
(2)単位素子又は電極の接合面にSbが主成分である合金層を形成し、
(3)単位素子の両端に電極を接合する
ことにより製造することができる。
この場合、単位素子の製造工程、合金層の形成工程、及び、電極の接合工程は、それぞれ独立に、かつ、この順で行っても良い。あるいは、各工程で用いられる方法が許容する場合には、2以上の工程を同時に行うこともできる。
(1)溶解鋳造法を用いてSb系熱電変換材料を製造し、鋳塊を機械加工する方法。
(2)Sb系熱電変換材料の粉末を焼結させ、焼結体を機械加工する方法。
(3)Sb系熱電変換材料の粉末を、単位素子の形状に焼結させる方法。
焼結法による場合、焼結と同時に、合金層の形成や電極の接合を行うこともできる。
(1)単位素子と電極とを接合する際に、両者の間に接合部材(合金層の原料となる部材)を介在させ、接合と同時に固相反応又は固相液相反応により合金層を生成させる方法。
(2)溶射、スパッタ、分子線エピタキシー(MBE)、蒸着、焼結、焼成、ろう接などの方法を用いて、単位素子又は電極の接合面に目的とする組成を有する合金層を直接、形成する方法。
このような材料の内、Sbを含まないものとしては、具体的には、Ti層とNi層からなる積層膜、鉄合金、チタン合金、ニッケル合金、マンガン合金などがある。
また、接合部材として、Sbを含む材料を用いても良い。このような材料としては、具体的には、TiNi2Sb、CuNi2Sb、MnNi2Sb、MgNi2Sb、ZrNi2Sb、CoTiSb、CoVSb、CoZrSb、CoNbSb、CuMnSb、CoMnSbなどがある。
これらの材料からなる接合部材とSb系熱電変換材料からなる単位素子を用いて固相反応又は固相液相反応等を行うことにより、Sbを含むフルホイスラー相を含有する合金層を形成することができる。
Sb系熱電変換材料の一種であるSb系スクッテルダイト化合物は、熱電変換材料として有望であり、特に300℃〜600℃で高い熱電特性を有している。特に、RxCo4Sb12では無次元性能指数ZTが1.5を超える組成が報告されている。しかし、Sb系スクッテルダイト化合物は、その特性が高くなる500℃以上ではSbと電極材料(Cu)が反応するため、素子化した際の耐久性に問題があった。
接合実験は、金属箔(接合部材)、及び熱電変換材料を用いて行った。金属箔として、厚み50μmの銅箔、厚み50μm又は3μmのニッケル箔、及び、厚み25μmのチタン箔を用いた。また、熱電変換材料として2.5mm×2.5mm×2.5mmのSb系スクッテルダイト化合物R1Co4Sb12を用いた。金属箔と熱電変換材料との接合は、Ar雰囲気中で0.1MPaの加圧を行い、700℃×15分間の条件で行った。
(1)比較例1(Cuのみ):
図1(a)に示すように、銅箔と熱電変換材料とを重ね合わせ、上記の条件で接合を行った。
(2)比較例2(Cu+Ti):
厚み50μmの銅箔と、厚み25μmのチタン箔を重ね合わせ、放電プラズマ焼結装置で接合した。接合条件は、800℃/10MPa/10分とした。次に、図1(b)に示すように、熱電変換材料/Ti/Cuとなるように重ね合わせ、上記の条件で接合を行った。
(3)比較例3(Niのみ):
図1(c)に示すように、厚み50μmのニッケル箔と熱電変換材料とを重ね合わせ、上記の条件で接合を行った。
厚み50μmの銅箔、厚み25μmのチタン箔及び厚み3μmのニッケル箔をこの順で重ね合わせ、放電プラズマ焼結装置で接合した。接合条件は、800℃/10MPa/10分とした。次に、図1(d)に示すように、熱電変換材料/Ni/Ti/Cuとなるように重ね合わせ、上記の条件で接合を行った。
(5)実施例2(及び、実施例3)(Cu+Ni+Ti+Ni):
厚み50μmの銅箔、厚み3μmのニッケル箔、厚み25μmのチタン箔及び厚み3μmのニッケル箔をこの順で重ね合わせ、放電プラズマ焼結装置で接合した。接合条件は、800℃/10MPa/10分とした。次に、図1(e)に示すように、熱電変換材料/Ni/Ti/Ni/Cuとなるように重ね合わせ、上記の条件で接合を行った。
[2.1. 接合界面の観察]
接合実験を行った後、各試料を樹脂に埋め込み、研磨を行った。次いで、電子顕微鏡を用いて接合界面を観察した。
[2.2. 電気伝導率測定と耐久試験]
接合実験を行った後、4端子法を用いて、各試料の電気抵抗測定を行った。
さらに、接合実験を行った試料を炉の中に入れ、Ar雰囲気中で600℃まで温度を上げ、室温まで冷却した。その後、4端子法を用いて、電気抵抗測定を行った。
[3.1. 接合面の観察]
反応後の様子は、以下の通りである。
(1)比較例1(Cuのみ):
Cuが熱電変換材料中に完全に拡散した。接合層が形成されず、Sbを含むフルホイスラー相は生成しなかった。
(2)比較例2(Cu+Ti):
Tiと熱電変換材料中のSbとが反応し、Sbを含むフルホイスラー相が生成せず、TiSb2相が生成した。
(3)比較例3(Niのみ)
Niが熱電変換材料中に完全に拡散した。接合層が形成されず、Sbを含むフルホイスラー相が生成しなかった。
接合部材と熱電変換材料の間に、Sbを含むフルホイスラー相であるTi(Co,Ni)xSb相(1<x≦2)が生成した(図2参照)。
(5)実施例2(及び、実施例3)(Cu+Ni+Ti+Ni):
接合部材と熱電変換材料の間に、Sbを含むフルホイスラー相であるTi(Co,Ni)xSb相(1<x≦2)が生成した。
(1)どの金属箔を用いても、熱電変換材料と金属箔の界面にはSbを含む化合物が生成した。金属箔の一部がSbと反応せずに残っている場合もあったが、Sbと反応しない金属箔はなかった。
(2)比較例2ではSbを含む化合物として、TiSb2が生成した。実施例1、2では、Sbを含むフルホイスラー相として、Ti(Co,Ni)2Sbが確認された。
(4)接合界面に、Sbを含むフルホイスラー相であるTi(Co,Ni)2Sbが生成した場合、反応層(合金層)の厚さは10μm程度であった。
(5)試料を研磨した際、TiSb2は深く削られていた。これらの化合物は柔らかく、強い接合に向かないことが分かった。また、比較例2は、耐久試験後に合金層で剥離した。
表1に、各試料の接触抵抗を示す。
比較例1及び比較例3は、接合直後に接合部から剥離したため、測定できなかった。比較例2及び実施例2について、接合直後に電気抵抗測定を行ったところ、接合界面での接触抵抗は、それぞれ、21.3×10-9Ωm2及び6.6×10-9Ωm2であった。
実施例2については、その後、耐久試験(室温と600℃の往復)を5回繰り返した後、再度接触抵抗を測定した(実施例3)。その結果、耐久試験前と比較して、接触抵抗の変化は、10%以内であった。
一方、比較例2について、実施例2と同様の耐久試験を行ったところ、合金層で剥離したため、耐久試験後の電気伝導率を測定することができなかった。
Niを50at%以上含むTi−Ni合金の粉末及び薄板とSb系スクッテルダイト粉末を用いて実験を行った。接合手法は特許文献2に倣い、焼結条件は600℃/60MPaとした。その結果、Sb系スクッテルダイトと合金粉末の間には、Co、Ni、Sbを含む合金層が形成されたが、ホイスラー相は見つからなかった(図3参照)。
上記粉末を用いた接合では、、Co−Ni−Sb合金が接合層となっていることが分かったが、Ti−Ni合金とスクッテルダイトの界面、つまりCo−Ni−Sb合金層で剥離が起こり、接合強度が十分でないことも判明した。
Ti3Ni粉末とSb系スクッテルダイト粉末を用いて実験を行った。接合手法は特許文献4に倣い、焼結条件は650℃/40MPaとした。その結果、Sb系スクッテルダイトと合金粉末の間には、Tiの酸化物相及びCo−Ni−Sb合金が形成されていた(図4参照)。
微細組織を観察したところ、Ti−Ni合金層がポーラスであった。また、Sb系スクッテルダイトとの界面に形成されたTi酸化物相により界面における抵抗が高くなっており、高抵抗な接合となっていることが分かった。
Claims (6)
- Sb系熱電変換材料からなる単位素子と、
前記単位素子の両端に接合された電極と、
前記単位素子と少なくとも一方の前記電極との間に設けられたSbを含むフルホイスラー相を含む合金層と
を備えた熱電変換素子。 - 前記Sbを含むフルホイスラー相は、ABySbで表される化合物を含む請求項1に記載の熱電変換素子。
但し、
yは、1<y≦2、
Aは、Ti、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Hf、Ta、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及び、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素、
Bは、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Ir、Pt、及び、Auからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素。 - Aは、Ti、Zr、V、及び、Mnからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、
Bは、Fe、Co、Ni、及び、Cuからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素である
請求項2に記載の熱電変換素子。 - 前記合金層は、Ti(Co,Ni)2Sbを含む請求項3に記載の熱電変換素子。
- 前記Sb系熱電変換材料は、RxCo4Sb12(Rは、希土類元素。0≦x≦1。)からなる請求項1から4までのいずれか1項に記載の熱電変換素子。
- 前記電極は、Cuからなる請求項1から5までのいずれか1項に記載の熱電変換素子。
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