JP2014179148A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014179148A JP2014179148A JP2013053499A JP2013053499A JP2014179148A JP 2014179148 A JP2014179148 A JP 2014179148A JP 2013053499 A JP2013053499 A JP 2013053499A JP 2013053499 A JP2013053499 A JP 2013053499A JP 2014179148 A JP2014179148 A JP 2014179148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- signal
- read
- signal line
- register
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/10—Decoders
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
【課題】消費電流を削減し、動作速度を高速化することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の第1の電位選択回路22は、第1の制御信号に従って電位生成回路の出力電圧のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する。第2の電位選択回路5は、複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線が接続され、第2の制御信号に従って、第1の信号線の電位をロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する。第1の放電回路は、第1の電位選択回路に設けられ、第1の信号線に接続されている。第2の放電回路は、第2の電位選択回路に設けられ、第2の信号線に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、電気的書き換え可能な不揮発性半導体記憶装置に関する。
不揮発性半導体記憶装置、例えばNANDフラッシュメモリは大容量化されている。これに伴い、ビット密度を向上するためのアプローチとして、メモリセルを積層した三次元構造のNANDフラッシュメモリが提案されている。
ISSCC2008 : 23.6 A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology, [Toshiba Semiconductor, SanDisk]
ONFI 3.0 仕様書、http://www.micron.com/~/media/Documents/Products/Other%20Documents/ONFI3_0Gold.ashx 186ページ
本実施形態は、消費電流を削減し、動作速度を高速化することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供するものである。
本実施形態の不揮発性半導体記憶装置によれば、複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに接続されたロウデコーダと、複数の電位を生成する電位生成回路と、前記電位生成回路に接続され、第1の制御信号に従って前記電位生成回路の出力電位のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する複数の第1の電位選択回路と、前記複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線に接続され、第2の制御信号に従って、前記第1の信号線の電位を前記ロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する第2の電位選択回路と、前記第1の電位選択回路に設けられ、前記第1の信号線に接続された第1の放電回路と、前記第2の電位選択回路に設けられ、前記第2の信号線に接続された第2の放電回路とを具備することを特徴とする。
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態が適用される例えば三次元積層不揮発性半導体記憶装置を概略的に示している。
この不揮発性半導体記憶装置は、メモリコア部(以下、単に、コア部と称す)MC0、及び周辺回路部4により構成されている。コア部MC0は、メモリセルアレイ1と、ロウデコーダ2と、キャッシュ及びセンスアンプ(S/A)3により構成されている。メモリセルアレイ1は、三次元積層構造をなし、ロウデコーダ2は、ワード線電位とブロックを選択する。キャッシュ及びセンスアンプ3は、書込みデータや読み出しデータを蓄積するキャッシュと、ビット線の電位を検知するセンスアンプを含んでいる。
周辺回路部4は、第1のバッファ11と、第2のバッファ12と、コマンドデコーダ13と、アドレスバッファ14と、データバッファ15と、出力バッファ16と、ステートマシン17と、ロウ系制御レジスタ(RCR)(以下、単にコントロールレジスタと称す)18と、電圧制御レジスタ(VCR)(以下、単にコントロールレジスタと称す)19と、電圧レギュレータ20と、昇圧回路としてのチャージポンプ回路21と、第1の電位選択回路としての制御ゲート(CG)ドライバ22と、選択ゲート(SG)ドライバ23と、分配器24と、により構成されている。
第1のバッファ11は、各種制御ピンの情報CEnx、WEnx、REnx、CLEx、ALEx、WPnxを受け取る。CEnxは、チップイネーブル信号、WEnxは、ライト・イネーブル信号、REnxは、リード・イネーブル信号、CLExは、コマンド・ラッチ・イネーブル信号、ALExは、アドレス・ラッチ・イネーブル信号、WPnxは、ライト・プロテクト信号である。
第2のバッファ12は、入出力ピンIOx<7:0>よりアドレス、データ、コマンドコードなどを受け取るとともに、メモリセルから読み出されたデータを入出力ピンIOx<7:0>に出力する。
コマンドデコーダ13は、第1のバッファ11と第2のバッファ12の状態をデコードして必要なコマンドを生成する。
アドレスバッファ14は、第1のバッファ11と第2のバッファ12の状態をデコードして必要なアドレスを解釈する。
データバッファ15は、第1のバッファ11と第2のバッファ12の状態をデコードして必要な書き込みデータを解釈する。
出力バッファ16は、読み出しデータを第2のバッファ12に送ったり必要なデータを選択したりする。
アドレスバッファ14は、第1のバッファ11と第2のバッファ12の状態をデコードして必要なアドレスを解釈する。
データバッファ15は、第1のバッファ11と第2のバッファ12の状態をデコードして必要な書き込みデータを解釈する。
出力バッファ16は、読み出しデータを第2のバッファ12に送ったり必要なデータを選択したりする。
ステートマシン17は、受け取ったコマンドを解釈して読み出しや書き込み、消去等を制御する。
コントロールレジスタ18は、ステートマシン17の制御により、ロウデコーダ2等のロウ系の回路を制御する。
コントロールレジスタ19は、電圧レギュレータ20やチャージポンプ回路21を制御する。
電圧レギュレータ20は、コントロールレジスタ19の出力信号に基づき、例えば電圧VCGRVを出力する。
チャージポンプ回路21は、コントロールレジスタ19の出力信号に基づき、例えば書き込み選択電圧VPGM、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ非選択電圧VREADを生成する。SGドライバ23は、アドレスバッファ14の出力信号に基づき、メモリセルアレイ1を構成する選択ゲートを制御する。
コントロールレジスタ18は、ステートマシン17の制御により、ロウデコーダ2等のロウ系の回路を制御する。
コントロールレジスタ19は、電圧レギュレータ20やチャージポンプ回路21を制御する。
電圧レギュレータ20は、コントロールレジスタ19の出力信号に基づき、例えば電圧VCGRVを出力する。
チャージポンプ回路21は、コントロールレジスタ19の出力信号に基づき、例えば書き込み選択電圧VPGM、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ非選択電圧VREADを生成する。SGドライバ23は、アドレスバッファ14の出力信号に基づき、メモリセルアレイ1を構成する選択ゲートを制御する。
ステートマシン17は、コントロールレジスタ18を制御し、コントロールレジスタ18は、初期化信号CG_INITnと、クロック信号CGCLKと、データCGDATA<3:0>と、クロック信号CGENとによりCGドライバ22を制御する。初期化信号CG_INITnは、後述するCGドライバ22内のレジスタを初期化するための信号である。クロック信号CGCLKは、CGドライバ22内のレジスタにデータを蓄積するための信号である。データCGDATA<3:0>は、クロック信号CGCLKに同期して転送されるデータである。クロック信号CGENは、CGドライバ22内のレジスタにデータを蓄積するための信号である。
さらに、コントロールレジスタ18は、コア部MC0に配置された第2の電位選択回路としての高電圧スイッチ(以下、HVSWと称す)5に、信号UA_INITnと、クロック信号UACLKと、データUADATAと、クロックUAENを供給する。信号UA_INITnは、レジスタを初期化する。クロック信号UACLKは、レジスタにデータを蓄積する際のクロック信号である。データUADATAは、クロック信号UACLKに同期して変わる。クロック信号UAENは、HVSW5に配置されたレジスタにデータを蓄積する際に必要である。
CGドライバ(第1の電位選択回路)22、及びHVSW(第2の電位選択回路)5の構成及び動作は後述する。
選択ゲートドライバ23は、メモリセルアレイ1内の選択ゲートを制御する。
分配器24は、入出力データの転送を制御する。
選択ゲートドライバ23は、メモリセルアレイ1内の選択ゲートを制御する。
分配器24は、入出力データの転送を制御する。
図2は、図1に示すメモリセルアレイ1の概略構成を示している。
なお、図2は、4層分だけ積層されたメモリセルMCを下端で折り返し、8個のメモリセルMCを直列接続することでNANDストリングNSを形成している。しかし、メモリセルの積層数、メモリセルの数は、これに限定されるものではない。
なお、図2は、4層分だけ積層されたメモリセルMCを下端で折り返し、8個のメモリセルMCを直列接続することでNANDストリングNSを形成している。しかし、メモリセルの積層数、メモリセルの数は、これに限定されるものではない。
図2において、半導体基板SBには回路領域RAが設けられ、回路領域RA上にはメモリ領域RBが設けられている。
回路領域RAにおいて、半導体基板SB上には回路層CUが形成されている。回路層CUには、図1に示すロウデコーダ2、キャッシュ及びセンスアンプ3、周辺回路部4を構成する回路のうち全部又は一部を形成することができる。メモリセル領域RBには、図1のメモリセルアレイ1を形成することができる。
また、メモリセル領域RBにおいて、回路層CU上にはバックゲート層BGが形成され、バックゲート層BGには接続層CPが形成されている。接続層CP上には、柱状体MP1、MP2が隣接して配置され、柱状体MP1、MP2の下端は接続層CPを介して互いに接続されている。
また、接続層CP上には、4層分のワード線WL3〜WL0が順次積層されるとともに、ワード線WL3〜WL0にそれぞれ隣接するように4層分のワード線WL4〜WL7が順次積層されている。ワード線WL4〜WL7が柱状体MP1により貫かれるとともに、ワード線WL0〜WL3が柱状体MP2により貫かれることで、NANDストリングNSが構成されている。
また、柱状体MP1、MP2上には柱状体SP1、SP2がそれぞれ形成されている。
最上層のワード線WL7の上方には、柱状体SP1により貫かれたセレクトゲート電極SG1が形成され、最上層のワード線WL0の上方には、柱状体SP2により貫かれたセレクトゲート電極SG2が形成されている。
また、セレクトゲート電極SG2の上方には、柱状体SP2に接続されたソース線SLが設けられ、セレクトゲート電極SG1上方には、プラブPGを介して柱状体SP1に接続されたビット線BL1〜BL6がカラムごとに形成されている。なお、柱状体MP1、MP2は、ビット線BL1〜BL6とワード線WL0〜WL7との交点に配置することができる。
図3は、図2に示す点線E部分を拡大して示す断面図である。
図3において、ワード線WL0〜WL3とワード線WL4〜WL7との間には絶縁体ILが埋め込まれている。
ワード線WL0〜WL3間及びワード線WL4〜WL7間には層間絶縁膜45が形成されている。
また、ワード線WL0〜WL3及び層間絶縁膜45には、それらを積層方向に貫通する貫通孔KA2が形成され、ワード線WL4〜WL7及び層間絶縁膜45には、それらを積層方向に貫通する貫通孔KA1が形成されている。貫通孔KA1内には柱状体MP1が形成されるとともに、貫通孔KA2内には柱状体MP2が形成されている。
柱状体MP1、MP2の中心には柱状半導体41が形成されている。貫通孔KA1、KA2の内面と柱状半導体41との間にはトンネル絶縁膜42が形成され、貫通孔KA1、KA2の内面とトンネル絶縁膜42との間にはチャージトラップ層43が形成され、貫通孔KA1、KA2の内面とチャージトラップ層43との間にはブロック絶縁膜44が形成されている。
柱状半導体41は、例えば、ポリシリコンなどの半導体を用いて形成することができる。トンネル絶縁膜42及びブロック絶縁膜44は、例えば、シリコン酸化膜を用いて形成することができる。チャージトラップ層43は、例えば、シリコン窒化膜又はONO膜(シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の3層積層構造)を用いて形成することができる。
図4(a)は、図1に示す不揮発性半導体記憶装置の周辺回路部を概略的に示す断面図、図4(b)は、図1に示す不揮発性半導体記憶装置のワード線引き出し部を概略的に示す断面図、図4(c)は、図2に示すA−A線に沿った断面図、図4(d)は、図2のB−B線に沿った断面図である。
図4(a)〜図4(d)において、メモリ領域RBの周辺には周辺領域RCが設けられている。なお、周辺領域RCには回路領域RAを設けることができる。また、メモリ領域RBには、メモリセル領域RB1及び引き出し領域RB2が設けられている。回路領域RAにおいて、半導体基板SBには素子分離領域としてのSTI(shallow trench isolation)31が形成され、STI31により分離されたアクティブ領域には拡散層32が形成され、拡散層32間のチャネル領域上にゲート電極33が配置されることでトランジスタが形成されている。
また、トランジスタが形成された半導体基板SB上には層間絶縁膜34が形成され、層間絶縁膜34にはプラグ35及び配線36が埋め込まれている。配線36上には層間絶縁膜37、40が形成されている。
また、メモリセル領域RB1において、層間絶縁膜40上には、バックゲート層BGが形成され、バックゲート層BGには接続層CPが形成されている。ワード線WL3〜WL0が層間絶縁膜45を介して順次積層されるとともに、ワード線WL4〜WL7が層間絶縁膜45を介して順次積層されている。
さらに、ワード線WL0上には層間絶縁膜46を介してセレクトゲート電極SG2が形成され、ワード線WL7上には層間絶縁膜46を介してセレクトゲート電極SG1が形成されている。また、セレクトゲート電極SG1、SG2間には層間絶縁膜47が埋め込まれている。
さらに、セレクトゲート電極SG2上には層間絶縁膜48を介してソース線SLが形成され、ソース線SLは層間絶縁膜49にて埋め込まれている。また、セレクトゲート電極SG1及びソース線SL上には層間絶縁膜50を介してビット線BL1が形成されている。
また、周辺領域RCにおいて、層間絶縁膜40上には層間絶縁膜61,62,68が形成されている。層間絶縁膜37、40、61、62、68には、プラグ64、66及び配線65、67が埋め込まれている。ここで、図4に示す周辺領域RCは、図1の周辺回路部4、図4のRB部は図1のコア部MC0の全部又は一部に対応させることができる。
図5は、ワード線電位転送系の系統図を示す図であり、図1と同一部分には同一符号を付している。
周辺回路部4に少なくとも1つ配置されたCGドライバ(第1の電位選択回路)22は、書き込み選択電圧VPGM、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ選択電圧VCGRV、読み出しやベリファイ非選択電圧VREADなど、複数のチャージポンプ回路21や電圧レギュレータ20の出力電位の内の1つを選択して1つの第1のワード線信号(以下、CG線と称す)の電位を決定する。図5に示す例では、16層積層時を想定してワード線が32本ある場合を示している。CG線は、コア部MC0に引き込まれる。
ここでは、異なる2つのコア部MC0、通常プレーンと呼ばれる複数のブロックが配置され、且つビット線を共有する単位からなる例を示している。それぞれのコア部MC0は、HVSW(第2の電位選択回路)5を有し、CG線は、必要に応じて負荷分散などを目的として、複数の第2のワード線信号CGI、CGIS(以下、CGI線と称す)に分割される。これらCGI線は、ロウデコーダ2に接続され、最終的にはメモリセルアレイのワード線に接続される。
(第1の実施形態)
図6は、第1の電位選択回路としてのCGドライバ22、第2の電位選択回路としてのHVSW5、及びロウデコーダ2の構成を示している。
図6は、第1の電位選択回路としてのCGドライバ22、第2の電位選択回路としてのHVSW5、及びロウデコーダ2の構成を示している。
CGドライバ22、及びHVSW5は、それぞれ複数のCGドライバユニット22−0、22−1〜22−31、複数のHVSWユニット5−0、5−1〜5−31により構成されている。すなわち、CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31、及びHVSWユニット5−0、5−1〜5−31は、各CG線、CGI線に1ユニットずつ配置されている。ここではそれぞれ32個のユニットにより構成された例を示している。
CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31のそれぞれは、コントロールレジスタ18から出力される信号CG_INITn、CGCLK、CGENを受けるとともに、ポンプ回路21、電圧レギュレータ20から供給される書き込み選択電圧VPGM、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ非選択電圧VREAD、読み出しやベリファイ選択電圧VCGRVも各ユニットに共通して入力される。但し、図6において、CGドライバユニット22−1〜22−31へのVPGM、VPASS、VREAD、VCGRVの供給は省略している。
さらに、CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31は、そのデータ線が直列に接続されている。具体的には、CGドライバユニット22−0の入力ポートCGDATA<3:0>には、コントロールレジスタ18の出力信号CGDATA<3:0>が供給され、CGドライバユニット22−0の出力ポートrCGDATA<3:0>の信号は、CGドライバユニット22−1の入力ポートCGDATA<3:0>に供給される。以下CGドライバユニット22−31の入力ポートまで、データ線が直列に接続される。
また、CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31の出力ポートCG<0>〜CG<31>は、対応するHVSWユニット5−0、5−1〜5−31の入力ポートCGに接続される。
HVSWユニット5−0、5−1〜5−31は、CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31から出力されるCG信号、コントロールレジスタ18から出力される信号UA_INITn、UACLK、UAENを受ける。
HVSWユニット5−0、5−1〜5−31は、CGドライバユニット22−0、22−1〜22−31と同様に、データ線が直列接続されている。具体的には、HVSWユニット5−0の入力ポートUADATAには、コントロールレジスタ18の出力信号UADATAが供給され、HVSWユニット5−0の出力ポートrUADATAはHVSWユニット5−1の入力ポートUADATAに接続されている。以下、HVSWユニット5−31の入力ポートまで、データ線が直列に接続される。
また、HVSWユニット5−0、5−1〜5−31の出力ポートCGI<0>〜CGI<31>は、ロウデコーダ2に接続され、ロウデコーダ2を介して選択されたブロックのワード線に所定の電位が供給される。
図7は、例えばCGドライバユニット22−0の構成の一例を示す図であり、他のCGドライバユニット22−1〜22−31もCGドライバユニット22−0と同様の構成である。
CGドライバユニット22−0は、第1のレジスタ22a、第2のレジスタ22b、複数のレベルシフタ(L.S.)22c−0〜22c−4、複数のNチャネルMOSトランジスタ22d−0〜22d−4、及びNOR回路22eにより構成されている。第1のレジスタ22aは、複数のフリップフロップ回路D1−0〜D1−3により構成され、第2のレジスタ22bは、複数のフリップフロップ回路D2−0〜D2−3により構成されている。NチャネルMOSトランジスタ22d−0〜22d−4は、メモリセルアレイ1内のトランジスタに比べて耐圧が高く設定されている。
コントロールレジスタ18の出力信号CGDATA<3:0>は、第1のレジスタ22aを構成するフリップフロップ回路D1−0〜D1−3のデータ端子Dに供給され、クロック信号CGCLKは、フリップフロップ回路D1−0〜D1−3のクロック端子に供給され、信号CG_INITnは、初期リセット端子に供給される。
フリップフロップ回路D1−0〜D1−3の出力信号rCGDATA<3:0>は、第2のレジスタ22bを構成するフリップフロップ回路D2−0〜D2−3のデータ端子Dに供給される。また、コントロールレジスタ18の出力信号CGENは、フリップフロップ回路D2−0〜D2−3のクロック端子に供給され、信号CG_INITnは、フリップフロップ回路D2−0〜D2−3の初期リセット端子に供給される。フリップフロップ回路D2−0〜D2−3の出力信号は、レベルシフタ22c−0〜22c−3に供給されるとともに、NOR回路22eに供給される。NOR回路22eの出力信号は、レベルシフタ22c−4に供給される。
レベルシフタ22c−0〜22c−3は、第2のレジスタ22bの出力信号のレベルを、それぞれ書き込み選択電圧VPGM、電圧VCGRV、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ非選択電圧VREADよりNチャネルMOSトランジスタの閾値電圧分高い電圧G_VPGM、G_VCGRV、G_VPASS、G_VREADにシフトする。レベルシフタ22c−0〜22c−3の出力電圧G_VPGM、G_VCGRV、G_VPASS、G_VREADは、それぞれNチャネルMOSトランジスタ22d−0〜22d−3のゲート電極に供給される。これらトランジスタ22d−0〜22d−3の電流通路(ソース/ドレイン)の一端には、書き込み選択電圧VPGM、電圧VCGRV、書込み非選択電圧VPASS、読み出しやベリファイ非選択電圧VREADが供給され、他端は、共通接続ノードN1に接続されている。この共通接続ノードN1より電圧CGが出力される。トランジスタ22d−0〜22d−3は、レベルシフタ22c−0〜22c−3の出力電圧に従って書き込み選択電圧VPGM、電圧VCGRV、書込み非選択電圧VPASS、及び読み出しやベリファイ非選択電圧VREADのうちの1つを選択し、電圧CGとして出力する。
また、レベルシフタ22c−4は、NOR回路22eの出力電圧を電圧G_VSSにシフトする。この電圧G_VSSは、NチャネルMOSトランジスタ22d−4を介してCG線の電位を放電するのに必要な電圧であり、放電用のNチャネルMOSトランジスタ22d−4のゲート電極に供給される。このトランジスタ22d−4の電流通路の一端は、共通接続ノードN1に接続され、他端は接地されている。トランジスタ22d−4は、第2のレジスタ22bを構成するフリップフロップ回路D2−0〜D2−3の出力信号が全てローレベルである場合、共通接続ノードN1の電荷を放電する。
図8は、第2の電位選択回路としてのHVSWユニット5−0の構成例を示している。他のHVSWユニット5−1〜5−31の構成もHVSWユニット5−0と同様である。
HVSWユニット5−0は、第1のレジスタ5aを構成するフリップフロップ回路D3、第2のレジスタ5bを構成するフリップフロップ回路D4、レベルシフタ5c−0、5c−1、及びNチャネルMOSトランジスタ5d−0、5d−1、インバータ回路5eにより構成されている。
コントロールレジスタ18から出力される信号UDATAは、フリップフロップ回路D3のデータ端子Dに入力され、信号UACLKは、フリップフロップ回路D3のクロック端子に供給され、信号UA_INITnは、フリップフロップ回路D3の初期リセット端子に供給される。
フリップフロップ回路D3の出力端子Qから出力される信号rUADATAは、第2のレジスタ5bを構成するフリップフロップ回路D4のデータ端子Dに供給され、コントロールレジスタ18から出力される信号UAENは、フリップフロップ回路D4のクロック端子に供給され、信号UA_INITnは、初期リセット端子に供給される。
フリップフロップ回路D4の出力端子Qから出力される信号は、レベルシフタ5c−0に供給されるとともに、インバータ回路5eを介してレベルシフタ5c−1に供給される。レベルシフタ5c−0は、フリップフロップ回路D4の出力電圧を前記電圧G_VPGMにシフトし、トランジスタ5d−0のゲート電極に供給する。トランジスタ5d−0の電流通路の一端には、電圧CGが供給され、他端は共通接続ノードN2に接続されている。トランジスタ5d−0は、電圧G_VPGMに応じて、電圧CGを電圧CGIとして出力する。
また、レベルシフタ5c−1は、インバータ回路5eから供給されるハイレベルの電圧を、例えば前記電圧G_VPGMにシフトし、トランジスタ5d−1のゲート電極に供給する。トランジスタ5d−1の電流通路の一端は、共通接続ノードN2に接続され、他端は接地されている。トランジスタ5d−1は、第2のレジスタ5bの出力信号がローレベルである場合、共通接続ノードN2の電荷を放電する。
第1の実施形態では、第2の電位選択回路としてのHVSW5内に第2のレジスタ5bと、放電電位を選択するトランジスタ5d−1、及びこのトランジスタ5d−1を選択するためのインバータ回路5eと、レベルシフタ5c−1を設けた。
比較例として二次元の不揮発性半導体記憶装置を検討する。比較例では、第1の電位選択回路としてのCGドライバ22を周辺回路部4に配置するが、第2の電位選択回路としてのHVSW5は、配置をしないか、配置したとしても必要最小限のCG線の電位をCGI線に伝達するためスイッチとしてのトランジスタのみを配置する。したがって、接続ノードの電荷を放電するためのトランジスタは設けない。
これに対して、第1の実施形態では、共通接続ノードN2の電荷を放電するためのトランジスタ5d−1を設け、さらに、32本のCGI線に対して、CG線の電位を個別に伝達するか、放電するかを制御可能としている。このため、不揮発性半導体記憶装置の大容量化に伴い、読み出し時間を短縮することが可能である。
(図6の変形例)
図9は、図6に示す構成の変形例であり、図9において、図6と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図9は、図6に示す構成の変形例であり、図9において、図6と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図6において、CGドライバ22は、CGドライバユニット22−0〜22−31にCGDATA<3:0>をセットするため、CGドライバユニット22−0〜22−31を直列接続し、HVSW5は、HVSWユニット5−0〜5−31にUADATA0〜31をセットするため、HVSWユニット5−0〜5−31を直列接続した。
これに対して、図9に示す変形例において、CG0DATA<3:0>〜CG31DATA<31:0>は、CGドライバユニット22−0〜22−31に直接入力され、UADATA0〜UADATA31は、HVSWユニット5−0〜5−31に直接入力される。このため、CGドライバユニット22−0〜22−31は、直列接続されておらず、HVSWユニット5−0〜5−31も直列接続されていない。
具体的には、コントロールレジスタ18の出力信号としての初期化信号CG_INITn、及びクロック信号CGENは、CGドライバユニット22−0〜22−31に供給され、CGドライバユニット22−0〜22−31を個別に制御するために必要な制御信号CG0DATA<3:0>〜CG31DATA<3:0>は、CGドライバユニット22−0〜22−31に個別に供給される。CG0DATA<3:0>〜CG31DATA<3:0>は、クロック信号CGENにより、CGドライバユニット22−0〜22−31対応するレジスタに設定される。
図9に示す変形例によれば、図6に示す例とは異なり、各CGドライバユニットからの出力信号を次のCGドライバユニットに転送する必要がなく、コントロールレジスタ18から各CGドライバユニットに制御信号CG0DATA<3:0>〜CG31DATA<3:0>を直接供給しているため、クロック信号CGCLKが不要となる。このため、回路構成を容易化することができる。
さらに、第2の電位選択回路としてのHVSW5についても同様に、コントロールレジスタ18から出力される制御データUADATA0〜UADATA31がHVSWユニット5−0〜5−31に直接供給される。このため、各HVSWユニットから次のHVSWユニットに制御データUADATAを転送する必要がなく、クロック信号UACLKを各HVSWユニットに供給する必要がなく、各HVSWユニット5−0〜5−31は、コントロールレジスタ18から供給される信号UAEN、UA_INITnにより制御される。したがって、図6に示す例に比べて回路構成を容易化することが可能である。
(図7の変形例)
図10は、図7に示す構成の変形例であり、図10において、図7と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図10は、図7に示す構成の変形例であり、図10において、図7と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図10に示すCGドラバユニット22−0は、図7に示すCGドラバユニット22−0から第1のレジスタ22aが除かれている。すなわち、図7に示すCGドラバユニット22−0は、制御データCGDATA<3:0>をシリアルに転送する必要があったが、図10に示すCGドライバユニット22−0において、制御データCGDATA<3:0>は、第2のレジスタのフリップフロップ回路D2−0〜D2−3に直接供給される構成であるため、第1のレジスタ22aが不要となっている。
図10に示す変形例によれば、図7に示す回路から第1のレジスタ22aを省略することが可能である。このため、回路構成を簡単化することができるとともに、高速動作が可能である。
(図8の変形例)
図11は、図8の変形例を示すものであり、図11において、図8と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図11は、図8の変形例を示すものであり、図11において、図8と同一部分には同一符号を付し、説明は省略する。
図11に示すHVSWユニット5−0は、図8に示すHVSWユニット5−0から第1のレジスタ5aが除かれている、すなわち、図8に示すHVSWユニット5−0は、制御データUADATAをシリアルに転送する必要があったが、図11に示すHVSWユニット5−0において、制御データUADATAは、第2のレジスタ5bのフリップフロップ回路D4に直接供給される構成であるため、第1のレジスタ5aが不要となっている。
図9乃至図11に示す第1の実施形態の変形例は、CG線やCGI線が多くなると、コントロールレジスタ18から出力される制御信号CG0DATA<3:0>〜CG31DATA<3:0>や、制御信号を伝送するための信号線の本数が増大するが、制御信号の転送に要する時間を削減することができるため、動作速度を向上することが可能である。
(動作説明)
図12は、第1の実施形態に係るCGドライバ22、及びHVSW5の動作を示すものであり、例えば図6乃至図8に示す回路の動作を示す波形図である。尚、図12以降の波形を示す図面は、CG<0>〜CG<3>を代表として示している。
図12は、第1の実施形態に係るCGドライバ22、及びHVSW5の動作を示すものであり、例えば図6乃至図8に示す回路の動作を示す波形図である。尚、図12以降の波形を示す図面は、CG<0>〜CG<3>を代表として示している。
本例は不揮発性半導体記憶装置の読み出し動作を想定しており、図示せぬ読み出し動作を指示するコマンドが装置外部より供給され、不揮発性半導体記憶装置がそのコマンドを解釈して所定の読み出し動作に係る一連の動作中に、図12に示す動作が行われるものとする。
時刻t1において、信号CG_INITn及び信号UA_INITnが活性化される。具体的には、信号CG_INITn及び信号UA_INITnの電位が、一旦ローレベルに設定される。このとき、CGドライバ22に配置される第1のレジスタ22aと第2のレジスタ22b、HVSW5に配置される第1のレジスタ5aと第2のレジスタ5bが初期化されて、CG線とCGI線は放電電位VSSに設定される。
次に、時刻t2より、CG線に所定の電位を与えるため、CGドライバ22に所定の制御データCGDATA<3:0>が供給され、これと同期してクロック信号CGCLKがCGドライバ22に供給される。本実施形態において、ワード線WL1が読み出し用の選択ワード線に設定され、それ以外は非選択ワード線に設定される。このため、ワード線WL1に選択電位VCGRVが供給され、それ以外のワード線に非選択電位VREADが供給されることを期待して、CGDATA<3:0>は、CG<1>に対して“2h”(ここで、“h”は16進数を示す)が設定され、それ以外のCG<0><2><3>には“8h”が設定される。
また、CGI線に所定の電位を与えるため、HVSW5に対して所定の制御データUADATAが供給され、これと同期してクロック信号UACLKが供給される。本例において、全CGI線はCG線と同電位になる必要があるため、制御データUADATAは全てハイレベルのデータに設定される。
CGドライバ22内の第1のレジスタ22a、及びHVSW5内の第1のレジスタ5aが、これらのデータを受け取った後、CGドライバ22内の第1のレジスタ22aから第2のレジスタ22bにデータを転送するため、クロック信号CGENが活性化される。また、HVSW5内の第1のレジスタ5aから第2のレジスタ5bにデータを転送するため、クロック信号UAENが活性化される。
本例では、時刻t3において、信号CGEN、及びUAENの立ち下がりエッジにて制御データの転送動作が完了する。これとともに、時刻t3より、各CGドライバユニット22−0〜22−31のCG線CG<0>〜CG<3>は、制御データCGDATA<3:0>に基づいた電圧VREAD、VCGRV、VREAD、VREADに設定される。
また、各HVSWユニット5−0〜5−31も、時刻t3より、各HVSWユニット5−0〜5−31のCGI線CGI<0>〜CGI<3>は、制御データCGDATA<3:0>に基づいた電圧VREAD、VCGRV、VREAD、VREADに設定される。
これとともに、時刻t3において、信号RDECがハイレベルとされることによりロウデコーダ2が活性化され、データの読み出し動作が実行される。
尚、上記説明において、CGドライバ22とHVSW5は、同時に動作するものとして説明したが、これは必ずしも同時に動作させる必要はない。
また、図9乃至図11に示す第1の実施形態の変形例の場合、例えば時刻t3において、制御データCG0DATA<3:0>〜CG31DATA<3:0>が各CGドライバユニット22−0〜22−31の第2のレジスタ22bに直接設定され、制御データUADATA0〜UADATA31が各HVSWユニット5−0〜5−31の第2のレジスタ5bに直接設定される。これにより、時刻t3において、CG線、CGI線に図12に示す所定に電圧が出力され、信号RDECによりロウデコーダ2が活性化され、データの読み出し動作が実行される。
一方、時刻t4において、読み出し動作が完了し、ワード線を含むCG線全てに対して読み出し非選択電位VREAD及び読み出し選択電位VCGRVを与える必要がなくなった場合、初期化信号CG_INITn、及びUA_INITnが活性化される。具体的には、初期化信号CG_INITn、及びUA_INITnが一旦ローレベルに設定され、CGドライバ22に配置された第1のレジスタ22aと第2のレジスタ22b、及びHVSW5に配置された第1のレジスタ5aと第2のレジスタ5bが初期化される。このため、CGドライバ22のトランジスタ22d−4、及びHVSW5のトランジスタ5d−1がオンとされる。したがって、トランジスタ22d−4を介してCG線の電荷が放電され、トランジスタ5d−1を介してCGI線の電荷が放電される。
また、上記動作は、データの読み出しを例に説明したが、データの書き込み時においても、同様の動作が実行され、選択されたワード線と、非選択ワード線に所定の電圧が供給される。また、書き込み動作が完了すると、CG線、CGI線の電荷が放電される。
上記第1の実施形態によれば、各CGドライバユニット22−0〜22−31内にCG線が接続された接続ノードN1の電荷を放電するためのトランジスタ22d−4を設けるとともに、各HVSWユニット5−0〜5−31内にCGI線が接続された接続ノードN2の電荷を放電するためのトランジスタ5d−1を設けている。
例えば二次元のNANDフラッシュメモリ(以下、比較例と称す)では、HVSW5にCGI線の電荷を放電させるためのトランジスタは配置されておらず、ワード線を含めCG線は全てCGドライバ22内に配置されたトランジスタにより放電されていた。このため、CGドライバ22内のトランジスタの放電能力を高めるべく大きなサイズのトランジスタを配置しなければならなかった。
しかし、第1の実施形態の場合、各HVSWユニット5−0〜5−31に放電用のトランジスタ5d−1を配置して、負荷分散を図ったため、比較例に比べてCGドライバ22内のトランジスタ22d−4のサイズを小さくすることが可能であるとともに、CG線、CGI線を高速に放電することが可能である。
さらに、複数のメモリセルが接続されたワード線を充電するための電荷量が増大した場合においても、ワード線の充電開始から安定化するまでに要する時間、及び放電開始から安定化するまでに要する時間を短縮することができる。特に、不揮発性半導体記憶装置の大容量化に伴い、ワード線の負荷容量が増大した場合に有効で、たとえば読み出し時間の短縮が可能である。
さらに、図9乃至図11に示す第1の実施形態の変形例によれば、CGドライバユニット22−0〜22−31は、第1のレジスタ22aを持たず、HVSWユニット5−0〜5−31は、第1のレジスタ5aを持たず、制御データCGDATA<3:0>は、CGドライバユニット22−0〜22−31の第2のレジスタ22bに直接設定され、制御データUADATAは、HVSWユニット5−0〜5−31の第2のレジスタ5bに直接設定される。このため、制御データCGDATA<3:0>、UADATAを第2のレジスタ22b、5bに設定するための時間を短縮することができる。すなわち、高速動作に加えて、制御データの設定時間も短縮できるため、全体的な動作速度を高速化することが可能である。
(第2の実施形態)
図13は、第2の実施形態に係り、CGドライバ22及びHVSW5の動作を説明するための波形図を示している。
図13は、第2の実施形態に係り、CGドライバ22及びHVSW5の動作を説明するための波形図を示している。
第2の実施形態は、不揮発性半導体記憶装置の読み出し動作のうち、キャッシュリードを想定している。キャッシュリードとは、データの出力中に次のデータを読み出す動作である。これにより、データを連続的に読み出すことが可能となる。
前述したように、CGドライバ22は、第1、第2のレジスタ22a、22bにより構成され、及びHVSW5も第1、第2のレジスタ5a、5bにより構成されている。すなわち、CGドライバ22及びHVSW5は、第1、第2のレジスタが所謂ダブルバッファを構成している。このため、第2のレジスタ22b、5bに保持された制御データを用いてリード動作を行っているとき、第1のレジスタ22a、5aに、次のリード動作のための制御データを受けることができるため、キャッシュリードを実行することが可能である。
後述するように、外部より読み出し動作を指示するコマンドが供給され、不揮発性半導体記憶装置がそのコマンドを解釈して所定の読み出し動作に係る一連の動作中に、図13に示す動作が行われるものとする。
図13に示すように、時刻t1において、初期化信号CG_INITn及びUA_INITnが例えば一旦ローレベルとされ、活性化される。このとき、CGドライバ22に配置された第1のレジスタ22aと第2のレジスタ22b、及びHVSW5に配置された第1のレジスタ5aと第2のレジスタ5bが初期化され、CG線とCGI線は放電電位VSSに設定される。
次に、時刻t2において、CG線に所定の電位を供給するため、CGドライバ22に制御データCGDATA<3:0>が供給され、これと同期してクロック信号CGCLKが供給される。本実施形態において、ワード線WL1が読み出し用の選択ワード線に設定され、それ以外は非選択ワード線に設定される。このため、ワード線WL1に選択電位VCGRVが供給され、それ以外のワード線に非選択電位VREADが供給されることを期待して、制御データCGDATA<3:0>は、CG<1>に対して“2h”が設定され、それ以外のCG<0><2><3>には“8h”が設定される。
また、CGI線に所定の電位を与えるため、HVSW5に対して所定の制御データUADATAが供給され、これと同期してクロック信号UACLKが供給される。本例において、全CGI線はCG線と同電位になる必要があるため、制御信号UADATAは全てハイレベルのデータに制御される。
CGドライバ22内の第1のレジスタ22a、及びHVSW5内の第1のレジスタ5aが、これらのデータを受け取った後、CGドライバ22内の第1のレジスタ22aから第2のレジスタ22bにデータを転送するため、クロック信号CGENが活性化される。また、HVSW5内の第1のレジスタ5aから第2のレジスタ5bにデータを転送するため、クロック信号UAENが活性化される。
本例では、時刻t3において、信号CGEN、及びUAENの立ち下がりエッジにて制御信号の転送動作が完了する。これとともに、時刻t3より、各CGドライバユニット22−0〜22−31のCG線CG<0>〜CG<3>は、制御データCGDATA<3:0>に基づいた電圧VREAD、VCGRV、VREAD、VREADに設定される。
また、時刻t3において、各HVSWユニット5−0〜5−31のCGI線CGI<0>〜CGI<3>は、制御データCGDATA<3:0>に基づいた電圧VREAD、VCGRV、VREAD、VREADに設定される。
これとともに、時刻t3において、信号RDECがハイレベルとされることにより、ロウデコーダ2が活性化され、データの読み出し動作が実行される。
尚、上記説明において、CGドライバ22とHVSW5は、同時に動作するものとして説明したが、これらは必ずしも同時に動作させる必要はない。
上記読み出し動作の実行開始から時刻t4の読み出し動作が完了するまでの間に、キャッシュリードを行うため、次のワード線の読み出しを行うための準備が実行される。すなわち、本例ではワード線WL2の読み出しを行うことが予め不揮発性半導体記憶装置の外部からの命令により指示されている。この指示に従って、制御データCGDATA<3:0>がCGドライバユニット22−0〜22−31の第1のレジスタ22aに設定される。
より具体的には、制御データCGDATA<3:0>は、CG<2>に対して“2h”が設定され、それ以外のCG<0>、CG<1>、CG<3>に対して“8h”が設定される。制御データCGDATA<3:0>の転送が完了した時点において、CGドライバ22内の第2のレジスタ22bには、ワード線WL1の読み出しに必要な電位のデータが保持され、第1のレジスタ22aには、次の読み出しに備えたワード線WL2の読み出しに必要な電位のデータが保持され、第1のレジスタ22aから第2のレジスタ22bへデータが転送されることを待っている状態となっている。
一方、時刻t4において、読み出し動作が完了すると、キャッシュリード動作でない場合、ワード線は放電される。しかし、キャッシュリード動作の場合、ワード線WL1のリードと次に行うワード線WL2のリードで電位の変更がある箇所のみCG線の電位が変更される。すなわち、クロック信号CGENが活性化され、CGドライバユニット22−0〜22−31の第1のレジスタ22aのデータが第2のレジスタ22bに転送される。これにより、次の読み出し動作、つまりワード線WL2の読み出し動作が開始される。
具体的には、本例の場合、CG<1>が電圧VCGRVからVREADに変化され、CG<2>が電圧VREADからVCGRVに変化される。これに伴い、CGI<1>が電圧VCGRVからVREADに変化され、CGI<2>が電圧VREADからVCGRVに変化される。これにより、ワード線WL2の読み出し動作が開始される。
時刻t5において、ワード線WL2の読み出しが終了し、次の読み出しが指示されていない場合、一連の読み出し動作を終了するため、初期化信号CG_INITn、UA_INITnが活性化され、CG線、CGI線の電荷が放電され読み出し動作が終了される。
上記第2の実施形態によれば、CGドライバ22は、第1のレジスタ22a、及び第2のレジスタ22bの少なくとも2つの異なるレジスタを有し、キャッシュリードの際、連続する2つの読み出し動作において、同じ電位のCG線は、充電状態を維持したままに設定し、異なる電位のCG線のみ電位を変更している。このため、読み出し非選択ワード線に対応するCG線、CGI線の電位を保持することができる。したがって、充電、放電、再充電するCG線、CGI線の数を最小限とすることができ、電荷を効率的に利用することにより、読み出し時の消費電流を削減することができる。しかも、CG線、CGI線の充電、放電を高速化できるため、キャッシュリードを高速化することが可能である。
(第2の実施形態の変形例)
図14は、第2の実施形態の変形例を示すものであり、CGドライバ22及びHVSW5の波形図を示している。
図14は、第2の実施形態の変形例を示すものであり、CGドライバ22及びHVSW5の波形図を示している。
本変形例は、ワード線WL1の読み出し、及びワード線WL2の読み出しを連続して行うキャッシュリード時、所謂ディスターブ等を考慮してCGI線の一部、若しくは全部の電荷を一旦放電してから再充電する場合を想定している。
図14は、CGI線の一部、具体的にはワード線WL1とワード線WL2のみ放電し、それ以外はCG線のレベルを維持したままワード線WL1の読み出しからワード線WL2の読み出しを行うものである。
図14において、時刻t1及び時刻t2における動作は、図13と同様である。
時刻t3以降は、ワード線WL1の読み出しのため、CG線及びCGI線が所定電位VCGRVとVREADに設定される。キャッシュリード動作であるため、次に別のワード線WL2の読み出しを行うことが予め不揮発性半導体記憶装置の外部から命令により指示されている。このため、次のリード動作に備えるための動作が実行される。
具体的には、ワード線WL2の読み出しに備えて、CGドライバ22の電位を決める制御データCGDATA<3:0>がクロック信号CGCLKによりCGドライバ22に供給される。より具体的には、制御データCGDATA<3:0>は、CG<2>に対して“2h”を設定し、それ以外のCG<0><1><3>には“8h”を供給する。制御データの転送が終了した時点で、CGドライバ22内の第2のレジスタ22bには、ワード線WL1の読み出しに必要な電位データが保持され、トランジスタ22d−0〜22d−4を制御しており、第1のレジスタ22aには、次の読み出しに備えたワード線WL2の読み出しに必要な電位データが保持され、第1のレジスタ22aから第2のレジスタ22bへデータが転送されることを待っている状態となっている。
また、これと同時に、HVSW5は、一旦、ワード線WL1に対して、読み出し選択電位VCGRVから放電電位を設定し、ワード線WL2に対して、読み出し非選択電位VREADから放電電位を設定するため、HVSW5に制御データUADATAを設定する。
具体的には、制御データUADATAのCGI<1>、CGI<2>の箇所がローレベルに設定され、それ以外の箇所は、ハイレベルに設定される。この制御データUADATAがクロック信号UACLKに従って、HVSW5の第1のバッファ5aに保持され、第1のレジスタ5aから第2のレジスタ5bへ転送されることを待っている状態となっている。
この後、時刻t4において、CGドライバ22の電位を変更するために、クロック信号CGENが活性化され、さらに、HVSW5において、CGI線の一部を放電するため、クロック信号UAENが活性化される。
CGI線が放電されると、次の読み出し動作に備えてHVSW5の制御データUADATAを供給するため、クロック信号UACLKが供給される。
時刻t5において、クロックUAENが活性化されることにより、CGI線の一部CGI<1>、CGI<2>が放電された状態からワード線WL2の読み出しに必要な電位VCGRVがCGI<2>に供給され、VREADがCGI<1>が供給される。
上記第2の実施形態の変形例によれば、HVSW5が第1のレジスタ5aと第2のレジスタ5bを有しているため、CG線とCGI線で異なる電位状態を設定することができ、さらに、CGI線を個別に放電することができる。したがって、キャッシュリード動作において、CG線やCGI線、ワード線を必要に応じて、充放電することができるため、全ワード線と全CG線やCGI線を全て放電し、その後充電していた場合に比べて、読み出し時の電荷効率、すなわち消費電流を削減することができ、高速な動作が可能である。
つまり、時刻t4において、CG線CG<1>とCG<2>の電位を変更するとき、対応するHVSW5は放電電位に設定されているが、CG線CG<0>とCG<3>の電位は保持されているため、昇圧回路からみた負荷は少なくなっている。このため、電位変更時に発生する消費電流ピークを抑制できる。
(第3の実施形態)
上記第2の実施形態、及び第2の実施形態の変形例は、キャッシュリード動作について説明した。第3の実施形態は、キャッシュリード動作におけるコマンドシーケンスについて説明する。
上記第2の実施形態、及び第2の実施形態の変形例は、キャッシュリード動作について説明した。第3の実施形態は、キャッシュリード動作におけるコマンドシーケンスについて説明する。
図15は、第3の実施形態に係る三次元積層不揮発性半導体記憶装置を概略的に示すものであり、図1と同一部分には、同一符号を付している。
図15において、図1と異なるのは、ステートマシン17から信号CACHEOKが出力され、これがコマンドデコーダ13に供給される点、及びコマンドデコーダ13からステートマシン17に、信号CMD_2ndREADが供給される点である。信号CACHEOKは、後述するように、第2のリードアドレスを受けることができる期間を示す信号であり、信号CMD_2ndREADは、第2のリードアドレスに対応する第2のリードコマンド(2回目のリードコマンド)を受けたことを示す信号である。
図16A乃至図16Cは、図15に示す不揮発性半導体記憶装置のキャッシュリード動作のコマンドシーケンスを示すものであり、外部から供給されるコマンドに従って異なる3ページに対してキャッシュリード動作を実行する例を示している。ここで、図中、Internal Taskは、不揮発性半導体記憶装置のステートマシン17のタスク状態を示したものであり、たとえば第1ページリードとは、ステートマシン17が第1ページのリードを行っており、CG線等の電位も第1ページリードの電位に設定されていることを示している。
図16Aに示すように、先ず、信号RBx(レディー/ビジー)がレディー状態(ハイレベル)である場合において、コマンド(cmd1)とともに、第1のリードアドレス(Ad1〜Ad5)が供給される。尚、信号RBxは、図示せぬが、不揮発性半導体記憶装置に設けられた出力信号ピンであり、たとえばステートマシン17がその信号状態を決定する。
時刻t1において、コマンド(cmd2)で不揮発性半導体記憶装置の読み出し動作を開始する(時刻t1)。このとき、不揮発性半導体記憶装置は、信号RBxをビジー状態(ローレベル)に設定し、外部に通知する。
不揮発性半導体記憶装置のステートマシン17は、リード動作を制御する。このとき、ステートマシン17は信号CACHEOKを活性化(ハイレベル)し、第2のリードアドレスを受け付けることが可能な状態にあることを示す。この信号CACHEOKは、コマンドデコーダ13に供給される。
図16Aに示すように、第1ページリードの期間中で、且つ信号CACHEOKが活性化されている期間中にコマンド(cmd3)とともに、第2のリードアドレスが外部から供給される。
時刻t2において、コマンド(cmd4)にてリード動作の実行が指示されると、コマンドデコーダ13の出力信号CMD_2ndREADが活性化(ハイレベル)される。第2のリードアドレスによる読み出しは、時刻t3において、信号CACHEOKが非活性(ローレベル)となるまで少なくとも1回受け付けられるように構成される。
時刻t3は、第1ページリード中で、且つ第2の実施形態の時刻t4(2回目のリード動作)より前の時刻に設定されると、第1ページリードと第2ページリードを第2の実施形態のように、電荷を再利用しながら連続して読み出し動作を実行できるため好ましい。
図16Bに示す時刻t4において、第1ページリードが完了すると、信号RBxがハイレベルに設定され、IOx<7:0>にデータを出力可能となったことが示される。次いで、信号REnxのトグルにより、第1のリードアドレスに従って読み出されたデータが外部に出力される。
一方、時刻t4において、不揮発性半導体記憶装置は、データの出力と同時にステートマシン17により、先に入力した第2のリードアドレスに従って第2ページリードが開始される。
さらに、第3のリードアドレスを受け取り可能な状態となっているため、ステートマシン17は、信号CACHEOKを再度活性化する。また、第2ページリード動作を開始したため、コマンドデコーダ13は、信号CACHEOKに従って信号CMD_2ndREADを非活性化する。
この後、時刻t5において、コマンド(cmd3)とともに、第3のリードアドレスを受け、時刻t6において、コマンド(cmd4)によりリード動作の実行が指示されると、時刻t2と同様に、コマンドデコーダ13は、信号CMD_2ndREADを活性化する。これに伴い、ステートマシン17は、信号CACHEOKを非活性化する。
時刻t7において、第2ページリードが完了すると、時刻t4と同様に、信号RBxがハイレベルに設定され、IOx<7:0>に読み出されたデータが出力可能であることが示され、第2のデータが信号REnxのトグルにより、外部に出力される。
これと同時に、ステートマシン17は、第3のリードアドレスに従って第3ページのリード動作を開始する。
さらに、ステートマシン17は、第4のリードアドレスを受け取れる状態となっているため、信号CACHEOKを活性化し、コマンドデコーダ13は、第3ページのリード動作が開始されているため、信号CACHEOKの活性化を受けると、信号CMD_2ndREADを非活性化する。
図16Cに示す時刻t8において、第4のリードアドレスを受け取るか、若しくはキャッシュリード動作を終えるための終了コマンド(cmd5)を受ける。コマンド(cmd5)は、第2、第3のリードアドレスを供給するタイミングでも入力することができる。コマンド(cmd5)を受けたとき、コマンドデコーダ15は、信号CMD_2ndREADは非活性のままに保持する。一方、ステートマシン17は、信号CACHEOKを非活性化する。
時刻t9において、第3ページリードが完了すると、信号RBxがハイレベルに設定され、信号REnxのトグルにより、第3ページリードにより読み出された第3のデータがIOx<7:0>を介して外部に読み出される。一方、信号CMD_2ndREADが非活性状態、信号CACHEOKが非活性状態であるため、次のリード動作を行うことなく、ステートマシン17は静止状態(レディー状態)となる。
上記第3の実施形態によれば、ステートマシン17は、次のコマンドの入力が可能であるかどうかを示す信号CACHEOKを出力し、コマンドデコーダ13は、2回目のリードコマンドを受けると信号CMD_2ndREADを出力している。信号CMD_2ndREADがハイレベルであり、連続した読み出しが可能である場合、例えば図13に示す時刻t3〜t4のように、CG線、CGI線は、必要な部分のみが充放電される。また、信号CMD_2ndREADがローレベルである場合、連続した読み出しが行われないため、時刻t4以降において、全CG線、CGI線の電荷が放電されるなど、適切な電位設定がなされる。したがって、信号CACHEOK、及び信号CMD_2ndREADに基づき、キャッシュリード動作を確実、且つ効率良く制御することが可能である。
(第3の実施形態の変形例)
図17は、第3の実施形態の変形例を示している。
図17は、第3の実施形態の変形例を示している。
図16Aに示す第3の実施形態では、第1のリードアドレスを受け、第1ページのリード動作を開始後、第2のリードアドレスを受けていた。しかし、予め連続読み出し動作を実行することが確定している場合は、第1のリードアドレス、及び第2のリードアドレスを受けてから、第1ページのリード動作を開始することも可能である。
すなわち、第3の実施形態は、図17に示すように、第1のリードアドレスを受け、リード動作の実行指示(cmd2)を受けた時点(時刻t1)において、ステートマシン17が信号CACHEOKを活性化する。しかし、信号RBx、及びステートマシン17は、レディー状態のままである。この状態において、コマンド(cmd3)とともに第2のリードアドレスを受ける。
この後、時刻t2において、リード動作の実行を指示するコマンド(cmd4)を受けると、コマンドデコーダ13は、信号CMD_2ndREADを活性化し、ステートマシン17は、第1ページのリード動作を開始する。以下の動作は、図16A、16B、16Cと同様である。
上記第3の実施形態の変形例によれば、予め連続読み出しが実行されることが確定している場合、第1、第2のリードアドレスを連続して供給した後、読み出し動作を開始することが可能であり、第3の実施形態と同様の効果を得ることが可能である。
(第4の実施形態)
上記第3の実施形態は、図16Aに示すように、第1のリードアドレスを受けた後、第2のリードアドレスを、時刻t1から時刻t3の間で受けることを説明した。この時刻t1は、不揮発性半導体記憶装置の外部に接続された図示せぬコントローラがコマンド(cmd2)を発行する時間であるため、そのタイミングは明確である。しかし、時刻t3は、不揮発性半導体記憶装置内部のステートマシン17が定めたタイミングであるため、コントローラは、そのタイミングを知ることができない。したがって、コントローラは第2のリードアドレスが不揮発性半導体記憶装置に受け付けが可能であるかどうかを判別することができないため、利便性の点で好ましくない。
上記第3の実施形態は、図16Aに示すように、第1のリードアドレスを受けた後、第2のリードアドレスを、時刻t1から時刻t3の間で受けることを説明した。この時刻t1は、不揮発性半導体記憶装置の外部に接続された図示せぬコントローラがコマンド(cmd2)を発行する時間であるため、そのタイミングは明確である。しかし、時刻t3は、不揮発性半導体記憶装置内部のステートマシン17が定めたタイミングであるため、コントローラは、そのタイミングを知ることができない。したがって、コントローラは第2のリードアドレスが不揮発性半導体記憶装置に受け付けが可能であるかどうかを判別することができないため、利便性の点で好ましくない。
そこで、第4の実施形態は、コントローラに第2のリードアドレスが受け付け可能であるかどうかを通知可能とする。
図18は、第4の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の一例を示している。ステートマシン17は、図16Aの時刻t1からt3に関連する期間を示す信号、具体的には第2のリードアドレスを受け付け可能であることを示す信号COK_ST出力する。この信号COK_STは、分配器24の出力信号とともに、セレクタ25の入力端に供給される。セレクタ25の出力端は、出力バッファ16に接続されている。
また、コマンドデコーダ13は、図示せぬ外部のコントローラから問い合わせコマンドが発行された場合、活性化される信号CMD_QUERYを出力する。この信号CMD_QUERYは、セレクタ25に選択制御信号として供給される。セレクタ25は、この信号CMD_QUERYが活性化されたとき、ステートマシン17の出力信号COK_STを選択し、信号CMD_QUERYが非活性である場合、分配器24の出力信号を選択する。
ここで、ステートマシン17の出力信号CACHEOKが、時刻t1から時刻t3の期間において活性化されているとする。また、ステートマシン17の出力信号COK_STは、時刻t1から、時刻t3よりも有限時間時刻t1に近い期間において活性化されているように設定される。この期間は、図示せぬコントローラが問い合わせコマンドを発行した後、不揮発性半導体記憶装置が第2のリードアドレスを受付可能であることを通知し、コントローラが第2のリードアドレスを発行して実行コマンド(cmd4)を発行するまでの時間を考慮して決められる。
上記第4の実施形態によれば、ステートマシン17は、第2のリードアドレスが不揮発性半導体記憶装置に受け付け可能であるかどうかを通知する信号COK_STを出力し、コマンドデコーダ13は、外部のコントローラから問い合わせコマンドが発行された場合、信号CMD_QUERYを活性化し、セレクタ25は、信号CMD_QUERYが活性化された場合、出力データに代えて、ステートマシン17の出力信号COK_STを選択し、出力バッファ16、第2のバッファ12を介してコントローラに送っている。このため、コントローラは、不揮発性半導体記憶装置から供給される信号COK_STにより、第2のリードアドレスが受け付け可能であるかどうかを知ることができる。
(第5の実施形態)
第5の実施形態は、キャッシュリード動作は使用しないが、連続的にリード動作を行う場合において、電荷の利用効率を向上でき、消費電流の削減を図るものである。
第5の実施形態は、キャッシュリード動作は使用しないが、連続的にリード動作を行う場合において、電荷の利用効率を向上でき、消費電流の削減を図るものである。
図19は、第5の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置の一例を示している。
図19において、コマンドデコーダ13は、読み出し動作が連続することを指示するコマンドが発行されると、信号CMD_FASTを出力する。この信号CMD_FASTは、コントロールレジスタ18とコントロールレジスタ19に供給される。
図20は、第5の実施形態の動作を示す波形図である。
図20に示すように、時刻t1に先立って、外部のコントローラより、読み出し動作が連続することを指示するコマンドが予め発行されている。これに伴い、コマンドデコーダ13から出力される信号CMD_FASTが活性状態に設定されている。
時刻t1から時刻t4の直前までの動作は、図12に示す動作と同様である。
時刻t4において、読み出し動作が完了すると、第1の実施形態ではCGドライバ22を初期化するために初期化信号CG_INITnが活性化、すなわちローレベルとされたが、ここでは非活性、すなわち、ハイレベルの状態のままである。
一方、時刻t4において、HVSW5は、初期化信号UA_INITnが活性化され、CGI線が全て放電される。
このとき、読み出し動作が全て終了しても、CG線は直前のバイアス電位、具体的にはCG<0>、CG<2>、CG<3>は、読み出し非選択電位VREADに保持され、CG<1>は、読み出し選択電位VCGRVに保持されている。
ここで、前述したように、信号CMD_FASTにより、連続読み出し動作が指示されているため、ある時刻経過後に、次の読み出しコマンドが発行され、読み出し動作が行われることを前提としている。このため、読み出し非選択電位VREADを充電したままとすることにより、次の読み出し動作時に、放電電位から読み出し非選択電位VREADへ再充電にかかる電荷量、すなわち、消費電流を削減することができる。
尚、読み出し非選択電位VREADを生成するチャージポンプ回路21、電圧レギュレータ20は、その出力電圧レベルを維持できるように構成される。
一方、時刻tnにおいて、信号CMD_FASTが非活性状態とされると、連続読み出しが行われないと判断され、充電状態で保持していたCG線などは放電電位に設定される。
図21は、第5の実施形態のコマンドインターフェースと、不揮発性半導体記憶装置の内部動作を示している。
第1のリードコマンドに先だって、連続読み出しを指示するコマンドFAが発行される。このコマンドFAは、コマンドデコーダ13により保持され、コマンドデコーダ13は、信号CMD_FASTを活性化する。
第1のリードコマンド(cmd1、cmd2)が発行されると、第1のリード動作が実行される。第1のリード動作は、最初の読み出しであるため、放電電位であったCG線を所定電位に充電するために必要なセットアップ時間(tsetup1)が経過した後、読み出し動作が開始される。読み出し動作が完了した後、ポストプロセスにより、CGI線が放電される。このとき、CG線は充電状態に保持される。
次に、第2のリードコマンド(cmd1、cmd2)が発行されると、第2のリード動作が実行される。このとき、CG線は充電状態に保持されているため、第1のリード動作時に必要であったセットアップ時間(tsetup1)よりも短い時間(tsetup2)で、読み出し動作に移行することができる。これにより、第2のリードコマンド(cmd2)を受けてから信号RBxがローレベルとなり、読み出しを完了する時点、つまり信号RBxがハイレベルになるまでのビジー期間tBUSY2は、第1のリード動作に要するビジー期間tBUSY1に比べて短くなる(tBUSY1 > tBUSY2)。結果として、二回目以降の読み出しにかかる時間を短縮することが可能である。
上記第5の実施形態によれば、コマンドデコーダ13は、連続読み出しを指示するコマンドFAが発行されると、信号CMD_FASTを活性化し、コントロールレジスタ18は、信号CMD_FASTに従って、読み出し動作が完了した後、初期化信号CG_INITnを非活性状態に保持し、CG線の電位を保持させている。このため、次の読み出し動作において、充電時間を短縮することが可能であり、消費電流を削減することが可能である。
その他、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
(付記)
(1)
複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに接続されたロウデコーダと、
複数の電位を生成する電位生成回路と、
前記電位生成回路に接続され、第1の制御信号に従って前記電位生成回路の出力電位のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する複数の第1の電位選択回路と、
前記複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線に接続され、第2の制御信号に従って、前記第1の信号線の電位を前記ロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する第2の電位選択回路と、
前記第1の電位選択回路に設けられ、前記第1の信号線に接続された第1の放電回路と、
前記第2の電位選択回路に設けられ、前記第2の信号線に接続された第2の放電回路と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(1)
複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに接続されたロウデコーダと、
複数の電位を生成する電位生成回路と、
前記電位生成回路に接続され、第1の制御信号に従って前記電位生成回路の出力電位のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する複数の第1の電位選択回路と、
前記複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線に接続され、第2の制御信号に従って、前記第1の信号線の電位を前記ロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する第2の電位選択回路と、
前記第1の電位選択回路に設けられ、前記第1の信号線に接続された第1の放電回路と、
前記第2の電位選択回路に設けられ、前記第2の信号線に接続された第2の放電回路と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(2)
前記第1及び第2の電位選択回路は、シリコン基板上に設けられ、前記シリコン基板上をXY平面として、XY平面内に前記複数のメモリセルは配置されず、XY平面に垂直なZ軸方向に前記複数のメモリセルが配置されることを特徴とする(1)記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第1及び第2の電位選択回路は、シリコン基板上に設けられ、前記シリコン基板上をXY平面として、XY平面内に前記複数のメモリセルは配置されず、XY平面に垂直なZ軸方向に前記複数のメモリセルが配置されることを特徴とする(1)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(3)
前記複数の第1の電位選択回路のそれぞれは、前記第1の制御信号を受ける第1のレジスタと、前記第1のレジスタに接続された第2のレジスタを具備し、
前記複数の第2の電位選択回路のそれぞれは、前記第2の制御信号を受ける第3のレジスタと、前記第3のレジスタに接続された第4のレジスタを具備することを特徴とする(2)記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記複数の第1の電位選択回路のそれぞれは、前記第1の制御信号を受ける第1のレジスタと、前記第1のレジスタに接続された第2のレジスタを具備し、
前記複数の第2の電位選択回路のそれぞれは、前記第2の制御信号を受ける第3のレジスタと、前記第3のレジスタに接続された第4のレジスタを具備することを特徴とする(2)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(4)
第1の読み出し動作と第2の読み出し動作が連続して行われる場合において、前記第1、第2の電位選択回路は、前記第1の読み出し動作と第2の読み出し動作において、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が同じである場合、その電位を保持し、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が異なる場合、前記第1の信号線と第2の信号線の電位を変更することを特徴とする(3)記載の不揮発性半導体記憶装置。
第1の読み出し動作と第2の読み出し動作が連続して行われる場合において、前記第1、第2の電位選択回路は、前記第1の読み出し動作と第2の読み出し動作において、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が同じである場合、その電位を保持し、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が異なる場合、前記第1の信号線と第2の信号線の電位を変更することを特徴とする(3)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(5)
第1の読み出し動作と第2の読み出し動作が連続して行われる場合において、前記第1、第2の電位選択回路は、前記第1の読み出し動作と第2の読み出し動作において、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が異なる場合、前記第2の電位選択回路は、前記第2の放電回路により前記第2の信号線の電荷を放電させ、別の電位を設定することを特徴とする(3)記載の不揮発性半導体記憶装置。
第1の読み出し動作と第2の読み出し動作が連続して行われる場合において、前記第1、第2の電位選択回路は、前記第1の読み出し動作と第2の読み出し動作において、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が異なる場合、前記第2の電位選択回路は、前記第2の放電回路により前記第2の信号線の電荷を放電させ、別の電位を設定することを特徴とする(3)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(6)
前記第2の電位選択回路が選択する電位は、第1の読み出し命令に続いて入力される第2の読み出し命令により変更されることを特徴とする(5)記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第2の電位選択回路が選択する電位は、第1の読み出し命令に続いて入力される第2の読み出し命令により変更されることを特徴とする(5)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(7)
前記第2の読み出し命令は、不揮発性半導体記憶装置の指定する期間にのみ受けとることができ、前記指定する期間を通知する手段を有することを特徴とする(6)の不揮発性半導体記憶装置。
前記第2の読み出し命令は、不揮発性半導体記憶装置の指定する期間にのみ受けとることができ、前記指定する期間を通知する手段を有することを特徴とする(6)の不揮発性半導体記憶装置。
(8)
前記第1の電位選択回路の選択状態は、読み出し命令に先だって入力される連続読み出しを示す第1のコマンドの有無によって変更できることを特徴とする(1)記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第1の電位選択回路の選択状態は、読み出し命令に先だって入力される連続読み出しを示す第1のコマンドの有無によって変更できることを特徴とする(1)記載の不揮発性半導体記憶装置。
(9)
前記第1のコマンドが発行されている期間中の2回目以降の読み出し時間は、前記第1のコマンドが発行された直後の1回目の読み出し時間よりも短いことを特徴とする(8)記載の不揮発性半導体記憶装置。
前記第1のコマンドが発行されている期間中の2回目以降の読み出し時間は、前記第1のコマンドが発行された直後の1回目の読み出し時間よりも短いことを特徴とする(8)記載の不揮発性半導体記憶装置。
1…メモリセルアレイ、2…ロウデコーダ、5…HVSW、13…コマンドデコーダ、16…出力バッファ、17…ステートマシン、18、19…コントロールレジスタ、21…ポンプ回路、22…CGドライバ、25…セレクタ。
Claims (5)
- 複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに接続されたロウデコーダと、
複数の電位を生成する電位生成回路と、
前記電位生成回路に接続され、第1の制御信号に従って前記電位生成回路の出力電位のうちの1つを選択して第1の信号線に供給する複数の第1の電位選択回路と、
前記複数の第1の電位選択回路の前記第1の信号線に接続され、第2の制御信号に従って、前記第1の信号線の電位を前記ロウデコーダに接続された第2の信号線に供給する第2の電位選択回路と、
前記第1の電位選択回路に設けられ、前記第1の信号線に接続された第1の放電回路と、
前記第2の電位選択回路に設けられ、前記第2の信号線に接続された第2の放電回路と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2の電位選択回路は、シリコン基板上に設けられ、前記シリコン基板上をXY平面として、XY平面内に前記複数のメモリセルは配置されず、XY平面に垂直なZ軸方向に前記複数のメモリセルが配置されることを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 第1の読み出し動作と第2の読み出し動作が連続して行われる場合において、前記第1、第2の電位選択回路は、前記第1の読み出し動作と第2の読み出し動作において、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が同じである場合、その電位を保持し、前記第1の信号線と第2の信号線の電位が異なる場合、前記第1の信号線と第2の信号線の電位を変更することを特徴とする請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1の電位選択回路の選択状態は、読み出し命令に先だって入力される連続読み出しを示す第1のコマンドの有無によって変更できることを特徴とする請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第1のコマンドが発行されている期間中の2回目以降の読み出し時間は、前記第1のコマンドが発行された直後の1回目の読み出し時間よりも短いことを特徴とする請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013053499A JP2014179148A (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US14/026,860 US9013926B2 (en) | 2013-03-15 | 2013-09-13 | Non-volatile semiconductor storage device capable of increasing operating speed |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013053499A JP2014179148A (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014179148A true JP2014179148A (ja) | 2014-09-25 |
Family
ID=51526506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013053499A Pending JP2014179148A (ja) | 2013-03-15 | 2013-03-15 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9013926B2 (ja) |
JP (1) | JP2014179148A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190114309A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 저장 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10115440B2 (en) | 2017-01-10 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Word line contact regions for three-dimensional non-volatile memory |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005293697A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006147015A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008165930A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Rohm Co Ltd | メモリ駆動装置、メモリ装置ならびにそれらを利用した電子機器 |
US20090016143A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Michele Incarnati | Word line activation in memory devices |
JP2013527552A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-27 | サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド | 適応ワード線起動回路による偶数/奇数交互配置ブロック復号化法を備える不揮発性メモリおよび方法 |
US20140226402A1 (en) * | 2013-02-12 | 2014-08-14 | Sandisk Technologies Inc. | Fast-Reading NAND Flash Memory |
US20140241069A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Donghun Kwak | Memory system and memory access method |
US20140269127A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Macronix International Co., Ltd. | Memory Operation Latency Control |
WO2015025357A1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 株式会社 東芝 | メモリシステム |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3702229B2 (ja) | 2002-01-16 | 2005-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP4828938B2 (ja) | 2005-12-28 | 2011-11-30 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法 |
JP5193796B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-05-08 | 株式会社東芝 | 3次元積層型不揮発性半導体メモリ |
US8351264B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-01-08 | Unity Semiconductor Corporation | High voltage switching circuitry for a cross-point array |
JP5646420B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2014-12-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
-
2013
- 2013-03-15 JP JP2013053499A patent/JP2014179148A/ja active Pending
- 2013-09-13 US US14/026,860 patent/US9013926B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005293697A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006147015A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008165930A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Rohm Co Ltd | メモリ駆動装置、メモリ装置ならびにそれらを利用した電子機器 |
US20090016143A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Michele Incarnati | Word line activation in memory devices |
JP2013527552A (ja) * | 2010-04-30 | 2013-06-27 | サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド | 適応ワード線起動回路による偶数/奇数交互配置ブロック復号化法を備える不揮発性メモリおよび方法 |
US20140226402A1 (en) * | 2013-02-12 | 2014-08-14 | Sandisk Technologies Inc. | Fast-Reading NAND Flash Memory |
US20140241069A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Donghun Kwak | Memory system and memory access method |
US20140269127A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Macronix International Co., Ltd. | Memory Operation Latency Control |
WO2015025357A1 (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 株式会社 東芝 | メモリシステム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190114309A (ko) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치, 이를 포함하는 저장 장치 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
CN110322919A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-10-11 | 爱思开海力士有限公司 | 半导体存储器装置、存储装置及操作存储器控制器的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9013926B2 (en) | 2015-04-21 |
US20140269113A1 (en) | 2014-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7263003B2 (en) | Two-transistor flash memory device using replica cell array to control the precharge/discharge and sense amplifier circuits of the primary cell array | |
US7623384B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory | |
KR100648553B1 (ko) | 각각이 부유 게이트와 제어 게이트를 갖는 mos트랜지스터들을 구비한 반도체 메모리 장치와, 이것을포함하는 메모리 카드 | |
US7423910B2 (en) | Semiconductor device including MOS transistors having floating gate and control gate | |
US8659950B1 (en) | Semiconductor memory device | |
KR100677802B1 (ko) | 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트를 각각 갖는 mos트랜지스터를 포함하는 반도체 기억 장치, 그 제어 방법과,이를 포함하는 메모리 카드 | |
KR20190029767A (ko) | 다중 데크 메모리 소자 및 동작 | |
US20140247671A1 (en) | Semiconductor memory device | |
KR102395724B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 | |
KR100699370B1 (ko) | 부유 게이트 및 제어 게이트를 각각 구비하는 복수의mos 트랜지스터를 갖는 반도체 기억 장치, 및 그 반도체기억 장치를 포함하는 메모리 카드 | |
JP2007133996A (ja) | 半導体記憶装置及びその制御方法 | |
KR102370187B1 (ko) | 데이터 라인 설정 동작과 동시에 시딩 동작을 위한 장치 및 방법 | |
TWI737394B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
US9824758B2 (en) | Semiconductor memory device and operating method thereof | |
JP4469651B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
WO2021191951A1 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20170047152A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치 | |
JP2014179148A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2021047964A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2013161512A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20120236644A1 (en) | Semiconductor storage device | |
JP6235153B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2022089065A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2006114708A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2017162526A (ja) | 記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20151117 |