JP2014175581A - 基板液処理装置および気流異常検出方法 - Google Patents
基板液処理装置および気流異常検出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014175581A JP2014175581A JP2013048919A JP2013048919A JP2014175581A JP 2014175581 A JP2014175581 A JP 2014175581A JP 2013048919 A JP2013048919 A JP 2013048919A JP 2013048919 A JP2013048919 A JP 2013048919A JP 2014175581 A JP2014175581 A JP 2014175581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cup
- liquid
- substrate
- housing
- liquid receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 165
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 85
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 12
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 title description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 35
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000010808 liquid waste Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1039—Recovery of excess liquid or other fluent material; Controlling means therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】基板液処理装置は、基板(W)を保持して回転させる基板保持部(10)と、基板に処理液を供給する処理液ノズル(51〜54)と、基板の周囲を囲み、基板から飛散する処理液を受け止めて回収する、上部に開口部を有する筒状の液受けカップ(20,30)と、基板保持部および液受けカップを収容するハウジング(60)と、液受けカップの内部の雰囲気を排気するために前記液受けカップに接続されたカップ排気路(36)と、カップ排気路内の圧力を検出する排気路圧力センサ(92)と、液受けカップの外側のハウジング内の圧力を検出するハウジング圧力センサ(91)と、ハウジング圧力センサの検出値(P1)と排気路圧力センサの検出値(Pc)との差が所定の判定基準値以下となったときに、そのことを知らせる警報を発する制御部(100)と、を備える。
【選択図】図1
Description
ウエハWが基板処理部10により保持され、回転駆動部18によりウエハWが回転する。この回転するウエハWには、処理液として、酸性薬液ノズル51から酸性薬液例えばDHFが供給され、ウエハWに酸性薬液洗浄処理が施される。酸性薬液は遠心力によりウエハWから振り切られ、回転カップ20に受け止められる。このとき、第2カップ32及び第3カップ33が下降位置に位置しており(図1の右側に示す位置)、酸性薬液は第1カップ31と第2カップと32との間の第1流路311を通って流れる。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、酸性薬液ノズル51からの酸性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル53から、処理液として、リンス液例えばDIWをウエハWに供給する。これによりウエハW上に残留する酸性薬液及び残渣が洗い流される。この第1リンス処理におけるガス、処理液等の排出経路は酸性薬液洗浄処理と同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル53からのリンス液の吐出を停止し、第3カップ33を下降位置に維持したまま第2カップ32を上昇位置に移動させ、切替弁40を第2切替状態とする。次いで、ウエハWに、処理液として、アルカリ性薬液ノズル52からアルカリ性洗浄液例えばSC−1がウエハに供給され、ウエハWにアルカリ性薬液洗浄処理が施される。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、アルカリ性薬液ノズル52からのアルカリ性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル53から、リンス液をウエハWに供給する。これによりウエハW上に残留するアルカリ性薬液及び残渣が洗い流される。この第2リンス処理におけるガス、処理液等の排出経路はアルカリ性薬液洗浄処理と同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル53からのリンス液の吐出を停止し、第2カップ32を上昇位置に維持したまま第3カップ33を上昇位置に移動させ(図1の左側に示す位置)、切替弁40の弁体44を第3切替状態とする。この状態でウエハWの回転が所定時間継続される。これにより、ウエハW上に残留していたDIWがウエハW上から振り切られ、ウエハWの乾燥が行われる。この乾燥処理を行っているときには、ウエハWの上方空間からカップ30内に流入した清浄ガスは、第3カップ33と内壁34との間の第3流路331を通って流下し、カップ排気口35から排出され、カップ排気路36及び切替弁40を通って一般雰囲気排気ライン83に流れる。ウエハWから飛散した薬液は、第3流路331を通って流れ、液受け332に落下し、排液口333を介してカップ30内から排出される。ハウジング60の内部空間のカップ30の周辺の空間に存在するガスは、ハウジング排気口62から排出され、ハウジング排気路64及び切替弁40を通って、一般雰囲気排気ライン83に流れる。乾燥処理時には、ハウジング排気路64を介した排気を行わなくてもよい。
51〜54 処理液ノズル
20、30 液受けカップ
36 カップ排気路
60 ハウジング
91 ハウジング圧力センサ
92 排気路圧力センサ
100 制御部
Claims (4)
- 基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板保持部により保持された基板の周囲を囲み、基板から飛散する処理液を受け止めて回収する、上部に開口部を有する筒状の液受けカップと、
前記基板保持部および前記液受けカップを収容するハウジングと、
前記液受けカップの内部の雰囲気を排気するために前記液受けカップに接続されたカップ排気路と、
前記カップ排気路内の圧力を検出する排気路圧力センサと、
前記液受けカップの外側の前記ハウジング内の圧力を検出するハウジング圧力センサと、
前記ハウジング圧力センサの検出値と前記排気路圧力センサの検出値との差が所定の判定基準値以下となったときに、そのことを知らせる警報を発する制御部と、
を備えたことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記所定の判定基準値は、前記ハウジング内の圧力をP1、前記液受けカップ内の圧力をP2、前記カップ排気路内の圧力をPcとしたときに、P1とP2との大小関係が逆転するときのPcの値に所定のマージンを加えた値である、請求項1記載の基板液処理装置。
- 基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板保持部により保持された基板の周囲を囲み、基板から飛散する処理液を受け止めて回収する、上部に開口部を有する筒状の液受けカップと、前記基板保持部および前記液受けカップを収容するハウジングと、前記液受けカップの内部の雰囲気を排気するために前記液受けカップに接続されたカップ排気路と、を備えた基板液処理装置を用いて、前記液受けカップ内を排気しつつ基板を回転させた状態で処理液を基板に供給して基板を処理するときに、前記液受けカップの上部開口部から液受けカップ内に流入し、前記液受けカップ内を流下してカップ排気路に排出される気流に異常が生じていることを検出する気流異常検出方法において、
排気路圧力センサにより前記カップ排気路内の圧力を検出するとともに、ハウジング圧力センサにより前記液受けカップの外側の前記ハウジング内の圧力を検出し、前記ハウジング圧力センサの検出値と前記排気路圧力センサの検出値との差が所定の判定基準値以下となったときに、そのことを通知する警報を発することを特徴とする気流異常検出方法。 - 前記所定の判定基準値は、前記ハウジング内の圧力をP1、前記液受けカップ内の圧力をP2、前記カップ排気路内の圧力をPcとしたときに、P1とP2との大小関係が逆転するときのPcの値に所定のマージンを加えた値である、請求項3記載の気流異常検出方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013048919A JP5833046B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 基板液処理装置および気流異常検出方法 |
KR1020140023461A KR102159839B1 (ko) | 2013-03-12 | 2014-02-27 | 기판 액처리 장치 및 기류 이상 검출 방법 |
TW103107703A TWI562192B (en) | 2013-03-12 | 2014-03-06 | Substrate liquid processing device and flow abnormality detection method |
US14/200,668 US9478445B2 (en) | 2013-03-12 | 2014-03-07 | Substrate liquid processing apparatus and method for detecting abnormality of air flow |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013048919A JP5833046B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 基板液処理装置および気流異常検出方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014175581A true JP2014175581A (ja) | 2014-09-22 |
JP2014175581A5 JP2014175581A5 (ja) | 2015-03-12 |
JP5833046B2 JP5833046B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=51521618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013048919A Active JP5833046B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 基板液処理装置および気流異常検出方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9478445B2 (ja) |
JP (1) | JP5833046B2 (ja) |
KR (1) | KR102159839B1 (ja) |
TW (1) | TWI562192B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019036595A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2020043158A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2022146921A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6461617B2 (ja) | 2015-01-20 | 2019-01-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6691836B2 (ja) * | 2016-06-20 | 2020-05-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR101853373B1 (ko) * | 2016-08-01 | 2018-06-20 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US10824175B2 (en) * | 2017-07-28 | 2020-11-03 | Stmicroelectronics, Inc. | Air flow measurement using pressure sensors |
CN110021535A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 弘塑科技股份有限公司 | 基板处理装置及其旋转台 |
KR102121240B1 (ko) * | 2018-05-03 | 2020-06-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2020035794A (ja) * | 2018-08-27 | 2020-03-05 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP7130524B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2022-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の制御装置および基板処理装置の制御方法 |
KR20210089980A (ko) | 2020-01-09 | 2021-07-19 | 주식회사 모원 | 진단 장치 |
CN111842021B (zh) * | 2020-07-11 | 2021-05-25 | 吉林北方捷凯传动轴有限公司 | 传动轴移动端节护盖装配用自动涂胶及检测设备 |
TWI770753B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-11 | 南亞科技股份有限公司 | 清洗裝置及清洗方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62102854A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転処理装置 |
JPH05121308A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理液塗布装置 |
JPH05136041A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nec Corp | 薬液塗布装置 |
US5358740A (en) * | 1992-06-24 | 1994-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus |
JPH0878385A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 乾燥方法および乾燥装置 |
US20060002833A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Hyung-Seok Choi | Apparatus to suppress ascending gas flow and method for exhaust control thereof |
JP2006332085A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | スピン乾燥装置 |
JP2007266333A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009059795A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5254367A (en) * | 1989-07-06 | 1993-10-19 | Tokyo Electron Limited | Coating method and apparatus |
JPH09148231A (ja) | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置 |
US7694650B2 (en) * | 2002-09-04 | 2010-04-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. | Exhaust monitoring cup |
JP3860111B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2006-12-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置およびメッキ方法 |
US7322225B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-01-29 | Nec Electronics America, Inc. | Adhesion promotion vacuum monitoring system for photo resist coaters |
-
2013
- 2013-03-12 JP JP2013048919A patent/JP5833046B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-27 KR KR1020140023461A patent/KR102159839B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-06 TW TW103107703A patent/TWI562192B/zh active
- 2014-03-07 US US14/200,668 patent/US9478445B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62102854A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転処理装置 |
JPH05121308A (ja) * | 1991-10-29 | 1993-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理液塗布装置 |
JPH05136041A (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-01 | Nec Corp | 薬液塗布装置 |
US5358740A (en) * | 1992-06-24 | 1994-10-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for low pressure spin coating and low pressure spin coating apparatus |
JPH0878385A (ja) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Hitachi Ltd | 乾燥方法および乾燥装置 |
US20060002833A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Hyung-Seok Choi | Apparatus to suppress ascending gas flow and method for exhaust control thereof |
JP2006332085A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Mitsubishi Electric Corp | スピン乾燥装置 |
JP2007266333A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2009059795A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019036595A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP2020043158A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7027284B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-03-01 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2022146921A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
JP7325564B2 (ja) | 2021-03-22 | 2023-08-14 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI562192B (en) | 2016-12-11 |
TW201447972A (zh) | 2014-12-16 |
KR20140111953A (ko) | 2014-09-22 |
JP5833046B2 (ja) | 2015-12-16 |
US20140261172A1 (en) | 2014-09-18 |
KR102159839B1 (ko) | 2020-09-24 |
US9478445B2 (en) | 2016-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5833046B2 (ja) | 基板液処理装置および気流異常検出方法 | |
JP2014175581A5 (ja) | ||
JP6022430B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6268469B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体 | |
JP6769166B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
US10022758B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for detecting clogging of exhaust pipe in substrate processing apparatus | |
JP2007266333A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2014197592A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102455804B1 (ko) | 세정 장치, 연마 장치, 세정 장치에 있어서 기판의 회전 속도를 산출하는 장치 및 방법 | |
JP5596071B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP2010239013A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2017143141A (ja) | 枚葉式ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄処理方法 | |
JP5290837B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4995669B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6468213B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2018139250A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102257429B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 부품 검사 방법 | |
JP7351331B2 (ja) | シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法 | |
JP3686534B2 (ja) | 回転式基板処理装置 | |
JP2002075951A (ja) | 半導体ウエハ用洗浄装置 | |
CN112447559A (zh) | 涂布装置 | |
JP2021040128A (ja) | 塗布装置 | |
JP2019169642A (ja) | 基板処理装置用のピトー管式流量計、基板処理装置、および基板処理方法 | |
KR20230168790A (ko) | 약액 분사 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 | |
JP2018163898A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150121 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5833046 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |