TW201447972A

TW201447972A - 基板液體處理裝置及氣流異常檢測方法

Info

Publication number: TW201447972A
Application number: TW103107703A
Authority: TW
Inventors: Norihiro Ito
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2013-03-12
Filing date: 2014-03-06
Publication date: 2014-12-16
Also published as: US20140261172A1; JP2014175581A; TWI562192B; KR102159839B1; JP5833046B2; KR20140111953A; US9478445B2

Abstract

本發明旨在提供一種基板液體處理裝置及氣流異常檢測方法，可檢測自液體承接杯體之上部開口部流入液體承接杯體內，於液體承接杯體內流下而朝杯體排氣路排出之氣流中發生異常。其中基板液體處理裝置包含：基板固持部（10），固持基板（W）並使其旋轉；處理液噴嘴（51～53），對基板供給處理液；筒狀之液體承接杯體（20、30），包圍基板之周圍，承接並回收自基板飛散之處理液，於上部具有開口部；殼體（60），收納基板固持部及液體承接杯體；杯體排氣路（36），為使液體承接杯體之內部之氛圍排氣，連接該液體承接杯體；杯體排氣路壓力感測器（92），檢測杯體排氣路內之壓力；殼體壓力感測器（91），檢測液體承接杯體之外側之殼體內之壓力；及控制部（100），殼體壓力感測器之檢測值（P1）與杯體排氣路壓力感測器之檢測值（Pc）之差在既定之判定基準值以下時，發出通知此事之警報。

Description

基板液體處理裝置及氣流異常檢測方法

本發明係關於檢測基板液體處理裝置中，於液體承接杯體內流動之氣流內發生異常之技術。

半導體裝置之製造程序中，包含對半導體晶圓等基板供給化學液等處理液，施行既定之液體處理之液體處理程序。如此之液體處理程序係使用基板液體處理裝置進行，該基板液體處理裝置例如包含：旋轉吸盤，以水平姿態固持基板，使其繞著鉛直軸線旋轉；處理液噴嘴，對由旋轉吸盤固持之基板供給處理液；及液體承接杯體，承接並回收因離心力朝基板之外方飛散之處理液。於液體承接杯體設有排氣口，此排氣口連接工廠排氣系之排氣導管。排氣導管內呈負壓，故液體承接杯體之內部氛圍經由排氣口被排出，液體承接杯體內呈負壓。另一方面，於收納旋轉吸盤及液體承接杯體之殼體內，流入用來形成降流之潔淨氣體，故殼體內相對於液體承接杯體內呈正壓。藉由產生如此之壓力梯度，由旋轉吸盤固持之基板之上方空間之氛圍（潔淨氣體氛圍）流入液體承接杯體內，自液體承接杯體之排氣口朝工廠排氣系排出。自基板飛散之霧靄狀之處理液跟著此氣流，於液體承接杯體內朝排氣口順暢地流動，故可防止或抑制霧靄再附著基板。

然而，有時因某種理由上述壓力關係崩潰後，伴隨著霧靄之氣流即會自液體承接杯體內朝晶圓之上方空間逆流。此霧靄會污染基板表面，對處理結果造成不良影響。因此，為使被污染之晶圓不轉移至下一程序，或是為提出逆流之對策，操作員需掌握可能發生逆流之狀況。

專利文獻1中記載：乾燥處理時，以內壓感測器檢測液體承接杯體之內部壓力，並以外壓感測器檢測液體承接杯體之外部壓力（亦即殼體內之壓力），反饋控制氣流控制裝置（具體而言，氣流控制滾筒對旋轉吸盤之基底之高度位置），俾外壓感測器之檢測值在內壓感測器之檢測值以上。亦即，在此，以調整機構適當調整壓力梯度。

包含複數之杯體之多段式液體承接杯體中，對應供給至基板之處理液之種類，使用不同之排氣流路，故需於各排氣流路分別設置壓力感測器。然而，構成多段式液體承接杯體之杯體為切換排氣流路需移動，故難以將感測器安裝於排氣流路內，或是感測器之安裝構造變得複雜。【先前技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2009-059795號

【發明所欲解決之課題】

本發明提供一種技術，檢測自液體承接杯體之上部開口部流入液體承接杯體內，於液體承接杯體內流下而朝杯體排氣路排出之氣流中發生異常。【解決課題之手段】

依本發明之一實施形態可提供一種基板液體處理裝置，包含：　基板固持部，固持基板並使其旋轉；　處理液噴嘴，將處理液供給至由該基板固持部固持之基板；筒狀之液體承接杯體，包圍由該基板固持部固持之基板之周圍，承接並回收自基板飛散之處理液，於上部具有開口部；　殼體，收納該基板固持部及該液體承接杯體；杯體排氣路，為使該液體承接杯體之內部之氛圍排氣，連接該液體承接杯體；杯體排氣路壓力感測器，檢測該杯體排氣路內之壓力；　殼體壓力感測器，檢測該液體承接杯體之外側之該殼體內之壓力；及控制部，該殼體壓力感測器之檢測值與該杯體排氣路壓力感測器之檢測值之差在既定之判定基準值以下時，發出通知此事之警報。

依本發明之另一實施形態可提供一種氣流異常檢測方法，使用一種基板液體處理裝置，該基板液體處理裝置包含：基板固持部，固持基板並使其旋轉；處理液噴嘴，將處理液供給至由該基板固持部固持之基板；筒狀之液體承接杯體，包圍由該基板固持部固持之基板之周圍，承接並回收自基板飛散之處理液，於上部具有開口部；殼體，收納該基板固持部及該液體承接杯體；及杯體排氣路，為使該液體承接杯體之內部之氛圍排氣，連接該液體承接杯體；且在以使該液體承接杯體內排氣，同時令基板旋轉之狀態對基板供給處理液，以處理基板時，檢測是否發生下列現象：自該液體承接杯體之上部開口部流入液體承接杯體內，於該液體承接杯體內流下而朝杯體排氣路被排出之氣流發生異常，該氣流異常檢測方法之特徵在於：由杯體排氣路壓力感測器檢測該杯體排氣路內之壓力，並由殼體壓力感測器檢測該液體承接杯體之外側之該殼體內之壓力，該殼體壓力感測器之檢測值與該杯體排氣路壓力感測器之檢測值之差在既定之判定基準值以下時，發出通知此事之警報。【發明之效果】

依本發明，可根據設置於殼體內與杯體排氣路內之壓力計之檢測值，確實掌握液體承接杯體內之氣流，可提升生產管理效率。

以下參照圖式，說明關於發明之實施形態。如圖1所示，基板液體處理裝置包含以水平姿態固持半導體晶圓（以下僅稱「晶圓」）W之基板固持部10。基板固持部10形成為機械旋轉吸盤，包含圓板狀之基底12，及安裝於基底12之複數例如3個夾持爪14。於基底12，組裝有不圖示之板，其包含升降銷16，在與外部之搬運臂之間傳遞晶圓W時，支持並推起晶圓之下表面。基板固持部10可由具有電動馬達之旋轉驅動部18使其旋轉，藉此，可使由基板固持部10固持之晶圓W繞著鉛直方向軸線旋轉。

於基板固持部10之基底12，隔著3根（僅顯示1根）支柱19，安裝圓環狀之旋轉杯體20。旋轉杯體20之內周面承接對旋轉之晶圓W供給後自晶圓W被甩掉而飛散之處理液，朝杯體30內引導。

杯體30包含複數之杯體（31～33），至少其中之一（本例中為2）為切換流路為可動。詳細而言，液體承接杯體30包含：不動之環狀之第1杯體31亦即外杯體，位於最外側；可昇降之環狀之第2杯體32，位於其內側；可昇降之環狀之第3杯體33，位於其更內側；及不動之內壁34，位於其更內側。第2杯體32及第3杯體33如圖1概略所示，分別由昇降機構32A、33A昇降。於圖1之左側顯示處於上昇位置之第2杯體32及第3杯體33，於圖1之右側顯示處於下降位置之第2杯體32及第3杯體33。第1～第3杯體31～33及內壁34不旋轉。在第1杯體31與第2杯體32之間形成第1流路311，在第2杯體32與第3杯體33之間形成第2流路321，在第3杯體33與內壁34之間形成第3流路331。

於杯體30之底部，形成連通第1流路311、第2流路321及第3流路331之杯體排氣口35。杯體排氣口35連接杯體排氣路36。於杯體排氣路36，插設可調整開度之閥，例如蝶形閥37，藉由調整蝶形閥37之開度，可調整自杯體30經由杯體排氣路36之排氣流量。

於第1流路311、第2流路321及第3流路331途中分別設有彎曲部，藉由於彎曲部方向劇烈改變，自於各流路流動之氣液混合流體分離液體成分。分離之液體成分落下至對應第1流路311之液體承接部312、對應第2流路321之液體承接部322、及對應第3流路331之液體承接部332內。液體承接部312、322、332經由對應分別之排液口313、323、333，連接工廠之酸性液體廢液系、鹼性液體廢液系、一般液體廢液系（皆未經圖示）。

基板液體處理裝置更包含朝由基板固持部10固持而旋轉之晶圓W噴吐（供給）處理液之複數之處理液噴嘴。本例中，設有：酸性化學液噴嘴51，噴吐酸性清洗液（例如DHF（稀氫氟酸））；鹼性化學液噴嘴52，噴吐鹼性清洗液（例如SC-1）；及潤洗液噴嘴53，噴吐潤洗液（例如DIW（純水））。自包含連接處理液供給源並插設有開合閥及流量調整閥等流量調整器之處理液供給路之不圖示之處理液供給機構，對各噴嘴分別供給處理液。

基板固持部10及杯體30收納於殼體60內。於殼體60之頂棚，設有風扇過濾器單元（FFU）70。於殼體60之頂棚下方，設有形成多數之貫通孔72之整流板71。整流板71整流，俾自FFU70朝下方吹送之潔淨空氣（CA）在晶圓W上均等地流動。於殼體60內，經常形成自整流板71之貫通孔72朝晶圓W向下流動之潔淨空氣之降流。

於殼體60之下部（具體而言至少低於杯體30之上部開口部之位置），且在杯體30之外部，設有用來使殼體60內之氛圍排氣之殼體排氣口62。殼體排氣口62連接殼體排氣路64。於殼體排氣路64，插設可調整開度之閥，例如蝶形閥66。

杯體排氣路36及殼體排氣路64中，切換閥40處於第1切換狀態連接工廠排氣系之一部分之酸性氛圍排氣線81，處於第2切換狀態時連接鹼性氛圍排氣線82，處於第3切換狀態連接一般氛圍排氣線83。各排氣線81～83呈負壓，故對應切換閥40之切換狀態，抽吸杯體30之內部空間及殼體60之內部空間。

基板液體處理裝置中，更設有：殼體壓力計91，檢測殼體60內之壓力P1；及杯體排氣路壓力計92，檢測杯體排氣路36之較蝶形閥37上游側之位置之壓力Pc。

如圖1概略所示，基板液體處理裝置包含整合控制其整體動作之控制器（控制部）100。控制器100控制基板液體處理裝置所有功能零件（例如旋轉驅動部18、第2及第3杯體32、33之昇降機構、不圖示之處理液供給機構、切換閥40、FFU70、不圖示之氣體供給機構等）動作。控制器100可藉由作為硬體之例如通用電腦，與作為軟體用來使該電腦動作之程式（裝置控制程式及處理配方等）實現。軟體由固定設於電腦之硬碟驅動裝置等記憶媒體儲存，或是由CD-ROM、DVD、快閃記憶體等以可裝卸之方式安裝於電腦之記憶媒體儲存。如此之記憶媒體於圖1以參照符號101表示。處理器102因應所需根據來自不圖示之使用者介面之指示等將既定之處理配方自記憶媒體101叫出而實行之，藉此基板液體處理裝置各功能零件在控制器100之控制下動作，進行既定之處理。

其次，說明關於在上述控制器100之控制下進行之基板液體處理裝置之動作。

〔酸性化學液清洗處理〕晶圓W由基板固持部10固持，因旋轉驅動部18晶圓W旋轉。對此旋轉之晶圓W，作為處理液，自酸性化學液噴嘴51供給酸性化學液例如DHF，對晶圓W施行酸性化學液清洗處理。酸性化學液因離心力自晶圓W被甩掉，由旋轉杯體20承接。此時，第2杯體32及第3杯體33位於下降位置（圖1之右側所示之位置），酸性化學液通過第1杯體31與第2杯體32之間之第1流路311流動。

此時，由FFU70供給，存在於晶圓W之上方空間之潔淨空氣通過旋轉杯體20之內周緣與晶圓W之外周緣之間之間隙，流入杯體30內。流入杯體30內之潔淨空氣通過第1流路311而流動，自杯體排氣口35被排出，通過杯體排氣路36及呈第1切換狀態之切換閥40流往酸性氛圍排氣線81。

又，酸性化學液因對晶圓沖擊，或是對旋轉杯體20、第1杯體31等沖擊，一部分呈霧靄狀，此霧靄跟著流入杯體30內而通過第1流路311流動之氣流，朝杯體排氣口35流動。霧靄之大部分由設於第1流路311之途中之彎曲部之壁體所搜集，朝液體承接部312落下。且沿面對第1流路311之第1杯體31及第2杯體32之表面流下之酸性化學液亦朝液體承接部312落下。落下至液體承接部312之酸性化學液經由排液口313自杯體30內被排出。

且存在於殼體60之內部空間之杯體30之周邊空間之氣體自殼體排氣口62被排出，通過殼體排氣路64及呈第1切換狀態之切換閥40朝酸性氛圍排氣線81流動。

〔第1潤洗處理〕其次，晶圓W持續旋轉，並直接停止自酸性化學液噴嘴51噴吐酸性化學液，代之以自潤洗液噴嘴53，作為處理液，對晶圓W供給潤洗液例如DIW。藉此，洗掉殘留在晶圓W上的酸性化學液及殘渣。此第1潤洗處理中之氣體、處理液等之排出通道與酸性化學液清洗處理相同。

〔鹼性化學液清洗處理〕其次，晶圓W持續旋轉，並直接停止自潤洗液噴嘴53噴吐潤洗液，第3杯體33維持於下降位置並直接使第2杯體32移動至上昇位置，切換閥40呈第2切換狀態。接著，對晶圓W，作為處理液，自鹼性化學液噴嘴52對晶圓供給鹼性清洗液例如SC-1，對晶圓W施行鹼性化學液清洗處理。

此鹼性化學液清洗處理中，處於晶圓W之上方空間之氣體（潔淨空氣）經由第1杯體31之上部開口朝杯體30內流入後，通過第2杯體32與第3杯體33之間之第2流路321而流動，自杯體排氣口35被排出，通過杯體排氣路36及切換閥40流往鹼性氛圍排氣線82。自晶圓W飛散之化學液通過第2流路321而流動，朝液體承接部322落下，經由排液口323自杯體30內被排出。存在於殼體60之內部空間之杯體30之周邊空間之氣體自殼體排氣口62被排出，通過殼體排氣路64及切換閥40流往鹼性氛圍排氣線82。

〔第2潤洗處理〕其次，晶圓W持續旋轉，並直接停止自鹼性化學液噴嘴52噴吐鹼性化學液，代之以自潤洗液噴嘴53，對晶圓W供給潤洗液。藉此，洗掉殘留在晶圓W上的鹼性化學液及殘渣。此第2潤洗處理中之氣體、處理液等之排出通道與鹼性化學液清洗處理相同。

〔乾燥處理〕其次，晶圓W持續旋轉，並直接停止自潤洗液噴嘴53噴吐潤洗液，維持第2杯體32於上昇位置並直接使第3杯體33朝上昇位置移動（圖1之左側所示之位置），切換閥40之閥體呈第3切換狀態。以此狀態晶圓W持續旋轉既定時間。藉此，自晶圓W上甩掉殘留在晶圓W上的DIW，使晶圓W乾燥。進行此乾燥處理時，自晶圓W之上方空間朝杯體30內流入之潔淨氣體通過第3杯體33與內壁34之間之第3流路331而流下，自杯體排氣口35被排出，通過杯體排氣路36及切換閥40而流往一般氛圍排氣線83。自晶圓W飛散之化學液通過第3流路331而流動，朝液體承接部332落下，經由排液口333自杯體30內被排出。存在於殼體60之內部空間之杯體30之周邊空間之氣體自殼體排氣口62被排出，通過殼體排氣路64及切換閥40，流往一般氛圍排氣線83。乾燥處理時，亦可不進行經由殼體排氣路64之排氣。

其次，詳述關於進行酸性化學液體處理時與杯體30相關之流體之流動。又，進行酸性化學液體處理時，如圖1之右側所示，第2杯體32及第3杯體33處於下降位置。且經由殼體排氣路64以既定流量使殼體60之內部空間排氣。又，經由殼體排氣路64之排氣流量若一定，亦即只要不藉由例如蝶形閥66之開度調整積極地使經由殼體排氣路64之排氣流量變動，經由殼體排氣路64之排氣即不影響以下說明之現象（壓力變動及逆流），故以下之說明中未涉及之。

首先，令晶圓不旋轉。於殼體60內，經常形成自FFU70朝晶圓上表面向下流動之潔淨空氣之降流。杯體30內之氛圍（特別是第1流路311內之氛圍）經由杯體排氣路36以既定流量被排氣。適當設定來自FFU70之潔淨空氣之供給流量及經由殼體排氣路64之排氣流量，藉此，在殼體60內之壓力P1（殼體壓力計91之檢測值）、第1流路311內之壓力P2、及杯體排氣路36內之壓力Pc（杯體排氣路壓力計之檢測值）之間，成立「P1＞P2＞Pc」之關係。又，來自FFU70之潔淨空氣之降流朝杯體30內順暢地流入，通過第1流路311朝杯體排氣口35順暢地流動，自杯體排氣口35朝杯體排氣路36被排出。

自此狀態令晶圓W旋轉後，晶圓W之表面背面附近之氣體被晶圓W之旋轉拉扯而移動，形成呈渦卷狀於晶圓W之半徑方向外側前進之迴旋流。又，於旋轉之基板固持部10之基底12及旋轉杯體20附近，亦形成呈渦卷狀於晶圓W之半徑方向外側前進之迴旋流。此迴旋流促進將來自FFU70之潔淨空氣之降流導入杯體30之內部，並將此導入之潔淨空氣推入杯體30內之第1流路311。藉由其影響，殼體60內之壓力P1下降，杯體30內之壓力P2及杯體排氣路36內之壓力Pc上昇。晶圓之旋轉速度愈高壓力之上昇及下降愈大。即使晶圓之旋轉速度上昇某程度，只要維持上述「P1＞P2＞Pc」之關係，氣流即會如前述順暢地流動，故酸性化學液之霧靄亦會跟著此氣流順暢地朝杯體排氣口35流動。

然而，晶圓之旋轉速度更上昇，呈「P2≧P1」後，上述氣流即會發生異常。具體而言，處於晶圓之上方之氣體無法流入第1流路311內，且一旦流入第1流路311內之氣體通過晶圓W與旋轉杯體20之間之間隙及旋轉杯體20與第1杯體31之間，朝晶圓之上方空間逆流。化學液之霧靄亦跟著此逆流之氣流朝晶圓之上方空間逆流，附著晶圓W。如此之化學液之霧靄之附著可能成為產生粒子之原因。因此，需維持「P1＞P2」之關係，至少操作員需可掌握關於「P2≧P1」之事象是否發生。

壓力P1可由殼體壓力計91檢測，亦可輕易設置殼體壓力計91。然而，杯體包含如圖示之可動杯體（第2、第3杯體32，33）時，難以在杯體內（第1至第3流路311、321、331內）組裝壓力計。且化學液於第1流路311及第2流路321內飛散，故作為壓力計之設置環境不佳。且於第1至第3流路311、321、331內，產生來自迴旋流之相對較高之動壓，故難以精確測定壓力。且化學液飛散之第1流路311及第2流路321內作為具有動壓修正功能之壓力計之設置環境亦不佳。

在此，本實施形態中，根據由殼體壓力計91檢測之殼體60內之壓力P1，與由杯體排氣路壓力計92檢測之杯體排氣路36內之壓力Pc之相關關係，判定是否呈發生氣流異常之狀況，具體而言，是否呈可能發生氣流逆流（亦即霧靄之逆流）之狀況。

圖2之曲線圖顯示實際於基板液體處理裝置進行清洗試驗運轉，分別經由杯體排氣路36之排氣流量為0.5m³／min時，伴隨著晶圓之旋轉速度之變化，壓力P1（以●表示）、壓力P2（以塗黑之四角形表示）及壓力Pc（以×表示）之變化。又，試驗時，於液體承接杯體30之第1杯體31頂棚部使貫通孔穿孔，將試驗用之壓力計插入第1流路311內（於圖1右側以虛線表示），以此壓力計測定壓力P2。曲線圖中短劃線之縱線對應「P1＝P2」之晶圓轉速（本例中約900rpm），亦即對應氣流可能發生異常而產生逆流之晶圓轉速。由此曲線圖明白可知，至少，於「P1＝P2」之晶圓轉速附近，伴隨著晶圓轉速增加，殼體60內之壓力P1減少，且不僅第1流路311內之壓力P2，杯體排氣路36內之壓力Pc亦增大。亦即，已知杯體排氣路36內之壓力Pc與第1流路311內之壓力P2之間相關，可以某程度之確實性，根據殼體60內之壓力P1與杯體排氣路36內之壓力Pc之關係，推定殼體60內之壓力P1與第1流路311內之壓力P2之關係。因此，可對「P1＝P2」之晶圓轉速中「P1-Pc」之值（本例中約13Pa）設定某程度之邊限（例如3Pa），以此為判定基準值，判定是否呈逆流以某程度之確率發生之狀態。具體而言，在此，可以例如P1-Pc＞16Pa為判定基準值。當然，此判定基準值依裝置之尺寸等變化，故需以使用與實際裝置構成相同之裝置之試驗決定。

控制器（控制部）100之記憶媒體101中，比較於每一杯體排氣路36造成的排氣流量以實驗決定之壓力差P1-Pc之判定基準值，與根據殼體壓力計91及杯體排氣路壓力計92之檢測值之實際壓力差P1-Pc。壓力差P1-Pc小於判定基準值時，藉由於不圖示之顯示器等使用者介面顯示，或是產生警報音、警報光，對操作員發出警告。收到警告之操作員抽出該當之晶圓W，以粒子檢查裝置檢查該晶圓W之粒子，對應檢查結果，施行將該晶圓W送往下一程序，或是拋棄該晶圓W等適當之處置。

如以上說明，依本實施形態，可根據設置於相對設置較輕易之殼體60內與杯體排氣路36內之壓力計之檢測值，確實掌握逆流發生之可能性。因此，可提升生產管理效率。

又，以壓力差P1-Pc之測定及與判定基準值之比較判定逆流可能性不限於酸性化學液體處理時，於鹼性化學液體處理、潤洗處理、乾燥處理時亦可進行。關於判定基準值，宜在每一各處理決定。如此於不同之複數之處理中判定逆流可能性可使用相同之壓力計91、92進行，故可抑制裝置成本上昇。

又，上述各實施形態中，基板液體處理裝置雖作為承接自晶圓飛散之處理液之液體承接杯體包含旋轉杯體（旋轉杯體）20及不旋轉之杯體30（由複數之杯體31～33構成），但未限定於此，液體承接杯體亦可僅以不旋轉之杯體構成。且上述實施形態中根據殼體內之壓力與杯體排氣路內之壓力差判斷逆流可能性雖在難以於液體承接杯體內配置壓力計之狀況下（例如有可動之杯體時）特別有益，但非如此時，亦可進行如上述之判斷。且基板液體處理裝置不限於進行清洗處理，亦可進行塗布處理、顯影處理。

10．．．基板固持部

12．．．基底

14．．．夾持爪

16．．．升降銷

18．．．旋轉驅動部

19．．．支柱

20．．．旋轉杯體

30．．．杯體(液體承接杯體)

31．．．第1杯體

32．．．第2杯體

33．．．第3杯體

32A、33A．．．昇降機構

34．．．內壁

35．．．杯體排氣口

36．．．杯體排氣路

37、66．．．蝶形閥

40．．．切換閥

51~53．．．處理液噴嘴

60．．．殼體

62．．．殼體排氣口

64．．．殼體排氣路

70．．．FFU

71．．．整流板

72．．．貫通孔

81~83．．．排氣線

91．．．殼體壓力感測器(殼體壓力計)

92．．．杯體排氣路壓力感測器(杯體排氣路壓力計)

100．．．控制部

101．．．記憶媒體

102．．．處理器

311．．．第1流路

321．．．第2流路

331．．．第3流路

312、322、332．．．液體承接部

313、323、333．．．排液口

圖1係顯示依本發明之基板液體處理裝置之一實施形態之構成之概略圖。圖2係顯示每一以杯體排氣路排氣之排氣流量，伴隨著晶圓轉速之變化，殼體內壓力及杯體排氣路內壓力之變化之曲線圖。