JP2014175532A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 処理液による基板の処理を良好に行えるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板（３）に処理液を供給して基板（３）の処理を行う基板処理装置（１）及び基板処理方法において、基板（３）を回転させるための基板回転手段（１２）と、基板（３）に処理液を供給するための処理液供給手段（１３，１４）と、基板（３）の周囲に配置され、基板（３）に供給された処理液を回収するとともに、上部の開口（３４）から基板（３）の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成するための回収カップ（３２）と、回収カップ（３２）の内側であって、かつ、開口（３４）よりも外側に、基板（３）の外方へ向けて作用する負圧を生成させるための負圧生成手段（３６）とを有し、基板（３）を処理液で処理する時に負圧を生成させることにした。
【選択図】図３

Description

本発明は、回転する基板に処理液を供給して前記基板の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。

従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄液やエッチング液などの各種の処理液を用いて液処理を施している。

この基板に対する液処理で用いられる基板処理装置では、基板回転手段で基板を回転させながら、処理液供給手段で基板に向けて処理液を供給することで、基板処理室内において基板を処理液で液処理する。

そして、基板処理装置では、基板の周囲に回収カップを配置し、基板に供給した処理液を回収カップで回収する。

この回収カップには、基板処理装置を設置した工場に既存の排気設備が接続されており、排気設備によって回収カップの上部の開口から吸引した空気を回収カップの底部から外部へと排出する。これにより、基板の上方から基板の端縁外方を通過して基板の下方へと流れる気流を生成して、この気流によってミスト状の処理液等を基板処理室から外部へと排出している（たとえば、特許文献１参照。）。

特開２００８−３４４９０号公報

ところが、上記従来の基板処理装置では、基板処理装置を設置した工場の排気設備を利用しており、基板の処理時に基板の周辺に生成される気流の量や流速が排気手段の能力に依存する。

そのため、基板処理装置が要求する排気量を排気設備から得ることができない場合には、基板の処理時に適した気流が基板の周囲に生成できず、回転する基板から飛散した処理液が回収カップの内壁で跳ね返って基板の表面に処理液やパーティクルが付着してしまい、基板の液処理を良好に行えないおそれがあった。

そこで、本発明では、回転する基板に処理液を供給して前記基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板を回転させるための基板回転手段と、前記基板に前記処理液を供給するための処理液供給手段と、前記基板の周囲に配置され、前記基板に供給された前記処理液を回収するとともに、上部の開口から前記基板の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成するための回収カップと、前記回収カップの内側であって、かつ、前記開口よりも外側に、前記基板の外方へ向けて作用する負圧を生成させるための負圧生成手段とを有することにした。

また、前記基板回転手段と前記処理液供給手段と前記負圧生成手段を制御するための制御手段を有し、前記制御手段で前記負圧生成手段の稼働及び停止を制御することにした。

また、前記制御手段で前記負圧生成手段によって生成する負圧の大きさを制御することにした。

また、前記負圧生成手段は、前記回収カップの前記開口よりも外側に、前記回収カップの内壁に沿って流れる圧縮気体を供給するための気体供給口を形成し、前記気体供給口に圧縮気体を供給することで前記気流を前記基板の外方へ向けて誘引する負圧を生成するように構成することにした。

また、前記気体供給口を前記開口に沿ってスリット状に形成することにした。

また、前記内壁を前記気体供給口に繋がる連続する面で形成することにした。

また、前記基板の外方へ向けて誘引する負圧によって生成された気流と、前記気体供給口から供給される圧縮気体とがともに前記回収カップの内壁に沿って流れることにした。

また、本発明では、回転する基板に処理液を供給して前記基板の処理を行う基板処理方法において、前記基板を前記処理液で処理する時に、前記基板に供給した前記処理液を回収カップで回収するとともに、前記回収カップの上部の開口から前記基板の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成し、さらに、前記回収カップの内側であって、かつ、前記開口よりも外側で、前記基板の外方へ向けて作用する負圧を生成させることにした。

また、前記基板の処理に応じて前記負圧の有無を制御することにした。

また、前記基板の処理に応じて前記負圧の大きさを制御することにした。

本発明では、工場の排気設備の能力に依存せずに、基板の処理時に必要な排気量を得ることができる。

基板処理装置を示す平面図。 基板液処理装置を示す平面図。 同側面断面図。 同拡大側面断面図。 基板液処理装置の動作説明図（基板受取工程）。 基板液処理装置の動作説明図（洗浄処理工程）。 基板液処理装置の動作説明図（リンス処理工程）。 基板液処理装置の動作説明図（乾燥処理工程）。 基板液処理装置の動作説明図（基板受渡工程）。 他の基板液処理装置を示す説明図。

以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。

図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成する。搬入出部２には、複数枚（たとえば、25枚）の基板３（ここでは、半導体ウエハ）を収容したキャリア４が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。

また、基板処理装置１は、搬入出部２の後部に搬送部５を形成する。搬送部５は、前側に基板搬送装置６を配置するとともに、後側に基板受渡台７を配置する。この搬送部５では、搬入出部２に載置されたいずれかのキャリア４と基板受渡台７との間で基板搬送装置６を用いて基板３を搬送する。

また、基板処理装置１は、搬送部５の後部に処理部８を形成する。処理部８は、中央に前後に伸延する基板搬送装置９を配置するとともに、基板搬送装置９の左右両側に基板３を液処理するための基板液処理装置10を前後に並べて配置する。この処理部８では、基板受渡台７と基板液処理装置10との間で基板搬送装置９を用いて基板３を搬送し、基板液処理装置10を用いて基板３の液処理を行う。

基板液処理装置10は、図２及び図３に示すように、基板処理室11に基板回転手段12と処理液供給手段としての洗浄液供給手段13及びリンス液供給手段14と排液手段15を設けている。これらの基板回転手段12と洗浄液供給手段13とリンス液供給手段14と排液手段15には、制御手段16が接続されており、制御手段16で駆動が制御される。なお、基板液処理装置10は、筺体49の内部に基板処理室11を形成するとともに、基板処理室11に清浄の空気を供給するために筺体49の上部にファン・フィルター・ユニット50を取付けている。

基板回転手段12は、基板処理室11の内部に上下に伸延する回転軸17を設け、回転軸17の上端に円板状のターンテーブル18を水平に取付け、ターンテーブル18の外周端縁に３個の基板保持体19を円周方向に等間隔をあけて取付けている。

また、基板回転手段12は、回転軸17に基板回転機構20と基板昇降機構21とを接続している。これらの基板回転機構20及び基板昇降機構21は、制御手段16で回転制御や昇降制御される。

この基板回転手段12は、ターンテーブル18の基板保持体19で基板３を水平に保持する。また、基板回転手段12は、基板回転機構20でターンテーブル18に保持した基板３を回転させ、基板昇降機構21でターンテーブル18及びターンテーブル18に保持した基板３を昇降させる。

処理液供給手段は、処理液として洗浄液（薬液）を供給する洗浄液供給手段13と、処理液としてリンス液（純水）を供給するリンス液供給手段14とで構成している。

洗浄液供給手段13は、基板処理室11の内部に上下に伸延する支持軸22を設け、支持軸22の上端にアーム23を水平に取付け、アーム23の先端下部に洗浄液吐出ノズル24を下方の基板３に向けて取付けている。支持軸22には、洗浄液吐出ノズル移動機構25を接続している。この洗浄液吐出ノズル移動機構25は、制御手段16で駆動制御される。

また、洗浄液供給手段13は、洗浄液吐出ノズル24に洗浄液を供給するための洗浄液供給機構26を接続している。この洗浄液供給機構26は、制御手段16で供給制御される。

この洗浄液供給手段13は、洗浄液吐出ノズル移動機構25によって洗浄液吐出ノズル24を基板３の中央上方（開始位置）と基板３の端縁外方（退避位置）との間で往復移動させるとともに、洗浄液供給機構26によって洗浄液吐出ノズル24から基板３の表面（上面）に向けて洗浄液を供給する。

リンス液供給手段14は、基板処理室11の内部に上下に伸延する支持軸27を設け、支持軸27の上端にアーム28を水平に取付け、アーム28の先端下部にリンス液吐出ノズル29を下方の基板３に向けて取付けている。支持軸27には、リンス液吐出ノズル移動機構30を接続している。このリンス液吐出ノズル移動機構30は、制御手段16で駆動制御される。

また、リンス液供給手段14は、リンス液吐出ノズル29にリンス液を供給するためのリンス液供給機構31を接続している。このリンス液供給機構31は、制御手段16で供給制御される。

このリンス液供給手段14は、リンス液吐出ノズル移動機構30によってリンス液吐出ノズル29を基板３の中央上方（開始位置）と基板３の端縁外方（退避位置）との間で往復移動させるとともに、リンス液供給機構31によってリンス液吐出ノズル29から基板３の表面（上面）に向けてリンス液を供給する。

排液手段15は、基板３の周囲に円環状の回収カップ32を配置し、回収カップ32の内側下部（底部）に排液機構33を接続している。この排液機構33は、制御手段16で駆動制御される。

この排液手段15は、基板３の表面に供給された処理液を回収カップ32で回収し、排液機構33によって回収カップ32から外部へと排出する。

回収カップ32は、円板状の底部44と、底部44の外周縁部から上方に向けて起立する円環状の周壁部45を、周壁部45の上端から半径方向内側に向けて張り出して周壁部45よりも小径の円形状の開口34を形成する張出部46とを有する。開口34は、基板３よりも一回り大きいサイズに形成することにより、基板３の搬入時や搬出時に基板３を昇降させることができる。

また、回収カップ32は、底部44に排気路35を接続している。これにより、回収カップ32の上部の開口34から吸引した基板処理室11の内部の空気を回収カップ32の底部44から外部へと排出する。その際に、基板３の上方から基板３の端縁外方を通過して基板３の下方へと流れる気流が生成され、この気流によってミスト状の処理液等を基板処理室11から外部へと排出する（図４（ａ）参照。）。なお、排気路35は、基板処理装置１の内部に一体的に組み込まれたものであってもよい。

さらに、回収カップ32には、内部の気流を基板３の外方へ向けて誘引する負圧を生成させるための負圧生成手段36を回収カップ32の内側かつ開口34の外側に形成している。本実施例では、負圧生成手段36は、基板３の上方であって張出部46に形成している。

より具体的には、負圧生成手段36は、張出部46の開口34の外側に開口34の外周に沿って一定幅の円弧型スリット状の気体供給口37を円周方向に４個形成する。気体供給口37は、負圧を生成させるのに十分な形状であればよく、数は４個に限定されない。

そして、４個の気体供給口37の上部には、断面逆Ｕ字状（断面門型状）の円環状のカバー38を取付けている。このカバー38は、内部に気体供給口37よりも広い幅を有する気体流路39を形成している。また、カバー38は、外周部に４個の連結管40を円周方向に等間隔をあけて取付け、連結管40に圧縮気体を供給するための圧縮気体供給機構41を接続している。圧縮気体供給機構41は、制御手段16で稼働・停止の制御と流量の制御が行われる。連結管40は、気体供給口37に圧縮気体を供給できればよく、数は４個に限定されない。

回収カップ32の内壁42は、周壁部45の内面と張出部46の内面とを周壁部45の上方から張出部46の下方にかけて連続する凹状の面で構成している。また、内壁42は、気体供給口37の下部に繋がる張出部46の内面を凸状の曲部47からなる連続する面で構成している。さらに、内壁42は、気体供給口37の下部から開口34に繋がる張出部46の内面を凸状の曲部48からなる連続する面で構成している。

この負圧生成手段36は、図４（ａ）に示すように、圧縮気体供給機構41によって回収カップ32の気体供給口37に圧縮気体を供給していない時には、負圧の生成が無い停止状態となっている。一方、図４（ｂ）に示すように、圧縮気体供給機構41によって回収カップ32の気体供給口37に圧縮気体を供給している時には、圧縮気体が気体供給口37から内壁42に沿って流れ込み、それに伴ってコアンダ効果による負圧の生成が有る稼働状態となる。稼働状態では、コアンダ効果による負圧によって、基板３の上方から基板３の端縁外方を通過して基板３の下方へと流れる気流が、内壁42に沿って基板３の外方へ誘引されるとともに、基板３の端縁外方を通過する気流の流量や流速が増大する。気流の流量や流速は、圧縮気体供給機構41で供給する圧縮気体の流量や流速で制御することができる。

なお、負圧生成手段36は、気体供給口37の上部に気体供給口37よりも幅広の気体流路39を形成しているために、気体流路39がダンパーとして機能して気体供給口37から所定流量で所定流速の圧縮気体を均一に供給することができる。また、気体供給口37の下部に気体供給口37と連続する面からなる曲部47を形成しているために、気流や圧縮気体が層流となって曲部47に沿って円滑に流れる。このため、コアンダ効果を発生させやすい。さらに、開口34の下部に開口34と連続する面からなる曲部48を形成しているために、開口34から吸引した気流が層流となって曲部48に沿って円滑に流れる。

コアンダ効果によって負圧を発生させる負圧生成手段36は、回収カップ32の内部に設けた場合に限られず、排気路35の中途部に設けてもよい。たとえば、図10に示すように、回収カップ32の排気路35の中途部に負圧生成手段36'を設け、負圧生成手段36'に圧縮気体供給機構41'を接続する。そして、圧縮気体供給機構41'から負圧生成手段36'に圧縮気体を供給することでコアンダ効果を発生させる。これにより、回収カップ32から排気路35へと流れる気流が圧縮気体の流れに誘引されるので、回収カップ32の内部を流れる気流の流量や流速を増大させることができる。

基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段16（コンピュータ）に設けた記録媒体43に記録された各種のプログラムにしたがって制御手段16で制御され、基板３の処理を行う。ここで、記録媒体43は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記録媒体などの公知のもので構成される。

そして、基板処理装置１は、記録媒体43に記録された基板処理プログラムにしたがって以下に説明するように基板３の洗浄処理を行う。

まず、基板処理装置１は、図５に示すように、基板搬送装置９によって搬送される基板３を基板液処理装置10で受け取る（基板受取工程）。

この基板受取工程では、基板回転手段12の基板昇降機構21によってターンテーブル18を所定位置まで上昇させる。そして、基板搬送装置９から基板処理室11の内部に搬送された１枚の基板３を基板保持体19で水平に保持した状態で受取る。その後、基板昇降機構21によってターンテーブル18を所定位置まで降下させる。なお、洗浄液吐出ノズル24とリンス液吐出ノズル29は、ターンテーブル18の外周よりも外方の退避位置に退避させておく。

次に、基板処理装置１は、図６に示すように、基板３の表面を洗浄液で処理する（洗浄処理工程）。

この洗浄処理工程では、洗浄液供給手段13の洗浄液吐出ノズル移動機構25によって支持軸22を回動させて洗浄液吐出ノズル24を基板３の中心部上方の供給開始位置に移動させる。また、基板回転手段12の基板回転機構20によって所定の回転速度でターンテーブル18を回転させることで基板３を回転させる。その後、洗浄液供給手段13の洗浄液供給機構26によって所定流量の洗浄液を洗浄液吐出ノズル24から基板３の表面に向けて吐出させる。また、洗浄液供給手段13の洗浄液吐出ノズル移動機構25によって洗浄液吐出ノズル24を基板３に沿って水平に往復移動させる。なお、基板３に供給された洗浄液は回収カップ32で回収され排液機構33によって外部に排出される。また、洗浄処理工程の最後において、洗浄液供給手段13の洗浄液吐出ノズル移動機構25によって支持軸22を回動させて洗浄液吐出ノズル24を基板３の外周よりも外方の退避位置に移動させる。また、洗浄液供給手段13の洗浄液供給機構26によって洗浄液の吐出を停止させる。

この洗浄処理工程において基板処理装置１は、負圧生成手段36を稼働させる。すなわち、圧縮気体供給機構41によって回収カップ32の気体供給口37に所定流量の圧縮気体を供給する。圧縮気体が気体供給口37から内壁42に沿って流れ、コアンダ効果による負圧の生成によって回収カップ32の開口34から回収カップ32の内部に流れ込み基板３の上方から基板３の端縁外方を通過して基板３の下方へと流れる気流が回収カップ32の内壁42に沿って基板３の外方へ誘引されるとともに、流量や流速が増大する。

このように、基板３の近傍を通過する気流が基板３の外方へと誘引されるとともに気流の流量や流速が増大することで、洗浄液吐出ノズル24から基板３の表面に供給された洗浄液や洗浄液のミストは、内壁42に沿って流れる気流とともに回収カップ32から円滑に排出される。そのため、回転する基板３から飛散した洗浄液のミストが回収カップ32の内壁で跳ね返って基板３の表面に付着してしまうのを防止することができる。洗浄液のミストを効率的に排出することができるので基板３の洗浄処理を良好に行うことができる。

なお、上記洗浄処理工程において、基板処理装置１は、圧縮気体供給機構41から一定圧力で一定流量の圧縮気体を供給することで負圧生成手段36によって生成される負圧の大きさを一定としているが、これに限られず、洗浄液の流量や洗浄処理開始からの時間などに応じて圧縮気体供給機構41から供給する圧縮気体の圧力や流量を変化させて負圧生成手段36で生成される負圧の大きさを変更するよう制御してもよい。

次に、基板処理装置１は、図７に示すように、基板３の表面をリンス液で処理する（リンス処理工程）。

このリンス処理工程では、リンス液供給手段14のリンス液吐出ノズル移動機構30によって支持軸27を回動させてリンス液吐出ノズル29を基板３の中心部上方の供給開始位置に移動させる。また、基板回転手段12の基板回転機構20によって所定の回転速度でターンテーブル18を回転させることで基板３を回転させる。その後、リンス液供給手段14のリンス液供給機構31によって所定流量のリンス液をリンス液吐出ノズル29から基板３の表面に向けて吐出させる。また、リンス液供給手段14のリンス液吐出ノズル移動機構30によってリンス液吐出ノズル29を基板３に沿って水平に往復移動させる。なお、基板３に供給されたリンス液は回収カップ32で回収され排液機構33によって外部に排出される。また、リンス処理工程の最後において、リンス液供給手段14のリンス液吐出ノズル移動機構30によって支持軸27を回動させてリンス液吐出ノズル29を基板３の外周よりも外方の退避位置に移動させる。また、リンス液供給手段14のリンス液供給機構31によってリンス液の吐出を停止させる。

このリンス処理工程においても洗浄処理工程と同様に基板処理装置１は、負圧生成手段36を稼働させる。これにより、基板３の近傍を通過する気流が基板３の外方へと誘引されるとともに気流の流量や流速が増大することで、リンス液吐出ノズル29から基板３の表面に供給されたリンス液が気流とともに回収カップ32から円滑に排出される。そのため、回転する基板３から飛散したリンス液が回収カップ32の内壁で跳ね返って基板３の表面に付着してしまうのを防止することができ、基板３のリンス処理を良好に行うことができる。なお、リンス液の流量やリンス処理開始からの時間などに応じて負圧の大きさを変更するよう制御してもよい。例えば、リンス処理工程の開始から所定の時間が経過したら、負圧生成手段36によって生成される負圧を小さくしてもよい。リンス処理の開始時は、洗浄処理工程で発生した洗浄液のミストが基板３の上方に残っていることがある。リンス処理工程の早期にその洗浄液のミストを排出することで、基板３への付着を抑制することができるので、基板３の洗浄を良好に行うことができる。

次に、基板処理装置１は、図８に示すように、基板３を回転させて基板３の表面からリンス液を振切って除去することで基板３の乾燥処理を行う（乾燥処理工程）。

この乾燥処理工程では、基板回転手段12の基板回転機構20によって洗浄処理工程やリンス処理工程よりも速い回転速度でターンテーブル18を回転させることで基板３を回転させる。基板３を回転させることで、基板３の表面に残留するリンス液を回転する基板３の遠心力によって振り切り、基板３の表面からリンス液を除去して乾燥させる。なお、基板３から振り切られたリンス液は回収カップ32で回収され排液機構33によって外部に排出される。

この乾燥処理工程では、基板処理装置１は、負圧生成手段36の稼働を停止させる。

なお、上記乾燥処理工程において、基板処理装置１は、乾燥処理の開始から終了までの間、負圧生成手段36の稼働を停止させているが、これに限られず、乾燥処理の開始時には負圧生成手段36を稼働させて負圧を生成させ、その後、負圧生成手段36の駆動を停止したり、生成する負圧の大きさを徐々に小さくしてもよい。このように、乾燥処理の開始時には、基板３の周囲にミスト状の処理液が漂っている場合もあり、そのミスト状の処理液を乾燥処理の早期に排出させることで、基板３への付着を抑制することができるので、基板３の乾燥を良好に行うことができる。

最後に、基板処理装置１は、図９に示すように、基板３を基板液処理装置10から基板搬送装置９へ受け渡す（基板受渡工程）。

この基板受渡工程では、基板回転手段12の基板回転機構20によってターンテーブル18の回転を停止させるとともに、基板昇降機構21によってターンテーブル18を所定位置まで上昇させる。そして、ターンテーブル18で保持した基板３を基板搬送装置９に受渡す。その後、基板昇降機構21によってターンテーブル18を所定位置まで降下させる。なお、洗浄液吐出ノズル24とリンス液吐出ノズル29は、ターンテーブル18の外周よりも外方の退避位置に退避させておく。

以上に説明したように、上記基板処理装置１（基板処理装置１で実行する基板処理方法や基板処理プログラム）では、基板３の周囲に配置した回収カップ32で基板３に供給された処理液(洗浄液やリンス液）を回収するとともに、上部の開口34から基板３の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成する。そして、回収カップ32の内側であって、かつ、開口34よりも外側には、基板３の外方へ向けて作用する負圧を生成させるための負圧生成手段36を形成している。この負圧生成手段36で負圧を生成することで、基板３の上方から基板３の端縁外方を通過して基板３の下方へと流れる気流が、回収カップ32の内壁42の方向、すなわち、基板３の外方へ向けて流れる。これにより、回転する基板３から飛散した処理液が回収カップ32の内壁で跳ね返って基板３の表面に付着してしまうのを防止することができ、基板処理装置１の要求する排気量が排気設備から得ることができない場合でも処理液による基板３の処理を良好に行うことができる。負圧生成手段36によってコアンダ効果を発生させて負圧を生成すれば、気流の流量や流速が増大し、処理液による基板３の処理を良好に行うことができる。なお、上記基板処理装置１では、処理液として洗浄液やリンス液を用いているが、これに限られず、エッチング液や現像液や疎水化液などの各種の液体を用いた場合でも同様の効果が得られる。

１ 基板処理装置
３ 基板
10 基板液処理装置
11 基板処理室
12 基板回転手段
13 洗浄液供給手段
14 リンス液供給手段
15 排液手段
16 制御手段
32 回収カップ
34 開口
36 負圧生成手段

Claims (10)

1. 回転する基板に処理液を供給して前記基板の処理を行う基板処理装置において、
   前記基板を回転させるための基板回転手段と、
   前記基板に前記処理液を供給するための処理液供給手段と、
   前記基板の周囲に配置され、前記基板に供給された前記処理液を回収するとともに、上部の開口から前記基板の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成するための回収カップと、
   前記回収カップの内側であって、かつ、前記開口よりも外側に、前記基板の外方へ向けて作用する負圧を生成させるための負圧生成手段と、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記基板回転手段と前記処理液供給手段と前記負圧生成手段を制御するための制御手段を有し、
   前記制御手段で前記負圧生成手段の稼働及び停止を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御手段で前記負圧生成手段によって生成する負圧の大きさを制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記負圧生成手段は、前記回収カップの前記開口よりも外側に、前記回収カップの内壁に沿って流れる圧縮気体を供給するための気体供給口を形成し、前記気体供給口に圧縮気体を供給することで前記気流を前記基板の外方へ向けて誘引する負圧を生成するように構成したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記気体供給口を前記開口に沿ってスリット状に形成したことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記内壁を前記気体供給口に繋がる連続する面で形成したことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板の外方へ向けて誘引する負圧によって生成された気流と、前記気体供給口から供給される圧縮気体とがともに前記回収カップの内壁に沿って流れることを特徴とする請求項４〜請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 回転する基板に処理液を供給して前記基板の処理を行う基板処理方法において、
   前記基板を前記処理液で処理する時に、前記基板に供給した前記処理液を回収カップで回収するとともに、前記回収カップの上部の開口から前記基板の端縁外方を通過して下部へと流れる気流を形成し、さらに、前記回収カップの内側であって、かつ、前記開口よりも外側で、前記基板の外方へ向けて作用する負圧を生成させることを特徴とする基板処理方法。
9. 前記基板の処理に応じて前記負圧の有無を制御することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
10. 前記基板の処理に応じて前記負圧の大きさを制御することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。

Images