JP2014170964A - 磁気ランダムアクセスメモリを製造するシステムおよび方法 - Google Patents
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- H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
Abstract
【解決手段】特定の一実施形態では、磁気トンネル接合メモリシステムを作製する方法は、金属層の一部分を、ほぼ直線の部分を有する無分岐のソースラインの中に形成するステップを含む。この方法はまた、ソースラインをほぼ直線の部分で、第1のビアを使用して第1のトランジスタに結合するステップを含む。第1のトランジスタは、ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。この方法は、ソースラインを、第2のビアを使用して第2のトランジスタに結合するステップを含み、第2のトランジスタは、ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される。
【選択図】図1
Description
101 鏡像面
102 第1のMRAMセル
104 第2のMRAMセル
105 ソースコンタクトシャントの主軸
106 ソースコンタクトシャント
108 ソース
110 ドレイン
112 トランジスタ
113 チャネル領域
114 ドレインコンタクトシャント(ドレインシャント)
116 ソースコンタクト
117 ドレインコンタクト
118 電気ビア
120 ソースライン
121 ソースラインの主軸
122 M2金属層の一部分
123 電気ビア、導電ビア
124 断面指示線
126 断面指示線
130 ビア、電気ビア
140 MTJの下部コンタクト
150 磁気トンネル接合部(MTJ)
152 MTJの上部コンタクト
160 金属層M4の一部分、金属ライン
200 MRAM装置
220 信号ライン
230 ビア
232 ビア
240 並列導電ライン
302 第3のMRAMセル
304 第4のMRAMセル
306 ソースコンタクトシャント
308 ソース
312 第2のトランジスタ
320 第1の距離
322 第2の距離
350 サブシステム
410 層間誘電体(ILD)酸化物
420 金属間誘電体(IMD)酸化物部分
430 金属間誘電体(IMD)酸化物部分
440 金属間誘電体(IMD)酸化物部分
450 金属間誘電体(IMD)酸化物部分
470 導電部分
472 導電部分
600 電子デバイス
610 デジタル信号プロセッサ(DSP)
622 システムオンチップデバイス
626 ディスプレイコントローラ
628 ディスプレイ
630 入力デバイス
634 符号器/復号器(CODEC)
636 スピーカ
638 マイクロフォン
640 無線コントローラ
642 無線アンテナ
644 電源
664 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)
M1 第1の金属層
M2 第2の金属層
M3 金属層
M4 第4の金属層
M5 金属層
Claims (37)
- 金属層の一部分を、ほぼ直線の部分を有するソースラインの中に形成するステップと、
前記ソースラインを、前記ほぼ直線の部分で、第1のビアを使用して第1のトランジスタに結合するステップであって、前記第1のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成されるステップと、
前記ソースラインを、第2のビアを使用して第2のトランジスタに結合するステップであって、前記第2のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成されるステップと、
を含む、磁気トンネル接合メモリシステムを作製する方法であって、
前記ソースラインの一部分が、第3のビアおよび第4のビアを使用することによって、別の導電ラインのほぼ直線の部分と並列に接続される、方法。 - 前記ソースラインが実質的に無分岐である、請求項1に記載の方法。
- 前記金属層がほぼ平坦であり、前記第1のトランジスタから第1の距離のところ、および前記第2のトランジスタから第2の距離のところに配置される、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の距離と前記第2の距離がほぼ同じである、請求項3に記載の方法。
- 前記第1のビアが前記ソースラインを別の金属層内のシャントに接続し、前記シャントが、
前記第1のトランジスタのソース端子に結合された第1のソースコンタクトと、
前記第1のトランジスタのソース端子に結合された第2のソースコンタクトと、
に結合される、請求項1に記載の方法。 - 前記金属層を形成するステップと、前記ソースラインを前記第1のトランジスタに電気的に接続するステップと、前記ソースラインを前記第2のトランジスタに電気的に接続するステップとが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって制御される、請求項1に記載の方法。
- 金属層の一部分を、ほぼ直線の部分を有するソースラインの中に形成する第1のステップと、
前記ソースラインを、前記ほぼ直線の部分で、第1のビアを使用して第1のトランジスタに結合する第2のステップであって、前記第1のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される、第2のステップと、
前記ソースラインを、第2のビアを使用して第2のトランジスタに結合する第3のステップであって、前記第2のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される、第3のステップと、
を含む方法であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを別の金属層内のシャントに接続し、前記シャントが、
前記第1のトランジスタのソース端子に結合された第1のソースコンタクトと、
前記第1のトランジスタのソース端子に結合された第2のソースコンタクトと、
に結合され、
前記ソースラインの一部分が、第3のビアおよび第4のビアを使用することによって、別の導電ラインのほぼ直線の部分と並列に接続される、方法。 - 前記第1のステップ、前記第2のステップ、および前記第3のステップが、電子デバイスに組み込まれたプロセッサによって実施される、請求項7に記載の方法。
- データを記憶するメモリであって、前記メモリが、
第1のソース端子を含む第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに接続された第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスと、
導電性であり、かつほぼ直線である第1の領域を含むソースラインであって、前記ソースラインが、前記第1のソース端子で第1の電流を前記第1のトランジスタに供給し、前記ソースラインが、第1のビアを使用して前記第1の領域から前記第1のソース端子まで結合され、前記ソースラインが第2の電流を第2のトランジスタに供給する、ソースラインと、
第3のビアおよび第4のビアを使用して前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続されている導電ラインと、
を備える、メモリを備える装置。 - 前記ソースラインが実質的に無分岐である、請求項9に記載の装置。
- 前記メモリ内に記憶されたデータの一部分を取り込み、かつ処理されたデータを出力デバイスに供給するプロセッサをさらに備える、請求項9に記載の装置。
- 前記装置が遠隔ステーションと無線通信を行う動作をする、請求項9に記載の装置。
- 前記遠隔ステーションが、携帯電話、携帯情報端末、およびセットトップボックスのうちの1つを備える、請求項12に記載の装置。
- 前記ソースラインが、第2のビアを使用して前記第2のトランジスタに電気的に接続される、請求項9に記載の装置。
- 前記第2のトランジスタが、前記第2の電流の一部分を第2のMTJデバイスに供給する、請求項9に記載の装置。
- 前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のソース端子に結合されている第1の金属層のシャント部に結合し、前記シャント部が、前記第1のソース端子に結合されている第1のソースコンタクトに結合され、また前記シャント部が、前記第1のソース端子に結合されている第2のソースコンタクトに結合される、請求項9に記載の装置。
- 前記第1のトランジスタの前記第1のソース端子を共通ソース端子として利用する第3のトランジスタであって、第3のMTJデバイスに第3の電流を供給する第3のトランジスタをさらに備える、請求項9に記載の装置。
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項9に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択され、その中に前記メモリが組み込まれるデバイスをさらに備える、請求項9に記載の装置。
- 半導体製造システムにより、
ほぼ直線の領域を有する、導電材料を含むソースラインが形成されるようにし、かつ
導電性である第2のソースラインが形成され、かつ前記第2のソースラインが、第3のビアおよび第4のビアを使用して前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続されるようにする、コンピュータ実行可能命令を含むコンピュータ可読有形媒体であって、
前記ソースラインが電流を第1のメモリセルおよび第2のメモリセルに供給し、
前記第1のメモリセルが、第1のビアを使用して前記ソースラインに結合された第1のトランジスタを含み、前記第1のトランジスタが第1の電流を第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスに供給し、
前記第2のメモリセルが、第2のビアを使用して前記ソースラインに結合された第2のトランジスタを含み、前記第2のトランジスタが第2の電流を第2のMTJデバイスに供給する、コンピュータ可読有形媒体。 - 前記ソースラインが金属層の第1の部分内に形成され、前記第1のMTJデバイスが、前記金属層の第2の部分によって前記第1のトランジスタに電気的に接続される、請求項20に記載のコンピュータ可読有形媒体。
- 前記第1のメモリセルが、前記第1のトランジスタのソース端子を備える第3のトランジスタソース端子を有する第3のトランジスタを含む、請求項20に記載のコンピュータ可読有形媒体。
- 前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続する、請求項20に記載のコンピュータ可読有形媒体。
- ほぼ直線の部分を有するソースラインを形成する手段と、
前記ソースラインを、第1のビアを使用することによって第1のトランジスタに結合する手段であって、前記第1のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第1の電流を第1の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される手段と、
前記ソースラインを、第2のビアを使用することによって第2のトランジスタに結合する手段であって、前記第2のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第2の電流を第2の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成される手段と、
を備える、磁気トンネル接合メモリデバイスを作製する装置であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続し、前記ソースラインの一部分が、2つのビアを使用することによって、別の導電ラインのほぼ直線の部分と並列に接続される、装置。 - 前記ソースラインが実質的に無分岐である、請求項24に記載の装置。
- 前記ソースラインを、第3のビアを使用して第3のトランジスタに結合する手段をさらに備え、前記第3のトランジスタが、前記ソースラインから受け取った第3の電流を第3の磁気トンネル接合デバイスに供給するように構成され、前記第3のトランジスタがソース端子を前記第1のトランジスタと共有する、請求項24に記載の装置。
- 少なくとも1つの半導体ダイに組み込まれる、請求項24に記載の装置。
- セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択され、その中に前記磁気トンネル接合メモリデバイスが組み込まれるデバイスをさらに備える、請求項24に記載の装置。
- 半導体デバイスの少なくとも1つの物理的特性を表す設計情報を受け取るステップであって、前記半導体デバイスが、データを記憶するメモリを含み、前記メモリが、
第1のソース端子を含む第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに結合された第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスと、
導電性であり、かつほぼ直線である第1の領域を含むソースラインであって、前記ソースラインが、前記第1のソース端子で第1の電流を前記第1のトランジスタに供給し、また前記ソースラインが、第1のビアを使用して前記第1の領域を前記第1のソース端子に結合し、前記ソースラインが第2の電流を第2のトランジスタに供給する、ソースラインと、
第3のビアおよび第4のビアを使用することによって前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続される、導電ラインと、
備える、ステップと、
前記設計情報をファイル形式に従うように変換するステップと、
前記変換された設計情報を含むデータファイルを生成するステップと、を含む方法であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続する、方法。 - 前記ファイル形式がGDSII形式である、請求項29に記載の方法。
- 半導体デバイスに対応する設計情報を含むデータファイルを受け取るステップと、
前記設計情報に従って前記半導体デバイスを製造するステップであって、前記半導体デバイスが、データを記憶するメモリを含み、前記メモリが、
第1のソース端子を含む第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに結合された第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスと、
導電性であり、かつほぼ直線である第1の領域を含むソースラインであって、前記ソースラインが、前記第1のソース端子で第1の電流を前記第1のトランジスタに供給し、前記ソースラインが、第1のビアを使用して前記第1の領域を前記第1のソース端子に結合し、また前記ソースラインが第2の電流を第2のトランジスタに供給する、ソースラインと、
第3のビアおよび第4のビアを使用することによって前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続される、導電ラインと、
を備える、ステップと、
を含む方法であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続する、方法。 - 前記ファイル形式がGDSII形式である、請求項31に記載の方法。
- 回路基板上のパッケージされた半導体デバイスの物理的位置情報を含む設計情報を受け取るステップであって、前記パッケージされた半導体デバイスが、
第1のソース端子を含む第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに結合された第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスと、
導電性であり、かつほぼ直線である第1の領域を含むソースラインであって、前記ソースラインが、前記第1のソース端子で第1の電流を前記第1のトランジスタに供給し、前記ソースラインが、第1のビアを使用して前記第1の領域と前記第1のソース端子を結合し、また前記ソースラインが第2の電流を第2のトランジスタに供給する、ソースラインと、
第3のビアおよび第4のビアを使用することによって前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続される、導電ラインと、
を備える半導体構造体を含む、ステップと、
前記設計情報を変換してデータファイルを生成するステップと、
を含む方法であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続する、方法。 - 前記データファイルがGERBER形式を有する、請求項33に記載の方法。
- 回路基板上のパッケージされた半導体デバイスの物理的位置情報を含め、設計情報を含むデータファイル受け取るステップと、
前記設計情報に従って前記回路基板を製造するステップであって、前記パッケージされた半導体デバイスが、
第1のソース端子を含む第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに結合された第1の磁気トンネル接合(MTJ)デバイスと、
導電性であり、かつほぼ直線である第1の領域を含むソースラインであって、前記ソースラインが、前記第1のソース端子で第1の電流を前記第1のトランジスタに供給し、前記ソースラインが、第1のビアを使用して前記第1の領域と前記第1のソース端子を結合し、また前記ソースラインが第2の電流を第2のトランジスタに供給する、ソースラインと、
第3のビアおよび第4のビアを使用することによって前記ソースラインの少なくとも一部分と並列に接続される、導電ラインと、
を備える、ステップと、
を含む方法であって、
前記第1のビアが前記ソースラインを、前記第1のトランジスタの第1のソースコンタクトと前記第1のトランジスタの第2のソースコンタクトとに結合されている電気シャントに直接接続する、方法。 - 前記データファイルがGERBER形式を有する、請求項35に記載の方法。
- 前記回路基板を、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されたデバイスに組み込むステップをさらに含む、請求項35に記載の方法。
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