JP2014163991A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示装置は、第1絶縁膜(PL)と、第3導電層(OE)と、第2絶縁膜(PS)と、第4導電層(PE)を有する表示素子と、を備える。第3導電層は、高電位電源及び低電位電源の何れか一方に接続されている。第3導電層及び第4導電層は、互いに対向し、容量部を形成する。
【選択図】図4
Description
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、高精細な表示装置を提供することにある。
互いに異なる層に形成された複数の半導体層、第1導電層及び第2導電層の上方に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられ高電位電源及び低電位電源の何れか一方に接続された第3導電層と、
前記第1絶縁膜及び第3導電層上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に設けられた第4導電層を有する表示素子と、を備え、
前記第3導電層及び第4導電層は、互いに対向し、容量部を形成する。
これにより、第1走査線Sga、第2走査線Sgb及び第3走査線Sgcは、それぞれ制御信号BG、SG、RGにより駆動される。
駆動トランジスタDRTを形成したNチャネル型のTFTは、半導体層SCを備えている。半導体層SCは、絶縁基板SUB上に形成されたアンダーコート層UC上に形成されている。半導体層SCは、例えば、p型領域とn型領域とを含んだポリシリコン層である。
また、導電層OEは平坦化膜PL上に設けられるため、高精細化の表示装置においても、画素PXのレイアウト面積を確保することができる。
なお、Vsigは映像信号Vsigの電圧値であり、Csは保持容量Csの容量であり、Celは容量部Celの容量であり、Cadは補助容量Cadの容量である。
Idrt=β×(Vgs−Vth)2
={(Vsig−Vini)×(Cel+Cad)/(Cs+Cel+Cad)}2
である。
なお、Wは駆動トランジスタDRTのチャネル幅、Lは駆動トランジスタDRTのチャネル長、μはキャリア移動度、Coxは単位面積当たりのゲート静電容量である。これにより、駆動トランジスタDRTの移動度のばらつきが補正される。
βは次の式で定義される。
なお、Wは駆動トランジスタDRTのチャネル幅、Lは駆動トランジスタDRTのチャネル長、μはキャリア移動度、Coxは単位面積当たりのゲート静電容量である。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
また、導電層QEも平坦化膜PL上に設けられるため、高精細化の表示装置においても、画素PXのレイアウト面積を確保することができる。
図14及び図16に示すように、導電層OE及び導電層QEは、図15に示した導電層OE、QEと概ね同様に形成されている。本実施例2において、導電層OEと導電層QEとの比率は1対2である。ここで、導電層QEも平坦化膜PL上に設けられるため、高精細化の表示装置においても、画素PXのレイアウト面積を確保することができる。
さらに、本実施形態において、表示領域R1の導電層QEは、低電位電源線PSLに接続され、低電位Pvssに設定されている。このため、輝度傾斜を緩和することができる。なお、輝度傾斜の緩和に関しては第3の実施形態にて説明する。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
上記のことから、高精細な表示装置及び表示装置の駆動方法を得ることができる。
さらに、画素PXを構成する自己発光素子は、ダイオード(有機ELダイオード)OLEDに限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用して形成することが可能である。
本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の駆動方法に限らず、各種の表示装置及び表示装置の駆動方法に適用することが可能である。
Claims (10)
- 互いに異なる層に形成された複数の半導体層、第1導電層及び第2導電層の上方に設けられた第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に設けられ高電位電源及び低電位電源の何れか一方に接続された第3導電層と、
前記第1絶縁膜及び第3導電層上に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に設けられた第4導電層を有する表示素子と、を備え、
前記第3導電層及び第4導電層は、互いに対向し、容量部を形成する表示装置。 - 行方向及び列方向に沿ってマトリクス状に設けられた複数の画素をさらに備え、
前記複数の画素の各々は、
前記高電位電源と前記低電位電源との間に接続された前記表示素子と、
前記表示素子に接続されたソース電極と、リセット配線に接続されたドレイン電極と、ゲート電極とを有した駆動トランジスタと、
前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間に接続され、前記高電位電源と前記駆動トランジスタのドレイン電極との間を導通状態又は非導通状態に切替える出力スイッチと、
映像信号線と前記駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、前記映像信号線を通して与えられる信号を前記駆動トランジスタのゲート電極側に取り込むかどうかを切替える画素スイッチと、
前記駆動トランジスタのソース電極とゲート電極との間に接続された保持容量と、を備え、
前記駆動トランジスタ、出力スイッチ、画素スイッチ及び保持容量は、前記複数の半導体層を利用して形成される請求項1に記載の表示装置。 - 前記映像信号線は、前記列方向に延出して形成され、
前記第3導電層は、前記列方向に延出して帯状に形成され、前記映像信号線と対向した領域から外れて位置している請求項2に記載の表示装置。 - 前記出力スイッチは、前記複数の画素で共用されている請求項2に記載の表示装置。
- 前記第3導電層と同一の層に設けられ、前記列方向に延出して帯状に形成され、前記第3導電層に間隔を置いて位置しているとともに前記映像信号線と対向した領域から外れて位置し、前記高電位電源及び前記低電位電源の何れか他方に接続された他の第3導電層をさらに備えている請求項1に記載の表示装置。
- 矩形状の表示領域から外れた矩形枠状の非表示領域に設けられ金属で形成され前記低電位電源に接続された低電位電源線をさらに備え、
前記第3導電層は、前記表示領域及び非表示領域に設けられ、前記非表示領域の各辺で前記低電位電源線に接続されている請求項1に記載の表示装置。 - 表示領域から外れた非表示領域に設けられ金属で形成され前記低電位電源に接続された低電位電源線と、
前記表示領域に対して前記低電位電源線の反対側の前記非表示領域に設けられ金属で形成された補助電極と、をさらに備え、
前記第3導電層は、前記表示領域及び非表示領域に設けられ、前記低電位電源線及び補助電極に接続されている請求項1に記載の表示装置。 - 表示領域から外れた非表示領域に設けられ金属で形成され前記低電位電源に接続された第1低電位電源線と、
前記表示領域に対して前記低電位電源線の反対側の前記非表示領域に設けられ金属で形成され前記低電位電源に接続された第2低電位電源線と、をさらに備え、
前記第3導電層は、前記表示領域及び非表示領域に設けられ、前記第1低電位電源線及び第2低電位電源線に接続されている請求項1に記載の表示装置。 - 表示領域から外れた非表示領域に設けられ金属で形成され前記低電位電源に接続された低電位電源線と、
前記第4導電層の上方で前記表示領域及び非表示領域に設けられ前記表示素子を形成する第5導電層と、をさらに備え、
前記第3導電層は、前記表示領域及び非表示領域に設けられ、前記低電位電源線に接続され、
前記第5導電層は、前記表示領域を挟んで位置した前記非表示領域の2個所で前記第3導電層に接続されている請求項1に記載の表示装置。 - 前記第3導電層は、金属で形成されている請求項1乃至9の何れか1項に記載の表示装置。
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