JP2014160705A - 配線基板、これを用いた実装構造体、これを用いた電子装置および配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の一形態における配線基板６は、複数の絶縁層８と、絶縁層８上に配された複数の導電層９と、絶縁層８を厚み方向に貫通するとともに導電層９に接続した複数のビア導体１０とを備え、複数の絶縁層８は、最外層に配されて一対をなす第１絶縁層８ａおよび第２絶縁層８ｂを有し、第１絶縁層８ａは、第２絶縁層８ｂとは反対側に配された一主面１７と、一主面１７から窪んだ凹部１８とを有し、複数の導電層９は、凹部１８に配されているとともに第１絶縁層８ａの一主面１７よりも凹部１８の内側に位置する第１パッド９ａを有し、凹部１８の内壁１９と第１絶縁層８ａの一主面１７との間の角部２０が曲面状である。その結果、外部回路基板３との接続信頼性に優れた配線基板６を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子機器（例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板、これを用いた実装構造体、これを用いた電子装置および配線基板の製造方法に関するものである。

従来、電子機器には、実装構造体および実装構造体が搭載された外部回路基板を備えた電子装置が用いられている。実装構造体としては、配線基板および配線基板に実装された電子部品を備えたものが用いられている。

配線基板として、例えば特許文献１には、複数の絶縁層と絶縁層上に配された複数の導電層（配線パターン）とを備えた構成が記載されている。この配線基板において、複数の導電層は、外部回路基板（実装基板）に電気的に接続される第１パッド（配線基板の下面側の配線パターン）を有する。この配線基板の上面に電子部品（半導体チップ）を実装することによって実装構造体が得られる。また、実装構造体を外部回路基板に搭載し、配線基板の第１パッドと外部回路基板とを電気的に接続することによって電子装置が得られる。

ところで、一般的に配線基板と外部回路基板とは主面方向における熱膨張率が異なるため、第１パッドと外部回路基板とを電気的に接続する際に配線基板および外部回路基板に熱が加わると、第１パッドと外部回路基板との接続部に熱応力が加わることがある。その結果、第１パッドと外部回路基板との接続部が破壊され、配線基板と外部回路基板との接続信頼性が低下しやすい。

したがって、外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を提供することが望まれている。

特開２００６−１９６９２５号公報

本発明は、外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板、これを用いた実装構造体、これを用いた電子装置および配線基板の製造方法を提供することによって上記要求を解決する。

本発明の一形態における配線基板は、複数の絶縁層と、該絶縁層上に配された複数の導電層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通するとともに前記導電層に接続した複数のビア導体とを備え、前記複数の絶縁層は、最外層に配されて一対をなす第１絶縁層および第２絶縁層を有し、前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層とは反対側に配された一主面と、該一主面から窪んだ凹部とを有し、前記複数の導電層は、前記凹部に配されているとともに前記第１絶縁層の前記一主面よりも前記凹部の内側に位置する第１パッドを有し、前記凹部の内壁と前記第１絶縁層の前記一主面との間の角部が曲面状である。

本発明の一形態における実装構造体は、前述した配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを備え、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層とは反対側に配された一主面を有し、前記複数の導電層は、前記第２絶縁層の前記第１主面上に配された第２パッドを有し、前記電子部品は、前記第２パッドに電気的に接続している。

本発明の一形態における電子装置は、前述した実装構造体と、該実装構造体が搭載された外部回路基板と、前記実装構造体の前記配線基板と前記外部回路基板との間に介在したバンプとを備え、前記第１パッドは、前記バンプを介して前記外部回路基板に電気的に接続している。

本発明の一形態における配線基板の製造方法は、金属箔の一主面をエッチングすることによって、前記金属箔の前記一主面から突出するとともに前記金属箔の前記一主面との間の角部が曲面状である凸部を形成する工程と、前記金属箔の前記一主面を覆う一主面および前記凸部を覆うとともに前記凸部に対応した形状である凹部を有する第１絶縁層を形成する工程と、前記金属箔の他主面をエッチングすることによって、前記第１絶縁層の前記一主面を露出させつつ、前記第１絶縁層の前記一主面よりも前記凹部の内側に位置する前記凸部の一部を残存させて、前記凸部の前記一部からなる第１パッドを形成する工程とを備える。

本発明の一形態における配線基板によれば、第１パッドが第１絶縁層の一主面よりも凹部の内側に位置することから、配線基板と外部回路基板との接続部を構成するバンプの一部が凹部内に入りこむため、バンプと第１パッドとの接続強度を高めることができ、ひいては外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を得ることができる。

本発明の一形態における実装構造体は、前述した配線基板を備えることから、外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を備えた実装構造体を得ることができる。

本発明の一形態における電子装置は、前述した配線基板を備えることから、外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を備えた電子装置を得ることができる。

本発明の一形態における配線基板の製造方法は、前述した配線基板を作製できることから、外部回路基板との接続信頼性に優れた配線基板を得ることができる。

（ａ）は、本発明の一実施形態における電子装置を厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）のＲ２部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図であり、（ｃ）は、図３（ｂ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図４（ａ）のＲ５部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図５（ａ）のＲ６部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図である。 図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）のＲ７部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す電子装置の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）のＲ８部分を拡大して示した断面図である。

以下に、本発明の一実施形態による配線基板を有する実装構造体を備えた電子装置を、図１を参照しつつ詳細に説明する。

図１（ａ）に示した電子装置１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器等の電子機器に使用されるものである。この電子装置１は、実装構造体２と、実装構造体２が搭載された外部回路基板３と、外部回路基板３と実装構造体２との間に介在した第１バンプ４とを備える。

実装構造体２は、電子部品５と、電子部品５が実装された配線基板６と、電子部品５と配線基板６との間に介在した第２バンプ７とを備える。

外部回路基板３は、例えばガラスエポキシ基板等を有するマザーボード等を用いることができる。この外部回路基板３は、第１バンプ４を介して実装構造体２の配線基板６に電気的に接続されており、電子部品５を駆動および制御するための信号を配線基板６に供給するものである。この外部回路基板３は、実装構造体２が搭載される一主面に、配線基板６と電気的に接続される端子３ａを有する。外部回路基板３の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。また、外部回路基板３の主面方向における熱膨張率は、例えば１６ｐｐｍ／℃以上２２ｐｐｍ／℃以下である。なお、外部回路基板３の主面方向における熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９７−１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、外部回路基板３と同様に測定される。

第１バンプ４は、外部回路基板３と実装構造体２の配線基板６とを電気的に接続するものである。この第１バンプ４は、外部回路基板３の端子３ａに電気的に接続するとともに、配線基板６の後述する第１パッド９ａに電気的に接続する。この第１バンプ４は、錫や亜鉛等の低融点金属を含む半田等の導電材料からなる。また、第２バンプ７は、第１バンプ４と同様の材料からなる。本実施形態において、外部回路基板３と配線基板６との間には、第１バンプ４のみが介在しており、例えばアンダーフィル等の他の部材は介在していない。その結果、外部回路基板３において実装構造体２の交換を容易に行なうことができる。

電子部品５は、配線基板６の一主面に第２バンプ７を介してフリップチップ実装されている。この電子部品５は、例えば、ＩＣもしくはＬＳＩ等の半導体素子または弾性表面波（ＳＡＷ）装置もしくは圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）等の弾性波装置等である。電子部品５と配線基板６との間には、例えばエポキシ樹脂またはシアネート樹脂等の樹脂材料およびシリカフィラーを含むとともに配線基板６および電子部品５に接着したアンダーフィル等の接着部材が介在していても構わない。また、電子部品５は、例えばエポキシ樹脂またはシアネート樹脂等の封止樹脂によって配線基板６上で封止されていても構わない。電子部品５の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。また、電子部品５の主面方向における熱膨張率は、例えば２ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である。

配線基板６は、電子部品５を支持しつつ電子部品５と外部回路基板３とを電気的に接続するものである。この配線基板６は、複数の絶縁層８と、絶縁層８上に配された複数の導電層９と、絶縁層８を厚み方向に貫通するとともに導電層９と接続した複数のビア導体１
０とを備えている。

本実施形態において、絶縁層８および導電層９は交互に積層されており、配線基板６はコア基板を含んでいないコアレス基板である。その結果、厚みの大きいコア基板がないことから、配線基板６を薄型化させて電子機器を小型化することができる。また、高周波信号の伝送特性が低下しやすいコア基板がないことから、配線基板６の電気特性を高めることができる。また、コア基板を基準面として導電層９を対称に配置する必要がないため、導電層９を奇数層として配線基板６を薄型化することができる。また、本実施形態の配線基板３は、両主面にソルダーレジスト層が形成されていない。その結果、配線基板６を薄型化することができる。配線基板６の厚みは、例えば３０μｍ以上２００μｍ以下であり、中でも１００μｍ以下と薄くすることが望ましい。

配線基板６の主面方向における熱膨張率は、電子部品５の主面方向における熱膨張率よりも大きく、かつ外部回路基板３の主面方向における熱膨張率よりも小さいことが望ましい。その結果、配線基板６と電子部品５との主面方向における熱膨張率の差を低減しつつ、配線基板６と外部回路基板３との主面方向における熱膨張率の差を低減することができるため、配線基板６と電子部品５との接続信頼性を高めつつ、配線基板６と外部回路基板３との接続信頼性を高めることができる。配線基板６の主面方向における熱膨張率は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上１６ｐｐｍ／℃以下である。

絶縁層８は、厚み方向または主面方向に離れた導電層９同士の絶縁部材や主面方向に離れたビア導体１０同士の絶縁部材として機能するものである。複数の絶縁層８は、最外層に配されて一対をなす第１絶縁層８ａおよび第２絶縁層８ｂを含んでおり、第１絶縁層８ａは、外部回路基板３側に配されており、第２絶縁層８ｂは、電子部品５側に配されている。本実施形態の配線基板６は、絶縁層８を３層含んでいる。絶縁層８の詳細については後述する。

導電層９は、厚み方向または主面方向に互いに離れており、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線等の配線として機能するものである。導電層９は、最外層に配されて一対をなす第１パッド９ａおよび第２パッド９ｂを含んでおり、第１パッド９ａは、外部回路基板３側に配されており、第２パッド９ｂは、電子部品５側に配されている。導電層９は、例えば銅等の導電材料からなり、第１パッド９ａおよび第２パッド９ｂの表面には、例えばニッケルまたは金等の被膜が形成されている。導電層９は、例えば円板状または主面方向に沿った線状であり、第１パッド９ａおよび第２パッド９ｂは、例えば円板状である。本実施形態の配線基板６は、導電層９を４層含んでいる。導電層９の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。導電層９の各方向における熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下である。

ビア導体１０は、厚み方向に互いに離れた導電層９同士を電気的に接続するものであり、導電層９とともに配線の一部を構成するものである。このビア導体１０は、導電層９と同様の材料からなり、同様の特性を有する。また、ビア導体１０は、電子部品５側から外部回路基板３側に向かって幅狭となるテーパー状に形成されている。ビア導体１０の幅（直径）は、例えば１０μｍ以上７５μｍ以下である。

次に、絶縁層８について詳細に説明する。

絶縁層８は、外部回路基板３側に配された樹脂層１１と、電子部品５側に配された無機絶縁層１２とを含んでいる。無機絶縁層１２は、樹脂層１１と比較して低熱膨張率かつ高剛性であるとともに導電層９の外部回路基板３側の一主面に接しており、樹脂層１１は、導電層９の電子部品５側の他主面および側面に接している。

樹脂層１１は、無機絶縁層１２同士を接着するとともに主面方向に離れた導電層９同士の絶縁部材として機能するものである。また、樹脂層１１は、無機絶縁層１２よりもヤング率が小さく弾性変形しやすいため、配線基板６におけるクラックの発生を抑制するものである。また、樹脂層１１は、無機絶縁層１２と比較して高熱膨張率であるため、配線基板６と外部回路基板３との主面方向における熱膨張率の差を低減することができる。樹脂層１１の厚みは、無機絶縁層１２の厚みよりも大きいことが望ましい。その結果、配線基板６と外部回路基板３との主面方向における熱膨張率の差を低減することができる。

樹脂層１１の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。また、樹脂層１１の厚みは、無機絶縁層１２の厚みの例えば１倍以上３倍以下であり、中でも１．２倍以上３倍以下であることが望ましい。樹脂層１１の各方向における熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。樹脂層１１のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。なお、樹脂層１１のヤング率は、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、ＩＳＯ１４５７７−１：２００２に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、樹脂層１１と同様に測定される。

この樹脂層１１は、図２（ａ）に示すように、樹脂１３と樹脂１３中に分散した複数のフィラー粒子１４とを含んでいる。

樹脂１３は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂またはポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。樹脂１３のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。樹脂１３の各方向における熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。

フィラー粒子１４は、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウムまたは炭酸カルシウム等の無機絶縁材料からなる。フィラー粒子１４の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。フィラー粒子１４の各方向における熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。樹脂層１１におけるフィラー粒子１４の含有割合は、例えば３体積％以上６０体積％以下である。なお、フィラー粒子１４の平均粒径は、配線基板６の厚み方向への断面において、各粒子の粒径の平均値を算出することによって測定することができる。また、樹脂層１１におけるフィラー粒子１４の含有割合は、配線基板６の厚み方向への断面において、樹脂層１１においてフィラー粒子１４が占める面積の割合を含有割合（体積％）とみなすことによって測定することができる。以下、各部材の平均粒径および含有割合は、フィラー粒子１４と同様に測定される。

無機絶縁層１２は、絶縁層８を高剛性かつ低熱膨張率とすることによって、配線基板６を高剛性としつつ、電子部品５と配線基板６との各方向における熱膨張率の差を低減するものである。その結果、電子部品５の配線基板６への実装時に実装構造体２に熱が加わった際に、電子部品５と配線基板６との主面方向における熱膨張率の違いに起因した配線基板６の反りを低減できるため、電子部品５と配線基板６との接続信頼性を高め、ひいては実装構造体２の電気的信頼性を高めることができる。特に、配線基板６を薄型化した場合において、配線基板６の反りを良好に低減することができる。

無機絶縁層１２の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。無機絶縁層１２のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、無機絶縁層１２の各方向における熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。

無機絶縁層１２は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１５を含んでいる。この無機絶縁粒子１５は、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子１５ａと、第１無機絶縁粒子１５ａよりも粒径が大きく、一部が第１無機絶縁粒子１５ａと接続しているとともに、第１無機絶縁粒子１５ａを挟んで互いに離れた複数の第２無機絶縁粒子１５ｂとを含んでいる。第１無機絶縁粒子１５ａ同士の間には開気孔である間隙１６が形成されている。すなわち、無機絶縁層１２は、多孔質体であり、無機絶縁粒子１５同士が互いに接続した３次元網目状構造をなしている。また、複数の無機絶縁粒子１５同士の接続部は、括れ状であり、また、ネック構造をなしている。無機絶縁層１２においては、複数の無機絶縁粒子１５同士が互いに接続して拘束し合うことから、樹脂層１１中に分散したフィラー粒子１４のように流動しないため、無機絶縁層１２を高剛性かつ低熱膨張率とすることができる。

第１無機絶縁粒子１５ａは、無機絶縁層１２において接続部材として機能するものである。この第１無機絶縁粒子１５ａは、例えば酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化マグネシウムまたは酸化カルシウム等の無機絶縁材料からなり、中でも、低熱膨張率および低誘電正接の観点から、酸化ケイ素を用いることが望ましい。この場合、第１無機絶縁粒子１５ａは、酸化ケイ素を９０質量％以上含んでいればよい。また、酸化ケイ素は、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減するため、アモルファス（非晶質）状態であることが望ましい。

第１無機絶縁粒子１５ａは、例えば球状である。また、第１無機絶縁粒子１５ａの平均粒径は、例えば３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。このように第１無機絶縁粒子１５ａの粒径が微小であるため、無機絶縁層１２を緻密なものとして高剛性かつ低熱膨張率とすることができるとともに、後述するように、無機絶縁層１２を作製する際に第１無機絶縁粒子１５ａ同士を容易に接続することができる。

第２無機絶縁粒子１５ｂは、その粒径が大きいことから、無機絶縁層１２に生じたクラックが迂回するためのエネルギーを増加させるため、このクラックの伸長を抑制するものである。第２無機絶縁粒子１５ｂは、第１無機絶縁粒子１５ａと同様の材料を用いることができ、中でも、第１無機絶縁粒子１５ａと材料特性を近づけるため、第１無機絶縁粒子１５ａと同じ材料を用いることが望ましい。この第２無機絶縁粒子１５ｂは、例えば球状である。また、第２無機絶縁粒子１５ｂの平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。このように第２無機絶縁粒子１５ｂの粒径が大きいため、無機絶縁層１２に生じたクラックの伸長を良好に抑制できる。

間隙１６は、開気孔であり、無機絶縁層１２の他主面に開口を有する。また、無機絶縁層１２が多孔質体であり、また、３次元網目状構造であることから、間隙１６の少なくとも一部は、無機絶縁層１２の厚み方向への断面において、無機絶縁粒子１５に取り囲まれている。この間隙１６には、無機絶縁層１２の電子部品５とは反対側に位置する樹脂層１１の一部が入り込んでおり、特に、樹脂１３の一部が入り込んでいる。その結果、弾性変形しやすい樹脂１３によって無機絶縁層１２に加わった応力が緩和されるため、無機絶縁層１２におけるクラックの発生を抑制できる。また、アンカー効果によって無機絶縁層１２と樹脂層１１との接着強度を高めることができる。なお、無機絶縁層１２および間隙１６のうち間隙１６が占める割合は、例えば１０体積％以上５０体積％以下である。

ところで、配線基板６と外部回路基板３との主面方向における熱膨張率が異なる場合に、第１パッド９ａと外部回路基板２の端子３ａとを電気的に接続する際に配線基板６および外部回路基板３に熱が加わると、第１パッド９ａと外部回路基板３の端子３ａとの接続部を構成する第１バンプ４に熱応力が加わることがある。特に、配線基板６の主面方向における熱膨張率を電子部品５の主面方向における熱膨張率に近づけるために配線基板６の主面方向における熱膨張率を低減すると、配線基板６と外部回路基板３との主面方向における熱膨張率の差が大きくなりやすい。

一方、図１（ｂ）に示すように、本実施形態においては、第１絶縁層８ａは、第２絶縁層８ｂとは反対側に配された一主面１７と、この一主面１７から窪んだ凹部１８とを有しており、複数の導電層９は、凹部１８に配されているとともに第１絶縁層８ａの一主面１７よりも凹部１８の内側に位置する第１パッド９ａを有しており、凹部１８の内壁１９と第１絶縁層８ａの一主面１７との間の角部２０が曲面状である。

その結果、第１パッド９ａが凹部１８の内側に位置することから、凹部１８内において、凹部１８の開口部２１と第１パッド９ａの外部回路基板３側の一主面２２との間に隙間２３が形成される。したがって、配線基板６と外部回路基板３との接続部を構成する第１バンプ４の一部が凹部１８内の隙間２３に入り込むため、第１バンプ４と第１パッド９ａとの接続強度を高めることができる。それ故、第１バンプ４に熱応力が加わった際に、第１バンプ４と第１パッド９ａとの剥離を抑制し、第１バンプ４と第１パッド９ａとの接続信頼性を高め、ひいては外部回路基板３との接続信頼性に優れた配線基板６を得ることができる。

さらに、角部２０が曲面状であることから、一部が凹部１８内に入り込んだ第１バンプ４によって角部２０に加わる応力を分散させることができるため、第１絶縁層８ａの角部２０におけるクラックを抑制することができる。したがって、このクラックに起因した配線の断線を抑制することができ、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板６を得ることができる。

また、第１バンプ４の一部が凹部１８内の隙間２３に入り込むため、配線基板６と外部回路基板３との間の距離を短くし、電子装置１を薄くすることができる。また、角部２０が曲面状であることから、第１バンプ４が隙間２３に入り込みやすくなるため、第１バンプ４と第１パッド９ａとの接続不良を抑制しつつ第１バンプ４の量を低減することができる。したがって、第１バンプ４の高さを小さくすることができ、電子装置１を薄くすることができる。

この角部２０は、少なくとも一部が第１パッド９ａから露出しており、電子装置１において第１バンプ４が接している。配線基板６の厚み方向に沿った断面において、角部２０は曲線状であり、角部２０の曲率半径は例えば１μｍ以上５μｍ以下である。

また、本実施形態において、凹部１８の幅は、第１絶縁層８ａの一主面１７側から第１絶縁層８ａの他主面２４側に向かって小さくなっている。その結果、凹部１８の内壁１９と第１パッド９ａの側面２８とが接する面積を増加させることができることから、凹部１８の内壁１９において、第１パッド９ａの一主面２２の端部が接する箇所に加わる応力を緩和することができる。したがって、第１絶縁層８ａにおけるクラックの発生を抑制することができる。凹部１８の内壁１９の傾斜角（第１絶縁層８ａの厚み方向と凹部１８の内壁１９との間の角度）は、１０°以上４５°以下であることが望ましい。１０°以上とすることによって、凹部１８の内壁１９と第１パッド９ａの側面２８とが接する面積を増加できるとともに、４５°以下とすることによって、凹部１８の内壁１９と第１パッド９ａの一主面２２との間の角度が小さくなり過ぎることに起因した一主面２２の端部における応力の集中を抑制することができる。

また、本実施形態において、第１絶縁層８ａは、第１絶縁層８ａの一主面１７側に配された樹脂層１１と、第１絶縁層８ａの他主面２４側に配された、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１５を有するとともに複数の無機絶縁粒子１５同士の間隙に樹脂層１１
の一部が配された無機絶縁層１２とを含んでおり、樹脂層１１は、凹部１８を有する。その結果、無機絶縁層１２によって配線基板６を低熱膨張率かつ高剛性とするとともに、樹脂層１１が凹部１８を有することによって、第１絶縁層８ａに凹部１８を容易に形成できる。また、無機絶縁層１２によって、第１絶縁層８ａの厚み方向における熱膨張率を低減することができるため、第１ビア導体１０ａと第１絶縁層８ａとの厚み方向における熱膨張率の差が小さくなる。したがって、第１ビア導体１０ａと導電層９との接続部の破壊を抑制することができる。

また、本実施形態において、複数のビア導体１０は、第１絶縁層８ａを厚み方向に貫通するとともに第１パッド９ａに接続した第１ビア導体１０ａを有しており、複数の導電層９は、第１絶縁層８ａの他主面２４に配されているとともに第１ビア導体１０ａに接続したランド９ｃを含んでいる。その結果、例えば前述したアンダーフィルの形成時におけるアンダーフィルの硬化収縮等によって第１ビア導体１０ａとランド部９ｃとの接続部に応力が加わった際に、高剛性である無機絶縁層１２が第１ビア導体１０ａを支持するため、第１ビア導体１０ａとランド９ｃとの接続部の破壊を抑制することができる。また、前述したように樹脂層１１が凹部１８を有するため、第１ビア導体１０ａにおける樹脂層１１を貫通する領域の厚みが凹部１８の分だけ小さくなる。したがって、第１ビア導体１０ａと絶縁層８との厚み方向における熱膨張率の差が小さくなるため、第１ビア導体１０ａとランド９ｃとの接続部の破壊を抑制することができる。

また、本実施形態において、第１ビア導体１０ａの幅は、第１絶縁層８ａの一主面１７側から第１絶縁層８ａの他主面２４側に向かって大きくなっている。その結果、第１ビア導体１０ａとランド９ｃとの接続面積を増加させることによって、第１ビア導体１０ａとランド９ｃとの接続強度を高めることができるため、第１ビア導体１０ａとランド９ｃとの接続部の破壊を抑制することができる。

また、本実施形態において、第１パッド９ａは、第１バンプ４を介して外部回路基板３に接続される。その結果、配線基板６と電子部品５との接続部と比較して、例えば配線基板６と外部回路基板３との間にアンダーフィルが介在しないことから大きな応力が加わりやすい配線基板６と外部回路基板３との接続部において、前述したように、第１バンプ４と第１パッド９ａとの接続強度を高めつつ、角部２０に加わる応力を分散させることができる。

また、本実施形態において、凹部１８の内壁１９と凹部１８の底面２５との間の角部２６が第１パッド９ａに接しており、かつ曲面状である。その結果、第１パッド９ａによって角部２６に加わる応力を分散させることができるため、第１絶縁層８ａの角部２６におけるクラックを抑制することができる。この角部２６の曲率半径は、凹部１８の内壁１９と第１絶縁層８ａの一主面１７との間の角部２０の曲率半径よりも小さい。その結果、第１パッド９ａの一主面２２と曲面状の角部２６とが近づき過ぎることに起因した一主面２２の端部における応力の集中を抑制することができる。配線基板６の厚み方向に沿った断面において、角部２６は曲線状であり、角部２６の曲率半径は例えば０．２μｍ以上２μｍ以下である。

また、本実施形態において、第１パッド９ａの他主面２７は、凹部１８の底面２５と接しており、第１パッド９ａの側面２８は、凹部１８の内壁と接している。さらに、第１パッド９ａの他主面２７および側面２８の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１パッド９ａの一主面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも大きい。その結果、第１パッド９ａの他主面２７と凹部１８の底面２５との接着強度を高めつつ、第１パッド９ａの側面２８と凹部１８の内壁１９との接着強度を高めることができるため、第１パッド９ａと凹部１８との剥離を低減することができ、ひいては、配線基板６の電気的信頼性を高めることができる。また、第１パッド９ａの一主面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくすることによって、一主面２２の第１バンプ４に対する濡れ性が向上するため、第１パッド９ａと第１バンプ４との接続強度を高めることができる。第１パッド９ａの他主面２７および側面２８の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．８μｍ以上４μｍ以下である。また、第１パッド９ａの一主面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍ以上１μｍ以下である。

次に、前述した実装構造体２の製造方法を、図３ないし図１０を参照しつつ説明する。

（１）図３（ａ）に示すように、支持シート２９と、支持シート２９上に配された無機絶縁層１２と、無機絶縁層１２上に配された未硬化の樹脂層前駆体３０とを含む積層シート３１を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、支持シート２９と、無機絶縁粒子１５および無機絶縁粒子１５が分散した溶剤を有する無機絶縁ゾルとを準備し、無機絶縁ゾルを支持シート２９の一主面に塗布する。次に、無機絶縁ゾルから溶剤を蒸発させて、支持シート２９上に無機絶縁粒子１５を残存させる。この残存した無機絶縁粒子１５は、近接箇所で互いに接触している。次に、無機絶縁粒子１５を加熱して、隣接する無機絶縁粒子１５同士を近接箇所で接続させることによって、無機絶縁層１２を形成する。次に、無機絶縁層１２上に樹脂層前駆体３０を積層し、積層された無機絶縁層１２および樹脂層前駆体３０を厚み方向に加熱加圧することによって、樹脂層前駆体３０の一部を間隙１６内に充填する。その結果、積層シート３１を作製することができる。

支持シート２９としては、例えば銅箔等の金属箔またはＰＥＴフィルム等の樹脂フィルム等を用いることができる。支持シート２９の厚みは、例えば１２μｍ以上２００μｍ以下である。

無機絶縁ゾルにおける無機絶縁粒子１５の含有割合は、例えば１０％体積以上５０体積％以下であり、無機絶縁ゾルにおける溶剤の含有割合は、例えば５０％体積以上９０体積％以下である。溶剤は、例えばメタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルアセトアミドまたはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤等を用いることができる。

無機絶縁ゾルの乾燥は、例えば加熱および風乾により行なわれる。乾燥温度は、例えば、２０℃以上溶剤の沸点未満であり、乾燥時間は、例えば２０秒以上３０分以下である。

無機絶縁粒子１５同士を接続させる際の加熱温度は、溶剤の沸点以上、無機絶縁粒子１５の結晶化開始温度未満であり、さらには、１００℃以上２５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下である。第１無機絶縁粒子１５ａは、前述した如く、平均粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下と微小であるため、このような低温であっても、第１無機絶縁粒子１５ａ同士および第１無機絶縁粒子１５ａと第２無機絶縁粒子１５ｂとを強固に接続することができる。これは、第１無機絶縁粒子１５ａが微小であることから、第１無機絶縁粒子１５ａの原子、特に表面の原子が活発に運動するため、このような低温下でも第１無機絶縁粒子１５ａ同士および第１無機絶縁粒子１５ａと第２無機絶縁粒子１５ｂとが強固に接続すると推測される。

さらに、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子１５ａおよび第２無機絶縁粒子１５ｂの粒子形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子１５ａ同士、および第１無機絶縁粒子１５ａと第２無機絶縁粒子１５ｂとを近接領域のみで接続することができる
。その結果、開気孔の間隙１６を容易に形成することができる。なお、第１無機絶縁粒子１５ａ同士を強固に接続することができる温度は、例えば、第１無機絶縁粒子１５ａの平均粒径を１１０ｎｍ以下に設定した場合は２５０℃程度であり、第１無機絶縁粒子１５ａの平均粒径を１５ｎｍ以下に設定した場合は１５０℃程度である。

積層された無機絶縁層１２および樹脂層前駆体３０を加熱加圧する際の加圧圧力は、例えば０．５ＭＰａ以上２ＭＰａ以下であり、加圧時間は、例えば６０秒以上１０分以下であり、加熱温度は、例えば８０℃以上１４０℃以下である。なお、この加熱温度は、樹脂層前駆体３０の硬化開始温度未満であるため、樹脂層前駆体３０を未硬化の状態で維持することができる。

（２）図３（ｂ）および（ｃ）に示すように、両主面に金属箔３２が接着した支持体３３を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、金属箔３２および支持体３３を準備する。次に、支持体３３の両主面に接着剤３４を介して支持体３３に金属箔３２を接着させる。その結果、両主面に金属箔３２が接着した支持体３３を準備することができる。

金属箔３２は、本実施形態においては、電解銅箔である。電解銅箔は、ドラムに銅を電着させた後、電着した銅をドラムから剥離することによって作製される。この金属箔３２は、ドラム側に配されていたマット面である一主面３５と、ドラムとは反対側に配されていたシャイニー面であり、一主面３５よりも算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい他主面３６とを有する。金属箔３２の厚みは、例えば８μｍ以上３５μｍ以下である。一主面３５の算術平均粗さ（Ｒａ）は例えば２μｍ以上６μｍ以下である。他主面３６の算術平均粗さ（Ｒａ）は例えば０．４μｍ以上２μｍ以下である。

支持体３３としては、例えばガラスクロスをエポキシ樹脂で被覆してなるガラスエポキシ基板等のプリント板などを用いることができる。なお、支持体３３として、複数のプリント板を分離可能としつつ接着させたものを用いても構わないし、金属板を用いても構わない。この支持体３３は、後述する工程において絶縁層８および導電層９を支持するものであり、配線基板６と比較して、厚みが大きく、剛性が高い。支持体３３の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。支持体３３のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下である。また、支持体３３の主面方向における熱膨張率は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。

接着剤３４としては、例えばエポキシ樹脂およびシリカフィラーを含むものを用いることができる。接着剤３４の厚みは、例えば１０μｍ以上４０μｍ以下である。

ここで、本実施形態においては、金属箔３２の一主面３５が露出しており、金属箔３２の他主面３６が接着剤３４に接着している。その結果、他主面３６の算術平均粗さ（Ｒａ）は、一主面３５の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも小さいため、後述するように、金属箔３２の他主面３６を接着剤３４から容易に剥離することができる。

本工程において金属箔３２は支持体３３の両主面それぞれに接着しており、以下の工程は支持体３３の両主面それぞれにおいて行なわれる。

（３）図４（ａ）ないし図７（ａ）に示すように、支持体３３上に金属箔３２を介して絶縁層８および導電層９を交互に積層することによって、配線基板６を支持体３３上で形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、金属箔３２の一主面３５をエッチングすることによって、金属箔３２の一主面３５から突出するとともに金属箔３２の一主面３５との間の角部３９が曲面状である凸部３７を形成する。次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、積層シート３１を用いて、金属箔３２の一主面３５を覆う一主面１７および凸部３７を覆うとともに凸部３７に対応した形状である凹部１８を有する第１絶縁層８ａを形成する。次に、図６（ａ）に示すように、無機絶縁層１２から積層シート３１に含まれていた支持シート２９を除去する。次に、図６（ｂ）に示すように、第１絶縁層８ａを厚み方向に貫通するとともに凸部３７を露出したビア孔３８を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、第１絶縁層８ａ上にランド９ｃを部分的に形成しつつ、ビア孔３８内に第１ビア導体１０ａを形成する。次に、図７（ａ）に示すように、前述した方法と同様の方法で絶縁層８、導電層９およびビア導体１０の形成を順次繰り返す。その結果、支持体３３上に金属箔３２を介して絶縁層８および導電層９を交互に積層することによって、配線基板６を支持体３３上で形成することができる。

金属箔３２の一主面３５のエッチングは、具体的には例えば以下のように行なう。フォトリソグラフィ法を用いて金属箔３２上を部分的に被覆するレジスト（図示せず）を形成した後、塩化第二鉄溶液または塩化銅溶液等のエッチング液を用いて、金属箔３２のレジストで被覆されていない領域における一主面３５側の一部を除去する。その結果、金属箔３２のレジストで被覆された領域に凸部３７を形成することができる。このように金属箔の３２の一主面３５をエッチングして凸部３７を形成していることから、金属箔３２の一主面３５と凸部３７との間の角部３９においてはエッチング液の流れが悪くなりやすいため、凸部３７は前述した凹部１８に対応した形状となり、金属箔３２の一主面３５と凸部３７との間の角部３９が曲面状となる。

また、凸部３７を形成した後、第１絶縁層８ａを金属箔３２上および凸部３７上に形成する前に、例えばギ酸を含むエッチング液を用いて、凸部３７の表面を粗化する。その結果、凸部３７の一部からなる第１パッド９ａの他主面２７および側面２８の算術平均粗さ（Ｒａ）を大きくすることができる。また、この粗化によって、凸部３７の頂面と凸部３７の側面との間の角部をより曲面状することができる。

第１絶縁層８ａの形成は、具体的には例えば以下のように行なう。まず、積層シート３１の樹脂層前駆体３０を金属箔３２側に配しつつ、積層シート３１を金属箔３２上および凸部３７上に積層する。次に、樹脂層前駆体３０の硬化開始温度以上、熱分解温度未満の温度で、積層シート３１および支持体３３を積層方向に加熱加圧する。その結果、樹脂層前駆体３０が熱硬化して樹脂層１１となる。この際、樹脂層１１が凸部３７を埋設して、凸部３７に対応した形状の凹部１８が形成されるとともに、樹脂層１１が金属箔３２の一主面３５および凸部３７の表面に接着する。その結果、第１絶縁層８ａを形成することができる。なお、積層シート３１および支持体３３を加熱加圧する際の加圧圧力は、例えば０．５ＭＰａ以上２ＭＰａ以下であり、加圧時間は、例えば６０秒以上１０分以下であり、加熱温度は、例えば８０℃以上１７０℃以下である。

無機絶縁層１２からの支持シート２９の除去は、例えば機械的な剥離によって行なうことができる。また、支持シート２９が金属箔からなる場合には、塩化第二鉄溶液または塩化銅溶液等のエッチング液を用いて化学的に支持シート２９を除去することができる。

ビア孔３８の形成は、例えばＹＡＧレーザーまたはＣＯ_２レーザー等を用いたレーザー加工によって行なうことができる。レーザー加工を用いた場合、第１ビア導体１０ａを形成する前に、デスミア処理を用いて、レーザー加工によってビア孔３８内に生じたスミア（樹脂の残渣）を除去することが望ましい。

第１絶縁層８ａ上へのランド９ｃの形成およびビア孔３８内への第１ビア導体１０ａの形成は、例えば無電解めっき法および電解めっき法等のめっき法を用いたセミアディティブ法、サブトラクティブ法またはフルアディティブ法等によって行なうことができる。

ここで、本実施形態においては、複数の配線基板６を含む多数個取り配線基板４０を支持体３３上に形成している。すなわち、複数の配線基板６を１つの多数個取り配線基板４０として支持体３３上で同時に形成している。この多数個取り配線基板４０は、例えば格子状に配列した配線基板６を複数含んでおり、支持体３３の両主面それぞれに形成される。

（４）図７（ｂ）および図８に示すように、配線基板６に電子部品５を実装することによって、配線基板６および電子部品５を有する複数の実装構造体２を支持体３３上で形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、複数の電子部品５を含むウェハを切断して分割することによって、電子部品５を準備する。次に、図７（ｂ）に示すように、多数個取り配線基板４０に第２バンプ７を介して複数の電子部品５をフリップチップ実装する。この際、多数個取り配線基板４０および複数の電子部品５を第２バンプ７を介して接続するために、例えば２２０℃以上２７０℃以下で加熱するリフローを行なう。次に、図８に示すように、ダイシング加工またはレーザー加工等を用いて、多数個取り配線基板４０の支持体３３とは反対側の一主面から支持体３３側の主面に向かって、多数個取り配線基板４０における配線基板６同士の間を切断することによって、支持体３３を分割せずに多数個取り配線基板４０を分割して複数の配線基板６とする。その結果、複数の実装構造体２を支持体３３上で形成することができる。

ここで、本実施形態においては、多数個取り配線基板４０を切断する際に、支持体３３を分割しない。その結果、１つの支持体３３上に複数の実装構造体２が配された状態となるため、複数の実装構造体２の取扱いを容易にすることができる。

また、本実施形態においては、多数個取り配線基板４０を切断する際に、多数個取り配線基板４０だけでなく、金属箔３２も切断して分割する。その結果、後述する工程（５）にて、多数個取り配線基板４０から支持体３３を容易に除去することができる。

また、本実施形態においては、多数個取り配線基板４０を切断する際に、多数個取り配線基板４０および金属箔３２だけでなく、支持体３３の両主面近傍の一部分を切断して切込み４１を形成する。この際、支持体３３の厚み方向における中央部分を切断せず、支持体３３は分割しない。その結果、切断の深さにばらつきがあった場合においても、多数個取り配線基板４０および金属箔３２の切断および分割を確実に行なうことができる。この切込み４１の深さは、支持体３３の厚みの例えば０．２倍以上０．４倍以下である。

（５）図９（ａ）ないし図１０（ｂ）に示すように、実装構造体２から支持体３３を除去した後、実装構造体２を外部回路基板３に搭載して図１（ａ）に示した電子装置１を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。

まず、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、実装構造体２と支持体３３とを機械的に剥離して、実装構造体２から支持体３３を除去する。次に、図１０（ａ）および（ｂ）に示すように、金属箔３２の他主面３６をエッチングすることによって、第１絶縁層８ａの一主面１７を露出させつつ、第１絶縁層８ａの一主面１７よりも凹部１８の内側に位置する凸部３７の一部を残存させて、凸部３７の一部からなる第１パッド９ａを形成する。次に、第１パッド９ａを第１バンプ４を介して外部回路基板３の端子３ａに電気的に接続し
、実装構造体２を外部回路基板３に搭載して、図１（ａ）に示した電子装置１を作製する。

本実施形態においては、実装構造体２と支持体３３とを機械的に剥離する際に、実装構造体２および支持体３３に機械的な応力を加えると、金属箔３２の他主面３６と接着剤３４とが剥離する。金属箔３２の他主面３６は、前述した如く、シャイニー面であり、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さいことから、接着剤３４との接着強度が弱いため、金属箔３２の他主面３６と接着剤３４とを容易に剥離することができる。一方、金属箔３２の一主面３５は、マット面であり、算術平均粗さ（Ｒａ）が大きいことから、第１絶縁層８ａとの接着強度が高いため、金属箔３２の一主面３５と第１絶縁層８ａとの剥離を抑制することができる。

金属箔３２の他主面３６のエッチングは、例えば塩化第二鉄溶液または塩化銅溶液等のエッチング液を用いて行なうことができる。この際、エッチング液の処理時間またはエッチング液の濃度等の条件を適宜調節することによって、第１絶縁層８ａの一主面１７を露出させつつ、凸部３７の一部を残存させて、凸部３７の一部からなる第１パッド９ａを形成することができる。この第１パッド９ａの一主面２２に粗化処理を行なわずに、第１パッド９ａに第１バンプ４を接着させることで、第１パッド９ａの一主面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）を、第１パッド９ａの他主面２７および側面２８の算術平均粗さ（Ｒａ）よりも小さくすることができる。

ここで、本実施形態において、金属箔３２は電解銅箔からなり、１種類の金属材料からなるため、例えば、金属箔３２が異なる金属材料からなる複数の金属層の積層体である場合のように、製造工程中の各エッチング液が金属層同士の間に入り込むことによって凸部３７が除去されてしまうといった不良の発生を抑制できる。また、金属箔３２が１種類の金属材料からなるため、金属箔３２のコストを低減できる。

実装構造体２を外部回路基板３に搭載する際に、実装構造体２および外部回路基板３を第１バンプ４を介して接続するために、例えば２２０℃以上２７０℃以下で加熱するリフローを行なう。その結果、第１バンプ４は、凹部１８内の隙間２３に入り込んで第１パッド９ａの一主面２２と接着するとともに、凹部１８の内壁１９と第１絶縁層８ａの一主面１７との間の角部２０に接する。

ここで、前述したように、本実施径形態の配線基板６の製造方法は、金属箔３２の一主面３５をエッチングすることによって、金属箔３２の一主面３５から突出するとともに金属箔３２の一主面３５との間の角部３９が曲面状である凸部３７を形成する工程と、金属箔３２の一主面３５を覆う一主面２４および凸部３７を覆うとともに凸部３７に対応した形状である凹部１８を有する第１絶縁層８ａを形成する工程と、金属箔３２の他主面３６をエッチングすることによって、第１絶縁層８ａの一主面２４を露出させつつ、第１絶縁層８ａの一主面２４よりも凹部１８の内側に位置する凸部３７の一部を残存させて、凸部３７の一部からなる第１パッド９ａを形成する工程とを備えている。

その結果、金属箔３２の一主面３５をエッチングすることによって、金属箔３２の一主面３５との間の角部３９が曲面状である凸部３７を容易に形成することができる。この凸部３７に対応した形状である凹部１８を有する第１絶縁層８ａを形成することによって、凹部１８の内壁１９と第１絶縁層８ａの一主面１７との間の角部２０が曲面状である凹部１８を容易に形成することができる。さらに、金属箔３２の他主面３６をエッチングすることによって、凹部１８に配されているとともに第１絶縁層８ａの一主面１７よりも凹部１８の内側に位置する第１パッド９ａを容易に形成することができる。したがって、前述した本実施形態の配線基板６を容易に作製することができる。

本発明は、前述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。

前述した本発明の実施形態においては、電子部品５を配線基板６にフリップチップ実装した構成を例に説明したが、電子部品５を配線基板６にワイヤボンディング実装しても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、配線基板６が絶縁層８を３層含むとともに導電層９を４層含む構成を例に説明したが、配線基板６は絶縁層８および導電層９を何層含んでいても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、絶縁層８が樹脂層１１および無機絶縁層１２を含む構成を例に説明したが、絶縁層８は樹脂層１１のみを含んでいても構わない。また、絶縁層８は、無機絶縁層１２の樹脂層１１とは反対側の一主面に配され、無機絶縁層１２と導電層９との間に介在した介在樹脂層（プライマー層）をさらに含んでいても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、無機絶縁粒子１５が第１無機絶縁粒子１５ａおよび第２無機絶縁粒子１５ｂを含む構成を例に説明したが、無機絶縁粒子１５は第１無機絶縁粒子１５ａのみを含んでいてもよいし、他の無機絶縁粒子を含んでいても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、工程（１）にて溶剤の蒸発と無機絶縁粒子１５の加熱とを別々に行なった構成を例に説明したが、これらを同時に行なっても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、工程（２）にて金属箔３２が電解銅箔である構成を例に説明したが、金属箔３２は、銅以外の金属材料からなるものでも構わないし、異なる金属材料からなる複数の金属層の積層体であっても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、工程（３）にて支持体３３の両主面上それぞれで配線基板６を形成した構成を例に説明したが、支持体３３の一主面上のみで配線基板６を形成しても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、工程（３）にて複数の配線基板６を含む多数個取り配線基板４０を支持体３３上に形成した構成を例に説明したが、支持体３３上に配線基板６を個別に形成しても構わない。

また、前述した本発明の実施形態においては、工程（４）にて多数個取り配線基板４０に第２バンプ７を介して複数の電子部品５を実装した構成を例に説明したが、多数個取り配線基板４０に第２バンプ７を介して、複数の電子部品５を含むウェハを実装した後、多数個取り配線基板４０と同時にウェハを切断して分割することによって、実装構造体２を作製しても構わない。この場合、複数の電子部品５と比較して取扱いが容易であるウェハを多数個取り配線基板４０に実装することで、実装構造体２の生産効率を高めることができる。

１ 電子装置
２ 実装構造体
３ 外部回路基板
４ 第１バンプ
５ 電子部品
６ 配線基板
７ 第２バンプ
８ 絶縁層
８ａ 第１絶縁層
８ｂ 第２絶縁層
９ 導電層
９ａ 第１パッド
９ｂ 第２パッド
９ｃ ランド
１０ ビア導体
１０ａ 第１ビア導体
１１ 樹脂層
１２ 無機絶縁層
１３ 樹脂
１４ フィラー粒子
１５ 無機絶縁粒子
１５ａ 第１無機絶縁粒子
１５ｂ 第２無機絶縁粒子
１６ 間隙
１７ 第１絶縁層の一主面
１８ 凹部
１９ 凹部の内壁
２０ 凹部の内壁と第１絶縁層の一主面との間の角部
２１ 開口部
２２ 第１パッドの一主面
２３ 隙間
２４ 第１絶縁層の他主面
２５ 凹部の底面
２６ 凹部の内壁と凹部の底面との間の角部
２７ 第１パッドの他主面
２８ 第１パッドの側面
２９ 支持シート
３０ 樹脂層前駆体
３１ 積層シート
３２ 金属箔
３３ 支持体
３４ 接着剤
３５ 金属箔の一主面
３６ 金属箔の他主面
３７ 凸部
３８ ビア孔
３９ 金属箔の一主面と凸部との間の角部
４０ 多数個取り配線基板
４１ 切込み

Claims (9)

1. 複数の絶縁層と、該絶縁層上に配された複数の導電層と、前記絶縁層を厚み方向に貫通するとともに前記導電層に接続した複数のビア導体とを備え、
   前記複数の絶縁層は、最外層に配されて一対をなす第１絶縁層および第２絶縁層を有し、前記第１絶縁層は、前記第２絶縁層とは反対側に配された一主面と、該一主面から窪んだ凹部とを有し、
   前記複数の導電層は、前記凹部に配されているとともに前記第１絶縁層の前記一主面よりも前記凹部の内側に位置する第１パッドを有し、
   前記凹部の内壁と前記第１絶縁層の前記一主面との間の角部が曲面状であることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記凹部の幅は、前記第１絶縁層の前記一主面側から前記第１絶縁層の他主面側に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第１絶縁層は、前記第１絶縁層の前記一主面側に配された樹脂層と、前記第１絶縁層の他主面側に配された、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子を有するとともに該複数の無機絶縁粒子同士の間隙に前記樹脂層の一部が配された無機絶縁層とを含んでおり、前記樹脂層は、前記凹部を有することを特徴とする配線基板。
4. 請求項３に記載の配線基板において、
   前記複数のビア導体は、前記第１絶縁層を厚み方向に貫通するとともに前記第１パッドに接続した第１ビア導体を有しており、
   前記複数の導電層は、前記第１絶縁層の前記他主面に配されているとともに前記第１ビア導体に接続したランドを含んでいることを特徴とする配線基板。
5. 請求項４に記載の配線基板において、
   前記第１ビア導体の幅は、前記第１絶縁層の前記一主面側から前記第１絶縁層の前記他主面側に向かって大きくなっていることを特徴とする配線基板。
6. 請求項１に記載の配線基板において、
   前記第１パッドは、バンプを介して外部回路基板に電気的に接続されることを特徴とする配線基板。
7. 請求項１に記載の配線基板と、該配線基板に実装された電子部品とを備え、
   前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層とは反対側に配された一主面を有し、
   前記複数の導電層は、前記第２絶縁層の前記第１主面上に配された第２パッドを有し、
   前記電子部品は、前記第２パッドに電気的に接続していることを特徴とする実装構造体。
8. 請求項７に記載の実装構造体と、該実装構造体が搭載された外部回路基板と、前記実装構造体の前記配線基板と前記外部回路基板との間に介在したバンプとを備え、
   前記第１パッドは、前記バンプを介して前記外部回路基板に電気的に接続していることを特徴とする電子装置。
9. 金属箔の一主面をエッチングすることによって、前記金属箔の前記一主面から突出するとともに前記金属箔の前記一主面との間の角部が曲面状である凸部を形成する工程と、
   前記金属箔の前記一主面を覆う一主面および前記凸部を覆うとともに前記凸部に対応した形状である凹部を有する第１絶縁層を形成する工程と、
   前記金属箔の他主面をエッチングすることによって、前記第１絶縁層の前記一主面を露出させつつ、前記第１絶縁層の前記一主面よりも前記凹部の内側に位置する前記凸部の一部を残存させて、前記凸部の前記一部からなる第１パッドを形成する工程とを備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。

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