JP2005072398A - 多層配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多層配線基板において、特に高温高湿環境下に曝される場合であって隣接する配線導体間のピッチが小さい場合にも、絶縁不良が発生し難い製造方法を提供する。
【解決手段】 多層配線基板は、表面に金属箔から成る配線導体2が配設された樹脂を主成分とする絶縁層1が複数積層されて成るとともに、絶縁層1を挟んで上下に位置する配線導体2間が絶縁層1に形成された貫通導体3を介して電気的に接続されているものであって、配線導体2は、その表面が絶縁層1の表面よりも内部側に位置するように絶縁層1に埋入されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 多層配線基板は、表面に金属箔から成る配線導体2が配設された樹脂を主成分とする絶縁層1が複数積層されて成るとともに、絶縁層1を挟んで上下に位置する配線導体2間が絶縁層1に形成された貫通導体3を介して電気的に接続されているものであって、配線導体2は、その表面が絶縁層1の表面よりも内部側に位置するように絶縁層1に埋入されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、各種AV機器や家電機器,通信機器,コンピュータやその周辺機器等の電子機器に使用される多層配線基板に関し、特に樹脂を主成分とする絶縁層と金属箔から成る配線導体とを具備する多層配線基板に関する。
従来、半導体素子等の能動部品や容量素子,抵抗素子等の受動部品を多数搭載することにより所定の電子回路を構成して成る混成集積回路を形成するための多層配線基板は、通常、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させて成る絶縁層にドリルによって上下に貫通穴を形成した後、この貫通穴内部および絶縁層表面に複数の配線導体を形成して成る配線基板を複数積層することによって形成されている。
一般に、現在の電子機器は、移動体通信機器に代表されるように小型,薄型,軽量,高性能,高品質,高信頼性が要求されており、このような電子機器に搭載される混成集積回路等の電子部品も小型,高密度化が要求されるようになってきており、このような高密度化の要求に応えるために、電子部品を構成する多層配線基板も、配線導体の微細化や絶縁層の薄型化,貫通穴の微細化が必要となってきている。そして、特許文献1には、配線導体を微細化するために、所定の転写フィルムに金属箔を接着して成るシートに対して、レジスト塗布,露光,現像,エッチング,レジスト除去等の工程を施して所望の配線パターンを形成し、この配線パターンを絶縁層の上下面に転写し埋設して、さらに、この絶縁層を複数積層して成る多層配線基板が提案されている。
この特許文献1に提案された多層配線基板によれば、配線導体を良好に微細化することおよび配線導体間のピッチを小さくすることができるとともに、配線導体はその表面が絶縁層の表面と同一面となるように絶縁層に埋設されていることから、絶縁層の各表面に配線導体の厚みによる凸部が形成されることはなく、配線導体が配設された絶縁層を複数積層したとしても絶縁層間の配線導体周囲に大きな空隙が生じることはないので、絶縁層間への水分の浸入を低減することができ配線導体間の絶縁性が劣化することはないという効果が得られる。
特許第3199637号公報
しかしながら、上記特許文献1に記載された発明においては、積層された絶縁層間の界面をみた場合にその界面が平坦となっているために、多層配線基板が高温高湿環境下に曝される場合であって隣接する配線導体間のピッチが小さい場合には、隣接する配線導体間でマイグレーションが生じ易くなり、その結果隣接する配線導体間で絶縁性が低下してしまう危険性があった。
本発明は、かかる従来の技術の課題に鑑みて完成されたものであり、その目的は、特に高温高湿環境下に曝された場合であって隣接する配線導体間のピッチが小さい場合においても、優れた絶縁性を有する多層配線基板を提供することにある。
本発明の多層配線基板は、表面に金属箔から成る配線導体が配設された樹脂を主成分とする絶縁層が複数積層されて成るとともに、該絶縁層を挟んで上下に位置する前記配線導体間が前記絶縁層に形成された貫通導体を介して電気的に接続されている多層配線基板であって、前記配線導体は、その表面が前記絶縁層の表面よりも内部側に位置するように前記絶縁層に埋入されていることを特徴とするものである。
本発明の多層配線基板は、上記構成において好ましくは、前記配線導体は、その表面が前記絶縁層の表面の前記配線導体に隣接した部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように前記絶縁層に埋入されていることを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において好ましくは、前記絶縁層は、平均粒子径が0.1〜2.8μmの無機絶縁粉末を10〜70体積%含有していることを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において好ましくは、前記絶縁層は、その表面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmであることを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において好ましくは、前記絶縁層は、その表面の水との接触角が3〜65°であることを特徴とするものである。
また、本発明の多層配線基板は、上記構成において好ましくは、前記絶縁層に含まれる樹脂が熱硬化性ポリフェニレンエーテルであることを特徴とするものである。
本発明の多層配線基板によれば、配線導体の表面が絶縁層の表面よりも内部側に位置するように絶縁層に埋入されていることから、絶縁層の各表面に配線導体の厚みによる凸部が形成されることはないので、配線導体が配設された絶縁層を複数積層したとしても各絶縁層の層間に大きな空隙が生じることはなく、また、絶縁層間の界面が平坦ではなく屈曲した状態となることから、特に高温高湿環境下に曝される場合であって隣接する配線導体間のピッチが小さい場合においても、この界面に沿ったマイグレーションの発生を低減することができ、絶縁性に優れた多層配線基板とすることができる。
また、本発明の多層配線基板は、配線導体の表面が絶縁層の表面の配線導体に隣接した部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように絶縁層に埋入されている場合には、各絶縁層の層間に空隙が生じることはなく、多層配線基板が高温高湿下に曝された場合においても水分の浸入を有効に防止することができ、さらに、絶縁層の表面と配線導体の表面との垂直方向の距離が十分なものとなり、隣接する配線導体間のマイグレーションを有効に防止することができ、絶縁性に優れた多層配線基板とすることができる。
さらに、本発明の多層配線基板は、絶縁層が平均粒子径が0.1〜2.8μmの無機絶縁粉末を10〜70体積%含有している場合には、絶縁層に配線導体を配設して貫通導体を形成するとともに、これら絶縁層を多層化して多層配線基板を製作する場合において、無機絶縁粉末が絶縁層の流動性を抑制し、絶縁層を多層化する際の加熱プレスによる上下面に平行な方向(層方向)における貫通導体の位置ずれや貫通導体の直径のばらつき、さらには絶縁層の厚みばらつきを低減することができ、配線導体や貫通導体の位置ずれがなく配線導体と貫通導体との接続信頼性に優れた多層配線基板とすることができる。
また、本発明の多層配線基板は、絶縁層の表面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmである場合には、積層した絶縁層同士の界面で良好なアンカー効果が発揮され、より強固な密着性を有する多層配線基板とすることができる。
さらに、本発明の多層配線基板は、絶縁層の表面の水との接触角が3〜65°である場合には、絶縁層の表面に形成された比較的熱運動しやすい活性化された分子層が、その対向して位置する絶縁層の表面の分子層と良好に絡み合って結合し、より強固な密着性を有する多層配線基板とすることができる。
さらに、本発明の多層配線基板によれば、絶縁層に含まれる樹脂が熱硬化性ポリフェニレンエーテルである場合には、熱硬化性ポリフェニレンエーテルが耐熱性や耐湿性に優れ、さらに寸法安定性に優れることから、配線導体を形成する際の位置精度の良好な多層配線基板とすることができる。
本発明の多層配線基板を添付の図面を基づいて以下に詳細に説明する。図1は、本発明の多層配線基板の実施の形態の一例を示す断面図であり、図2は、図1に示す多層配線基板の配線導体の幅方向の要部拡大断面図である。これらの図において、1は絶縁層、2は配線導体、3は貫通導体、5は半導体素子等の電子部品であり、主に絶縁層1と配線導体2と貫通導体3とで本発明の多層配線基板4が構成されている。なお、図1の例では、絶縁層1を4層積層して成る多層配線基板4を示している。
絶縁層1は、樹脂を主成分とし、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスに樹脂を含浸させて成る。このような樹脂としては、エポキシ樹脂やシアネート樹脂,フェノール樹脂,ポリイミド樹脂,熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂,ビスマレイミドトリアジン樹脂等の加熱,乾燥により硬化する樹脂が好ましい。また、絶縁層1を、液晶ポリマー層の上下面に上述の樹脂と無機絶縁粉末とから成る被覆層を積層して成るものとしてもよい。
また絶縁層1は、好ましくはその厚みが20〜150μmの板状であり、これを用いて多層配線基板4を形成した場合、配線導体2や多層配線基板4に搭載される電子部品5の支持体としての機能を有する。なお、絶縁層1は、その厚みが20μm未満であると、多層配線基板4の剛性が低下し反りが発生し易くなる傾向があり、また、150μmを超えると多層配線基板4が不要に厚いものとなり、多層配線基板4を軽量化することが困難となる傾向がある。従って、絶縁層1の厚みは20〜150μmであることが好ましい。
さらに、絶縁層1は、層としての物性を損なわない範囲内で弾性率を調整するためのゴム成分や熱安定性を改善するための酸化防止剤、耐光性を改善するための紫外線吸収剤等の光安定剤、難燃性を付与するためのハロゲン系もしくはリン酸系の難燃性剤、アンチモン系化合物やホウ酸亜鉛,メタホウ酸バリウム,酸化ジルコニウム等の難燃助剤、潤滑性を改善するための高級脂肪酸や高級脂肪酸エステル,高級脂肪酸金属塩,フルオロカーボン系界面活性剤等の滑剤を含有してもよい。
また、絶縁層1には、その表面に配線導体2が配設されている。配線導体2は、その厚みが2〜20μmで銅,金等の良導電性の金属箔から成り、多層配線基板4に搭載される電子部品5を外部電気回路(図示せず)に電気的に接続する機能を有する。なお、ここで配線導体2は、絶縁層1の上下面の少なくとも一方に配設されていればよい。
そして本発明の多層配線基板4においては、配線導体2は、その表面が絶縁層1の表面よりも内部側に位置するように絶縁層1に埋入されており、このことが重要である。
本発明の多層配線基板4によれば、配線導体2の表面が絶縁層1の表面よりも内部側に位置するように絶縁層1に埋入されていることから、絶縁層1の各表面に配線導体2の厚みによる凸部が形成されることはないので、配線導体2が配設された絶縁層1を複数積層したとしても各絶縁層1の層間に大きな空隙が生じることはなく、また、絶縁層1間の界面が平坦ではなく屈曲した状態となることから、特に高温高湿環境下に曝される場合であって、かつ、隣接する配線導体2間のピッチが小さい場合においても、この界面に沿ったマイグレーションの発生を低減することができ、絶縁性に優れた多層配線基板4とすることができる。
また、本発明の多層配線基板4は、図2に示すように、配線導体2の表面が絶縁層1の表面の配線導体2に隣接した部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように、すなわち配線導体2の表面と絶縁層1の表面における配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dが0.5μm≦d≦7μmとなるように、配線導体2の表面が絶縁層1の表面よりも内部側に位置することが好ましい。
配線導体2の表面が絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように絶縁層1に埋入されている場合には、各絶縁層1の層間に空隙が生じることはなく、多層配線基板4が高温高湿下に曝された場合においても水分の浸入を有効に防止することができ、さらに、絶縁層1の表面と配線導体2の表面との垂直方向の距離dが十分なものとなり、隣接する配線導体2間のマイグレーションを有効に防止することができ、絶縁性に優れた多層配線基板4とすることができる。
なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dが0.5μm未満であると、絶縁層1の表面と配線導体2の表面との垂直方向の距離dが短いものとなり、隣接する配線導体2の表面とこれら配線導体2の間に位置する絶縁層1の表面とがほぼ平坦となり、その結果、隣接する配線導体2間でマイグレーションが発生し易くなり、多層配線基板の絶縁性が低下する危険性がある。
また、距離dが7μmを超えると、表面に配線導体2を埋入した絶縁層1を複数積層する際に、絶縁層1の表面と配線導体2の表面との垂直方向の距離dが長いものとなりすぎて、絶縁層1の樹脂の流動が不十分な場合には、配線導体2の上部に空隙が生じやすく、特に多層配線基板が高温高湿環境下に曝された場合にはこの空隙に水分が浸入してしまい、多層配線基板の絶縁性が低下する危険性がある。さらにこの場合、配線導体2の表面と絶縁層1の表面との垂直方向の距離dが長くなってしまうことから、配線導体2上に積層される絶縁層1の貫通導体3との接続が不十分なものとなり、配線導体2とこの上に積層される絶縁層1の貫通導体3との導通信頼性が低下する危険性がある。従って、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dは、0.5μm≦d≦7μmであることが好ましい。
このような配線導体2を絶縁層1に埋入する方法としては、次に述べるような方法が採用される。例えば、先ず従来周知の転写法等により絶縁層1の上下面の少なくとも一方に配線導体2を、その表面と絶縁層1の表面とが略平坦になるように埋設する。なお、この際、絶縁層1表面の配線導体2と隣接する部位は、図2に示すように、埋入された配線導体2によって移動した樹脂により、その表面が若干盛り上がる場合がある。次に、所定の時間,温度で絶縁層1の樹脂の予備硬化を行ない、しかる後、配線導体2表面をエッチングすることにより、配線導体2の表面が絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように絶縁層1に埋入することができる。
なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dは、エッチング液の濃度やエッチング時間を調整することにより、所望の値とすることができる。また、絶縁層1の上下面に付着したエッチング液等を除去し、また、絶縁層1の上下面を粗化するとともに、表面の分子層を活性化させるために、プラズマ処理や紫外線処理を施すことが好ましい。
また、本発明の多層配線基板4は、絶縁層1が平均粒子径が0.1〜2.8μmの無機絶縁粉末を10〜70体積%含有することが好ましい。この場合、絶縁層1に配線導体2を配設して貫通導体3を形成するとともに絶縁層1を多層化して多層配線基板4を製作する場合において、無機絶縁粉末が絶縁層1の流動性を抑制し、絶縁層1を多層化する際の加熱プレスによる上下面に平行な方向(層方向)における貫通導体3の位置ずれや貫通導体3の直径のばらつき、さらには絶縁層1の厚みばらつきを低減することができ、配線導体2と貫通導体3との接続信頼性に優れた多層配線基板4とすることができる。
なお、絶縁層1における無機絶縁粉末の平均粒子径が0.1μm未満の場合、無機絶縁粉末を樹脂に混合させる際に混練性が低下し、絶縁層1において熱膨張係数を均一にすることが困難となる傾向があり、2.8μmを超えると、絶縁層1において配線導体2を配設する表面の平坦性が低下し、配線導体2を配設する際に配線導体2の位置ずれが大きくなる傾向がある。また、絶縁層1における無機絶縁粉末の含有量が10体積%未満であると、絶縁層1の流動性を抑制することが困難となり、貫通導体3の位置ずれや絶縁層1の厚みばらつきが大きくなる傾向があり、70体積%を超えると、半田リフロー時に積層した絶縁層1同士の界面、および、絶縁層1と配線導体2との界面で剥離し易くなる傾向がある。従って、絶縁層1における無機絶縁粉末の平均粒子径は0.1〜2.8μmであるとともに、その含有量は10〜70体積%であることが好ましい。
また、無機絶縁粉末の形状は、略球状,針状,フレーク状があり、本発明の多層配線基板4においては、充填性の観点からは無機絶縁粉末の形状は略球状であることが好ましい。ここで、略球状とは、完全な球形に限るものではなく、粉末のx,y,z軸方向の長さをそれぞれX,Y,Zとしたときに、X/Y,Y/Z,Z/Xの軸方向の長さの比が0.5〜2程度である不完全な球形のものを含む形状である。
このような無機絶縁粉末としては、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化チタン,酸化バリウム,酸化ストロンチウム,酸化ジルコニウム,酸化カルシウム,ゼオライト,窒化珪素,窒化アルミニウム,炭化珪素,チタン酸カリウム,チタン酸バリウム,チタン酸ストロンチウム,チタン酸カルシウム,ホウ酸アルミニウム,スズ酸バリウム,ジルコン酸バリウム,ジルコン酸ストロンチウム等が用いられる。さらに、この無機絶縁粉末の表面はカップリング処理されていることが好ましく、この場合、無機絶縁粉末の表面に疎水性を有する官能基が形成されることから、無機絶縁粉末の表面が絶縁層1の樹脂と濡れ易くなり、無機絶縁粉末と絶縁層1における樹脂とが強固に密着したものとすることができ、絶縁層1に配線導体2および貫通導体3を配設するとともに絶縁層1を多層化して多層配線基板4を製作する場合に、無機絶縁粉末が絶縁層1の流動性をより抑制することができ、貫通導体3の位置ずれや貫通導体3の直径のばらつき、さらには絶縁層1の厚みばらつきをより低減することができる。なお、このようなカップリング処理としては、シラン系カップリング処理やチタネート系カップリング処理が好適であり、無機絶縁粉末と樹脂との親和性を高めこれらの接合性向上と機械的強度を高めることができる。
さらに、本発明の多層配線基板4においては、絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmであることが好ましい。絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmである場合、積層した絶縁層1同士の界面で良好なアンカー効果を発揮し、より強固な密着性を有する多層配線基板4とすることができる。そして、絶縁層1の表面粗さRaは、半田リフローの際に積層した絶縁層1同士の界面での剥離を防止するという観点からは0.3μm以上が好ましく、絶縁層1表面に配線導体2を配設する際に、配線導体2の位置ずれを防止する観点からは5μm以下であることが好ましい。
また、本発明の多層配線基板4においては、絶縁層1の表面の水との接触角が3〜65°であることが好ましい。この場合、絶縁層1の上下面に形成された比較的熱運動しやすい活性化された分子層が、その上下に位置する絶縁層1の対向する表面の分子層と良好に絡み合って結合し、より強固な密着性を有する多層配線基板4とすることができる。
絶縁層1に対する水の濡れ性は、絶縁層1の表面の水素結合可能な活性基の存在する割合と相関関係にあり、絶縁層1の上下面を水との接触角が3〜65°とすることにより、積層した絶縁層1同士が強い分子間力で結合して、絶縁層1同士の密着性をさらに強固なものとすることができ、特に高温高湿環境下に曝された場合にも、層間で剥離することのない多層配線基板4とすることができる。
なお、絶縁層1は、その表面の水との接触角が3°より小さいと、絶縁層1同士を積層する際に界面で樹脂が極端に濡れ広がってしまって位置精度が低下し、絶縁層1の上下面に形成される配線導体2や内部に形成される貫通導体3の位置がずれて断線し易くなる傾向があり、65°を超えると絶縁層1同士の密着性が低下し、界面で剥離し易くなる傾向がある。従って、絶縁層1の表面の水との接触角は3〜65°の範囲とすることが好ましい。
また、絶縁層1の表面の水との接触角は3〜65°の範囲とする方法としては、バフ研磨,ブラスト研磨,ブラシ研磨,プラズマ処理,コロナ処理,紫外線処理,薬品処理等の方法が好ましく、特に、絶縁層1表面に水素結合が可能な活性基を十分に形成するという観点からは、プラズマ処理や紫外線処理が好適である。
なお、接触角を評価するための水は、JIS K 0050「化学分析方法通則」に規定される蒸留法もしくはイオン交換法によって精製した水、または逆浸透法,拘留法,イオン交換法等を組み合わせた方法によって精製した水を指す。
さらに、本発明の多層配線基板4においては、絶縁層1の樹脂が熱硬化性ポリフェニレンエーテルであることが好ましい。この場合、熱硬化性ポリフェニレンエーテルが耐熱性や耐湿性に優れ、さらに寸法安定性に優れることから、配線導体2を形成する際の位置精度の良好な多層配線基板4とすることができる。
なお、配線導体2を絶縁層1に埋入する際に、絶縁層1の乾燥状態での気孔率を3〜40体積%としておくのがよく、この場合、配線導体2と絶縁層1との間に挟まれる空気の排出を容易にして気泡の巻き込みを防止することができる。絶縁層1の乾燥状態での気孔率が40体積%を超えると、複数積層した絶縁層1を加圧,加熱し硬化した後に絶縁層1内に気孔が残存し、この気孔が空気中の水分を吸着して絶縁性が低下してしまう危険性がある。絶縁層1の乾燥状態での気孔率が3体積%未満では、配線導体2を絶縁層1に埋入する際に配線導体2の周囲に樹脂が流動し配線導体2の位置精度が低下してしまう傾向がある。
さらに、絶縁層1に配設された配線導体2の幅方向の断面形状を、絶縁層1側の底辺の長さが対向する底辺の長さよりも短い台形状とするとともに、絶縁層1側の底辺と側辺との成す角度を95〜150°とすることが好ましい。これにより、配線導体2を絶縁層1に埋入する際に、配線導体2を絶縁層1に容易に埋入して配線導体2を埋入した後の絶縁層1表面をほぼ平坦にすることができ、積層の際に空気をかみ込んで絶縁性を低下させることのない多層配線基板4とすることができる。したがって、気泡をかみ込むことなく埋入するという観点からは、絶縁層1側の底辺と側辺との成す角度を95°以上とすることが好ましく、配線導体2を微細化するという観点からは150°以下とすることが好ましい。
また、配線導体2は、その幅方向の断面を観察した際に、絶縁層1側の面が絶縁層1側に若干凸となった曲面状とされているのがよく、この場合、配線導体2が絶縁層1に対して、気泡をよりかみ込むことなく埋入されやすくなる。
さらに、配線導体2は、その表面の算術平均粗さRaが0.01〜3μmと粗くなっているのがよく、この場合配線導体2と絶縁層1との密着性が向上する。配線導体2は、絶縁層1側の面に微小な突起が形成されていてもよく、この場合にも配線導体2と絶縁層1との密着性が向上する。
このとき、後述するように金属箔のパターンの表面側の側面は、転写用支持フィルム側の側面に較べてエッチング液に接する時間が長いためにエッチングされやすく、パターンの幅方向の断面形状を台形状とすることができる。この断面形状が台形状のパターンは、エッチング液の濃度やエッチング時間を調整することにより、短い底辺とのなす角度を95〜150°の台形状とすることができる。そして、台形状の下底側が絶縁層1に連続して平坦に埋設された配線導体2を形成することができる。
このような配線導体2は、先ず、転写用支持フィルム上に銅から成る金属箔を接着剤を介して接着した金属箔付き転写フィルムを用意し、次に、転写フィルム上の金属箔を公知のフォトレジストを用いたサブトラクティブ法を使用してパターン状にエッチングし、次にこの金属箔がパターン状にエッチングされた転写フィルムを絶縁層1に積層し、温度が100〜200℃で圧力が0.5〜10MPaの条件で10分〜1時間加熱プレスした後、転写用支持フィルムを剥離除去して金属箔を絶縁層1表面に転写させることにより、各絶縁層1の表面に埋設される。なお、配線導体2は絶縁層1との密着性を高めるためにその表面にバフ研磨,ブラスト研磨,ブラシ研磨,薬品処理等の処理で表面を粗化しておくことが好ましい。そして、所定の時間,温度で絶縁層1の樹脂の予備硬化を行ない、しかる後、配線導体2をエッチングすることにより、配線導体2が絶縁層1に埋入したものとすることができる。
なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dは、配線導体2を絶縁層1に埋設した後、配線導体2の表面をエッチングする際のエッチング液の濃度やエッチング時間を調整することにより、所望の値とすることができる。さらに、絶縁層1の上下面に付着したエッチング液等を除去し、また、絶縁層1の上下面を粗化するとともに、表面の分子層を活性化させるために、プラズマ処理や紫外線処理を施すことが好ましい。
また、本発明の多層配線基板4は、以下に述べるような方法により製作される。先ず、ガラスクロスに未硬化の熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱硬化性樹脂と無機絶縁粉末とを混合したペーストを含浸させて成る絶縁層1用の前駆体シートとを準備する。次に、これにレーザ加工により貫通導体3を形成するための貫通孔を穿孔し、さらに貫通孔内に貫通導体3用の熱硬化性の導電性ペーストを充填する。次に、絶縁層1の上下面の少なくとも一方に、必要に応じて貫通導体3と電気的に接続するように、配線導体2をその表面と絶縁層1の表面とが略平坦になるように転写して埋設する。なお、転写および埋設は、温度が100〜200℃で圧力0.5〜10MPaの条件で10分〜1時間加熱プレスすることにより行われる。次に、所定の時間,温度で絶縁層1の樹脂の予備硬化を行ない、しかる後、配線導体2表面を配線導体2の表面が絶縁層1の表面の配線導体2と隣接する部位よりも内部側に位置するように、好ましくは0.5〜7μm内部側に位置するようにエッチングする。そして最後に、これらの絶縁層1を上下に積層するとともに加熱プレスして絶縁層1および導電性ペーストを熱硬化させることにより製作される。
なお、貫通孔はその直径が20〜150μm程度であり、従来周知のレーザ加工法等により形成される。また、貫通導体3となる導電性ペーストは、銅,銀,金,半田等の金属粉末と熱硬化性樹脂を主成分とする導電性ペーストを従来周知のスクリーン印刷法により埋め込むことにより形成される。
かくして、本発明の多層配線基板4によれば、上記構成の多層配線基板4の上面に形成した配線導体2の一部から成る接続パッド6に半田等の導体バンプ7を介して半導体素子等の電子部品5を電気的に接続することにより、配線密度が高く絶縁性に優れた混成集積回路基板とすることができる。
なお、本発明の多層配線基板4は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施しても何等差し支えない。例えば、上述の実施の形態では4層の絶縁層1を積層することによって多層配線基板4を製作したが、2層、3層または5層以上の絶縁層1を積層して多層配線基板4を製作してもよい。また、本発明の多層配線基板4の上下面に、1層や2層または3層以上の樹脂を主成分とする絶縁層から成るビルドアップ層やソルダーレジスト層8を形成したり、多層配線基板4に電子部品5を搭載した後に多層配線基板4と電子部品5との間にアンダーフィル材9を形成したりしてもよい。
本発明の多層配線基板の実施例を以下に説明する。
(実施例1)
先ず、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂に、無機絶縁粉末として平均粒子径が0.5μmの球状溶融酸化珪素を含有量が20体積%となるように加え、これに溶剤としてトルエン、さらには熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂の硬化を促進させるための触媒を添加し、1時間混合してせん断速度が1000s−1において粘度が2000Pa・sとなるように調整した樹脂ペーストを準備した。そして、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスをこの樹脂ペーストに十分浸漬し、垂直に引き上げ、しかる後、温度40℃で30分の1次乾燥を行ない、さらに温度80℃で1時間の2次乾燥を行なうことにより絶縁層1を製作した。
先ず、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂に、無機絶縁粉末として平均粒子径が0.5μmの球状溶融酸化珪素を含有量が20体積%となるように加え、これに溶剤としてトルエン、さらには熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂の硬化を促進させるための触媒を添加し、1時間混合してせん断速度が1000s−1において粘度が2000Pa・sとなるように調整した樹脂ペーストを準備した。そして、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスをこの樹脂ペーストに十分浸漬し、垂直に引き上げ、しかる後、温度40℃で30分の1次乾燥を行ない、さらに温度80℃で1時間の2次乾燥を行なうことにより絶縁層1を製作した。
次に、この絶縁層1に、UV−YAGレーザにより直径100μmの貫通孔を形成し、この貫通孔に銅粉末と有機バインダを含有する導体ペーストをスクリーン印刷により埋め込むことにより貫通導体3を形成した。
次に、ポリエチレンテレフタレートから成る転写用支持フィルム上に、厚みが9μmで回路状にパターン形成した銅箔が付いた転写フィルムと、貫通導体3が形成された絶縁層1とを位置合わせした後に、真空積層機により5MPaの圧力で30秒加圧して、配線導体2をその表面が絶縁層1の表面と平坦になるように埋設し、しかる後、転写用支持フィルムを剥離した。そして、温度120℃で20分の予備硬化を行なった上で配線導体2にエッチング処理を施し、配線導体2が絶縁層1の表面よりも内部側に位置するように絶縁層1に埋入したものとなるようにした。なお、エッチング液の濃度およびエッチング時間を調整することにより、配線導体2の表面と絶縁層1の表面における配線導体2と隣接する部位との垂直方向の距離dが種々の値となるようにした。
さらに、配線導体2の表面および絶縁層1の表面を、真空プラズマ装置を用いて、電圧を27kV、雰囲気をO2およびCF4(ガス流量がそれぞれ80cm3/分)とし、片面5分の条件でプラズマ処理して、絶縁層1の上下面に付着したエッチング液等を除去し、また、絶縁層1の上下面を粗化するとともに表面の分子層の活性化を行なった。最後に、配線導体2が埋入された絶縁層1を4枚重ね合わせ、3MPaの圧力下で200℃の温度で5時間加熱プレスして完全硬化させた本発明のテスト基板(試料No.1〜6)を得た。また、配線導体2を絶縁層1の上下面に埋入させることなく、配線導体2をその表面が絶縁層1の表面と平坦となるように埋設した、比較のためのテスト基板(試料No.7)も準備した。
なお、これらのテスト基板において、平行に配列した幅が40μmで長さが2cmの櫛歯状の配線導体2を10本形成し、隣接する配線導体2の中心間距離が80μmとなるようにした(隣接する配線導体2の輪郭間距離は40μmである)。
また、絶縁性の評価は、各試料について、温度130℃、相対湿度85%、圧力2.3×105Paの条件で、引加電圧5.5Vの高温バイアス試験を行ない、隣接する配線導体2間の絶縁抵抗を測定し、試験前後の変化量を比較することにより評価した。絶縁信頼性の良否の判断は、隣接する配線導体2の絶縁抵抗の最小値が1.0×108Ω以上を良、1.0×108Ω未満を不良とした。表1に絶縁信頼性の試験結果を示す。
表1より、配線導体2を絶縁層1の上下面に埋入させることなく、配線導体2をその表面が絶縁層1の表面と平坦となるように埋設した比較のためのテスト基板(試料No.7)では、高温バイアス試験168時間後の絶縁抵抗は8.8×108Ωであるものの、240時間後では絶縁抵抗が7.9×107Ωと劣化する傾向にあることがわかった。
それに対し、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2に隣接する部位との垂直方向の距離dを0.3μm以上としたテスト基板(試料No.1〜6)では、高温バイアス試験240時間後でも、絶縁抵抗が2.1×108Ω以上であり、絶縁性において優れていることがわかった。
さらに、上記高温バイアス試験を312時間まで継続したところ、絶縁層1に埋入した配線導体2の表面の深さが絶縁層1の表面に対して0.5μm未満のテスト基板(試料No.1)および7μmを超えるテスト基板(試料No.6)では、312時間以上では絶縁抵抗が9.0×107Ω以下と劣化する傾向があるのに対し、0.5〜7μmのテスト基板(試料No.2〜5)では、312時間以上でも絶縁抵抗が1.9×108Ω以上であり、絶縁性において特に優れていることがわかった。
(実施例2)
実施例2用のテスト基板として、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径と含有量が種々の値となるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板(試料No.1〜6)と同様の方法により製作した。なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2に隣接する部位との垂直方向の距離dが4.5μmとなるように調整した。
実施例2用のテスト基板として、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径と含有量が種々の値となるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板(試料No.1〜6)と同様の方法により製作した。なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2に隣接する部位との垂直方向の距離dが4.5μmとなるように調整した。
なお、実施例2のテスト基板では、その内部に絶縁層1を介して位置する上下2層の配線導体2と両者を電気的に接続する貫通導体3とでビアチェーンを形成したものとし、積層加工性の評価は、テスト基板を切断して断面を面出し、配線導体2に対する貫通導体3の位置ずれが15μm未満を良、15μm以上を不良とした。さらに、導通信頼性の評価は、温度が130℃で相対湿度85%の条件で高温高湿試験を行ない、導通抵抗の試験前に対する変化率が15%未満を良、15%以上を不良とした。表2に積層加工性と導通信頼性の評価結果を示す。
表2より、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径が2.8μm以上のテスト基板(試料No.18)および、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の含有量が10体積%未満のテスト基板(試料No.11)では、配線導体2に対する貫通導体3の位置ずれが18μm以上と大きく、積層加工性にやや劣る傾向にあることがわかった。
また、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径が0.1μm未満のテスト基板(試料No.8)および、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の含有量が70体積%以上のテスト基板(試料No.16)では、高温高湿試験168時間後の導通抵抗は変化率が12%以下と小さいが、240時間後で導通抵抗の変化率は17%以上と大きく、導通信頼性にやや劣る傾向にあることがわかった。
それらに対して、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径が0.1〜2.8μmであって、かつ、含有量が10〜70体積%であるテスト基板(試料No.9,10,12〜15,17)では、配線導体2に対する貫通導体3の位置ずれが13μm以下と小さく、また、高温高湿試験240時間後でも導通抵抗の変化率は14%以下と小さく、積層加工性および導通信頼性において特に優れていることがわかった。
(実施例3)
実施例3用のテスト基板として、絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaおよび、水との接触角が種々の値となるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板(試料No.1〜6)と同様の方法により製作した。なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2に隣接する部位との垂直方向の距離dが4.5μmとなるように調整し、さらに、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径が1.2μmであり、また、その含有量が20体積%となるようにした。これらのテスト基板を温度260℃および280℃の半田浴に20秒間浸漬し、これを5回または10回繰り返した後、テスト基板の外観を観察することにより密着性の評価を行なった。表3のその評価結果を示す。
実施例3用のテスト基板として、絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaおよび、水との接触角が種々の値となるように変更した以外は、実施例1用のテスト基板(試料No.1〜6)と同様の方法により製作した。なお、配線導体2の表面と絶縁層1の表面の配線導体2に隣接する部位との垂直方向の距離dが4.5μmとなるように調整し、さらに、絶縁層1の球状溶融酸化珪素の平均粒子径が1.2μmであり、また、その含有量が20体積%となるようにした。これらのテスト基板を温度260℃および280℃の半田浴に20秒間浸漬し、これを5回または10回繰り返した後、テスト基板の外観を観察することにより密着性の評価を行なった。表3のその評価結果を示す。
表3より、絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaが0.3μm未満のテスト基板(試料No.19)および5μmを超えるテスト基板(試料No.27)では、温度が260℃の半田浴への浸漬を5回繰り返してもテスト基板の外観に変化は無かったが、浸漬を10回繰り返した時点で、絶縁層1同士の界面が剥がれてフクレが発生し、密着性にやや劣る傾向があった。
また、算術平均粗さRaは0.3〜5μmであるが、水との接触角が3°未満のテスト基板(試料No.21)および65°を超えるテスト基板(試料No.25)では、温度が280℃の半田浴への浸漬を5回繰り返してもテスト基板の外観に変化は無かったが、温度が280℃の半田浴への浸漬を10回繰り返した時点で、絶縁層1同士の界面が剥がれてフクレが発生し、密着性にやや不十分な傾向にあることがわかった。
それらに対して、絶縁層1の上下面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmであって、かつ、水との接触角が3〜65°であるテスト基板(試料No.20,22〜24,26)では、温度が280℃の半田浴への浸漬を10回繰り返してもテスト基板の外観に変化は無く、密着性において特に優れていることがわかった。
1:絶縁層
2:配線導体
3:貫通導体
4:多層配線基板
2:配線導体
3:貫通導体
4:多層配線基板
Claims (6)
- 表面に金属箔から成る配線導体が配設された樹脂を主成分とする絶縁層が複数積層されて成るとともに、該絶縁層を挟んで上下に位置する前記配線導体間が前記絶縁層に形成された貫通導体を介して電気的に接続されている多層配線基板であって、前記配線導体は、その表面が前記絶縁層の表面よりも内部側に位置するように前記絶縁層に埋入されていることを特徴とする多層配線基板。
- 前記配線導体は、その表面が前記絶縁層の表面の前記配線導体に隣接した部位よりも0.5〜7μm内部側に位置するように前記絶縁層に埋入されていることを特徴とする請求項1記載の多層配線基板。
- 前記絶縁層は、平均粒子径が0.1〜2.8μmの無機絶縁粉末を10〜70体積%含有していることを特徴とする請求項1または請求項2記載の多層配線基板。
- 前記絶縁層は、その表面の算術平均粗さRaが0.3〜5μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の多層配線基板。
- 前記絶縁層は、その表面の水との接触角が3〜65°であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の多層配線基板。
- 前記絶縁層に含まれる樹脂が熱硬化性ポリフェニレンエーテルであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の多層配線基板。
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---|---|---|---|---|
JP2014160705A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Kyocera Corp | 配線基板、これを用いた実装構造体、これを用いた電子装置および配線基板の製造方法 |
-
2003
- 2003-08-26 JP JP2003302204A patent/JP2005072398A/ja active Pending
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