WO2023234023A1

WO2023234023A1 - 積層基板

Info

Publication number: WO2023234023A1
Application number: PCT/JP2023/018392
Authority: WO
Inventors: 一生山元; 智樹山本
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2022-06-01
Filing date: 2023-05-17
Publication date: 2023-12-07

Abstract

熱応力が発生したとしても、セラミック層に設けられた電極と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体との接続部において、クラックや剥がれが生じにくい積層基板を提供する。本発明の積層基板（１）は、第１主面（２１ａ）及び上記第１主面（２１ａ）に対向する第２主面（２１ｂ）を備え、上記第１主面（２１ａ）から上記第２主面（２１ｂ）を貫通するビアホール（２１ｈ）を有する第１熱可塑性樹脂層（２１）と、上記第１主面（２１ａ）に接触するように配置されたセラミック層（１１）と、上記第２主面（２１ｂ）に接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層（２２）とを備え、上記第１主面（２１ａ）に接触する上記セラミック層（１１）の主面には、第１電極（３１）が形成され、さらに、上記第１電極（３１）の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層（４０）が形成されており、上記第２主面（２１ｂ）に接触する上記第２熱可塑性樹脂層（２２）の主面には、第２電極（３２）が形成されており、上記ビアホール（２１ｈ）には、上記第１電極（３１）と、上記第２電極（３２）とを接続する層間接続導体（５０）が配置されており、上記層間接続導体（５０）と、上記第１電極（３１）との間には、金属間化合物（６１）が形成されている。

Description

積層基板

　本発明は、積層基板に関する。

　従来、受動素子を内蔵した多層基板を用いたモジュール部品が実用化されている。例えば、当該受動素子としてコイルを内蔵した多層基板にスイッチングＩＣ（集積回路）チップ及びチップコンデンサを搭載してなるＤＣＤＣコンバータモジュールが周知である。

　このようなモジュール部品に用いられる多層基板として、セラミック基板が積層された多層基板が知られている。セラミック基板が積層された多層基板では、セラミック基板の反りが発生する場合がある。このような問題を解決するために、特許文献１には、セラミック基板が積層された多層基板に、熱可塑性樹脂からなる基板（熱可塑性樹脂層）を積層した積層基板（モジュール部品）が開示されている。

　すなわち、特許文献１には、受動素子を内蔵し、一方主面および他方主面に前記受動素子に接続された第１端子電極および第２端子電極をそれぞれ有するセラミック多層基板と、前記セラミック多層基板の前記一方主面に設けられ、前記第１端子電極に接続された第１配線と、表面実装部品を搭載するための第１ランドとを有する第１熱可塑性樹脂層と、前記セラミック多層基板の前記他方主面に設けられ、前記第２端子電極に接続された第２配線と、マザーボードへの接続端子となる第２ランドとを有する第２熱可塑性樹脂層と、前記第１熱可塑性樹脂層に搭載され、前記第１熱可塑性樹脂層の前記第１ランドに接続された表面実装部品と、を備え、前記第１熱可塑性樹脂層と前記第２熱可塑性樹脂層との厚さが異なり、前記第１熱可塑性樹脂層の厚さは、前記第２熱可塑性樹脂層の厚さよりも厚く、前記セラミック多層基板は、非ガラス系の低温同時焼成セラミックス材料を用いた基板であり、前記セラミック多層基板の前記第１端子電極と前記第１熱可塑性樹脂層に設けられた層間導体、および前記セラミック多層基板の前記第２端子電極と前記第２熱可塑性樹脂層に設けられた層間導体が、液相拡散接合によってそれぞれ接合されている、モジュール部品が開示されている。

　特許文献１では、セラミック多層基板に設けられた端子電極と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間導体とは、液相拡散接合（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）によって接合されている。

　特許文献２には、導体配線層と接続する層間接続導体が開示されており、導体配線層と、層間接続導体との間には、金属間化合物を含む金属間化合物層が形成されていることが開示されている。
　金属間化合物層は、層間接続導体を構成するＳｎ又はＳｎ合金等の金属が加熱されることにより溶融し、導体配線層を構成する金属（例えば、Ｃｕ）と反応して生成される。すなわち、金属間化合物層は、液相拡散接合が行われる際に生成される。

特許第６８１９６６８号国際公開第２０１９／００３７２９号

　特許文献１に記載された積層基板（モジュール部品）においても、セラミック層に設けられた電極（端子電極）と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体（層間導体）との間に、特許文献２に開示されているような金属間化合物層が形成される。

　セラミック層の線熱膨張係数と、熱可塑性樹脂層の線熱膨張係数とは異なるので、積層基板に熱がかかると、セラミック層と熱可塑性樹脂層との間には熱応力が生じる。
　このような熱応力は、セラミック層と熱可塑性樹脂層との境界に位置する層間接続導体にかかりやすい。特に熱応力は、層間接続導体のセラミック層に設けられた電極との接続部分によりかかりやすい。
　上記の通り、セラミック層に設けられた電極と熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体との間には金属間化合物層が形成されている。金属間化合物は延性が低いので、金属間化合物は熱応力を吸収しにくい。
　そのため、層間接続導体が上記熱応力を受けると、金属間化合物や、その周辺の層間接続導体を起点として、クラックや剥がれが生じやすくなるという問題がある。

　本発明は上記問題を解決するためになされた発明であり、本発明の目的は、熱応力が発生したとしても、セラミック層に設けられた電極と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体との接続部において、クラックや剥がれが生じにくい積層基板を提供することである。

　本発明の積層基板は、第１主面及び上記第１主面に対向する第２主面を備え、上記第１主面から上記第２主面を貫通するビアホールを有する第１熱可塑性樹脂層と、上記第１主面に接触するように配置されたセラミック層と、上記第２主面に接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層とを備え、上記第１主面に接触する上記セラミック層の主面には、第１電極が形成され、さらに、上記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層が形成されており、上記第２主面に接触する上記第２熱可塑性樹脂層の主面には、第２電極が形成されており、上記ビアホールには、上記第１電極と、上記第２電極とを接続する層間接続導体が配置されており、上記層間接続導体と、上記第１電極との間には、金属間化合物が形成されている。

　本発明によれば、熱応力が発生したとしても、セラミック層に設けられた電極と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体との接続部において、クラックや剥がれが生じにくい積層基板を提供することができる。

図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る積層基板の一例を模式的に示す断面図である。図１Ｂは、図１Ａの破線部の拡大図である。図２は、本発明の第２実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。図３は、本発明の第２実施形態に係る別の態様の積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。図４は、本発明の第３実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。図５は、本発明の第４実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。図６は、本発明のその他の態様に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。図７は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート準備工程の一例を模式的に示す工程図である。図８Ａは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシートのビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。図８Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシートのビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。図９は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシートの電極パターン形成工程の一例を模式的に示す工程図である。図１０は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のセラミック材料を含む保護層用ペーストの塗布工程の一例を模式的に示す工程図である。図１１は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート積層工程の一例を模式的に示す工程図である。図１２は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート積層体焼成工程の一例を模式的に示す工程図である。図１３は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層準備工程の一例を模式的に示す工程図である。図１４Ａは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層の電極パターン形成工程の一例を模式的に示す工程図である。図１４Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層の電極パターン形成工程の一例を模式的に示す工程図である。図１５Ａは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。図１５Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。図１６は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層の積層工程の一例を模式的に示す工程図である。図１７Ａは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。図１７Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。図１８Ａは、液相拡散接合による層間接続導体と第１電極との接続の一例について模式的に示す説明図である。図１８Ｂは、液相拡散接合による層間接続導体と第１電極との接続の一例について模式的に示す説明図である。図１８Ｃは、液相拡散接合による層間接続導体と第１電極との接続の一例について模式的に示す説明図である。図１８Ｄは、液相拡散接合による層間接続導体と第１電極との接続の一例について模式的に示す説明図である。図１９は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法において準備する多層セラミック層の一例を模式的に示す断面図である。図２０は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法において準備する多層熱可塑性樹脂層の一例を模式的に示す断面図である。図２１は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法における熱可塑性樹脂からなる保護層配置工程の一例を模式的に示す工程図である。図２２Ａは、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。図２２Ｂは、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。

　以下、本発明の積層基板について説明する。
　しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

　本発明の積層基板は、第１主面及び上記第１主面に対向する第２主面を備え、上記第１主面から上記第２主面を貫通するビアホールを有する第１熱可塑性樹脂層と、上記第１主面に接触するように配置されたセラミック層と、上記第２主面に接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層とを備え、上記第１主面に接触する上記セラミック層の主面には、第１電極が形成され、さらに、上記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層が形成されており、上記第２主面に接触する上記第２熱可塑性樹脂層の主面には、第２電極が形成されており、上記ビアホールには、上記第１電極と、上記第２電極とを接続する層間接続導体が配置されており、上記層間接続導体と、上記第１電極との間には、金属間化合物が形成されている。
　すなわち、本発明の積層基板では、第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層が形成されている。このような保護層が形成されていると、層間接続導体の第１電極との接続部に延性が低い金属間化合物が広がって形成されることを防ぐことができる。
　そのため、積層基板に熱応力が生じた場合でも、金属間化合物が形成されている範囲が狭いため、熱応力を緩和しにくい部分が少なくなる。
　その結果、積層基板に熱応力が生じた場合でも、セラミック層に設けられた電極と、熱可塑性樹脂層に設けられた層間接続導体との接続部において、クラックや剥がれが生じにくくなる。

　本発明の積層基板は、コイルを内蔵した積層基板、当該積層基板を用いた超小型のＤＣＤＣコンバータとして、携帯情報端末やデジタルカメラ等の電子機器に広く利用することができる。

　以下、本発明の多層基板の実施形態について図面を用いて説明する。
［第１実施形態］
　まず、本発明の第１実施形態に係る積層基板について説明する。
　図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る積層基板の一例を模式的に示す断面図である。
　図１Ｂは、図１Ａの破線部の拡大図である。

　図１Ａに示す積層基板１は、複数のセラミック層１０が積層された多層セラミック層２と、複数の熱可塑性樹脂層２０が積層された多層熱可塑性樹脂層３とを含む。
　図１Ａに示す積層基板１では、多層熱可塑性樹脂層３の上に、多層セラミック層２が積層されている。

　図１Ａ及び図１Ｂに示すように、多層熱可塑性樹脂層３は、多層セラミック層２に接触する第１熱可塑性樹脂層２１を含む。

　図１Ｂに示すように、第１熱可塑性樹脂層２１は、第１主面２１ａ及び第１主面２１ａに対向する第２主面２１ｂを備え、第１主面２１ａから第２主面２１ｂを貫通するビアホール２１ｈを有する。
　また、第１熱可塑性樹脂層２１の第１主面２１ａは、多層セラミック層２に接触している。

　多層セラミック層２は、第１熱可塑性樹脂層２１の第１主面２１ａに接するように配置されたセラミック層１１を含む。第１主面２１ａに接触するセラミック層１１の主面には、第１電極３１が形成され、さらに、第１電極３１の輪郭３１ｃを覆うように保護層４０が形成されている。
　なお、本発明の積層基板では、保護層は、第１電極の輪郭の全体を覆うように形成されていてもよく、第１電極の輪郭の一部を覆うように形成されていてもよい。

　多層熱可塑性樹脂層３は、第２主面２１ｂに接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層２２を含む。
　第２主面２１ｂに接触する第２熱可塑性樹脂層２２の主面には、第２電極３２が形成されている。

　ビアホール２１ｈには、第１電極３１と、第２電極３２とを接続する層間接続導体５０が配置されている。さらに、層間接続導体５０と、第１電極３１との間には、金属間化合物６１が形成されている。また、層間接続導体５０と、第２電極３２との間には、金属間化合物６２が形成されている。
　ビアホール２１ｈは、第１主面２１ａ側の開口の方が第２主面２１ｂ側の開口よりも大きいテーパー状の形状である。
　このような形状であると、層間接続導体５０と第１電極３１との接続強度を向上させることができる。

　積層基板１では、第１電極３１の輪郭３１ｃを覆うように保護層４０が形成されている。このような保護層４０が形成されていると、層間接続導体５０の第１電極３１との接続部に延性が低い金属間化合物６１が広がって形成されることを防ぐことができる。金属間化合物６１は延性が低く、熱応力を緩和しにくい部分となる。
　積層基板１では、金属間化合物６１が形成されている範囲が狭いため、熱応力を緩和しにくい部分が少なくなる。
　そのため、積層基板１に熱応力が生じた場合でも、セラミック層１１に設けられた第１電極３１と、第１熱可塑性樹脂層２１に設けられた層間接続導体５０との接続部において、クラックや剥がれが生じにくくなる。

　図１Ａ及び図１Ｂに示すように、積層基板１では、第１主面２１ａにおいて、ビアホール２１ｈの開口の内側に保護層４０の一部が位置しており、ビアホール２１ｈの内側に位置する保護層４０の一部は、層間接続導体５０と接触している。
　積層基板１を製造する場合、ビアホール２１ｈに導電性ペーストを充填し、その後、導電性ペーストと第１電極３１とを接触させ、導電性ペーストを溶融させてから凝固させることにより層間接続導体５０が形成される。
　積層基板１が上記構造を有する場合、第１主面２１ａにおけるビアホール２１ｈの開口は大きいので、導電性ペーストと第１電極３１の露出面とを充分に接触させることができる。従って、電気的な接続信頼性を向上させることができる。

　なお、図１Ａに示すように、多層セラミック層２には、電極パターン２ａ、ビア２ｂ等が形成されていてもよく、多層熱可塑性樹脂層３には、電極パターン３ａ、ビア３ｂ等が形成されていてもよい。

　以下、積層基板１の各構成の好ましい態様について説明する。

（層間接続導体）
　層間接続導体５０は、第１金属粉末と、第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含有する導電性ペーストがビアホール２１ｈに充填され、導電性ペーストが溶融してから凝固することにより形成される。この際、導電性ペーストに含まれる第１金属粉末と第１電極３１とが反応し、金属間化合物６１が形成される。
　第１金属粉末はＳｎ又はＳｎ合金からなり、第２金属粉末は、Ｃｕ－Ｎｉ合金又はＣｕ－Ｍｎ合金からなることが好ましい。
　なお、導電性ペーストについては、後述する＜積層基板の製造方法＞において詳述する。

（多層セラミック層）
　多層セラミック層２は、セラミック層１１を含むセラミック層１０により構成される。
　セラミック層１０を構成する材料としては、例えば、低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ）材料が挙げられる。低温焼結セラミック材料とは、１０００℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さなＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等と同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミック材料としては、具体的には、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ－ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料、ＢａＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系セラミック粉末やＡｌ_２Ｏ_３－ＣａＯ－ＳｉＯ_２－ＭｇＯ－Ｂ_２Ｏ_３系セラミック粉末等を用いた非ガラス系低温焼結セラミック材料等が挙げられる。

　セラミック層１０の厚さは、設計に応じて適宜決定することが好ましく、例えば、５μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。

　第１電極３１、電極パターン２ａ及びビア２ｂは、導電性粉末、可塑剤及びバインダーからなる導電性ペーストの焼結体であることが好ましい。
　また、第１電極３１、電極パターン２ａ及びビア２ｂは銅（Ｃｕ）及びその合金の焼結体であることがより好ましい。
　なお、第１電極３１、電極パターン２ａ及びビア２ｂには、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、金（Ａｕ）、及び、これらの合金等が含まれていてもよい。
　また、第１電極３１、電極パターン２ａ及びビア２ｂは、それぞれ同じ材料から構成されていてもよく、異なる材料から構成されていてもよい。

　第１電極３１の厚さは、設計に応じて適宜決定することが好ましく、例えば、３μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。なお、本明細書において、「第１電極の厚さ」とは第１電極の最大厚さのことを意味する。

（保護層）
　保護層４０は、上記第１熱可塑性樹脂層２１を構成する材料と同じ材料からなっていてもよく、上記セラミック層１１を構成する材料と同じ材料からなっていてもよい。

　保護層４０の厚さは、２μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
　保護層の厚さが２μｍ未満であると、第１電極が浮き上がりやすくなる。
　保護層の厚さが１０μｍを超えると、第１熱可塑性樹脂層とセラミック層とを積層する際に保護層が障害になり、層間接続導体と第１電極との間に隙間が生じ接続できなくなったり、第１電極、電極パターン、ビア等の内部導体が変形しやすくなる。

　保護層４０は、第１電極３１の輪郭から内側に、３０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲を覆うことが好ましい。
　このような範囲に保護層４０を形成することで、第１電極３１が浮き上がることを防ぐことができる。

（多層熱可塑性樹脂層）
　多層熱可塑性樹脂層３は、第１熱可塑性樹脂層２１及び第２熱可塑性樹脂層２２を含む熱可塑性樹脂層２０により構成される。
　熱可塑性樹脂層２０を構成する材料としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられる。
　これらの中では液晶ポリマー（ＬＣＰ）が好ましい。液晶ポリマーは他の熱可塑性樹脂に比べて吸水率が低く、電気特性ばらつき、電気的な接続信頼性低下を防止することができる。

　熱可塑性樹脂層２０の厚さは、設計に応じて適宜決定することが好ましく、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。

　図１Ｂに示すように、第１熱可塑性樹脂層２１に形成されたビアホール２１ｈはテーパー状の形状である。
　また、テーパー状の形状は、傾斜角が段階的に異なることが好ましい。この場合、傾斜角は２段階で変化してもよいし、３段階以上で変化してもよい。
　なお、本発明の積層基板では、ビアホールは、第１主面側の開口の方が第２主面側の開口よりも小さいテーパー状の形状であってもよく、第１主面側の開口と第２主面側の開口とが同じ大きさの筒状の形状であってもよい。

　第１主面２１ａ側のビアホール２１ｈの開口の直径は、２０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。
　第２主面２１ｂ側のビアホール２１ｈの開口の直径は、２０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。

　図１Ｂに示す積層基板１では、第１電極３１の面積（金属間化合物６１及び保護層４０に接触する部分の面積）の方が、第１主面２１ａ側のビアホール２１ｈの開口面積よりも大きいが、本発明の積層基板１では、第１電極の面積と第１主面側のビアホールの開口面積が同じであってもよく、第１電極の面積の方が、第１主面側のビアホールの開口面積よりも小さくてもよい。

　第２電極３２及び電極パターン３ａの材料としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、及び、これらの合金等が挙げられる。第２電極３２、電極パターン３ａは、熱可塑性樹脂層２０に金属箔をラミネートし、エッチング等の手法でパターニングすることにより形成することができる。
　また、第２電極３２及び電極パターン３ａは、それぞれ同じ材料から構成されていてもよく、異なる材料から構成されていてもよい。
　また、ビア２ｂの好ましい材料は、層間接続導体５０の好ましい材料と同じである。

　第２電極３２の厚さは、設計に応じて適宜決定することが好ましく、例えば、３μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。

［第２実施形態］
　次に、本発明の第２実施形態に係る積層基板について説明する。
　図２は、本発明の第２実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。
　図２に示す本発明の第２実施形態に係る積層基板１０１は、金属間化合物の形状が異なる以外、第１実施形態に係る積層基板１と同じ構成である。
　以下に、積層基板１０１の構造を、図面を用いて詳述する。

　図２に示すように、まず、保護層４０の第１電極３１の輪郭の内側に位置する端部を内端部４１とし、保護層４０の第１電極３１の輪郭を覆うように接触する主面を被覆面４０ａとする。
　積層基板１０１では、金属間化合物１６１の一部１６１ａは、保護層４０の内端部４１側の被覆面４０ａに接触し、かつ、層間接続導体５０と第１電極３１との間に形成された金属間化合物１６１と連続するように形成されている。
　すなわち、金属間化合物１６１の一部１６１ａは、保護層４０と第１電極３１の間に侵入するように形成されている。
　また、図２における金属間化合物１６１の形状は、保護層４０の被覆面４０ａに接触する部分（すなわち、符号「１６１ａ」で示す部分）が他の部分に比べて盛り上がる形状である。

　本発明の積層基板を製造する際には、第１電極に層間接続導体の前駆体である導電性ペーストを接触させ、導電性ペーストを溶融させてから凝固させることにより、層間接続導体が作製される。
　この際、第１電極の輪郭に保護層が形成されていると、第１電極の露出面（導電性ペーストとの接触面）が狭くなる。
　製造される積層基板において、第１電極と層間接続導体との間の物理的な接続安定性や、導電性は、金属間化合物を介したこれらの接触面積に依存する。そのため、第１電極の輪郭に保護層が形成されていると、これらの効果に関しては不利になる。
　しかし、積層基板１０１のように、金属間化合物１６１の一部１６１ａが、保護層４０の内端部４１側の被覆面４０ａに接触し、かつ、層間接続導体５０と第１電極３１との間に形成された金属間化合物１６１と連続するように形成されていると、第１電極３１と金属間化合物１６１との接触面積を拡大することができる。従って、第１電極３１と層間接続導体５０との間の物理的な接続安定性や、導電性を向上させることができる。

　積層基板１０１において、第１電極３１の厚さは、設計に応じて適宜決定することが好ましく、例えば、３μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。なお、積層基板１０１では、第１電極３１の、金属間化合物１６１の一部１６１ａに接触する部分は薄くなっている。
　しかし、上記の通り本明細書において「第１電極の厚さ」とは第１電極の最大厚さのことを意味するので、このように薄くなっている部分は、「第１電極の厚さ」を測定する上で考慮しない。

　積層基板１０１では、保護層４０の厚さは、２μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
　保護層の厚さが２μｍ未満であると、第１電極が浮き上がりやすくなる。
　保護層の厚さが１０μｍを超えると、金属間化合物が形成される際に、液相拡散接合における液相が保護層を超えにくくなり、金属間化合物が、保護層の内端部側の被覆面に接触するように形成されにくくなる。

　次に、本発明の第２実施形態に係る積層基板の別の態様について説明する。
　図３は、本発明の第２実施形態に係る別の態様の積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。
　図３に示す積層基板２０１は、金属間化合物の形状が異なる以外、第２実施形態に係る積層基板１０１と同じ構成である。

　図３に示す積層基板２０１では、金属間化合物２６１の形状は、第１電極３１と接触する面が平坦である。
　金属間化合物２６１の形状がこのような形状であると、上記積層基板１０１と同様に、第１電極３１と金属間化合物２６１との接触面積を拡大することができる。従って、第１電極３１と層間接続導体５０との間の物理的な接続安定性や、導電性を向上させることができる。

［第３実施形態］
　次に、本発明の第３実施形態に係る積層基板について説明する。
　図４は、本発明の第３実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。
　図４に示す本発明の第３実施形態に係る積層基板３０１は、第１熱可塑性樹脂層２１のビアホール２１ｈの開口の大きさが異なる以外、第２実施形態に係る積層基板１０１と同じ構成である。

　図４に示す積層基板３０１では、第１熱可塑性樹脂層３２１の第１主面３２１ａにおけるビアホール３２１ｈの開口面積が、金属間化合物１６１と第１電極３１とが接触する面積よりも小さい。
　本発明の積層基板を製造する際には、第１電極に層間接続導体の前駆体である導電性ペーストを接触させ、導電性ペーストを溶融させてから凝固させることにより、層間接続導体が作製される。この際、第１電極と、層間接続導体とは、液相拡散接合により接合される。この液相拡散接合がされる際に、液相は流動して、第１電極３１の露出面全体を覆うことになる。
　そのため、金属間化合物１６１は、第１電極３１の露出面全体に形成される。
　従って、積層基板３０１では、第１電極３１と、第１熱可塑性樹脂層３２１との間に隙間が生じることは無く、第１電極３１と層間接続導体５０との間の物理的な接続安定性や、導電性を充分に高くすることができる。

［第４実施形態］
　次に、本発明の第４実施形態に係る積層基板について説明する。
　図５は、本発明の第４実施形態に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。
　図５に示す本発明の第４実施形態に係る積層基板４０１は、第１熱可塑性樹脂層２１のビアホール２１ｈの開口の大きさが異なる以外、第２実施形態に係る積層基板１０１と同じ構成である。

　図５に示す積層基板４０１では、第１熱可塑性樹脂層４２１の第１主面４２１ａにおけるビアホール４２１ｈの開口面積が、保護層４０の開口面積と同じである。
　このような態様であっても、第１電極３１と層間接続導体５０との間の物理的な接続安定性や、導電性を充分に高くすることができる。

［その他の態様］
　本発明の積層基板において、保護層がセラミック材料からなる場合、保護層には気孔が形成されることになる。
　そのため、第１電極と層間接続導体とを液相拡散接合により接続する際に、液相が保護層の気孔に入り込む場合がある。このような態様について図面を用いて説明する。
　図６は、本発明のその他の態様に係る積層基板の層間接続導体の近傍の一例を模式的に示す断面図である。
　図６に示す積層基板５０１は、保護層５４０がセラミック材料からなり、金属間化合物１６１の一部が保護層５４０の気孔５４５に入り込んでいる以外は上記積層基板１０１と同じ構成である。
　このような態様の積層基板も、本発明の積層基板に含まれる。

＜積層基板の製造方法＞
　次に、本発明の積層基板の製造方法について説明する。なお、以下の説明ではセラミック層がＬＴＣＣ材料からなる場合を説明する。

［第５実施形態］
＜ＬＴＣＣグリーンシート準備工程＞
　図７は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート準備工程の一例を模式的に示す工程図である。
　本発明の第１実施形態に係る積層基板を製造する場合、まず、図７に示すように、複数のＬＴＣＣグリーンシート１０´を準備する。
　ＬＴＣＣグリーンシート１０´は以下の方法で準備することができる。

　まず、セラミック粉末、バインダー及び可塑剤を任意の量で混合しスラリーを作製する。セラミック粉末としては、上述した、セラミック層１０の好ましい材料として挙げた材料を用いることができる。バインダー及び可塑剤は、従来公知のものを使用することができる。

　次に、スラリーをキャリアフィルム上に塗布してシート成形し、ＬＴＣＣグリーンシート１０´とする。
　スラリー塗布はリップコーター、ドクターブレードを用いることができる。この際、ＬＴＣＣグリーンシート１０´の厚さを５μｍ以上、１００μｍ以下とすることが好ましい。

＜ＬＴＣＣグリーンシートのビアホール充填工程＞
　図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシートのビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図８Ａに示すように、ＬＴＣＣグリーンシート１０´にビアホール１０ｈ´を形成する。ビアホール１０ｈ´の形成方法は、特に限定されず、メカパンチ、ＣＯ_２レーザー、ＵＶレーザー等を用いて形成することができる。
　ビアホール１０ｈ´の開口径は、特に限定されないが、２０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。

　次に、図８Ｂに示すように、導電性粉末、可塑剤、バインダーから成る導電性ペースト２ｂ´をビアホール１０ｈ´に充填する。
　なお、導電性ペースト２ｂ´には、ＬＴＣＣグリーンシート１０´を構成するセラミック粉末を加えてもよい。導電性ペースト２ｂ´がこのようなセラミック粉末を含むと、ＬＴＣＣグリーンシート１０´及び導電性ペースト２ｂ´の収縮率の差が小さくなる。その結果、ＬＴＣＣグリーンシート１０´及び導電性ペースト２ｂ´の焼成時に、クラック等が生じることを防ぐことができる。

＜ＬＴＣＣグリーンシートの電極パターン形成工程＞
　図９は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシートの電極パターン形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図９に示すように、ＬＴＣＣグリーンシート１０´の表面に、導電性粉末、可塑剤、バインダーから成る導電性ペーストを用いて電極パターン２ａ´を印刷する。印刷方法としては、スクリーン印刷、インクジェット、グラビア印刷等を採用することができる。
　なお、電極パターン２ａ´を形成する導電性ペーストには、ＬＴＣＣグリーンシート１０´を構成するセラミック粉末を加えてもよい。電極パターン２ａ´を形成する導電性ペーストがこのようなセラミック粉末を含むと、ＬＴＣＣグリーンシート１０´及び電極パターン２ａ´の収縮率の差が小さくなる。その結果、ＬＴＣＣグリーンシート１０´及び電極パターン２ａ´の焼成時に、クラック等が生じることを防ぐことができる。

　なお、後の工程において、複数のＬＴＣＣグリーンシート１０´は積層され積層体となる。その積層体において、最外層に位置するＬＴＣＣグリーンシート１０´の電極パターン２ａ´の内、一部の電極パターン（図９中、符号「３１´」で示す）は、製造される積層基板において、層間接続導体と接続する第１電極となる。
　また、電極パターン３１´が形成されたＬＴＣＣグリーンシート１０´は、製造される積層基板において、第１熱可塑性樹脂層の第１主面と接触するセラミック基板となる。

＜セラミック材料を含む保護層用ペーストの塗布工程＞
　図１０は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のセラミック材料を含む保護層用ペーストの塗布工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１０に示すように、電極パターン３１´の輪郭に、保護層用ペースト４０´を塗布する。
　保護層用ペースト４０´は、ＬＴＣＣグリーンシート１０´と同じ材料からなることが好ましい。
　保護層用ペースト４０´とＬＴＣＣグリーンシート１０´と同じ材料からなると、焼成時の収縮率が同じになるので、保護層用ペースト４０´とＬＴＣＣグリーンシート１０´の焼成時にクラックが生じることを防ぐことができる。

　保護層用ペースト４０´の厚さは、２μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
　保護層用ペーストの厚さが２μｍ未満であると、後の工程を経て形成される第１電極が浮き上がりやすくなる。
　保護層用ペーストの厚さが１０μｍを超えると、後の工程において形成される保護層が厚くなる。そのため、後の工程において、第１熱可塑性樹脂層とセラミック層とを積層する際に保護層が障害になり、層間接続導体と第１電極との間に隙間が生じやすくなる。
　また、保護層用ペーストの厚さが１０μｍを超えると、後の工程において形成される保護層が厚くなる。そのため、後の工程において金属間化合物が形成される際に、液相反応が保護層を超えにくくなり、金属間化合物が、保護層の内端部側の被覆面に接触するように形成されにくくなる。

　保護層用ペースト４０´は、電極パターン３１´の輪郭から内側に、３０μｍ以上、１００μｍ以下の範囲を覆うことが好ましい。
　このような範囲に保護層用ペースト４０´を形成することで、後の工程を経て形成される第１電極３１が浮き上がることを防ぐことができる。

＜ＬＴＣＣグリーンシート積層工程＞
　図１１は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート積層工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１１に示すように、複数のＬＴＣＣグリーンシート１０´を積層し、ＬＴＣＣグリーンシート積層体２´とする。積層枚数は設計に応じて適宜決定することが好ましい。
　その後、ＬＴＣＣグリーンシート積層体２´を金型に入れて圧着する。圧力と温度は設計に応じて任意に設定することが好ましい。

＜ＬＴＣＣグリーンシート積層体焼成工程＞
　図１２は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法のＬＴＣＣグリーンシート積層体焼成工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１２に示すように、ＬＴＣＣグリーンシート積層体２´を加熱し焼成することにより、多層セラミック層２を形成する。
　この工程を行うことにより、導電性ペースト２ｂ´はビア２ｂに焼成され、電極パターン２ａ´は、電極パターン２ａ及び第１電極３１に焼成される。
　焼成は、バッチ炉、ベルト炉等の焼成炉を用いることができる。焼成条件は、特に限定されないが、８５０℃以上、１０５０℃以下で、６０分以上、１８０分以下であることが好ましい。
　なお、導電性ペースト２ｂ´や電極パターン２ａ´が銅（Ｃｕ）を含む場合、還元性雰囲気で焼成することが好ましい。

＜熱可塑性樹脂層準備工程＞
　図１３は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層準備工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１３に示すように、複数のシート状の熱可塑性樹脂層２０を作製する。熱可塑性樹脂層２０の好ましい材料は既に説明しているので、ここでの説明は省略する。
　熱可塑性樹脂層２０の厚さは、１０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。

＜熱可塑性樹脂層の電極パターン形成工程＞
　図１４Ａ及び図１４Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層の電極パターン形成工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１４Ａに示すように熱可塑性樹脂層２０の主面に金属箔３ａ´をラミネートする。次に、図１４Ｂに示すようにエッチング等により金属箔３ａ´をパターニングして電極パターン３ａを形成する。
　金属箔３ａ´としては、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、及び、これらの合金等が挙げられる。
　また、金属箔３ａ´は、一方の主面がシャイニー面、もう片方がマット面である方が好ましい。金属箔３ａ´は、マット面が熱可塑性樹脂層２０の主面に接するようにラミネートされることが好ましい。
　金属箔３ａ´のマット面は粗化処理が施されており、表面粗さＲｚ（ＪＩＳ　Ｂ　０６０１－２００１）は１μｍ以上、１５μｍ以下であることが好ましい。

　なお、後の工程において、複数の熱可塑性樹脂層２０は積層され積層体となる。その積層体において、最外層に位置する熱可塑性樹脂層２０は、第１熱可塑性樹脂層２１となる。また、第１熱可塑性樹脂層２１の第２主面２１ｂに接触する熱可塑性樹脂層２０は、第２熱可塑性樹脂層２２となる。
　さらに、第２主面２１ｂ側の第２熱可塑性樹脂層２２の主面に形成された電極パターン３ａの内、一部の電極パターンは、製造される積層基板において、層間接続導体と接続する第２電極３２となる。

＜熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程＞
　図１５Ａ及び図１５Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１５Ａに示すように、第１熱可塑性樹脂層２１、第２熱可塑性樹脂層２２及びその他の熱可塑性樹脂層２０に、それぞれ、ビアホール２１ｈ、ビアホール２２ｈ及びビアホール２０ｈを形成する。
　これらのビアホールの形成方法は、特に限定されず、メカパンチ、ＣＯ_２レーザー、ＵＶレーザー等を用いて形成することができる。
　これらのビアホールを形成した後は、酸素プラズマ処理、コロナ放電処理、過マンガン酸カリウム処理等のデスミア処理を行うことが好ましい。
　ビアホール２１ｈ、ビアホール２２ｈ及びビアホール２０ｈの開口径は、特に限定されないが、２０μｍ以上、２００μｍ以下であることが好ましい。
　なお、図１５Ａでは、平面で内部構造を示すための便宜上、電極パターン３ａの直下にビアホールが形成され、ビアホールが貫通孔として形成されていないように見える箇所があるが、実際には、電極パターン３ａの形成位置と、ビアホールの形成位置は、奥行き方向にずれており、ビアホールは貫通孔として形成されている。

　次に、図１５Ｂに示すように、ビアホール２１ｈ、ビアホール２２ｈ及びビアホール２０ｈに層間接続導体の前駆体である導電性ペースト５０´を充填する。
　充填方法としては、特に限定されないが、スクリーン印刷、真空印刷等を採用することができる。

　導電性ペースト５０´は、第１金属粉末と、第１金属粉末よりも融点の高い第２金属粉末とを含有する。
　導電性ペースト５０´に含有される第１金属粉末は、Ｓｎ又はＳｎ合金からなり、第２金属粉末は、Ｃｕ－Ｎｉ合金又はＣｕ－Ｍｎ合金からなることが好ましい。このような導電性ペースト５０´としては、例えば、特許第５１４６６２７号公報に記載された導電性ペースト等を用いることができる。以下、第１金属粉末に含まれる金属成分を第１金属、第２金属粉末に含まれる金属成分を第２金属ともいう。

　Ｓｎ又はＳｎ合金としては、例えば、Ｓｎ単体、又は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｅ及びＰからなる群より選ばれる少なくとも１種とＳｎとを含む合金等が挙げられる。Ｓｎ合金は、Ｓｎを７０重量％以上含有することが好ましく、８５重量％以上含有することがより好ましい。

　Ｃｕ－Ｎｉ合金中のＮｉの割合は、１０重量％以上、１５重量％以下であることが好ましい。また、Ｃｕ－Ｍｎ合金中のＭｎの割合は、１０重量％以上、１５重量％以下であることが好ましい。これにより、所望の金属間化合物を生成するのに必要十分なＮｉ又はＭｎを供給することができる。Ｃｕ－Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ－Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１０重量％未満である場合、Ｓｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。また、Ｃｕ－Ｎｉ合金中のＮｉの比率及びＣｕ－Ｍｎ合金中のＭｎの比率が１５重量％を超える場合も、Ｓｎが全て金属間化合物とならずに残留しやすくなる。

　なお、Ｃｕ－Ｎｉ合金又はＣｕ－Ｍｎ合金は、Ｍｎ及びＮｉを同時に含んでいてもよく、また、Ｐ等の第３成分を含んでいてもよい。

　第１金属粉末及び第２金属粉末の算術平均粒径は、それぞれ３μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。これらの金属粉末の平均粒径が小さすぎると、製造コストが高くなる。また、金属粉末の酸化が進み、反応を阻害しやすくなる。一方、これらの金属粉末の平均粒径が大きすぎると、導電性ペースト５０´を各ビアホールに充填しにくくなる。

　導電性ペースト５０´中の金属成分に占める第２金属の割合は、３０重量％以上であることが好ましい。すなわち、導電性ペースト５０´中の金属成分に占める第１金属の割合は、７０重量％以下であることが好ましい。この場合、Ｓｎ等の第１金属の残留割合がより低減され、金属間化合物の割合を増加させることができる。

　導電性ペースト５０´中に占める金属成分の割合は、７０重量％以上、９５重量％以下であることが好ましい。金属成分が９５重量％を超えると、充填性に優れた低粘度の導電性ペースト５０´を得ることが困難になる。一方、金属成分が７０重量％未満であると、フラックス成分が残存しやすくなる。

　導電性ペースト５０´は、フラックス成分を含むことが好ましい。フラックス成分としては、通常の導電性ペーストの材料に用いられる種々公知のフラックス成分を用いることができ、樹脂を含む。樹脂以外の成分としては、例えば、ビヒクル、溶剤、チキソ剤、活性剤等が挙げられる。

　上記樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂又はその変性樹脂、及び、アクリル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の熱硬化性樹脂、又は、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂及びセルロース系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。

　上記ビヒクルとしては、例えば、ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂、合成樹脂、又は、これらの混合体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなるロジン系樹脂としては、例えば、ガムロジン、トールロジン、ウッドロジン、重合ロジン、水素添加ロジン、ホルミル化ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸樹脂、ロジン変性フェノール樹脂、ロジン変性アルキド樹脂、その他各種ロジン誘導体等が挙げられる。上記ロジン及びそれを変性した変性ロジン等の誘導体からなる合成樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂等が挙げられる。

　上記溶剤としては、アルコール、ケトン、エステル、エーテル、芳香族系、炭化水素類等が知られており、具体的な例としては、ベンジルアルコール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、ジエチレングリコール、エチレングリコール、グリセリン、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ドデカン、テトラデセン、α－ターピネオール、テルピネオール、２－メチル－２，４－ペンタンジオール、２－エチルヘキサンジオール、トルエン、キシレン、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジイソブチルアジペート、へキシレングリコール、シクロヘキサンジメタノール、２－ターピニルオキシエタノール、２－ジヒドロターピニルオキシエタノール、それらを混合したもの等が挙げられる。好ましくは、テルピネオール、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルである。

　上記チキソ剤の具体的な例としては、硬化ヒマシ油、カルナバワックス、アミド類、ヒドロキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール、ビス（ｐ－メチルベンジリデン）ソルビトール類、蜜蝋、ステアリン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等が挙げられる。また、これらに必要に応じてカプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸のような脂肪酸、１，２－ヒドロキシステアリン酸のようなヒドロキシ脂肪酸、酸化防止剤、界面活性剤、アミン類等を添加したものもチキソ剤として用いることができる。

　上記活性剤としては、例えば、アミンのハロゲン化水素酸塩、有機ハロゲン化合物、有機酸、有機アミン、多価アルコール等が挙げられる。

　上記アミンのハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン塩酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、トリエタノールアミン臭化水素酸塩、モノエタノールアミン臭化水素酸塩等が挙げられる。

　上記有機ハロゲン化合物としては、例えば、塩化パラフィン、テトラブロモエタン、ジブロモプロパノール、２，３－ジブロモ－１，４－ブタンジオール、２，３－ジブロモ－２－ブテン－１，４－ジオール、トリス（２，３－ジブロモプロピル）イソシアヌレート等が挙げられる。

　上記有機酸としては、例えば、マロン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、フェニルコハク酸、マレイン酸、サルチル酸、アントラニル酸、グルタル酸、スベリン酸、アジピン酸、セバシン酸、ステアリン酸、アビエチン酸、安息香酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、ドデカン酸等が挙げられる。

　上記有機アミンとしては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリブチルアミン、アニリン、ジエチルアニリン等が挙げられる。

　上記多価アルコールとしては、例えば、エリスリトール、ピロガロール、リビトール等が挙げられる。

＜熱可塑性樹脂層の積層工程＞
　図１６は、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の熱可塑性樹脂層の積層工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１６に示すように、第１熱可塑性樹脂層２１、第２熱可塑性樹脂層２２及びその他の熱可塑性樹脂層２０を積層し、多層熱可塑性樹脂層３を形成する。

＜多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程＞
　図１７Ａ及び図１７Ｂは、本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図１７Ａに示すように、多層熱可塑性樹脂層３の上に、多層セラミック層２を積層する。この際、多層熱可塑性樹脂層３の第１熱可塑性樹脂層２１に充填された導電性ペースト５０´が、多層セラミック層２の最外層に配置されたセラミック層１１の第１電極３１の露出面に接触するように位置合わせを行う。

　その後、図１７Ｂに示すように、加圧及び加熱を行うことにより、多層熱可塑性樹脂層３と多層セラミック層２とを一体化する。
　この際、第１熱可塑性樹脂層２１がセラミック層１１の表面の凹凸に追従して、アンカー効果により多層熱可塑性樹脂層３と多層セラミック層２とが密着する。

　なお、この工程では、例えば、２３０℃以上、３５０℃以下で通常の圧力で処理する方法が挙げられる。

　この工程において、導電性ペースト５０´は溶融してから凝固することにより層間接続導体５０となる。
　また、層間接続導体５０と第１電極３１とは、液相拡散接合により接続される。この際、層間接続導体５０と第１電極３１との間に金属間化合物６１が形成される。

　この液相拡散接合について、図面を用いて説明する。
　図１８Ａ～図１８Ｄは、液相拡散接合による層間接続導体と第１電極との接続の一例について模式的に示す説明図である。

　図１８Ａに示すように、導電性ペースト５０´は第１金属粉末５１と、第１金属粉末５１よりも融点の高い第２金属粉末５２とを含有する。また、導電性ペースト５０´は、第１電極３１と接触している。

　図１８Ｂに示すように、この状態で導電性ペースト５０´が加熱され、第１金属粉末５１の融点に達すると、第１金属粉末５１は溶融して、液相の第１金属５１ａになる。

　その後、さらに熱がかけられ続けると、図１８Ｃに示すように、液相の第１金属の５１ａは、第２金属粉末５２と反応し、金属間化合物６０が形成される。
　また、第１電極３１に対しては、液相の第１金属５１ａが拡散するように広がり、液相の第１金属５１ａと第１電極３１を構成する金属とが反応し、金属間化合物６１が形成される。

　その後、加熱が終了して温度が下がると、図１８Ｄに示すように、液相の第１金属５１ａが凝固し、層間接続導体５０となる。なお、図１８Ｄでは便宜上、第２金属粉末５２に由来する金属間化合物６０の輪郭を破線で示しているが、実際には、境界がはっきりせず、金属間化合物６０が粒子状に見えるわけではない。

　また、この工程においては、層間接続導体と第２電極とも液相拡散接合により接続されるので、層間接続導体と第２電極との間にも金属間化合物が形成される。

　以上の工程を経て、積層基板１を製造することができる。

　なお、本発明の積層基板を製造する際、導電性ペースト５０´の組成、第１電極３１の組成及び厚さ、保護層４０の厚さ、並びに、多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程における加圧の圧力及び加熱の温度を調整することにより、図２～図６に示すような形状の金属間化合物を形成することができる。
　つまり、上記調整を行うことにより、金属間化合物の一部を、保護層の内端部側の被覆面に接触させ、かつ、層間接続導体と第１電極との間に形成された金属間化合物と連続するように形成することができる。

　製造された積層基板１には、リフロー処理等によりＩＣチップ、ＳＭＤ部品等の電子部品を実装することができる。このリフロー処理後、電子部品が実装された積層基板１を洗浄し、樹脂によりモールドしても良い。さらに、モールド後の積層基板１を、ダイサーカットやレーザーカット等により個片カットしてもよい。その後、モールド樹脂の表面にシールド膜を形成してもよい。
［第６実施形態］
　次に、本発明の積層基板の別の製造方法について説明する。なお、以下の説明ではセラミック層がＬＴＣＣ材料からなる場合を説明する。
　本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法は、上記＜セラミック材料を含む保護層用ペーストの塗布工程＞を行わず、上記＜熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程＞の後に、下記＜熱可塑性樹脂からなる保護層配置工程＞を行う以外は、上記本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法と同じである。
　本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法について、以下に図面を用いて詳述する。

＜多層セラミック層の準備＞
　図１９は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法において準備する多層セラミック層の一例を模式的に示す断面図である。
　上記本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法における＜ＬＴＣＣグリーンシート準備工程＞、＜ＬＴＣＣグリーンシートのビアホール充填工程＞、＜ＬＴＣＣグリーンシートの電極パターン形成工程＞、＜ＬＴＣＣグリーンシート積層工程＞及び＜ＬＴＣＣグリーンシート積層体焼成工程＞を順に行い、図１９に示すような多層セラミック層６０２を製造する。
　多層セラミック層６０２は、保護層４０が形成されていない以外は、多層セラミック層２と同じ構成である。

＜多層熱可塑性樹脂層の準備＞
　図２０は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法において準備する多層熱可塑性樹脂層の一例を模式的に示す断面図である。
　上記本発明の第５実施形態に係る積層基板の製造方法における＜熱可塑性樹脂層準備工程＞、＜熱可塑性樹脂層の電極パターン形成工程＞、＜熱可塑性樹脂層のビアホール充填工程＞、＜熱可塑性樹脂層の積層工程＞を行い、多層熱可塑性樹脂層３を準備する。

＜熱可塑性樹脂からなる保護層配置工程＞
　図２１は、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法における熱可塑性樹脂からなる保護層配置工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、第１熱可塑性樹脂層２１に熱可塑性樹脂からなる保護層６４０を形成し、多層熱可塑性樹脂層３を、多層熱可塑性樹脂層６０３とする。
　保護層６４０は、熱可塑性樹脂層２０と同じ材料からなることが好ましい。
　また、保護層６４０は、後の＜多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程＞を行う際に、多層セラミック層６０２に形成された第１電極３１の輪郭を覆うような位置に形成する。このような位置は、あらかじめ設計を行うことにより決定することができる。

＜多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程＞
　図２２Ａ及び図２２Ｂは、本発明の第６実施形態に係る積層基板の製造方法の多層セラミック層と多層熱可塑性樹脂層との積層工程の一例を模式的に示す工程図である。
　次に、図２２Ａに示すように、多層熱可塑性樹脂層６０３の上に、多層セラミック層２を積層する。この際、多層熱可塑性樹脂層６０３の第１熱可塑性樹脂層２１に充填された導電性ペースト５０´が、多層セラミック層６０２の最外層に配置されたセラミック層１１の第１電極３１の露出面に接触するように位置合わせを行う。

　その後、図２２Ｂに示すように、加圧及び加熱を行うことにより、多層熱可塑性樹脂層６０３と多層セラミック層６０２とを一体化する。
　以上の工程を経て、保護層６４０が熱可塑性樹脂からなる積層基板６０１を製造することができる。

　本明細書には、以下の事項が記載されている。

　本開示（１）は第１主面及び上記第１主面に対向する第２主面を備え、上記第１主面から上記第２主面を貫通するビアホールを有する第１熱可塑性樹脂層と、上記第１主面に接触するように配置されたセラミック層と、上記第２主面に接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層とを備え、上記第１主面に接触する上記セラミック層の主面には、第１電極が形成され、さらに、上記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層が形成されており、上記第２主面に接触する上記第２熱可塑性樹脂層の主面には、第２電極が形成されており、上記ビアホールには、上記第１電極と、上記第２電極とを接続する層間接続導体が配置されており、上記層間接続導体と、上記第１電極との間には、金属間化合物が形成されている積層基板である。

　本開示（２）は上記保護層は、上記第１電極の輪郭の内側に位置する内端部と、上記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように接触する被覆面とを有し、上記金属間化合物の一部は、上記保護層の内端部側の上記被覆面に接触し、かつ、上記層間接続導体と上記第１電極との間に形成された上記金属間化合物と連続するように形成されている本開示（１）に記載の積層基板である。

　本開示（３）は上記保護層は、上記セラミック層を構成する材料と同じ材料からなる本開示（１）又は（２）に記載の積層基板である。

　本開示（４）は上記保護層は、上記第１熱可塑性樹脂層を構成する材料と同じ材料からなる本開示（１）～（３）のいずれかに記載の積層基板である。

　本開示（５）は上記第１主面において、上記ビアホールの開口の内側に上記保護層の一部が位置しており、上記ビアホールの内側に位置する上記保護層の一部は、上記層間接続導体と接触している本開示（１）～（４）のいずれかに記載の積層基板である。

１、１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１　積層基板
２、６０２　多層セラミック層
２´　ＬＴＣＣグリーンシート積層体
２ａ、２ａ´、３ａ　電極パターン
２ｂ、３ｂ　ビア
２ｂ´、５０´　導電性ペースト
３、６０３　多層熱可塑性樹脂層
３ａ´　金属箔
１０、１１　セラミック層
１０´　ＬＴＣＣグリーンシート
１０ｈ´、２１ｈ、２２ｈ、３２１ｈ、４２１ｈ、　ビアホール
２０　熱可塑性樹脂層
２１、３２１、４２１　第１熱可塑性樹脂層
２１ａ、３２１ａ、４２１ａ　第１熱可塑性樹脂層の第１主面
２１ｂ　第１熱可塑性樹脂層の第２主面
２２　第２熱可塑性樹脂層
３１　第１電極
３１´　電極パターン
３１ｃ　第１電極の輪郭
３２　第２電極
４０、５４０、６４０　保護層
４０´　保護層用ペースト
４０ａ　保護層の被覆面
４１　保護層の内端部
５０　層間接続導体
５１　第１金属粉末
５１ａ　液相の第１金属
５２　第２金属粉末
６０、６１、６２、１６１、２６１　金属間化合物
１６１ａ　金属間化合物の一部
５４５　気孔

Claims

第１主面及び前記第１主面に対向する第２主面を備え、前記第１主面から前記第２主面を貫通するビアホールを有する第１熱可塑性樹脂層と、
前記第１主面に接触するように配置されたセラミック層と、
前記第２主面に接触するように配置された第２熱可塑性樹脂層とを備え、
前記第１主面に接触する前記セラミック層の主面には、第１電極が形成され、さらに、前記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように保護層が形成されており、
前記第２主面に接触する前記第２熱可塑性樹脂層の主面には、第２電極が形成されており、
前記ビアホールには、前記第１電極と、前記第２電極とを接続する層間接続導体が配置されており、
前記層間接続導体と、前記第１電極との間には、金属間化合物が形成されている積層基板。
前記保護層は、前記第１電極の輪郭の内側に位置する内端部と、前記第１電極の輪郭の少なくとも一部を覆うように接触する被覆面とを有し、
前記金属間化合物の一部は、前記保護層の内端部側の前記被覆面に接触し、かつ、前記層間接続導体と前記第１電極との間に形成された前記金属間化合物と連続するように形成されている請求項１に記載の積層基板。
前記保護層は、前記セラミック層を構成する材料と同じ材料からなる請求項１又は２に記載の積層基板。
前記保護層は、前記第１熱可塑性樹脂層を構成する材料と同じ材料からなる請求項１～３のいずれかに記載の積層基板。
前記第１主面において、前記ビアホールの開口の内側に前記保護層の一部が位置しており、前記ビアホールの内側に位置する前記保護層の一部は、前記層間接続導体と接触している請求項１～４のいずれかに記載の積層基板。