JP2014154793A - 浅い接合を有する紫外線受光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン半導体表面にシリコン酸化膜を形成し、その上にCVDシリコン酸化膜を形成する。これらのシリコン酸化膜の内部にイオン注入のピーク(飛程)を持ち、シリコン半導体表面におけるイオン注入時のP型不純物濃度を1019/cm3〜1017/cm3の範囲内とするP型イオン注入を行ない、そのP型不純物イオン注入層の深さを0.2μm以下とする。さらに、本発明のフォトダダイオ−ドから構成される受光素子は、MOSトランジスタと一緒に形成される。フォトダイオード領域における半導体表面に形成されるシリコン酸化膜は、MOSトランジスタのゲート酸化膜であり、フォトダイオード領域におけるゲート酸化膜上に形成されるシリコン酸化膜は、MOSトランジスタのLDD用サイドウォール酸化膜として使われるCVDシリコン酸化膜である。
【選択図】図2
Description
14・・・ゲート電極膜、15・・・LDD用ソース・ドレイン、16・・・絶縁膜、
17・・・側壁絶縁膜、18・・・ソース・ドレイン、19・・・イオン注入層、
20・・・p型拡散層
Claims (8)
- シリコン半導体表面に形成されたpn接合を用いた受光素子において、受光素子領域である前記pn接合領域における半導体基板表面上に形成された熱酸化膜および前記熱酸化膜上に形成されたCVD絶縁膜を有し、前記熱酸化膜およびCVD絶縁膜を通してイオン注入されたP型イオンによって形成されたP型不純物層からの拡散によって前記半導体表面に形成されたpn接合を用いた紫外線受光素子。
- 前記P型イオン注入のピーク濃度(飛程)は前記熱酸化膜およびCVD絶縁膜内に存在し、前記P型イオン注入の一部は半導体基板側に注入されていることを特徴とする請求項1に記載の紫外線受光素子。
- 前記半導体基板側に注入されたP型イオンの半導体表面における表面濃度は、1019/cm3〜1017/cm3であることを特徴とする請求項1または2に記載の紫外線受光素子。
- 前記半導体基板側に注入されたP型イオンのイオン注入深さは0.2μm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の紫外線受光素子。
- 拡散熱処理後のP型拡散層の深さは0.3μm以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の紫外線受光素子。
- 前記受光素子は半導体基板上にCMOSトランジスタまたはMOSトランジスタとともに搭載され、前記受光素子領域における前記熱酸化膜は前記CMOSトランジスタまたはMOSトランジスタのゲート酸化膜と同時に形成されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の紫外線受光素子。
- 前記受光素子は半導体基板上にCMOSトランジスタまたはMOSトランジスタとともに搭載され、受光素子領域における前記熱酸化膜上に形成されるCVD絶縁膜は、前記CMOSトランジスタまたはMOSトランジスタのゲート電極形成後に形成されることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の紫外線受光素子。
- 前記CVD酸化膜はゲート電極のサイドウォール絶縁膜形成用のCVD絶縁化膜と同時に形成することを特徴とする請求項7に記載の紫外線受光素子。
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