JP2014137428A - 感光性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】現像後の残膜率が高い感光性樹脂組成物。
【解決手段】ポリマーと、架橋剤と、感光材と、を含み、スピンコート法により成膜後、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークすることで形成した第１の層の膜厚を第１の膜厚（第１の膜厚は、２μｍ以上３μｍ以下）とし、前記第１の層に対して、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される露光量で露光し、次いで、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した後の第２の層の膜厚を第２の膜厚とすると、｛（第２の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧９０を満たす感光性樹脂組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、感光性樹脂組成物に関する。

特許文献１にフォトレジスト組成物が開示されている。当該フォトレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂と、感光材とを含む。アルカリ可溶性樹脂は、環状脂肪族炭化水素骨格からなる単位と、無水マレイン酸に由来する単位及び／又はマレイミドを基材とする単位とを有する。フォトレジスト組成物は、活性光線の照射によって、上記樹脂のアルカリ可溶性を促進若しくは阻害させ、露光部と未露光部との間に大いなる溶解度差を生じさせ、続くアルカリ水溶液現像によりポジあるいはネガ型の画像を形成するのに十分な量の感光材を含む。

特開平２−１４６０４５号公報

本発明は、現像後の残膜率が高い感光性樹脂組成物を提供することを課題とする。

本発明によれば、
下記式（１）で示される共重合体であるポリマーと、
架橋剤と、
感光材と、を含み、スピンコート法により成膜後、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークすることで形成した第１の層の膜厚を第１の膜厚（第１の膜厚は、２μｍ以上３μｍ以下）とし、前記第１の層に対して、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される露光量で露光し、次いで、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した後の第２の層の膜厚を第２の膜厚とすると、｛（第２の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧９０を満たす感光性樹脂組成物。

（式（１）中、
ｌおよびｍはポリマー中におけるモル含有率を示し、
ｌ＋ｍ＝１であり、
ｎは０、１または２であり、
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜３０の有機基であり、
Ａは下記式（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）または（２ｄ）により示される構造単位である）

（式（２ａ）および式（２ｂ）中、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の有機基である）

本発明によれば、現像後の残膜率が高い感光性樹脂組成物が実現される。

本実施形態に係る電子装置の一例を示す断面図である。 本実施形態に係る電子装置の一例を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。なお、複数の図面に共通して現れる構成要素については共通の符号を付し、適宜説明を省略する。

本実施形態の感光性樹脂組成物は、下記式（１）で示される共重合体である第１のポリマーと、架橋剤と、感光材と、を含み、スピンコート法により成膜後、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークすることで形成した第１の層の膜厚を第１の膜厚（第１の膜厚は、２μｍ以上３μｍ以下）とし、前記第１の層に対して、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される露光量で露光し、次いで、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した後の第２の層の膜厚を第２の膜厚とすると、｛（第２の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧９０を満たす。なお、感光性樹脂組成物は、その他の添加剤として、溶媒、熱酸発生剤、光酸発生剤、酸化防止剤及びポリフェノール類の中の少なくとも１つを含むことができる。

（式（１）中、
ｌおよびｍはポリマー中におけるモル含有率を示し、
ｌ＋ｍ＝１であり、
ｎは０、１または２であり、
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜３０の有機基であり、
Ａは下記式（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）または（２ｄ）により示される構造単位である）

（式（２ａ）および式（２ｂ）中、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の有機基である）

＜第１のポリマー＞
本実施形態に係る第１のポリマーは、下記式（１）で示される共重合体である。

式（１）中、ｌおよびｍは第１のポリマー中におけるモル含有率（ｍｏｌ％）を示し、ｌ＋ｍ＝１、０．４≦ｌ≦０．６、０．４≦ｍ≦０．６である。ｎは０、１または２である。
Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜３０の有機基である。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は、互いに同一であってもよく、また互いに異なっていてもよい。
Ａは下記式（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）または（２ｄ）により示される構造単位である。上記式（１）により示される共重合体には、下記式（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）および（２ｄ）から選択される１種または２種以上の構造単位Ａが含まれる。本実施形態においては、少なくとも下記式（２ａ）、（２ｂ）および（２ｃ）から選択される１種または２種以上の構造単位Ａが含まれることが好ましい。また、本実施形態においては、上記式（１）で示される共重合体には、上記式（２ａ）により示される構造単位、および上記式（２ｂ）により示される構造単位が含まれるのが好ましい。

式（２ａ）および式（２ｂ）中、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の有機基である。

本実施形態において、上記式（１）で示される共重合体には、上記式（２ａ）により示される構造単位Ａ、および上記式（２ｂ）により示される構造単位Ａが含まれることが好ましい。この場合、後述するように開環工程に使用する塩基量の調整やモノマー除去工程後における加熱処理（ＤＲ工程）によって、第１のポリマーの酸価を容易に調整することが可能となる。したがって、第１のポリマーを含む感光性樹脂組成物からなる膜について、フォトリソグラフィ工程におけるアルカリ現像液への溶解性を調整することが容易となる。

Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４を構成する有機基は、いずれも酸性官能基を有しないものとすることができる。これにより、第１のポリマー中における酸価の制御を容易とすることができる。

本実施形態において、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４を構成する有機基としては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基が挙げられる。

アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられる。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。ヘテロ環基としては、たとえばエポキシ基、およびオキセタニル基が挙げられる。

なお、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３またはＲ_４としてアルキル基を含むことにより、第１のポリマーを含む感光性樹脂組成物からなる膜の製膜性を向上させることができる。また、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３またはＲ_４としてアリール基を含むことにより、第１のポリマーを含む感光性樹脂組成物からなる膜について、リソグラフィ工程におけるアルカリ現像液を用いた現像の際の膜減りを抑えることができる。

さらに、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、１以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素が挙げられる。なかでもアルキル基の１以上の水素原子が、ハロゲン原子に置換されたハロアルキル基が好ましい。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくともいずれか１つをハロアルキル基とすることで、第１のポリマーを使用して感光性樹脂組成物を構成した際、この感光性樹脂組成物の誘電率を低下させることができる。

なお、第１のポリマーを含んで構成される膜の柔軟性を高める観点から、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４のいずれかが水素であることが好ましく、特には、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４すべてが水素であることが好ましい。

Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７を構成する炭素数１〜１８の有機基は、その構造中にＯを含んでいてもよい。また、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７を構成する有機基は、酸性官能基を含まないものとすることができる。これにより、第１のポリマー中における酸価の制御を容易とすることができる。

本実施形態において、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７を構成する有機基としては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基が挙げられる。ここでアルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられる。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基が挙げられる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられる。ヘテロ環基としては、たとえばエポキシ基、およびオキセタニル基が挙げられる。

さらに、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、１以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素が挙げられる。なかでもアルキル基の１以上の水素原子が、ハロゲン原子に置換されたハロアルキル基が好ましい。

上記式（１）に示される共重合体は、たとえば下記式（８）で表されるノルボルネン型モノマーに由来した繰り返し単位と、下記式（２１）に示す無水マレイン酸に由来した繰り返し単位と、が交互に配列されてなる交互共重合体であることが好ましい。なお、上記式（１）に示される共重合体は、ランダム共重合体やブロック共重合体であってもよい。

下記式（２１）に示す無水マレイン酸に由来した繰り返し単位とは、上記式（１）中のＡにより表される構造単位である。なお、第１のポリマーは、低分子量成分として下記式（８）および（２１）により示されるモノマーを含んでいてもよい。

（式（８）中、ｎは０、１または２であり、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜３０の有機基である。）

本実施形態における第１のポリマーは、たとえば酸価が１５ｍｇＫＯＨ／ｇポリマー以上６５ｍｇＫＯＨ／ｇポリマー以下である。

第１のポリマーの酸価の測定は、たとえばＪＩＳ Ｋ ２５０１に準じて次のように行われる。まず、合成した第１のポリマーを溶かした滴定溶剤に対し、Ｎ／１０ＫＯＨ水溶液を用いてｐＨ＝７．０となるよう滴定を行う。そして、この滴定に要したＫＯＨ量を基に、下記の式を用いてポリマーの酸価（樹脂１ｇに対するＫＯＨのｍｇ数）が算出される。
酸価＝滴定量（ｍｌ）×ＫＯＨのファクターｆ×０．１×５６．１／ポリマー量（固形）

本実施形態において、第１のポリマーの酸価は、式（２ａ）により表される構造単位に由来するカルボキシル基の量の指標となる。すなわち、第１のポリマーの酸価を制御することにより、第１のポリマー中におけるカルボキシル基の量を調整することができる。したがって、第１のポリマーの酸価を制御することにより、カルボキシル基の量に起因して変動する第１のポリマーのアルカリ溶液に対する溶解速度を調整することが可能となる。

フォトリソグラフィ工程においては、所望のパターニング性能を実現するために、アルカリ現像液への溶解速度を調整することが重要となる。第１のポリマーの酸価を上記範囲とすることにより、特に永久膜のパターニングに適した、感光性樹脂組成物のアルカリ溶解速度を実現することが可能となる。

本実施形態における第１のポリマーは、たとえばＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により得られる分子量分布曲線において、分子量１０００以下におけるピーク面積が、全体の１％以下である。

本発明者は、第１のポリマーにおける低分子量成分の量を低減することにより、当該第１のポリマーにより形成される膜について、硬化時におけるパターンの変形を抑制できることを見出した。このため、ＧＰＣにより得られる分子量分布曲線の分子量１０００以下におけるピーク面積の比率を上記範囲とすることにより、第１のポリマーを含む感光性樹脂組成物からなる膜のパターン形状を良好なものとすることができる。当該膜を永久膜として備える電子装置については、その動作信頼性を向上させることが可能となる。

なお、第１のポリマーにおける低分子量成分の量の下限は、特に限定されない。しかし、本実施形態における第１のポリマーは、ＧＰＣにより得られる分子量分布曲線において分子量１０００以下におけるピーク面積が全体の０．０１％以上である場合を許容するものである。

本実施形態における第１のポリマーは、たとえばＭｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ（数平均分子量）が１．５以上２．５以下である。なお、Ｍｗ／Ｍｎは、分子量分布の幅を示す分散度である。

本発明者は、第１のポリマーにおける分子量分布を一定の範囲に制御することにより、当該第１のポリマーにより形成される膜について、硬化時におけるパターンの変形を抑制できることを見出した。このため、第１のポリマーのＭｗ／Ｍｎを上記範囲とすることにより、第１のポリマーを含む感光性樹脂組成物からなる膜のパターン形状を良好なものとすることができる。なお、このような効果は、同時に上述のように第１のポリマーの低分子量成分を低減する場合において特に顕著に表れる。

また、第１のポリマーのＭｗ（重量平均分子量）は、たとえば５，０００以上３０，０００以下である。

なお、重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、および分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、たとえばＧＰＣ測定により得られる標準ポリスチレン（ＰＳ）の検量線から求めた、ポリスチレン換算値を用いる。測定条件は、たとえば以下の通りである。
東ソー（株）社製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー装置ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ
カラム：東ソー（株）社製ＴＳＫ−ＧＥＬ Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＺ−Ｍ
検出器：液体クロマトグラム用ＲＩ検出器
測定温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
試料濃度：２．０ｍｇ／ミリリットル

また、第１のポリマー中における低分子量成分量は、たとえばＧＰＣ測定により得られた分子量に関するデータに基づき、分子量分布全体の面積に占める、分子量１０００以下に該当する成分の面積総和の割合から算出される。

本実施形態における第１のポリマーは、たとえばアルカリ金属を含有している。当該第１のポリマー中におけるアルカリ金属の濃度は、たとえば１０ｐｐｍ以下（ここでは、ｐｐｍは質量ｐｐｍを意味する。以下同様。）である。

第１のポリマー中におけるアルカリ金属の濃度を当該範囲とすることにより、永久膜を含む電子装置の動作信頼性を向上させることができる。また、上記範囲内であればアルカリ金属が第１のポリマー中に含有されることを許容できる。すなわち、後述する無水マレイン酸由来の構造単位における無水環を開環する工程を、アルカリ水溶液を用いた処理により行うことが可能となる。この場合、短時間で、かつ温和な条件により当該工程を行うことができる。また、酸触媒を用いて無水環を開環する工程と比較して、第１のポリマーにおける開環率の制御が容易となる。

なお、第１のポリマー中におけるアルカリ金属濃度の下限は、特に限定されないが、本実施形態は第１のポリマー中におけるアルカリ金属濃度が０．０１ｐｐｍ以上である場合を許容するものである。

本実施形態において、第１のポリマー中におけるアルカリ金属の濃度は、フレームレス原子吸光光度計を用いて、必要に応じてＮ−メチルピロリドンにより希釈したポリマー固形分に対してのアルカリ金属濃度を測定することにより得た。

また、本実施形態における第１のポリマー中に含まれるアルカリ金属としては、たとえばＮａ、ＫまたはＬｉが挙げられる。これらのアルカリ金属は、たとえば後述する無水マレイン酸由来の構造単位における無水環を開環する開環工程（処理Ｓ２）におけるアルカリ水溶液に起因するものである。

本実施形態における第１のポリマーのアルカリ溶解速度は、たとえば５００Å／秒以上２０,０００Å／秒以下である。第１のポリマーのアルカリ溶解速度は、たとえば第１のポリマーをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させ、固形分２０重量％に調整したポリマー溶液を、シリコンウェハ上にスピン方式で塗布し、これを１１０℃で１００秒間ソフトベークして得られるポリマー膜を、２３℃で２．３８％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に含浸させ、視覚的に前記ポリマー膜が消去するまでの時間を測定することにより算出される。
第１のポリマーのアルカリ溶解速度を５００Å／秒以上とすることにより、アルカリ現像液による現像工程におけるスループットを良好なものとすることができる。また、第１のポリマーのアルカリ溶解速度を２０,０００Å／秒以下とすることにより、アルカリ現像液による現像工程後における残膜率を向上させることができる。このため、リソグラフィ工程による膜減りを抑えることが可能となる。

本実施形態に係る第１のポリマーは、たとえば以下のように作成される。

（重合工程（処理Ｓ１））
はじめに式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、モノマーとなる無水マレイン酸とを用意する。
式（８）で示されるノルボルネン型モノマーにおいて、ｎは、０、１または２であればよいが、０または１であることが好ましい。これにより、本実施形態のポリマーを含む樹脂組成物により形成される膜の柔軟性を高めることができる。

さらには、Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素または、炭素数１〜３０の有機基であるが、本実施形態のポリマーを含む樹脂組成物により形成される膜の柔軟性を高める点から、Ｒ_１〜Ｒ_４のいずれかが水素であることが好ましく、特には、Ｒ_１〜Ｒ_４すべてが水素であることが好ましい。

Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４を構成する炭素数１〜３０の有機基は、その構造中にＯ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉのいずれか１以上を含んでいてもよい。ただし、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は、いずれも酸性官能基ではない。

Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４を構成する有機基としては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。

アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。ヘテロ環基としては、たとえばエポキシ基、およびオキセタニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。

Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくともいずれか１つをアルキル基とすることで、製膜性を向上させることができる。また、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくともいずれか１つをアリール基とすることで、本実施形態の製造方法で製造されたポリマーを含む感光性樹脂組成物で形成した膜について、リソグラフィ工程におけるアルカリ現像液を用いた現像の際の膜減りを抑えることができる。

さらには、前述したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、１以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素のいずれかを使用できる。なかでもアルキル基の１以上の水素原子が、ハロゲン原子に置換されたハロアルキル基が好ましい。Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくともいずれか１つをハロアルキル基とすることで、本実施形態の製造方法で製造されたポリマーを使用して、感光性樹脂組成物を構成した際、この感光性樹脂組成物の誘電率を低下させることができる。

式（８）で示されるノルボルネン型モノマーとしては、具体的には、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）があげられ、さらに、アルキル基を有するものとして、５−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−デシル−２−ノルボルネンなど、アルケニル基を有するものとしては、５−アリル−２−ノルボルネン、５−（２−プロペニル）−２−ノルボルネン、５−（１−メチル−４−ペンテニル）−２−ノルボルネンなど、アルキニル基を有するものとしては、５−エチニル−２−ノルボルネンなど、アラルキル基を有するものとしては、５−ベンジル−２−ノルボルネン、５−フェネチル−２−ノルボルネンなどがあげられる。

ノルボルネン型モノマーとしては、これらのうち、いずれか１種以上を使用できる。

なかでも、ポリマーの柔軟性、光透過性の観点から、ビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−２−エン（慣用名：ノルボルネン）を使用することが好ましい。

式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸とを付加重合する。ここでは、ラジカル重合により、式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸との共重合体（共重合体１）を形成する。

式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸とのモル比（式（８）で示される化合物のモル数：無水マレイン酸のモル数）は、０．５：１〜１：０．５であることが好ましい。なかでも、分子構造制御の観点から、式（８）で示されるノルボルネン型モノマーのモル数：無水マレイン酸のモル数＝１：１であることが好ましい。

式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸と、重合開始剤とを溶媒に溶解し、その後、所定時間加熱することで、式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸とを溶液重合する。加熱温度は、たとえば、５０〜８０℃であり、加熱時間は１０〜２０時間である。

溶媒としては、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、トルエン等のうち、いずれか１種以上を使用することができる。

重合開始剤としては、アゾ化合物および有機過酸化物のうちのいずれか１種以上を使用できる。

アゾ化合物としては、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、ジメチル2，2'−アゾビス（2−メチルプロピオネート）、1,1'-アゾビス(シクロヘキサンカルボニトリル)（ＡＢＣＮ）があげられ、これらのうち、いずれか１種以上を使用できる。

また、有機過酸化物としては、例えば過酸化水素、ジターシャリブチルパーオキサイド（ＤＴＢＰ）、過酸化ベンゾイル（ベンゾイルパーオキサイド、ＢＰＯ）および、メチルエチルケトンパーオキサイド（ＭＥＫＰ）を挙げることができ、これらのうち、いずれか１種以上を使用できる。

重合開始剤の量（モル数）は、式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸との合計モル数の１％〜１０％とすることが好ましい。重合開始剤の量を前記範囲内で適宜設定し、かつ、反応温度、反応時間を適宜設定することで、得られるポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）や、Ｍｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ（数平均分子量）を調整することができる。

この重合工程により、以下の式（９）で示される繰り返し単位と、以下の式（１０）で示される繰り返し単位とを有する共重合体１を重合することができる。
ただし、共重合体１において、式（１０）の構造のＲ_１は、各繰り返し単位において共通であることが好ましいが、それぞれの繰り返し単位ごとに異なっていてもよい。Ｒ_２〜Ｒ_４においても同様である。

式（１０）において、ｎ、Ｒ_１〜Ｒ_４は、式（８）と同じである。すなわち、ｎは０、１、２のいずれかである。Ｒ_１〜Ｒ_４は、それぞれ独立した水素または炭素数１〜３０の有機基である。式（１０）において、Ｒ_１〜Ｒ_４は、同一のものであっても異なっていてもよい。

共重合体１は、式（９）で示される繰り返し単位と、式（１０）で示される繰り返し単位とが、ランダムに配置されたものであってもよく、また、交互に配置されたものであってもよい。また、式（８）で示されるノルボルネン型モノマーと、無水マレイン酸とがブロック共重合したものであってもよい。ただし、本実施形態で製造されるポリマーを用いた感光性樹脂組成物の溶解性の均一性を確保する観点からは、式（９）で示される繰り返し単位と、式（１０）で示される繰り返し単位とが交互に配置された構造であることが好ましい。
すなわち、共重合体１は、以下の式（１１）で示される繰り返し単位を有するものであることが好ましい。

式（１１）において、ｎ、Ｒ_１〜Ｒ_４は、式（８）と同じである。すなわち、ｎは０、１、２のいずれかである。Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素または炭素数１〜３０の有機基である。Ｒ_１〜Ｒ_４は、同一のものであっても異なっていてもよい。また、ａは１０以上、２００以下の整数である。
ここで、式（１１）の構造のＲ_１は、各繰り返し単位において共通であることが好ましいが、それぞれの繰り返し単位ごとに異なっていてもよい。Ｒ_２〜Ｒ_４においても同様である。

（開環工程（処理Ｓ２））
次に、得られた共重合体１の無水マレイン酸に由来する環状構造の繰り返し単位のうち、一部の繰り返し単位を閉環した状態としながら、残りの繰り返し単位を開環する。
ここでは、共重合体１の無水マレイン酸由来の繰り返し単位のうち、５０％以上の繰り返し単位を開環せずに、残りの繰り返し単位の環状構造（無水環）を開環する。すなわち、共重合体１の開環率を５０％未満とする。なかでも、共重合体１の無水マレイン酸由来の環状構造の繰り返し単位の全個数のうち、６０％以上、９０％以下の繰り返し単位を開環しないことが好ましい。

ここで、無水マレイン酸由来の繰り返し単位の開環率は以下のようにして計測することができる。
開環前の共重合体１の酸無水物構造における（Ｃ＝Ｏ）のＩＲ吸収強度（Ａ１）を測定し、開環後の酸無水物構造における（Ｃ＝Ｏ）のＩＲ吸収強度（Ａ２）より以下式にて開環率を算出する。
開環率（％）＝（（A1−A2）／A1）×１００
なお、内部標準物質としてアセトニトリルを用いた。

具体的には、以下のようにして本工程を実施する。
（Ａ）塩基としての金属アルコキシド
（Ｂ）アルコールおよび塩基としてのアルカリ金属の水酸化物
のいずれか一方を、
前記重合工程において得られた、前記共重合体１を含む反応液に添加するとともに、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の有機溶媒をさらに添加し、４０〜５０℃で１〜５時間攪拌して、反応液Ｌ１を得る。

このとき、金属アルコキシドあるいはアルカリ金属の水酸化物のモル数は、重合工程で使用した無水マレイン酸のモル数の５０％以下とすることが好ましい。なかでも、金属アルコキシドあるいはアルカリ金属の水酸化物のモル数は、重合工程で使用した無水マレイン酸のモル数の４０％以下、１０％以上とすることが好ましく、さらには、３０％以下とすることが好ましい。

このようにすることで、金属アルコキシドあるいはアルカリ金属の水酸化物の量を少なくすることができ、最終的に得られるポリマー中の金属不純物濃度を低減することができる。

ポリマー中の金属不純物濃度を低減することで、このポリマーを使用したデバイスを形成した際に、金属イオンのマイグレートを抑制することができる。
反応液Ｌ１中では、共重合体１の無水マレイン酸由来の環状構造の繰り返し単位のうちの一部の繰り返し単位において、閉環構造（無水環）が開環する。そして、開環した構造における一対の末端のうち一方の末端がエステル化される。開環した構造の一対の末端のうち他方の末端はエステル化されずに、金属塩構造となる。

前述した金属アルコキシドとしては、Ｍ（ＯＲ_５）で示されるもの（Ｍは１価の金属、Ｒ_５は炭素数１〜１８の有機基である。）が好ましい。金属Ｍとしては、アルカリ金属があげられ、なかでも、取り扱い性の観点からナトリウムが好ましい。
Ｒ_５は、酸性基ではない炭素数１〜１８の有機基である。

Ｒ_５は、その構造中にＯ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉのいずれか１以上を含んでいてもよい。本実施形態において、Ｒ_５を構成する有機基としては、たとえばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。

アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、およびデシル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルケニル基としては、たとえばアリル基、ペンテニル基、およびビニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルキニル基としては、エチニル基が挙げられる。アルキリデン基としては、たとえばメチリデン基、およびエチリデン基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アリール基としては、たとえばフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アラルキル基としては、たとえばベンジル基、およびフェネチル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。アルカリル基としては、たとえばトリル基、キシリル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。シクロアルキル基としては、たとえばアダマンチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、およびシクロオクチル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。ヘテロ環基としては、たとえばエポキシ基、およびオキセタニル基が挙げられ、これらのうち、いずれかを採用することができる。

なお、Ｒ_５を構成する有機基として例示したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキリデン基、アリール基、アラルキル基、アルカリル基、シクロアルキル基、およびヘテロ環基は、１以上の水素原子が、ハロゲン原子により置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素のいずれかを使用できる。なかでもアルキル基の１以上の水素原子が、ハロゲン原子に置換されたハロアルキル基が好ましい。
なお、金属アルコキシドとして、前述した構成のうち、異なるものを２以上使用してもよい。ただし、製造安定性の観点からは、１種の金属アルコキシドを使用することが好ましい。

一方で、前述したように、共重合体１の無水マレイン酸由来の環状構造の構造体を（Ｂ）アルコールおよび塩基としてのアルカリ金属の水酸化物の存在下で開環してもよい。
アルカリ金属の水酸化物としては、取り扱い性の観点から水酸化ナトリウムが好ましい。
アルコールとしては、１価のアルコール（Ｒ_５ＯＨ）が好ましく、有機基であるＲ_５は、前述したものを使用できる。

この工程で開環した無水マレイン酸由来の繰り返し単位は、以下の式（１２）で示す構造となり、カルボキシル基の塩部分を有する構造となる。
この式（１２）の構造を有するものを、共重合体２とよぶ。

（式（１２）において、Ｒ_５は、前述したＲ_５と同様であり、前述したアルコールあるいは金属アルコキシド由来のものである。）

なお、共重合体２において、わずかではあるが、以下の式（１３）で示す構造体が形成されることもある。

また、共重合体２において、わずかではあるが、以下の式（１４）で示す構造体が形成されることもある。

その後、反応液Ｌ１に、塩酸あるいは蟻酸等の水溶液を加えて、共重合体２を酸処理して、金属イオン（Ｎａ＋）をプロトン（Ｈ+）と置換する。これにより、共重合体２を酸処理することで得られた共重合体３においては、式（１２）で示される開環した無水マレイン酸由来の繰り返し単位は、以下のような構造となり、末端がカルボキシル基となる。

（式（１５）において、Ｒ_５は、前述したＲ_５と同様である。）

なお、共重合体２において、式（１４）の構造を有する場合には、以下のような構造となる。

共重合体２を酸処理することで得られた共重合体３は、前述した式（１０）で示される繰り返し単位と、式（９）で示される繰り返し単位と、式（１５）で示される繰り返し単位と、場合により、式（１３）の構造および式（１６）の構造とを有するものとなる。そして、無水マレイン酸由来の構造単位の全個数のうち、５０％以上が、式（９）で示される繰り返し単位となる。式（９）で示される繰り返し単位と、式（５）で示される繰り返し単位（式（１３）の構造体、式（１６）の構造体が含まれる場合には、式（１５）で示される繰り返し単位と、式（１３）の構造体と、式（１６）の構造体との合計）との比率（モル比（式（９）：式（１５）（式（１３）の構造体、式（１６）の構造体が含まれる場合には、式（１５）＋式（１３）＋式（１６））））は、たとえば、１：１〜３：１である。

なかでも、以下の式（１７）および（１８）を繰り返し単位として有し、ノルボルネン型モノマー由来の構造体と、無水マレイン酸モノマー由来の構造体とが交互に配置された構造であることが好ましい。

式（１７）、（１８）において、ｎ、Ｒ_１〜Ｒ_４は、式（８）と同じである。すなわち、ｎは０、１、２のいずれかである。Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素または炭素数１〜３０の有機基である。Ｒ_１〜Ｒ_４は、同一のものであっても異なっていてもよい。また、式（１８）の構造には、Ｚが−Ｏ―Ｈおよび−Ｏ−Ｒ_５のうちのいずれか一方を示し、Ｗは、いずれか他方を示す構造が含まれる。なお、わずかではあるが、式（１８）で示される構造には、ＺおよびＷがいずれも、−Ｏ−Ｒ_５である構造も含まれる場合がある。Ｒ_５は、前述したＲ_５と同様である。

また、わずかではあるが、式（１８）で示される構造には、ＺおよびＷがいずれも、−Ｏ−Ｈである構造も含まれる場合がある。

また、共重合体３の式（１８）で示す構造には、Ｚが−Ｏ―Ｈであり、Ｗが−Ｏ−Ｒ_５となる構造が含まれる場合もあるが、Ｗが−Ｏ―Ｈであり、Ｚが−Ｏ−Ｒ_５となる構造が主となる。

また、式（１７）の繰り返し単位において、Ｒ_１は、各繰り返し単位において共通であることが好ましいが、それぞれの繰り返し単位ごとに異なっていてもよい。Ｒ_２〜Ｒ_４においても同様である。

同様に、式（１８）の繰り返し単位において、Ｒ_１は、各繰り返し単位において共通であることが好ましいが、それぞれの繰り返し単位ごとに異なっていてもよい。Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｗ、Ｚにおいても同様である。

この工程では、共重合体１の無水マレイン酸由来の環状構造の繰り返し単位のうち、５０％以上の繰り返し単位を開環せずに、残りの繰り返し単位の環状構造（無水環）を開環して、共重合体２を得ている。共重合体２では、前述したように、無水マレイン環が開環して形成された一方の末端に金属（たとえば、Ｎａ）が結合しているが、５０％以上の繰り返し単位を開環しないことで、ポリマー中に含まれる金属量を少なくすることができる。

さらには、共重合体１の無水マレイン酸由来の繰り返し単位を開環する際には、塩基（たとえば、アルカリ金属塩）が必要となるが、無水マレイン酸由来の環状構造の繰り返し単位のうち、５０％以上の繰り返し単位を開環しないことで、使用する塩基量を低減させることができる。

これにより、本実施形態で最終的に得られるポリマー中の金属量を低減することができ、このポリマーを用いた感光性樹脂組成物において所望の特性を発揮させることができる。

なお、塩基の存在下で、無水マレイン酸由来の環状構造の繰り返し単位を開環することで、温和な条件（低温）で開環することができる。また、酸による触媒反応で無水マレイン酸由来の繰り返し単位を開環する場合に比べて、開環率を容易に制御できる。

（洗浄工程（処理Ｓ３））
次に、以上の工程により得られた共重合体３を含む溶液を、水と有機溶媒（たとえば、ＭＥＫ（メチルエチルケトン））との混合物で洗浄して、残留金属成分を除去する。共重合体３、残留モノマーおよびオリゴマーは、有機層に移動する。その後、水層を除去する。
その後、再度、有機層に、水と有機溶媒（たとえば、ＭＥＫ）との混合物を加えて、再度洗浄してもよい。必要に応じて、洗浄工程を複数回実施してもよい。

（低分子量成分除去工程（処理Ｓ４））
次に、共重合体３と、残留モノマーおよびオリゴマー等の低分子量成分とが含まれた前記有機層を、メタノール、水、ヘキサンの混合液で洗浄して、有機層を除去する。低分子量成分は、有機層に移動する。
ここで、低分子量成分としては、残留モノマー、オリゴマー、さらには、重合開始剤等が含まれる。

（加熱工程（処理Ｓ５））
本実施形態では、前述した開環工程にて、無水マレイン酸由来の繰り返し単位の開環率を調整することで、ポリマーのアルカリ現像液（たとえば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）に対する溶解速度が調整されているが、さらに、厳密に溶解速度を調整する必要がある場合には本工程を実施することが好ましい。

この工程では、共重合体３を加熱することでポリマーの現像液に対する溶解速度をさらに調整する。
低分子量成分除去工程において、有機層を除去した液に、アルコールを加え、メタノールを蒸発させた後、１２０〜１３０℃で０．５〜１０時間加熱する。
ここで使用するアルコールは、前述したアルコール（Ｒ_５ＯＨ）として例示したもののいずれかを使用できる。
この工程では、共重合体３の一部のカルボキシル基、すなわち、開環した無水マレイン酸由来の構造体の末端に形成されたカルボキシル基が、エステル化することとなる。
これに加え、この工程では、共重合体３の開環した無水マレイン酸由来の構造体が脱水して、再度閉環することとなる。

従って、この工程を経て得られる共重合体４は、前述した式（１０）で示す繰り返し単位と、式（９）で示される繰り返し単位と、式（１５）で示される繰り返し単位と、以下の式（１９）で示される繰り返し単位とを備えるものとなる。

式（１９）のＲ_６、Ｒ_７はそれぞれ独立した炭素数１〜１８の有機基である。Ｒ_６、Ｒ_７としては、Ｒ_５で例示したものと同様の有機基を使用できる。

この式（１９）で示される構造には、Ｒ_７が前述したＲ_５であり、Ｒ_６の炭素数１〜１８の有機基が本工程で使用するアルコールに由来のものである構造が含まれる。この場合には、Ｒ_６は、前述したＲ_５で例示した有機基のいずれかとすることができる。

また、式（１９）で示した構造には、式（１３）の構造が含まれていてもよい。この場合には、式（１９）のＲ_６、Ｒ_７が式（１３）で示したＲ_５と同一の基となる。

さらに、式（１９）で示した構造には、式（１６）の構造において、２つのカルボキシル基がエステル化した構造が含まれていてもよい。この場合には、Ｒ₆、Ｒ_７は、いずれも、本工程で使用するアルコールに由来のものとなる。

これにより、共重合体４を含んで構成されたポリマーを得ることができる。

この共重合体４においても、共重合体３と同様、ノルボルネン型モノマー由来の構造体と、無水マレイン酸モノマー由来の構造体とが交互に配置された構造であることが好ましい。

そして、共重合体４は、前述した式（１７）、（１８）に加えて式（２０）で示される構造体を有することが好ましい。

式（２０）において、ｎ、Ｒ_１〜Ｒ_４は、式（８）と同じである。すなわち、ｎは０、１、２のいずれかである。Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素または炭素数１〜３０の有機基である。Ｒ_１〜Ｒ_４は、同一のものであっても異なっていてもよい。Ｘは、−Ｏ―Ｒ_６および−Ｏ−Ｒ_７のうちのいずれか一方を示し、Ｙは、いずれか他方を示す。Ｒ_７、Ｒ_６は、式（１９）と同様である。

なお、共重合体４の式（２０）で示す構造は、Ｘが−Ｏ−Ｒ_６となり、Ｙが−Ｏ―Ｒ_７であり、Ｒ_７がＲ_５であり、Ｒ_６が本工程で使用するアルコールに由来のものとなる構造が主となる。

また、式（２０）の繰り返し単位においては、Ｒ_１は、各繰り返し単位において共通であることが好ましいが、それぞれの繰り返し単位ごとに異なっていてもよい。Ｒ_２〜Ｒ_４においても同様である。

＜架橋材＞
架橋材としては、反応性基として、ヘテロ環を有する化合物が好ましく、なかでも、グリシジル基あるいはオキセタニル基を有する化合物が好ましい。グリシジル基を有する化合物としては、エポキシ樹脂があげられる。

架橋材として用いるエポキシ樹脂の一例としては、下記式（６）で示される構造のものが考えられる。

式中、Ｒ^３６は炭素数１〜１０の炭化水素基、ｓは１〜３０の整数、ｔは１〜６の整数である。

エポキシ樹脂のその他の例として、ビスフェノールＡエポキシ樹脂（ＬＸ−１、ダイソーケミカル株式会社）、2,2'-((((1-(4-(2-(4-(オキシラン-2-イルメトキシ)フェニル)プロパン-2-イル)フェニル)エタン-1,1-ジイル)ビス(4,1-フェニレン))ビス(オキシ))ビス(メチレン))ビス(オキシラン)（Ｔｅｃｈｍｏｒｅ、ＶＧ３１０１Ｌ、株式会社プリンテック)、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル（ＴＭＰＴＧＥ、ＣＶＣスペシャリティーケミカルズ社）、および1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ビス(3-(オキシラン-2-イル・メトキシ)プロピル)トリ・シロキサン（ＤＭＳ−Ｅ０９、ゲレスト社）を挙げることができる。これらの構造を以下に示す。その他、アラルダイトＭＴ０１６３およびアラルダイトＣＹ１７９（チバガイギー社）、ＥＨＰＥ−３１５０、およびＥｐｏｌｉｔｅ ＧＴ３００（ダイセル化学工業株式会社）等を挙げることができる（不図示）。なお、ここでの例示に限定されない。

ここで、ｎ１の平均値は、０以上３以下の整数である。

なお、本実施形態の架橋材として１種のエポキシ樹脂を用いてもよいし、又は、複数のエポキシ樹脂を混合して用いてもよい。なお、本実施形態の架橋材は、少なくとも上記式（６）で示される構造のエポキシ樹脂を含むのが好ましく、これのみを架橋材として用いてもよいし、これとその他の少なくとも１つのエポキシ樹脂（例えば、上記列挙したエポキシ樹脂の中の少なくとも１つ）とを混合したものを架橋材として用いてもよい。架橋材の中には、上記式（６）で示される構造のエポキシ樹脂が、架橋剤全体の２０質量％以上、１００質量％以下含まれるのが好ましく、さらに、５０質量％以上、１００質量％以下含まれるのが好ましい。このような架橋材を採用した感光性樹脂組成物は、感度、現像性、残膜率、誘電率、溶剤体制、透明性に優れる。

次に、オキセタニル基を有する化合物としては、たとえば、以下のいずれかを使用することができる。
例えば１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、ビス［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、４，４'−ビス［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシメチル］ビフェニル、４，４'−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ビフェニル、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）ジフェノエート、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリ［［３−［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］プロピル］シラセスキオキサン］誘導体、オキセタニルシリケート、フェノールノボラック型オキセタン、１，３−ビス［（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されない。これらは単独でも複数組み合わせて用いてもよい。

＜感光材＞
感光材としては、例えば、ポジ型感光材として利用できるＰＡＣ（感光性ジアゾキノン化合物）を採用することができる。例えば、以下のいずれか１種以上を使用することができる。

ｎ２は、１以上、５以下の整数である。

以上の各化合物において、Ｑは、以下に示す式（７ａ）乃至（７ｃ）に示される構造のいずれか、あるいは、水素原子である。ただし、各化合物のＱのうち、少なくとも１つは以下のいずれかである。なかでも、感光性樹脂組成物の透明性、誘電率の観点から、Ｑが式（７ａ）あるいは（７ｂ）であるｏ−ナフトキノンジアジドスルホン酸誘導体が好ましい。

なお、本実施形態の感光材はここで例示したものに限定されない。

以上の感光性樹脂組成物において、各成分の割合はたとえば、以下のようである。
第１のポリマーを、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に３０質量％〜７０質量％を含有することが好ましく、なかでも、４０質量％〜６０質量％含有することが好ましい。
また、架橋剤を、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に１５質量％〜５０質量％を含有することが好ましく、なかでも、２０質量％以上含有することが好ましい。
さらには、感光剤である光活性化合物は、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に５質量％〜４０質量％であることが好ましく、なかでも、１０質量％〜３０質量％であることが好ましい。

＜溶媒＞
溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、乳酸エチル、メチルイソブチルカルビノール（ＭＩＢＣ）、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ-メチルピロリドン（ＮＭＰ）、メチルｎ-アミルケトン（ＭＡＫ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、又は、これらの混合物を採用することができる。なお、ここで例示したものに限定されない。

＜熱酸発生剤＞
熱酸発生剤としては、例えば芳香族スルホニウム塩（例えば、三新化学工業（株）製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ等）を採用することができる。なお、ここで例示したものに限定されない。

感光性樹脂組成物において、熱酸発生剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に例えば０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。

＜光酸発生剤＞
光酸発生剤としては、光のエネルギーを吸収してブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成するものであれば良く、例えば、トリフェニルスルフォニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−トリフルオロメタンスルホネートなどのスルホニウム塩類、ｐ−ニトロフェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェートなどのジアゾニウム塩類、アンモニウム塩類、ホスホニウム塩類、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリキュミル）ヨードニウム−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートなどのヨードニウム塩類、キノンジアジド類、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンなどのジアゾメタン類、１−フェニル−１−（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ−１−ベンゾイルメタン、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンサルホネートなどのスルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジスルホン類、トリス（２，４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４−メチレンジオキシフェニル）−４，６−ビス−（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのトリアジン類、スルホニウム塩（例えば、サンアプロ（株）製のＣＰＩ−１００Ｐ、ＣＰＩ−１０１Ａ、ＣＰＩ−２１０Ｋ、ＣＰＩ−２１０Ｓ）などを挙げることができる。これらの光酸発生剤は、単独、または複数を組み合わせて使用することができる。

感光性樹脂組成物において、光酸発生剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に例えば０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。

＜酸化防止剤＞
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤の群から選択される１種以上を使用できる。酸化防止剤は、硬化の際の酸化、およびその後のプロセスにおける膜の酸化を抑えることができる。

フェノール系酸化防止剤としては、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、３，９−ビス｛２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル｝２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４―メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４―エチルフェノール、２，６−ジフェニル−４−オクタデシロキシフェノール、ステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ジステアリル（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ホスホネート、チオジエチレングリコールビス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、４，４´−チオビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２−オクチルチオ−４，６−ジ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−ｓ−トリアジン、２，２´−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチル−６−ブチルフェノール）、２，−２´−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ビス〔３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）ブチリックアシッド〕グリコールエステル、４，４´−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，２´−エチリデンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、２，２´−エチリデンビス（４−ｓ−ブチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ビス〔２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェニル〕テレフタレート、１，３，５−トリス（２，６−ジメチル−３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブチルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン、１，３，５−トリス〔（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシエチル〕イソシアヌレート、テトラキス〔メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン、２−ｔ−ブチル−４−メチル−６−（２−アクリロイルオキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルベンジル）フェノール、３，９−ビス（１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチル）−２，４−８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン−ビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコールビス〔β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート〕、１，１'−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２'―メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２'―メチレンビス（６−（１−メチルシクロヘキシル）―４−メチルフェノール）、４，４'―ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス（２−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニルプロピオニロキシ）１，１―ジメチルエチル）―２，４，８，１０―テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、４，４'−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４'―ビス（３，５―ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）サルファイド、４，４'―チオビス（６−ｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシー５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジメチル−６−（１−メチルシクロヘキシル、スチレネイティッドフェノール、２，４−ビス（（オクチルチオ）メチル）−５−メチルフェノール、などが挙げられる。これらの中では、ヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましい。

リン系酸化防止剤としては、ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルー５−メチルフェニル）―４，４'―ビフェニレンジホスホナイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート−ジエチルエステル、ビス−（２，６−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、トリス（ミックスドモノａｎｄジ−ノニルフェニルホスファイト）、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクタデシルオキシカルボニルエチル−フェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。これらの中では、ホスファイトおよびホスフェートが好ましい。

チオエーテル系酸化防止剤としては、ジラウリル３，３'−チオジプロピオネート、ビス（２−メチル−４−（３−ｎ−ドデシル）チオプロピオニルオキシ）―５−ｔ−ブチルフェニル）スルフィド、ジステアリル−３，３'−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリル）チオプロピオネートなどが挙げられる。

感光性樹脂組成物において、酸化防止剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に例えば０．１質量％〜５質量％であることが好ましい。

＜ポリフェノール類＞
ポリフェノール類としては、例えば、フェノールノボラック、ｏ-クレゾールノボラック、ｐ-クレゾールノボラック、ｐ-ｔ-ブチルフェノールノボラック、ヒドロキシナフタレンノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ビスフェノールＦノボラック、テルペン変性ノボラック、ジシクロペンタジエン変性ノボラック、パラキシレン変性ノボラック、ポリブタジエン変性フェノール等が例示され、いずれか１種以上を使用できる。

また以下のフェノール性化合物も使用できる。
ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、ビスフェノールＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ、Ｆ及びＧ、４，４'，４"−メチリジントリスフェノール、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４'−［１−［４−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４'，４"−エチリジントリスフェノール、４−［ビス（４−ヒドロキシフェニル）メチル］−２−エトキシフェノール、４，４'−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３−ジメチルフェノール］、４，４'−［（３−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、４，４'−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，６−ジメチルフェノール］、２，２'−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、２，２'−［（４−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３，５−ジメチルフェノール］、４，４'−［（３，４−ジヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［２，３，６−トリメチルフェノール］、４−［ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−６−メチルフェニル）メチル］−１，２−ベンゼンジオール、４，６−ビス［（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，２，３−ベンゼントリオール、４，４'−［（２−ヒドロキシフェニル）メチレン］ビス［３−メチルフェノール］、４，４'，４"−（３−メチル−１−プロパニル−３−イリジン）トリスフェノール、４，４'，４"，４'''−（１，４−フェニレンジメチリジン）テトラキスフェノール、２，４，６−トリス「（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、２，４，６−トリス［（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）メチル］−１，３−ベンゼンジオール、４，４'−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシ−３，５−ビス［（ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メチル］フェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビス［２，６−ビス（ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メチル］フェノール等が挙げられる。
これらの化合物のうち、４，４'，４"−メチリジントリスフェノール、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチルフェノール、４，４'−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４'−［１−［４−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、４，４'，４"−エチリジントリスフェノール等が好ましい。
特に好ましくは、以下の化合物があげられる。

感光性樹脂組成物において、ポリフェノール類の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分（溶媒を除いた分）を１００とした時に例えば０質量％〜３０質量％であることが好ましい。

＜特性＞
以上説明した本実施形態の感光性樹脂組成物によれば、第１のポリマー、架橋材及び感光材を上述した範囲内で適切に調整（製造方法の工夫、種類の選択、含有量の選択等）して組み合わせることで、少なくとも以下の特性１を満たす感光性樹脂組成物を実現することができる。さらに、第１のポリマー、架橋材及び感光材を上述した範囲内で適切に調整して組み合わせることで、特性１に加えて、特性２乃至４の少なくとも１つを満たす感光性樹脂組成物を実現することができる。なお、以下の実施例で示す通り、感光性樹脂組成物が適当な種類のその他の添加剤を適当な含有量で含んだ場合であっても、これらの特性は実現される。

＜特性１：高残膜率＞
スピンコート法により成膜後、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークすることで形成した第１の層の膜厚を第１の膜厚（第１の膜厚は、２μｍ以上３μｍ以下）とし、この第１の層に対して、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される露光量で露光し、次いで、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した後の第２の層の膜厚を第２の膜厚とすると、｛（第２の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧９０を満たす。

また、第２の層に３００ｍＪ／ｃｍ^２全面露光した後、オーブン中で２３０℃−６０分間分間加熱することによりポストベーク処理を行った後の第３の層の膜厚を第３の膜厚とすると、｛（第３の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧８０を満たす。

このような特性１を備える本実施形態の感光性樹脂組成物によれば、現像処理やベーク処理による膜厚の変化が少ないので、これらの処理を経た後の膜厚を精度よくコントロールすることが可能となる。

ところで、本実施形態の感光性樹脂組成物は、フォトレジストのように、所定の間だけ存在し、不要になったら除去される膜の成膜に使用されるのみならず、成膜後、除去されることなく製品中に残存し続ける永久膜の成膜にも使用することができる。このような永久膜は、設計に従った膜厚に制御される必要があるが、本実施形態の感光性樹脂組成物は、上述の通り膜厚を精度よくコントロールすることができるので、好ましい。

＜特性２：低比誘電率＞
当該感光性樹脂組成物を塗布し、
当該感光性樹脂組成物を塗布し、ホットプレートにてベークした後、オーブン中でポストベーク処理を行い、厚さ２μｍの膜を形成した後、周波数１０ｋＨｚで計測した比誘電率は、４．０以下となる。なかでも、３．５以下であることが好ましい。比誘電率の下限値は特に限定されないが、たとえば、１である。

比誘電率は、以下のようにして計測できる。
感光性樹脂組成物をアルミニウム基板上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。その後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ２μｍの膜とする。
その後、この膜上に金電極を形成し、室温（２５℃）、１０ｋＨｚにおける条件で計測する。

＜特性３：高透過率＞
また、当該感光性樹脂組成物を塗布し、ホットプレートにてベークした後、オーブン中でポストベーク処理を行い、厚さ２μｍの膜を形成した後において、当該膜の波長４００ｎｍの光の透過率は８０％以上となる。なかでも、前記透過率は、８５％以上であることが好ましい。透過率の上限値は特に限定されないが、たとえば、９９％である。

透過率は以下のようにして計測できる。
感光性樹脂組成物をガラス基板上に回転塗布し（回転数５００〜２５００ｒｐｍ）、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベークする。その後、オーブン中で２３０℃、６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、厚さ２μｍの膜とする。
この膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定する。

以上のように、感光性樹脂組成物から構成される膜は、誘電率が低いものとなる。これにより、感光性樹脂組成物を半導体デバイス等に使用することができる。さらには、感光性樹脂組成物から構成される膜は、光の透過率が高いものとなる。詳しくは後述するが、これにより、たとえば、当該感光性樹脂組成物を光電子デバイスに適用することができる。

＜特性４：高溶剤耐性＞
スピンコート法により成膜し、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークし形成した層に対して、紫外線を３００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、その後、オーブン中で２３０℃−６０分間ベークした第１の膜の膜厚を第１の膜厚とし、前記第１の膜をＮ-メチルピロリドンに１０分間２３℃で浸漬した後の膜厚を第２の膜厚とした場合、［｛（第２の膜厚）−（第１の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００≦５を満たす。

このような特性２を備える本実施形態の感光性樹脂組成物によれば、成膜後の製造工程において、Ｎ-メチルピロリドンに浸されても、膜厚がほとんど変化しない。このため、所定の設計厚さの膜を精度よく製造することが可能となる。

＜用途＞
本実施形態の感光性樹脂組成物は、フォトレジストのように所定の間だけ存在し、不要になったら除去される膜の成膜に使用されるのみならず、成膜後、除去されることなく製品中に残存し続ける永久膜の成膜にも使用することができる。永久膜としては、例えば、ＴＦＴアレイ基板上の膜、より具体的には、トランジスタを覆い、コンタクトホールが形成されている膜等が考えられるが、これに限定されない。以下、本実施形態の感光性樹脂組成物を用いて形成された膜を有する電子装置の一例を説明する。

（電子装置）
図１および図２は、それぞれ本実施形態に係る電子装置１００の一例を示す断面図である。いずれにおいても、電子装置１００のうちの絶縁膜２０を含む一部が示されている。

本実施形態に係る電子装置１００は、たとえば第１のポリマーを含む上記感光性樹脂組成物により形成される永久膜である絶縁膜２０を備えている。

本実施形態に係る電子装置１００の一例として、図１では液晶表示装置が示されている。しかしながら、本実施形態に係る電子装置１００は、液晶表示装置に限定されず、感光性樹脂組成物からなる永久膜を備える他の電子装置を含むものである。

図１に示すように、液晶表示装置である電子装置１００は、たとえば基板１０と、基板１０上に設けられたトランジスタ３０と、トランジスタ３０を覆うように基板１０上に設けられた絶縁膜２０と、絶縁膜２０上に設けられた配線４０と、を備えている。

基板１０は、たとえばガラス基板である。
トランジスタ３０は、たとえば液晶表示装置のスイッチング素子を構成する薄膜トランジスタである。基板１０上には、たとえば複数のトランジスタ３０がアレイ状に配列されている。本実施形態に係るトランジスタ３０は、たとえばゲート電極３１と、ソース電極３２と、ドレイン電極３３と、ゲート絶縁膜３４と、半導体層３５と、により構成される。ゲート電極３１は、たとえば基板１０上に設けられている。ゲート絶縁膜３４は、ゲート電極３１を覆うように基板１０上に設けられる。半導体層３５は、ゲート絶縁膜３４上に設けられている。また、半導体層３５は、たとえばシリコン層である。ソース電極３２は、一部が半導体層３５と接触するよう基板１０上に設けられる。ドレイン電極３３は、ソース電極３２と離間し、かつ一部が半導体層３５と接触するよう基板１０上に設けられる。

絶縁膜２０は、トランジスタ３０等に起因する段差をなくし、基板１０上に平坦な表面を形成するための平坦化膜として機能する。また、絶縁膜２０は、上記感光性樹脂組成物の硬化物により構成される。絶縁膜２０には、ドレイン電極３３に接続するよう絶縁膜２０を貫通する開口２２が設けられている。

絶縁膜２０上および開口２２内には、ドレイン電極３３と接続する配線４０が形成されている。配線４０は、液晶とともに画素を構成する画素電極として機能する。

また、絶縁膜２０上には、配線４０を覆うように配向膜９０が設けられている。

基板１０のうちトランジスタ３０が設けられている一面の上方には、基板１０と対向するよう対向基板１２が配置される。対向基板１２のうち基板１０と対向する一面には、配線４２が設けられている。配線４２は、配線４０と対向する位置に設けられる。また、対向基板１２の上記一面上には、配線４２を覆うように配向膜９２が設けられている。
基板１０と当該対向基板１２との間には、液晶層１４を構成する液晶が充填される。

図１に示す電子装置１００は、たとえば次のように形成される。
まず、基板１０上にトランジスタ３０を形成する。次いで、基板１０のうちトランジスタ３０が設けられた一面上に、印刷法あるいはスピンコート法により上記感光性樹脂組成物を塗布し、トランジスタ３０を覆う絶縁膜２０を形成する。これにより、基板１０上に設けられたトランジスタ３０を覆う平坦化膜が形成される。

次いで、絶縁膜２０を露光現像して、絶縁膜２０の一部に開口２２を形成する。感光性樹脂組成物がポジ型である場合には、露光部分が現像液に溶解し、未露光部分が残る。一方で、感光性樹脂組成物がネガ型である場合には、未露光部分が現像液に溶解し、露光部分が残ることとなる。この点は、後述する電子装置１００の各例においても同様である。

次いで、絶縁膜２０を加熱硬化させる。そして、絶縁膜２０の開口２２内に、ドレイン電極３３に接続された配線４０を形成する。その後、絶縁膜２０上に対向基板を配置し、対向基板と絶縁膜２０との間に液晶を充填し、液晶層を形成する。これにより、図１に示す電子装置１００が形成されることとなる。

また、本実施形態に係る電子装置１００の一例として、図２では上記感光性樹脂組成物からなる永久膜により再配線層８０が構成される半導体装置が示されている。

図２に示す電子装置１００は、トランジスタ等の半導体素子が設けられた半導体基板と、半導体基板上に設けられた多層配線層と、を備えている（図示せず）。多層配線層のうち最上層には、層間絶縁膜である絶縁膜５０と、絶縁膜５０上に設けられた最上層配線７２が設けられている。最上層配線７２は、たとえばＡｌにより構成される。

また、絶縁膜５０上には、再配線層８０が設けられている。再配線層８０は、最上層配線７２を覆うように絶縁膜５０上に設けられた絶縁膜５２と、絶縁膜５２上に設けられた再配線７０と、絶縁膜５２上および再配線７０上に設けられた絶縁膜５４と、を有する。

絶縁膜５２には、最上層配線７２に接続する開口２４が形成されている。再配線７０は、絶縁膜５２上および開口２４内に形成され、最上層配線７２に接続されている。絶縁膜５４には、再配線７０に接続する開口２６が設けられている。

これらの絶縁膜５２および絶縁膜５４は、上記感光性樹脂組成物からなる永久膜により構成される。絶縁膜５２は、たとえば絶縁膜５０上に塗布された上記感光性樹脂組成物に対し露光・現像を行うことにより開口２４を形成した後、これを加熱硬化することにより得られる。また、絶縁膜５４は、たとえば絶縁膜５２上に塗布された上記感光性樹脂組成物に対し露光・現像を行うことにより開口２６を形成した後、これを加熱硬化することにより得られる。

開口２６内には、たとえばバンプ７４が形成される。電子装置１００は、たとえばバンプ７４を介して配線基板等に接続されることとなる。

さらに、本実施形態に係る電子装置１００は、上記感光性樹脂組成物からなる永久膜によりマイクロレンズを構成する光デバイスであってもよい。光デバイスとしては、たとえば液晶表示装置、プラズマディスプレイ、電界放出型ディスプレイまたはエレクトロルミネセンスディスプレイが挙げられる。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

＜＜サンプルの生成＞＞
＜第１のポリマーの合成例１＞
撹拌機、冷却管を備えた適切なサイズの反応容器に、無水マレイン酸（ＭＡ、１２２．４ｇ、１．２５ｍｏｌ）、2-ノルボルネン（ＮＢ、１１７．６ｇ、１．２５ｍｏｌ）およびジメチル2,2'-アゾビス（２-メチルプロピオネート）（１１．５ｇ、５０．０ｍｍｏｌ）を計量し、メチルエチルケトン（ＭＥＫ、１５０．８ｇ）およびトルエン（７７．７ｇ）に溶解させた。この溶解液に対して、１０分間窒素を通気して酸素を除去し、その後、撹拌しつつ６０℃、１６時間、加熱した。その後、この溶解液に対してＭＥＫ（３２０ｇ）を加えた後、水酸化ナトリウム（１２．５ｇ、０．３１ｍｏｌ）、ブタノール（４６３．１ｇ、６．２５ｍｏｌ）、トルエン（４８０ｇ）の懸濁液に加え、４５℃で３時間混合した。そして、この混合液を４０℃まで冷却し、ギ酸（８８重量％水溶液、４９．０ｇ、０．９４ｍｏｌ）で処理してプロトン付加し、その後、ＭＥＫおよび水を加え、水層を分離することで、無機残留物を除去した。次いで、メタノール、ヘキサンを加え有機層を分離することで未反応モノマーを除去した。さらにＰＧＭＥＡを添加し、系内のメタノール及びブタノールを残留量１％未満となるまで減圧留去した。これにより、２０重量％のポリマー溶液１１０７．７ｇを得た（ＧＰＣ Ｍｗ＝１３，７００、Ｍｎ＝７，４００）。

＜実施例１＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｅ成分として上記式（８）で表わされる化合物を０．５ｇ、板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例２＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例３＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてトリメチロールプロパントリグリシジレートを０．２５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例４＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてＶＧ−３１０１Ｌ（（株）プリンテック製）を０．２５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３を０．１ｇ（信越シリコーン社製）回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例５＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてエポキシポリマーＡ（特許公報２９６１７２２号の合成例１に記載）を０．２５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例６＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてトリメチロールプロパントリグリシジレートを０．２５ｇ、サンアプロ製ＣＰＩ２１０Ｓを０．０５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例７＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてトリメチロールプロパントリグリシジレートを０．２５ｇ、アデカ製アデカスタブＡＯ３３０を０．０５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例８＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてトリメチロールプロパントリグリシジレートを０．２５ｇ、三新化学工業（株）製ＳＩ−６０Ｌを０．０５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例９＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてトリメチロールプロパントリグリシジレートを０．２５ｇ、Ｅ成分として本州化学工業（株）製ＴｅｋＰ−４ＨＢＰを０．５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例１０＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとの３．０モルのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＤＡＴＳ−３００）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）を２．０ｇ、Ｄ成分としてＶＧ−３１０１Ｌ（（株）プリンテック製）を２．０ｇ、Ｅ成分として上記式（８）で表わされる化合物を０．５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜実施例１１＞
Ａ成分として合成例１で合成した第１の樹脂（Ａ１）の２０％ＰＧＭＥＡ溶液を２５ｇ、Ｂ成分として上記式（８）で表される化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホニルクロライドとのエステル化物（ダイトーケミックス（株）製：ＰＡ−２８）を１．２５ｇ、Ｃ成分としてエポキシ樹脂ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）３．０ｇ、Ｄ成分としてエポキシポリマーＡ（特許公報２９６１７２２号 実施例１記載）を０．２５ｇ、Ｅ成分として上記式（８）で表わされる化合物を０．５ｇ、基板との密着性を改善するためにＫＢＭ−３０３（信越シリコーン社製）を０．１ｇ、回転塗布の際にレジスト膜上にできる放射線状のストリエーションを防止するためにＦ−５５７（ＤＩＣ製）を１００ｐｐｍ、を適量のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解させて攪拌した後、０．２μｍのフィルターで濾過して、感光性樹脂組成物を調製した。

＜比較例１＞
実施例１から、Ｃ成分を使用しない以外は、実施例１と同様の組成で評価した。

＜比較例２＞
実施例１からＣ、Ｄ及びＥ成分を使用しない以外は、実施例１と同様の組成で評価した。

＜＜サンプルの評価＞＞
＜現像後、及び、ベーク後残膜率の評価＞
上記の感光性樹脂組成物をＨＭＤＳ処理した４インチシリコンウエハー上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約２．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜に対して、キヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される最適露光量で露光し、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥することで、ラインとスペース幅が１：１のライン＆スペースパターンつき薄膜Ｂを得た。その後、この薄膜をＰＬＡ−５０１Ｆにて３００ｍＪ／ｃｍ^２全面露光した後、オーブン中で２３０℃−６０分間加熱することによりポストベーク処理を行い、約２．０μｍ厚のパターン付き薄膜Ｃを得た。
上記の手法にて得られた薄膜Ａ、薄膜Ｂ及び薄膜Ｃの膜厚から、以下の式より残膜率を算出した。
現像後残膜率（％）＝｛（薄膜Ｂの膜厚（μｍ））／（薄膜Ａの膜厚（μｍ））｝×１００
ベーク後残膜率（％）＝｛（薄膜Ｃの膜厚（μｍ）／（薄膜Ａの膜厚（μｍ）））×１００

＜現像性の評価＞
「現像後、及び、ベーク後残膜率の評価」で説明した薄膜Ｂの幅１０μｍのラインパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察した。ホール内部に残渣が見られた場合は×、残渣が見られない場合には○として現像性を評価した。

＜誘電率の評価＞
ＰＬＡ−５０１Ｆにてテストパターン（ラインパターン）を形成しない以外は「現像後、及び、ベーク後残膜率の評価」で説明したものと同様の操作を行うことにより、ラインパターンのない、２．０μｍ厚の薄膜をアルミニウム基板上に得た。この薄膜上に金電極を形成し、室温、１０ｋＨｚにおける条件で、Ｈｅｗｌｅｔｔ Ｐａｃｋａｒｄ社製ＬＣＲメータ（４２８２Ａ）を用いて得られた静電容量から誘電率を算出した。

＜透過率の評価＞
縦１００ｍｍ、横１００ｍｍサイズのコーニング社製１７３７ガラス基板を用い、テストパターン（ラインパターン）を形成しない以外は「現像後、及び、ベーク後残膜率の評価」で説明したものと同様の操作を行うことにより、パターンのない薄膜をガラス基板上に得た。この薄膜について光の波長４００ｎｍにおける透過率を、紫外−可視光分光光度計を用いて測定した。

＜耐溶剤性の評価＞
「透過率の評価」と同様の操作を行うことで得た薄膜つきガラス基板を、Ｎ−メチルピロリドン（関東化学）中に室温、１０分間２３℃で浸漬した後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した。以下の演算式で定義される膜厚変化率が５％以下の場合には○、５％を超えるものは×として評価した。
膜厚変化率（％）＝［｛（溶剤浸漬後の膜厚）−（溶剤浸漬前の膜厚）｝/（溶剤浸漬前の膜厚）］×１００

＜感度＞
感光性樹脂組成物をＨＭＤＳ処理した４インチシリコンウエハー上に回転塗布し、１００℃、１２０秒間ホットプレートにてベーク後、約２．５μｍ厚の薄膜Ａを得た。この薄膜にキヤノン（株）製ｇ＋ｈ＋ｉ線マスクアライナー（ＰＬＡ−５０１Ｆ）にて１０μｍのラインとスペース（１：１）の幅のマスクを使用し露光した。次いで０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間現像することで形成されたレジストパターンが、１０μｍのライン幅：スペース幅＝１：１のときの露光量（ｍＪ／ｃｍ^２）を感度とした。

評価結果をまとめて示す。

以上説明した通り、本実施形態によれば、残膜率特性に優れた感光性樹脂組成物が実現される。また、当該特性に加えて、溶剤特性やパターンフロー特性に優れた感光性樹脂組成物を実現することもできる。さらに、高感度、高現像性、高誘電率及び高透過率をも実現した感光性樹脂組成物を実現することができる。

１０ 基板
１２ 対向基板
１４ 液晶層
２０、５０、５２、５４ 絶縁膜
２２、２４、２６ 開口
３０ トランジスタ
３１ ゲート電極
３２ ソース電極
３３ ドレイン電極
３４ ゲート絶縁膜
３５ 半導体層
４０、４２ 配線
７０ 再配線
７２ 最上層配線
７４ バンプ
８０ 再配線層
９０、９２ 配向膜
１００ 電子装置

Claims (7)

1. 下記式（１）で示される共重合体であるポリマーと、
   架橋剤と、
   感光材と、を含み、スピンコート法により成膜後、１００℃のホットプレートで１２０秒ベークすることで形成した第１の層の膜厚を第１の膜厚（第１の膜厚は、２μｍ以上３μｍ以下）とし、前記第１の層に対して、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとが並んだラインパターンを有するマスクごしに、幅１０μｍのラインと幅１０μｍのスペースとを有するパターンが第１の層に形成される露光量で露光し、次いで、０．４質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で２３℃、９０秒間、浸漬法にて現像し、その後、純水で３０秒間リンスし、次いで、２０００ｒｐｍの条件でスピン乾燥した後の第２の層の膜厚を第２の膜厚とすると、｛（第２の膜厚）／（第１の膜厚）｝×１００≧９０を満たす感光性樹脂組成物。
   

   

   （式（１）中、
   ｌおよびｍはポリマー中におけるモル含有率を示し、
   ｌ＋ｍ＝１であり、
   ｎは０、１または２であり、
   Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４はそれぞれ独立して水素または炭素数１〜３０の有機基であり、
   Ａは下記式（２ａ）、（２ｂ）、（２ｃ）または（２ｄ）により示される構造単位である）
   

   

   （式（２ａ）および式（２ｂ）中、Ｒ_５、Ｒ_６およびＲ_７は、それぞれ独立して炭素数１〜１８の有機基である）
2. 請求項１に記載の感光性樹脂組成物において、
   上記式（１）で示される共重合体には、上記式（２ａ）により示される構造単位、および上記式（２ｂ）により示される構造単位が含まれる感光性樹脂組成物。
3. 請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物において、
   前記架橋剤は、少なくとも下記式（６）により示される構造の架橋剤を含む感光性樹脂組成物。
   

   

   （式中、Ｒ^３６は炭素数１〜１０の炭化水素基、ｓは１〜３０の整数、ｔは１〜６の整数である）
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物において、
   さらに、熱酸発生剤または光酸発生剤を含む感光性樹脂組成物。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物において、
   さらに、酸化防止剤を含む感光性樹脂組成物。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物において、
   さらに、ポリフェノール類を含む感光性樹脂組成物。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物は、永久膜用の組成物である感光性樹脂組成物。

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