JP2014123715A - 半導体装置、及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014123715A JP2014123715A JP2013212391A JP2013212391A JP2014123715A JP 2014123715 A JP2014123715 A JP 2014123715A JP 2013212391 A JP2013212391 A JP 2013212391A JP 2013212391 A JP2013212391 A JP 2013212391A JP 2014123715 A JP2014123715 A JP 2014123715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- opening
- wiring
- conductive wiring
- gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005220 pharmaceutical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4821—Bridge structure with air gap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/88—Tunnel-effect diodes
- H01L29/882—Resonant tunneling diodes, i.e. RTD, RTBD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置は、基板11上に配置されており且つ二極を有する半導体素子101と、二極のうち一方の極103に接する導電性配線105と、二極のうち他方の極102と導電性配線105との間に配置されている誘電体12と、を有する。導電性配線105には、開口106が形成されており、誘電体12には、空隙107が形成されており、開口と空隙とは、つながっている。
【選択図】図1
Description
(実施形態1)
実施形態1に係る半導体装置について、図1を用いて説明する。図1は本実施形態の半導体装置を示す模式図であり、図1(a)は上面図、図1(b)は断面図を表す。本実施形態において、少なくとも二極を備えた基板上の半導体素子101は、ミリ波帯からテラヘルツ帯までの基本的な半導体素子で構成される。例えば、検出素子としてのショットキーバリアダイオード、プレーナドーブバリアダイオードなどの整流素子である。また、発生素子としての共鳴トンネルダイオード(RTD)やエサキダイオード、ガンダイオードなどの負性抵抗素子、増幅素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の3端子素子である。これらは電子デバイスであり、半導体素子101は電極を備える。102、103はそれぞれコレクタ、エミッタ等に対応し、通常は、荷電キャリアがドープされた導電性半導体で構成する。さらに、これらには金属等の配線が接続され、104はコレクタ極側の導電性配線、105はエミッタ極側の導電性配線となり、半導体素子101の電気特性を取りだすためにある。
実施形態2に係る半導体装置について、図3を用いて説明する。図3は本実施形態の半導体装置を示す模式図であり、図3(a)は上面図、図3(b)は断面図を表す。本実施形態は第一の実施形態の変形例で、201は、ショットキーバリアダイオードを表す。基板21側から高濃度キャリアドープ層202とこれよりはキャリアが少ない低濃度キャリアドープ層201を積層し、さらにショットキー金属203を積層することで203側の201中にバリア層が形成される。この際、202はカソード、203はアノードとなる。配線204、205は第一の実施形態と同様で、204はカソード極側の金属配線、205はアノード極側の金属配線となる。22は誘電体、206は開口、207は空隙、208は誘電体の支持部である。
実施形態3に係る半導体装置について、図4を用いて説明する。図4は本実施形態の半導体装置を示す模式図であり、図4(a)は上面図、図4(b)は断面図を表す。本実施形態は第一の実施形態の変形例で、301は、共鳴トンネルダイオード(RTD)構造を表す。例えばInP基板31を用い、同基板上に電子濃度の高いn+InGaAs層302、InGaAs/InAlAsによる量子井戸/ポテンシャル障壁を繰り返した共鳴トンネル構造309、n+InGaAs層303を積層する。配線304、305は第一の実施形態と同様で、304はコレクタ極側の金属配線、305はエミッタ極側の金属配線となる。
実施形態4に係る半導体装置について、図5を用いて説明する。図5は本実施形態の半導体装置を示す模式図であり、図5(a)は上面図、図5(b)は断面図を表す。本実施形態は第一の実施形態の変形例で、401は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)構造を表す。例えばInP基板41を用い、同基板上にn型のInPサブコレクタ402とInPコレクタ、p型のInGaAsベース409、n型のInGaAsエミッタと、n+InGaAs層403を積層する。配線404、405は第一の実施形態と同様で、404はコレクタ極側の金属配線、405はエミッタ極側の金属配線となる。
(実施例1)
本実施例に係る半導体素子について、図6を用いて説明する。図6(a)は、本実施例に係る検出装置の一部を示す上面図、図6(b)はその断面図を表すものである。図6(c)は、アンテナを伴った検出装置全体を示す上面図である。本実施例は整流素子としてショットキーバリアダイオードを用いる検出装置を示すものである。本実施例において、基板51は、Si基板を用いる。FZ法の引き上げにより、抵抗率は1kΩcmの高抵抗率品を用いている。キャリアとしては電子を採用し、高濃度キャリア層502のn型キャリア濃度は5×1019cm-3、厚さは400nmである。低濃度キャリア層501のn型キャリア濃度は5×1017cm-3、厚さは100nmである。低濃度キャリア層501はショットキー電極503と接触して、503側にショットキーバリアを形成する。オーミック電極504は、高濃度キャリア層502と接してオーミックとなる。本実施例では、電極材としてTi503、504を用いる。同じ材料でも、接する半導体の性質が異なればショットキーあるいはオーミック接触となる。Ti503、504の厚さは100nmを用いるが、これに限ることはなく、これより薄くてもよいし厚くてもよい。こうして、本発明を適用できるショットキーバリアダイオードを構成する。
異なる製造法を用いた第一の実施例の変形例を、図8を用いて説明する。図8(a)は、本実施例に係る検出装置の一部を示す上面図、図8(b)はその断面図を表すものである。本実施例において、第一の実施例と異なるのは、配線505の直下にはない空隙517も併せて設けている点である。配線の開口506とつながった空隙507に限られない位置にも空隙517を設けることで、配線505のエッジ514の付近に集中する電気力線に起因する寄生容量も低減することができる。そのためには、図8(a)における、配線505の外側の位置515を中心にレジストパターニングの開口516を用意して空隙517を形成する。これに伴って、本実施例の製造法には、第一の実施例とは異なる方法を用いる。
Claims (13)
- 基板上に配置されており且つ二極を有する半導体素子と、
前記二極のうち一方の極に接する導電性配線と、
前記二極のうち他方の極と前記導電性配線との間に配置されている誘電体と、
を有し、
前記導電性配線には、開口が形成されており、前記誘電体には、空隙が形成されており、前記開口と前記空隙とは、つながっている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記空隙の面積が、前記開口の面積よりも大きい、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記空隙の大きさが、前記開口の大きさより大きい、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記導電性配線は、前記空隙に対してオーバーハングしている、
請求項1から3の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記導電性配線上に配置されているレイヤを更に備え、
前記開口の直径が、前記レイヤの厚さより小さい、
請求項1から4の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記開口の大きさが、1μm以下である、
請求項1から5の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、ショットキーバリアダイオードを含む、
請求項1から6の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、共鳴トンネルダイオードを含む
請求項1から6の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む、
請求項1から6の何れか1項に記載の半導体装置。 - アレイ状に配置されている複数の検出素子と、
前記複数の検出素子の検出結果に基づいて電界分布の画像を形成する画像形成部と、
を有し、
前記複数の検出素子のそれぞれは、請求項1から7の何れか1項に記載の半導体装置を含む、
ことを特徴とする画像形成装置。 - 請求項1から9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電性配線の前記開口からエッチングガスを導入することにより前記誘電体を除去して、前記空隙を形成する形成工程を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電性配線の前記開口を形成して前記誘電体を露出する露出工程を更に有する、
請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記導電性配線上及び前記導電性配線の外側の前記誘電体上にレジストを塗布する塗布工程と、
前記レジストに開口を形成して前記導電性配線の外側の前記誘電体を露出する工程と、
前記レジストの前記開口からエッチングガスを導入することにより前記誘電体を除去して、前記空隙を形成する工程と、
を更に有する、
ことを特徴とする請求項11または12に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013212391A JP6247495B2 (ja) | 2012-11-26 | 2013-10-09 | 半導体装置、及びその製造方法 |
US14/080,921 US9018672B2 (en) | 2012-11-26 | 2013-11-15 | Semiconductor device comprising a semiconductor element having two electrodes |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012257596 | 2012-11-26 | ||
JP2012257596 | 2012-11-26 | ||
JP2013212391A JP6247495B2 (ja) | 2012-11-26 | 2013-10-09 | 半導体装置、及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014123715A true JP2014123715A (ja) | 2014-07-03 |
JP6247495B2 JP6247495B2 (ja) | 2017-12-13 |
Family
ID=50772510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013212391A Expired - Fee Related JP6247495B2 (ja) | 2012-11-26 | 2013-10-09 | 半導体装置、及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9018672B2 (ja) |
JP (1) | JP6247495B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017079271A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | キヤノン株式会社 | 発振素子及びそれを用いた測定装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104269592B (zh) * | 2014-10-16 | 2017-07-04 | 成都联帮微波通信工程有限公司 | 一种小型化腔体滤波器、多工器及合路器 |
JP7262959B2 (ja) | 2018-10-04 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | 半導体素子、半導体素子の製造方法 |
CN111048596A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-21 | 中山大学 | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
CN110993686B (zh) * | 2019-12-24 | 2021-02-26 | 电子科技大学 | 一种适用于奇次倍频的二极管 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275549A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06244391A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-09-02 | Philips Electron Nv | イメージセンサー |
US6667552B1 (en) * | 1999-02-18 | 2003-12-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low dielectric metal silicide lined interconnection system |
US20060084262A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Shu Qin | Low-k dielectric process for multilevel interconnection using microcavity engineering during electric circuit manufacture |
JP2007103419A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
JP2008004779A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体バイポーラトランジスタ及び窒化物半導体バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2008078421A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Advantest Corp | ショットキーバリアダイオード、検波回路、及び製造方法 |
JP2009152617A (ja) * | 1996-06-28 | 2009-07-09 | Whitaker Corp:The | 寄生容量が減らされた半導体デバイス |
JP2010225654A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
JP2010233030A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Canon Inc | 共振器 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122179A (ja) | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Semiconductor Res Found | 超高周波半導体装置及び超高周波発振器の製造方法 |
JPH088340A (ja) | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Sony Corp | エアーブリッジ配線 |
JP3359780B2 (ja) | 1995-04-12 | 2002-12-24 | 三菱電機株式会社 | 配線装置 |
JPH1197530A (ja) | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7265045B2 (en) * | 2002-10-24 | 2007-09-04 | Megica Corporation | Method for fabricating thermal compliant semiconductor chip wiring structure for chip scale packaging |
EP1517166B1 (en) * | 2003-09-15 | 2015-10-21 | Nuvotronics, LLC | Device package and methods for the fabrication and testing thereof |
JP5013823B2 (ja) | 2006-11-10 | 2012-08-29 | キヤノン株式会社 | 感温型ワンショットバルブ、およびその製造方法 |
DE102006062015B4 (de) * | 2006-12-29 | 2012-04-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zum Testen einer Materialschicht in einer Halbleiterstruktur auf Unversehrtheit |
US8946896B2 (en) * | 2008-12-31 | 2015-02-03 | Stmicroelectronics, Inc. | Extended liner for localized thick copper interconnect |
US8921144B2 (en) * | 2010-06-25 | 2014-12-30 | International Business Machines Corporation | Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures |
US8354703B2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Semiconductor capacitor |
-
2013
- 2013-10-09 JP JP2013212391A patent/JP6247495B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-11-15 US US14/080,921 patent/US9018672B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275549A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH06244391A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-09-02 | Philips Electron Nv | イメージセンサー |
JP2009152617A (ja) * | 1996-06-28 | 2009-07-09 | Whitaker Corp:The | 寄生容量が減らされた半導体デバイス |
US6667552B1 (en) * | 1999-02-18 | 2003-12-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low dielectric metal silicide lined interconnection system |
US20060084262A1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-20 | Shu Qin | Low-k dielectric process for multilevel interconnection using microcavity engineering during electric circuit manufacture |
JP2007103419A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sanyo Electric Co Ltd | ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 |
JP2008004779A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体バイポーラトランジスタ及び窒化物半導体バイポーラトランジスタの製造方法 |
JP2008078421A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Advantest Corp | ショットキーバリアダイオード、検波回路、及び製造方法 |
JP2010225654A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
JP2010233030A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Canon Inc | 共振器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017079271A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | キヤノン株式会社 | 発振素子及びそれを用いた測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6247495B2 (ja) | 2017-12-13 |
US20140145280A1 (en) | 2014-05-29 |
US9018672B2 (en) | 2015-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6247495B2 (ja) | 半導体装置、及びその製造方法 | |
US9087935B2 (en) | Detector having a Schottky barrier portion and a barrier portion having a rectifying property | |
JP5504745B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP6280310B2 (ja) | 発振器 | |
US11011663B2 (en) | Semiconductor element for oscillating or detecting terahertz wave and manufacturing method of semiconductor element | |
US20240014559A1 (en) | Element having antenna array structure | |
US7359694B2 (en) | Carbon nanotube devices and method of fabricating the same | |
US20140001363A1 (en) | Schottky barrier diode and apparatus using the same | |
KR20010091919A (ko) | 켄틸레버 베이스를 지닌 초고속 헤테로 접합 양극성트랜지스터 | |
US9349881B2 (en) | Diode element and detecting device | |
JP6193849B2 (ja) | 低ターンオン電圧を有するヘテロ接合のユニポーラ・ダイオード | |
JP2005347735A (ja) | トランジスタおよび同製造方法 | |
JP6741943B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6024317B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8022494B2 (en) | Photodetector and manufacturing method thereof | |
TW529076B (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
Alharbi | High performance terahertz resonant tunnelling diode sources and broadband antenna for air-side radiation | |
JP2018182057A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019079975A (ja) | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2017085184A (ja) | ショットキーバリアダイオード及びそれを用いた装置 | |
JP6978669B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信装置及び発電装置 | |
CN109524305B (zh) | 一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法 | |
JP6303915B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
WO2024072325A1 (en) | Ultra-low voltage ultraviolet photodetector | |
EP0817276A1 (en) | Semiconductor device and production method therefor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161009 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171019 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171117 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6247495 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D13 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |