JP6024317B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードについて説明する。
次に、第1の実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードについて説明する。図7に本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードの構造を示す。また、図8は、本実施の形態における半導体装置のエネルギーバンド図であり、図8(a)は、フラットバンド状態のエネルギーバンド図であり、図8(b)は、平衡状態におけるエネルギーバンド図である。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。具体的に、図9及び図10に基づき、本実施の形態における半導体装置の製造方法であるバックワードダイオードの製造方法について説明する。
次に、第2の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における半導体装置に設けられている第1のn型接続半導体層12及び第2のn型接続半導体層13に代えて、n型組成傾斜半導体層20を設けた構造のものである。図11に本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードの構造を示す。また、図12は、本実施の形態における半導体装置のエネルギーバンド図であり、図12(a)は、フラットバンド状態のエネルギーバンド図であり、図12(b)は、平衡状態におけるエネルギーバンド図である。
次に、第3の実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードについて説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における半導体装置において、第2のn型接続半導体層13とp型半導体層14との間にバリア層21を設けた構造のものである。図13に本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードの構造を示す。また、図14は、本実施の形態における半導体装置のエネルギーバンド図であって、平衡状態におけるエネルギーバンド図である。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。具体的に、図15及び図16に基づき、本実施の形態における半導体装置の製造方法であるバックワードダイオードの製造方法について説明する。
次に、第4の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態は、第2の実施の形態における半導体装置において、n型組成傾斜半導体層20とp型半導体層14との間に第3の実施の形態における半導体装置と同様のバリア層21を設けた構造のものである。図17に本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードの構造を示す。また、図18は、本実施の形態における半導体装置のエネルギーバンド図であり、平衡状態におけるエネルギーバンド図である。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第3の実施の形態における半導体装置の製造方法であって、第3の実施の形態における半導体装置の製造方法とは異なる製造方法である。図19から図21に基づき、本実施の形態における半導体装置の製造方法であるバックワードダイオードの製造方法について説明する。
次に、第6の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第3の実施の形態における半導体装置を含むMMICの一部の製造方法である。図22から図26に基づき、本実施の形態における半導体装置であるバックワードダイオードと電界効果型半導体装置であるHEMT(High Electron Mobility Transistor)を集積させたMMICの製造方法について説明する。尚、電界効果型半導体装置は、HEMT以外のFET、例えば、MESFET(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)等であってもよい。
(付記1)
第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の第3の半導体層及び第4の半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記第3の半導体層、前記第4の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記第3の半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く、
前記第4の半導体層のバンドギャップは、前記第3の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第1の半導体層は、半導体基板の上に形成されており、
前記第1の半導体層の上には、前記第3の半導体層が形成されており、
前記第3の半導体層の上には、前記第4の半導体層が形成されており、
前記第4の半導体層の上には、前記第2の半導体層が形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
(付記3)
前記第2の半導体層と前記第4の半導体層との間には、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層よりもバンドギャップの広いバリア層が形成されていることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記バリア層は、InAlAsにより形成されているものであることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記第1の半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されているものであることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6)
前記第3の半導体層及び前記第4の半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されており、
前記第3の半導体層に含まれるInの組成比は、前記第1の半導体層に含まれるInの組成比よりも多く、
前記第4の半導体層に含まれるInの組成比は、前記第3の半導体層に含まれるInの組成比よりも多いことを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記第3の半導体層及び前記第4の半導体層における不純物元素の濃度は、前記第2の半導体層における不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の組成傾斜半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記組成傾斜半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記組成傾斜半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップ以下であって、前記第1の半導体層が設けられている側から前記第2の半導体層が設けられている側に向かって、バンドギャップが徐々に狭くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記9)
前記第1の半導体層は、半導体基板の上に形成されており、
前記第1の半導体層の上には、前記組成傾斜半導体層が形成されており、
前記組成傾斜半導体層の上には、前記第2の半導体層が形成されていることを特徴とする付記8に記載の半導体装置。
(付記10)
前記第2の半導体層と前記組成傾斜半導体層との間には、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層よりもバンドギャップの広いバリア層が形成されていることを特徴とする付記8または9に記載の半導体装置。
(付記11)
前記バリア層は、InAlAsにより形成されているものであることを特徴とする付記10に記載の半導体装置。
(付記12)
前記第1の半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されているものであることを特徴とする付記8から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
前記組成傾斜半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されており、
前記組成傾斜半導体層は、前記第1の半導体層が設けられている側から、前記第2の半導体層が設けられている側に向かって、Inの組成比が徐々に増加するものであることを特徴とする付記7から12のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
前記組成傾斜半導体層における不純物元素の濃度は、前記第2の半導体層における不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする付記7から13のいずれかに記載の半導体装置。
(付記15)
第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の複数の半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記複数の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記複数の半導体層におけるバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く、
前記第1の半導体層が設けられている側の半導体層から前記第2の半導体層が設けられている側の半導体層に向かって、バンドギャップが順に狭くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記16)
前記第2の半導体層と前記複数の半導体層との間には、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層よりもバンドギャップの広いバリア層が形成されていることを特徴とする付記15に記載の半導体装置。
(付記17)
前記複数の半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されているものであって、
前記第1の半導体層が設けられている側の半導体層から前記第2の半導体層が設けられている側の半導体層に向かって、Inの組成比が徐々に増加するものであることを特徴とする付記15または16に記載の半導体装置。
(付記18)
前記第1の導電型はn型であって、前記第2の導電型はp型であることを特徴とする付記1から17のいずれかに記載の半導体装置。
(付記19)
前記第2の半導体層は、GaAsSbを含むものにより形成されているものであることを特徴とする付記1から18のいずれかに記載の半導体装置。
(付記20)
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、半導体基板の上に形成されているものであって、
前記半導体基板の上には、さらに電界効果型半導体装置が形成されていることを特徴とする付記1から19のいずれかに記載の半導体装置。
12 第1のn型接合半導体層
13 第2のn型接合半導体層
14 p型半導体層
20 n型組成傾斜半導体層
21 バリア層
30 InP基板
31 バッファー層
32 コンタクト層
40 素子分離領域
51 電極
52 電極
Claims (7)
- 第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の第3の半導体層及び第4の半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記第3の半導体層、前記第4の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記第3の半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されており、
前記第4の半導体層のバンドギャップは、前記第3の半導体層のバンドギャップよりも狭く形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3の半導体層及び前記第4の半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されており、
前記第3の半導体層に含まれるInの組成比は、前記第1の半導体層に含まれるInの組成比よりも多く、
前記第4の半導体層に含まれるInの組成比は、前記第3の半導体層に含まれるInの組成比よりも多いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の組成傾斜半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記組成傾斜半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記組成傾斜半導体層のバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップ以下であって、前記第1の半導体層が設けられている側から前記第2の半導体層が設けられている側に向かって、バンドギャップが徐々に狭くなるように形成されているものであり、
前記第2の半導体層と前記組成傾斜半導体層との間には、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層よりもバンドギャップの広いバリア層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記組成傾斜半導体層は、InGaAsを含むものにより形成されており、
前記組成傾斜半導体層は、前記第1の半導体層が設けられている側から、前記第2の半導体層が設けられている側に向かって、Inの組成比が徐々に増加するものであることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 第1の導電型の第1の半導体層と、
第2の導電型の第2の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の導電型の複数の半導体層と、
を有し、
前記第1の半導体層、前記複数の半導体層、前記第2の半導体層の順に接続されるものであって、
前記複数の半導体層におけるバンドギャップは、前記第1の半導体層のバンドギャップよりも狭く、
前記第1の半導体層が設けられている側の半導体層から前記第2の半導体層が設けられている側の半導体層に向かって、バンドギャップが順に狭くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の導電型はn型であって、前記第2の導電型はp型であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、半導体基板の上に形成されているものであって、
前記半導体基板の上には、さらに電界効果型半導体装置が形成されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
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